JP2013197134A - ダイオード - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ダイオード1Aは、半導体上層4の表面から深部に向けて伸びている緩和領域42を備えている。緩和領域42は、カソード領域10とアノード領域20の間に配置されている。緩和領域42に用いられる材料の絶縁破壊電界強度が、半導体上層4の材料の絶縁破壊電界強度よりも大きい。
【選択図】図1
Description
(第1特徴)ダイオードは、半導体層とカソード電極とアノード電極と緩和領域を備えていてもよい。カソード電極は、半導体層の表面に設けられていてもよい。アノード電極は、半導体層の表面に設けられており、カソード電極から離れていてもよい。緩和領域は、半導体層の表面から深部に向けて伸びていてもよい。
(第2特徴)半導体層は、SOI基板の半導体上層でもよく、エピタキシャル基板でもよく、多結晶シリコン基板の溝内に形成された半導体層であってもよい。
(第3特徴)半導体層は、第1導電型のカソード領域と、第2導電型のアノード領域と、第1導電型のドリフト領域と、を有していてもよい。カソード領域は、半導体層の表面部に設けられており、カソード電極に電気的に接続されていてもよい。アノード領域は、半導体層の表面部に設けられており、アノード電極に電気的に接続されていてもよい。ドリフト領域は、カソード領域とアノード領域の間に設けられており、カソード領域の不純物濃度よりも薄くてもよい。
(第4特徴)緩和領域は、カソード領域とアノード領域の間に配置されていてもよい。また、緩和領域に用いられる材料の絶縁破壊電界強度が、半導体層の材料の絶縁破壊電界強度よりも大きくてもよい。例えば、半導体層の材料がシリコンの場合、緩和領域には酸化シリコン、Si3N4、ポーラスSiO2、又はCVD膜が用いられる。
(第5特徴)緩和領域は、アノード領域のカソード領域側の端部に接触していてもよい。この態様によると、緩和領域は、電界が集中する箇所に対応して配置される。アバランシェ現象を効果的に抑制することができる。
(第6特徴)緩和領域は、アノード領域よりも深く形成されていてもよい。この態様によると、緩和領域は、電界が集中する箇所の大部分に対応して配置される。アバランシェ現象をより効果的に抑制することができる。
(第7特徴)緩和領域に用いられる材料が絶縁体であってもよい。この態様によると、リカバリ電流が緩和領域を迂回するように流れるので、リカバリ電流の電流経路を半導体層の表面から深部に向けて拡散させることができる。これにより、リカバリ電流の電流経路と電界が集中する箇所を不一致にすることができる。
(第8特徴)半導体層は、第2導電型の低濃度領域をさらに有していてもよい。低濃度領域は、第1アノード領域よりも深く形成されており、アノード領域よりも薄い不純物濃度であってもよい。
(第9特徴)ダイオードは、半導体層を一巡する絶縁分離トレンチで囲まれる島領域に形成されていてもよい。この場合、第8特徴において、低濃度領域は、絶縁分離トレンチに沿って島領域の周縁を一巡していてもよい。ダイオードの低濃度領域は、絶縁分離トレンチの側面に接していてもよい。
(1)図7に示されるように、ダイオード1Cでは、第2アノード領域20bが、低濃度領域26bと第1アノード領域20aが重複する位置に配置されている。このため、第2アノード領域20bが第1アノード領域20a内においてカソード領域10とは反対側に偏在して設けられている。この構成によると、順バイアス時の電流経路が、アノード領域20において広がるので、ドリフト領域30の広い範囲を電流経路として利用することができ、オン抵抗を低下させることができる。
例えば、上記実施例では半導体材料にシリコンを用いたものを例示したが、この例に代えて、炭化珪素半導体、窒化物半導体等のワイドバンドギャップの化合物半導体を用いてもよい。
また、本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組合せによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組合せに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成し得るものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。
2:半導体下層
3:埋込み絶縁層
4:半導体上層
5:SOI基板
6:カソード電極
7:アノード電極
10:カソード領域
20:アノード領域
30:ドリフト領域
42,44:緩和領域
Claims (4)
- 半導体層と、
前記半導体層の表面に設けられているカソード電極と、
前記半導体層の表面に設けられており、前記カソード電極から離れているアノード電極と、
前記半導体層の表面から深部に向けて伸びている緩和領域と、を備えており、
前記半導体層は、
表面部に設けられており、前記カソード電極に電気的に接続される第1導電型のカソード領域と、
表面部に設けられており、前記アノード電極に電気的に接続される第2導電型のアノード領域と、
前記カソード領域と前記アノード領域の間に設けられており、前記カソード領域の不純物濃度よりも薄い第1導電型のドリフト領域と、を有しており、
前記緩和領域は、前記カソード領域と前記アノード領域の間に配置されており、
前記緩和領域に用いられる材料の絶縁破壊電界強度が、前記半導体層の材料の絶縁破壊電界強度よりも大きいダイオード。 - 前記緩和領域は、前記アノード領域の前記カソード領域側の端部に接触している請求項1に記載のダイオード。
- 前記緩和領域は、前記アノード領域よりも深く形成されている請求項1又は2に記載のダイオード。
- 前記緩和領域に用いられる材料は、絶縁体である請求項1〜3のいずれか一項に記載のダイオード。
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2012
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