JP2012015518A - パワー半導体デバイス - Google Patents
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Abstract
【解決手段】バイポーラパワー半導体デバイス1は、エミッタ電極11およびコレクタ電極15が提供されている。デバイスは、トレンチゲート電極2および次の順に異なる導電型の複数の層を備えた構造を有している。少なくとも1つのnドープソース領域3、少なくとも1つのソース領域3を囲むpドープベース層4、nドープエンハンスメント層5、pドープ付加的なウェル層62、付加的なnドープエンハンスメント層52、付加的なpドープウェル層62、nドープドリフト層7、pドープコレクタ層8。トレンチゲート電極2は、付加的なエンハンスメント層ボトム531よりコレクタ側面16に接近して位置するゲートボトム211を有している。
【選択図】図2
Description
エミッタ側面(12)の上に配置され、エミッタ電極(11)と接する、第1の導電型の少なくとも1つのソース領域(3)と、
エミッタ側面(12)の上に配置され、少なくとも1つのソース領域(3)を囲み、エミッタ電極(11)および少なくとも1つのソース領域(3)と接する、第2の導電型のベース層(4)と、
コレクタ側面(16)の上に配置され、コレクタ電極(15)と接する、第2の導電型のコレクタ層(8)と、
ベース層(4)とコレクタ層(8)との間に配置される、第1の導電型のドリフト層(7)と、
ベース層(4)と同じ平面に配置され、絶縁層(25)によってソース領域(3)、ベース層(4)およびドリフト層(7)から電気的に絶縁され、ゲートボトム(211)を具備する、トレンチゲート電極(2)と、
ベース層(4)とドリフト層(7)との間に配置される、第1の導電型のエンハンスメント層(5)および第2の導電型のウェル層(6)と、エンハンスメント層(5)は、フローティング層であり、コレクタ側面(16)の方のベース層(4)に隣接する、ウェル層(6)は、コレクタ側面(16)の方のエンハンスメント層(5)に隣接する、
エミッタ側面(12)の方のドリフト層(7)に隣接する、付加的なウェル層(62)と、
エミッタ側面(12)の方の付加的なウェル層(62)に隣接し、付加的なエンハンスメント層ボトム(531)を具備する、付加的なエンハンスメント層(52)と、
ゲートボトムは、付加的なエンハンスメント層ボトムよりコレクタ側面に接近して位置する。
エミッタ側面12上に配置され、エミッタ電極11と接する、少なくとも1つのnドープソース領域3と、
エミッタ側面12上に配置され、少なくとも1つのソース領域3を囲み、エミッタ電極11および少なくとも1つのソース領域3と接する、pドープベース層4と、
コレクタ側面16に配置され、コレクタ電極15と接する、pドープコレクタ層8と、
ベース層4とコレクタ層8との間に配置される、nドープドリフト層7と、
ベース層と同じ平面に配置され、絶縁層25によってソース領域3、ベース層4およびドリフト層7から電気的に絶縁され、ゲートボトム211を具備する、トレンチゲート電極2と、
ベース層4とドリフト層7との間に配置される、nドープエンハンスメント層5およびpドープウェル層6と、エンハンスメント層5は、コレクタ側面16の方のベース層4に隣接する、ウェル層6は、コレクタ側面16の方のエンハンスメント層5に隣接する、
エミッタ側面12の方のドリフト層7に隣接する、pドープ付加的なウェル層62と、
エミッタ側面12の方の付加的なウェル層62に隣接し、エミッタ側面12からの最大距離である付加的なエンハンスメント層ボトム531を具備する、付加的なnドープエンハンスメント層52と、付加的なエンハンスメント層52は、付加的なエンハンスメント層深さ53でそれまで伸びる、
ゲートボトム211は、付加的なエンハンスメント層ボトム531よりコレクタ側面16に接近して位置する。
kは、0.5と2との間のファクターである。エンハンスメント層5、52、55、55’とウェル層6、62、65、65’のドーパントの間でより高い等価を達成するために、ファクターkは、0.67と1.5との間の値を持つことができる。
1’ 従来技術のバイポーラ半導体デバイス、
11 エミッタ電極、
12 エミッタ側面、
15 コレクタ電極、
16 コレクタ側面、
2 トレンチゲート電極、
21 ゲート深さ、
211 ゲートボトム、
25 絶縁層、
28 さらなる絶縁層、
3 ソース領域、
4 ベース層、
5 エンハンスメント層、
52 付加的なエンハンスメント層、
53 付加的なエンハンスメント層深さ、
55、55’ さらなる付加的なエンハンスメント層、
56、56’ セット、
58 接続層、
6 ウェル層、
61 ウェル層深さ、
611 ウェル層ボトム、
62 付加的なウェル層、
63 付加的なウェル層深さ、
631 付加的なウェル層ボトム、
64 付加的なウェル層厚さ、
65、65’ さらなる付加的なウェル層、
7 ドリフト層、
75 バッファ層、
8 コレクタ層、
85 アノード層。
Claims (13)
- エミッタ側面(12)上に配置されているエミッタ電極(11)および前記エミッタ側面(12)の反対に位置するコレクタ側面(16)上に配置されているコレクタ電極(15)を備えたバイポーラパワー半導体デバイス(1)であって、
前記デバイスは、トレンチゲート電極(2)および異なる導電型の複数の層を備えた構造を有し、
前記トレンチゲート電極(2)および前記層は、前記エミッタ側面(12)と平行な平面に配置され、前記エミッタ側面(12)からの最大距離に配置されるボトムを各々具備し、前記ゲート電極(2)または前記層は、それまで伸びる、
前記エミッタ側面(12)上に配置され、前記エミッタ電極(11)と接する、第1の導電型の少なくとも1つのソース領域(3)と、
前記エミッタ側面(12)上に配置され、前記少なくとも1つのソース領域(3)を囲み、前記エミッタ電極(11)および前記少なくとも1つのソース領域(3)と接する、第2の導電型のベース層(4)と、
前記コレクタ側面(16)上に配置され、前記コレクタ電極(15)と接する、前記第2の導電型のコレクタ層(8)と、
前記ベース層(4)と前記コレクタ層(8)との間に配置される、前記第1の導電型のドリフト層(7)と、
前記ベース層(4)と同じ平面に配置され、絶縁層(25)によって前記ソース領域(3)、前記ベース層(4)および前記ドリフト層(7)から電気的に絶縁され、ゲートボトム(211)を具備する、前記トレンチゲート電極(2)と、
前記ベース層(4)と前記ドリフト層(7)との間に配置される、前記第1の導電型のエンハンスメント層(5)および前記第2の導電型のウェル層(6)と、前記エンハンスメント層(5)は、前記コレクタ側面(16)の方のベース層(4)に隣接する、前記ウェル層(6)は、前記コレクタ側面(16)の方の前記エンハンスメント層(5)に隣接する、
を具備し、
前記デバイス(1)は、
前記エミッタ側面(12)の方の前記ドリフト層(7)に隣接する、前記第2の導電型の付加的なウェル層(62)と、
前記エミッタ側面(12)の方の前記付加的なウェル層(62)に隣接し、付加的なエンハンスメント層ボトム(531)まで伸びる、前記第1の導電型の付加的なエンハンスメント層(52)と、
をさらに具備し、
前記ゲートボトム(211)は、前記付加的なエンハンスメント層ボトム(531)より前記コレクタ側面(16)に接近して位置する、ことを特徴とするデバイス(1)。 - 前記デバイス(1)は、少なくとも1組のさらなる付加的なエンハンスメント層(55、55’)およびさらなる付加的なウェル層(65、65’)をさらに具備し、
前記少なくとも1つのさらなる付加的なエンハンスメント層(55、55’)および前記少なくとも1つのさらなる付加的なウェル層(65、65’)は、前記ウェル層(6)と前記付加的なエンハンスメント層(52)との間に積み重ねられ、
前記さらなる付加的なエンハンスメント層(55、55’)の各セットは、前記さらなる付加的なウェル層(65、65’)より前記エミッタ側面(12)に接近して配置される、ことを特徴とする請求項1に記載のデバイス(1)。 - 前記少なくとも1つのさらなる付加的なエンハンスメント層(55、55’)は、前記ドリフト層(7)より高いドーピング濃度を有している、ことを特徴とする請求項2に記載のデバイス(1)。
- 前記エンハンスメント層(5)の少なくとも1つおよび前記付加的なエンハンスメント層(52)は、前記ドリフト層(7)より高いドーピング濃度を有している、ことを特徴とする請求項1〜3のうちのいずれかによるデバイス(1)。
- 前記付加的なウェル層(62)は、付加的なウェル層ボトム(631)まで伸び、
前記付加的なウェル層ボトム(631)は、前記ゲートボトム(211)より前記コレクタ側面(16)に接近して配置され、
前記第1の導電型の接続層(58)は、それが隣接するように配置され、前記絶縁層(25)および前記ドリフト層(7)に接続する、ことを特徴とする請求項1または2に記載のデバイス(1)。 - 前記接続層(58)は、前記ゲート電極(2)と前記ドリフト層(7)との間のエリア内で前記付加的なウェル層(62)と同じ平面に配置される、ことを特徴とする請求項1に記載のデバイス(1)。
- 前記付加的なウェル層(62)は、前記ゲート電極(2)と前記ドリフト層(7)との間のエリアへ伸びる、または、前記付加的なウェル層(62)は、前記絶縁層(25)で側面のエリアが制限され、絶縁層(25)に隣接している、ことを特徴とする請求項6に記載のデバイス(1)。
- 前記デバイス(1)は、前記ドリフト層(7)より高いドーピング濃度を有している前記第1の導電型のアノード層(85)をさらに具備し、
前記アノード層(85)は、前記コレクタ層(8)と同じ平面および次に配置される、ことを特徴とする請求項1〜7のうちのいずれかによるデバイス(1)。 - 前記デバイス(1)は、前記ドリフト層(7)と前記コレクタ層(8)との間に配置される前記第1の導電型のバッファ層(75)をさらに具備する、ことを特徴とする請求項1〜8のうちのいずれかによるデバイス(1)。
- 前記付加的なウェル層(64)の厚さは、前記付加的なエンハンスメント層ボトム(531)と前記ゲートボトム(211)までの最大との間で測定され、
すべてのエンハンスメント層(5、52、55、55’)およびすべてのウェル層(6、62、65、65’)は、同じ厚さを有している、ことを特徴とする請求項1〜9のうちのいずれかによるデバイス(1)。 - 前記付加的なウェル層(64)のドーピング濃度は、前記付加的なエンハンスメント層ボトム(531)と前記ゲートボトム(211)までの最大との間で測定され、
すべてのエンハンスメント層(5、52、55、55’)およびすべてのウェル層(6、62、65、65’)は、同じドーピング濃度を有している、ことを特徴とする請求項1〜10のうちのいずれかによるデバイス(1)。 - ΣNpitpi=kΣNnitni
Nniは、前記エンハンスメント層(5、52、55、55’)の前記ドーピング濃度であり、
Nniは、前記ウェル層(6、62、65、65’)の前記ドーピング濃度であり、
tpi、tniは、前記層の厚さであり、
kは、0.5と2との間、または、0.67と1.5との間のファクターであり、
前記付加的なウェル層(64)の前記厚さおよび前記ドーピング濃度は、前記付加的なエンハンスメント層ボトム(531)と前記ゲートボトム(211)までの最大との間で測定される、ことを特徴とする請求項1〜11のうちのいずれかによるデバイス(1)。 - 前記デバイスは、シリコンまたはGaNまたはSiCで作られたウェハに基づいて作られる、ことを特徴とする請求項1〜12のうちのいずれかによるデバイス(1)。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015032744A (ja) * | 2013-08-05 | 2015-02-16 | 株式会社東芝 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5644793B2 (ja) * | 2012-03-02 | 2014-12-24 | 株式会社デンソー | 半導体装置 |
US9666705B2 (en) * | 2012-05-14 | 2017-05-30 | Infineon Technologies Austria Ag | Contact structures for compound semiconductor devices |
CN103579296B (zh) * | 2012-08-06 | 2016-09-07 | 三垦电气株式会社 | 半导体装置及其制造方法 |
US9768284B2 (en) * | 2015-03-05 | 2017-09-19 | Infineon Technologies Americas Corp. | Bipolar semiconductor device having a charge-balanced inter-trench structure |
US9831330B2 (en) | 2015-03-05 | 2017-11-28 | Infineon Technologies Americas Corp. | Bipolar semiconductor device having a deep charge-balanced structure |
US9685506B2 (en) | 2015-03-05 | 2017-06-20 | Infineon Technologies Americas Corp. | IGBT having an inter-trench superjunction structure |
CN107112370B (zh) * | 2015-06-30 | 2020-08-28 | 富士电机株式会社 | 半导体装置及其制造方法 |
CN108604594B (zh) | 2016-08-12 | 2021-10-08 | 富士电机株式会社 | 半导体装置及半导体装置的制造方法 |
CN109449202B (zh) * | 2018-10-30 | 2021-10-22 | 广州工商学院 | 一种逆导双极型晶体管 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0541515A (ja) * | 1990-09-17 | 1993-02-19 | Toshiba Corp | 絶縁ゲート型サイリスタ |
JP2005210047A (ja) * | 2003-12-24 | 2005-08-04 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 半導体装置 |
JP2008288386A (ja) * | 2007-05-17 | 2008-11-27 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
JP2010103326A (ja) * | 2008-10-24 | 2010-05-06 | Toyota Motor Corp | Igbt、及び、igbtの製造方法 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE69023864T2 (de) * | 1989-09-27 | 1996-06-13 | Jujo Paper Co Ltd | Phthalsäuremetallsalzderivat und eine dieses enthaltende verdunkelnde und lichtgefühlige Platte. |
US5202750A (en) * | 1990-04-09 | 1993-04-13 | U.S. Philips Corp. | MOS-gated thyristor |
KR100327323B1 (ko) * | 2000-05-30 | 2002-03-06 | 김덕중 | 래치 업이 억제된 트랜치 게이트 구조의 전력용반도체소자 및 그 제조방법 |
TW543146B (en) * | 2001-03-09 | 2003-07-21 | Fairchild Semiconductor | Ultra dense trench-gated power device with the reduced drain-source feedback capacitance and miller charge |
JP4731848B2 (ja) * | 2004-07-16 | 2011-07-27 | 株式会社豊田中央研究所 | 半導体装置 |
JP2008244466A (ja) * | 2007-02-27 | 2008-10-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置 |
-
2010
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2011
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- 2011-06-30 CN CN201110192302.XA patent/CN102315257B/zh active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0541515A (ja) * | 1990-09-17 | 1993-02-19 | Toshiba Corp | 絶縁ゲート型サイリスタ |
JP2005210047A (ja) * | 2003-12-24 | 2005-08-04 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 半導体装置 |
JP2008288386A (ja) * | 2007-05-17 | 2008-11-27 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
JP2010103326A (ja) * | 2008-10-24 | 2010-05-06 | Toyota Motor Corp | Igbt、及び、igbtの製造方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015032744A (ja) * | 2013-08-05 | 2015-02-16 | 株式会社東芝 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
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