JP5405089B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
まずトレンチ形成前に、基板の法線方向からのイオン注入201によりPベース層202を形成する(図2(a))。続いて、トレンチ203を形成し、トレンチ203内に、ゲート酸化膜204およびポリシリコン205を形成する(図2(b)、(c))。その後、ポリシリコン205の全面をエッチバックして、埋込ゲート電極となるポリシリコン205を形成する(図3(a))。続いて、トレンチ203内に埋込層間膜206を形成する(図3(b))。
Pベース層202およびN+ソース層209は、上述のとおり形成されるので、それぞれの層の厚さはほぼ一定である。そして、エッチバックされたポリシリコン205にオフセットにならないように、N+ソース層209は深く形成されているので、Pベース層202が浅く平坦に形成されている。
そのため、Pベース層厚302は薄くなり、P+バックゲート層210までの電流経路301のベース抵抗が上昇し、アヴァランシェ耐量が低下していた。
つまり、従来の構造では、オン抵抗の低減とアヴァランシェ耐量の向上がトレードオフの関係になることが問題であった。
前記一対のトレンチに挟まれた所定の領域に形成されたベース領域と、
前記ベース領域の上部に形成されたソース領域と、
を備える半導体装置の製造方法であって、
前記基板に前記一対のトレンチをストライプ状に形成し、前記トレンチを埋め込むようにポリシリコンを全面に形成する第一のステップと、
前記ポリシリコンの全面をエッチバックして、前記トレンチ内の前記ポリシリコンの上側を除去し、前記トレンチの側壁および前記所定の領域の上面に、露出部を形成するとともに、前記埋込ゲート電極を形成する第二のステップと、
前記基板の法線方向に対して斜め方向に回転注入する方法により、前記露出部から前記所定の領域に、第一の不純物を斜めに注入し、その後、前記第一の不純物が注入された前記所定の領域を加熱して、前記第一の不純物を下方に拡散させて、前記ベース領域を形成する第三のステップと、
前記回転注入する方法により、前記露出部から前記所定の領域に、第二の不純物を斜めに注入して、前記ベース領域の上部に前記ソース領域を形成する第四のステップと、を含む半導体装置の製造方法が提供される。
を備える半導体装置であって、
ストライプ状の前記一対のトレンチに、挟まれた所定の領域に形成されたベース領域と、
前記ベース領域の上部に形成されたソース領域と、
前記一対のトレンチに挟まれた前記所定の領域のうち、チャネル領域に、前記ベース領域と前記ソース領域との第一のPN接合面と、
非チャネル領域に、前記第一のPN接合面より浅く形成された、前記ベース領域と前記ソース領域との第二のPN接合面とを有する第一の領域と、
前記所定の領域に、形成されたベース領域を有する第二の領域と、を備え、
前記一対のトレンチの長手方向に、前記第一の領域と前記第二の領域とが交互に配置されたことを特徴とする半導体装置が提供される。
なお、本実施の形態では図示するように前後左右上下の方向を規定して説明する。しかし、これは構成要素の相対関係を簡単に説明するために便宜的に規定するものである。従って、本発明を実施する製品の製造時や使用時の方向を限定するものではない。
この製造方法は、以下のステップを含む。
(i)基板に一対のトレンチをストライプ状に形成し、トレンチを埋め込むようにポリシリコンを全面に形成する第一のステップ。
(ii)ポリシリコンの全面をエッチバックして、トレンチ内のポリシリコンの上側を除去し、トレンチの側壁および所定の領域の上面に、露出部を形成するとともに、埋込ゲート電極を形成する第二のステップ。
(iii)基板の法線方向に対して斜め方向に回転注入する方法により、露出部から該所定の領域に、第一の不純物を斜めに注入し、その後、第一の不純物が注入された該所定の領域を加熱して、第一の不純物を下方に拡散させて、ベース領域を形成する第三のステップ。
(iiii)回転注入する方法により、露出部から該所定の領域に、第二の不純物を斜めに注入して、ベース領域の上部にソース領域を形成する第四のステップ。
以下、各ステップについて、本発明の実施の形態の製造工程の断面図(図5、図6)を用いて説明する。
第一のステップでは、基板に一対のトレンチ401をストライプ状に形成し、トレンチ401を埋め込むようにポリシリコン403を全面に形成する(図5(a))。
一対のトレンチ401は、シリコン基板にストライプ状に形成されたトレンチである。
ストライプ状の一対のトレンチ401は、シリコン基板表面方向にほぼ平行に形成される。
ポリシリコン403を全面に形成にはCVD(Chemical Vapor Deposition)、PVD(Physical Vapor Deposition)およびALD(Atomic Layer Deposition)などを用いて、ポリシリコン403を成長させる。これにより、トレンチ401内と、一対のトレンチ401に挟まれた所定の領域のシリコン基板の表面部分に、ポリシリコン403が形成される。
第二のステップでは、ポリシリコン403の全面をエッチバックして、トレンチ401内のポリシリコン403の上側を除去し、トレンチ401の側壁におよび所定の領域の上面に、露出部414を形成するとともに、埋込ゲート電極となるポリシリコン403を形成する(図5(b))。
ポリシリコン403の全面をエッチバックにより、一対のトレンチ401に挟まれた所定の領域の上面部分を露出することができる。さらに、トレンチ401内のポリシリコン403の上側をオーバーエッチして除去し、トレンチ401の側壁部分を露出させる。
第三のステップでは、基板の法線方向に対して斜め方向に回転注入404する方法により、露出部414から該所定の領域に、第一の不純物を斜めに注入し、その後、第一の不純物が注入された該所定の領域を加熱して、第一の不純物を下方に拡散させて、ベース領域(Pベース層407)を形成する(図5(c)、図6(a))。
第三のステップの回転注入404において、シリコン基板の法線方向に対して斜め方向に回転注入404する方法により、露出部414から該所定の領域に、第一の不純物を注入するものである。
露出部414の第一の側面と第二の側面の両側面から、斜めに第一の不純物を注入する。
ここで、回転注入404において、たとえば不純物の注入方向が、埋込ゲート電極となるポリシリコン403やゲート絶縁膜402を通過する場合には、第一の不純物は、埋込ゲート電極となるポリシリコン403やゲート絶縁膜402を、ほとんど通過することができない。つまり、このポリシリコン403やゲート絶縁膜402はマスクとして働くことになる。そのため、上記所定の領域のうち、埋込ゲート電極となるポリシリコン403またはゲート絶縁膜402の近くのシリコン基板内に、第一の不純物がほとんど注入さない領域が形成される。
さらに、第三のステップの回転注入404の注入エネルギーを、高エネルギーに設定することができる。この回転注入404の注入エネルギーを調整することにより、第一の不純物を、露出部414から、シリコン基板の表面部分から中央部分まで、斜めに注入することができる。
そのため、注入角度を調整することで、第一の不純物の濃度が高い中央部405が形成されるので、第三のステップの回転注入404したときの、Pベース層406は下向きに凸型になるように、形成される。
本実施の形態では、図5(c)に示すように、シリコン基板の面中心を、ある一対のトレンチ401に挟まれた所定の領域の中央部分に設定することができる。
また、回転注入には、注入しながら連続的に回転を行うものと、注入時は回軸を停止させ、その後シリコン基板を所定角度回転させて、再び注入を行うことを繰り返すステップ回転注入を含むことができる。
ここで、本実施形態では、シリコン基板の法線方向に対して斜め方向に回転注入するので、この平均不純物注入深さを、法線方向に対して直角方向と法線方向に対して水平方向に分けて考えるものとする。
このように、露出部414から第一の不純物の濃度分布のピーク域までの平均第一の不純物注入深さのうち、法線方向に対して直角方向のこの注入深さを決定する。
このように、一対のトレンチ401の両側の露出部414から、所定の領域のトレンチ401の中央を越えた部分まで、第一の不純物を注入することができるため、第一の不純物が注入された中央部405の第一の不純物の濃度を、高くすることができる。
上述の注入深さは、トレンチ401間の距離をDに応じて、回転注入の注入エネルギーを調整するなどして、適宜決定することができる。
回転注入404のエネルギーを高くすることによって、一対のトレンチ401の両側の露出部414から、上記所定の領域のより深い部分まで、第一の不純物を注入することができる。そして、中央部405の第一の不純物の濃度を、より高くすることができる。
一方、回転注入409のエネルギーを、回転注入404のエネルギーより低くすることによって、第二の不純物が注入される部分を、上記所定の領域の表層部分に形成することができる。
このように、加熱により、第一の不純物を、上記所定の領域の上面から下方に向かって、押込拡散させる。この押込拡散により、第一の不純物を拡散させる深さを調整することができる。
ここで、この拡散する深さを、シリコン基板の表面から内部方向の深さとすることができる。
その他、Pベース層407の中央部の厚さは、Pベース層406の形状(たとえば凸型)、Pベース層406の中央部405の不純物の濃度、および加熱条件(押込条件)などにより調整することができる。
第四のステップでは、回転注入409する方法により、露出部414から該所定の領域に、第二の不純物を斜めに注入して、ベース領域(Pベース層407)の上部にソース領域(N+ソース層410)を形成する(図6(b))。
この部分に第二の不純物を注入することができるので、上述のとおり、Pベース層406を熱拡散して形成されたPベース層407の上部に、N+ソース層410を形成することができる。
第四のステップの回転注入の注入エネルギーは、低エネルギーに設定することができる。
これにより、回転注入の注入エネルギーを調整することにより、第二の不純物の濃度分布のピーク域を、露出部414からシリコン基板表面付近までに分布させることができる。
露出部414の第一の側面と第二の側面の両側面から、斜めに第二の不純物を注入する。第二の不純物はn型不純物であり、例えばアンチモン、ヒ素、リンなどが挙げられる。
このように、露出部414から第二の不純物の濃度分布のピーク域までの平均第二の不純物注入深さのうち、法線方向に対して直角方向のこの注入深さを決定する。
これにより、下向きに凹型のN+ソース層410を形成することができる。
上述の注入深さは、トレンチ401の間の距離をDに応じて、回転注入の注入エネルギーを調整するなどして、適宜決定することができる。
このように、加熱により、上記所定の領域の上面から下方に向かって、第二の不純物を押込拡散させることができる。この押込拡散により、第一の不純物を拡散させる深さを調整することができる。ここで、かかる深さを、シリコン基板の表面から内部方向の深さとすることができる。
一方、回転注入エネルギーをほぼ同じにして、第三のステップの法線方向に対する斜め方向の角度は、第四のステップの法線方向に対する斜め方向の角度より、小さくすることもできる。
このように、注入角度を小さくするにしたがって、よりシリコン基板の表層から内部に向かって、不純物を深く注入することができ、一方注入角度を大きくするにしたがって、よりシリコン基板の表層付近に向かって、不純物を浅く注入することができる。
また、N+ソース層410の埋込ゲート電極側壁側の厚さは、回転注入409エネルギー、加熱条件などにより適宜設定することができる。
第四のステップ後、埋込ゲート電極の上に、埋込絶縁層間膜411を形成することができる。
また、第四のステップにおいて、Pベース層407の上部のバックゲート層(P+バックゲート層412)を形成する予定の領域にマスクをした後に、N+ソース層410を形成し、その後、マスクを除去して、上記予定の領域にP+バックゲート層412を形成する。その後、アルミニウムなどにより、ソース電極413を形成する。
本実施の形態の製造方法により、Pベース層は下向きに凸型に深く、N+ソース層は下向きに凹型に薄く形成できる。そのため、アヴァランシェ電流経路501のPベース層厚502を厚くすることができ、これによりアヴァランシェ耐量向上を図ることができる。
第二のステップで形成した露出部を利用して、イオン注入(回転注入404、409)をセルフアラインプロセスで実施することができる。この方法により、Pベース層、N+ソース層を形成することができる。そのため、N+ソース層が埋込ゲート電極とオフセットすることがなくなり、拡散、押込工程(加熱工程)の設計を容易にすることができる。
よって、チャネル領域では、ベース層を浅く、ソース層を深く形成でき、チャネル領域以外のベース層を深く、ソース層を浅く形成できる。そのため、オン抵抗を低減したまま、アヴァランシェ電流経路のベース抵抗を低減し、アヴァランシェ耐量を向上させることができる。
そのため、層間絶縁膜16をトレンチの中だけでなく、トレンチの外側に張り出すように形成する必要があった。このような場合、層間絶縁膜16がトレンチの外側に張り出している分、トレンチゲート間のピッチを狭めることができないという問題があった。
本発明の実施の形態の半導体装置は、シリコン基板(n−エピ層108、n++サブ層109)内の一対のトレンチに形成された埋込ゲート電極103を備えるものである。
さらに、ストライプ状の一対のトレンチに、挟まれた所定の領域に形成されたベース領域(Pベース層105)と、Pベース層105の上部に形成されたソース領域(N+ソース層106)と、一対のトレンチに挟まれた所定の領域のうち、チャネル領域に、Pベース層105とN+ソース層106との第一のPN接合面と、非チャネル領域に、第一のPN接合面より浅く形成された、Pベース層105とN+ソース層106との第二のPN接合面とを有する第一の領域と、該所定の領域に、形成されたベース領域(Pベース層)を有する第二の領域と、を備え、一対のトレンチの長手方向に、第一の領域と第二の領域とが交互に配置されたことを特徴とするものである。ここで、N+ソース層106が深い領域(ゲートトレンチ付近の両端の領域)をチャネル領域といい、N+ソース層106が浅い領域(ゲートトレンチから離れた中央の領域)を非チャネル領域というものとする。
図1に示すとおり、第一のPN接合面より基板内方向に浅く第二のPN接合面は形成されている。このため、チャネル部分では、ベース層が浅く、ソース層が深く形成され、チャネル部分以外では、ベース層が深く、ソース層が浅く形成されている。
そのため、オン抵抗を低減したまま、アヴァランシェ電流経路のベース抵抗を低減し、アヴァランシェ耐量を向上させることができる。
また、第一の領域と第二の領域とのトレンチの長手方向の長さは、上述の回転注入により調整される。このように、第一の領域と第二の領域との配置や回転注入により第一の領域のトレンチの長手方向の長さが決定される。
本実施形態の半導体装置は、第一の領域のトレンチの長手方向の長さの設定により、オン抵抗とアヴァランシェ耐量を調整することができる。
第二の領域において、Pベース層の上部にバックゲート層(P+バックゲート層107)が形成される。なお、ベース領域(Pベース層105)は、第一の不純物を含み、ソース領域(N+ソース層106)は、第二の不純物を含むことができる。第一の不純物および第二の不純物については、上述のとおりである。
まず、トレンチにゲート酸化膜を形成後、ポリシリコンを成長させ、該トレンチに埋め込んだ。次に、トレンチに埋め込んだポリシリコンをエッチバックした。
その後、露出したトレンチの側壁および一対のトレンチに挟まれた所定の領域の上面を利用して、セルフアラインで回転注入によるベース注入を行なった。
このときの注入エネルギー深さはトレンチ−トレンチ間隔に対し深く注入した。この場合、トレンチの両側から注入されることで、注入した部分のうち中央が両側からの注入により高濃度化された。
ここで、たとえばベースの回転注入の条件を以下のようにした。
トレンチ-トレンチ間隔:0.5μmの場合、
不純物:ボロン
加速電圧:100keV以上、120keV以下
ドーズ量:1E12/cm2以上、1E13/cm2以下程度
回転注入の注入角度:40°以上、50°以下
上記条件は、シミュレーション検証し確認した。
また、拡散層設計・トレンチ間隔寸法等により適宜変更することができる。
ここで、たとえば押込条件を以下のようにした。
温度:950度以上、1000度以下
時間:30分以上、60分以下程度
上記条件にて、押込で下向きに凸型の形状にPベース層が形成されることを確認した。
ここで、たとえばベースの回転注入の条件を以下のようにした。
不純物:ヒ素
加速電圧:30keV
回転注入の注入角度:40°以上、50°以下
ソース注入は低エネルギー注入で、埋込ゲート電極となるポリシリコン及びシリコン面に沿って注入され、ポリシリコンに掛かる深さに下向きに凹型に形成された。
そのため、低温押込(800度以上、850度以下程度)で充分に埋込ゲート電極となるポリシリコンに対しオフセットとならずにN+ソース層が形成できた。
その後、トレンチ埋込絶縁層間膜、P+バックゲート層を形成し、アルミニウムなどにより、ソース電極、埋込ゲート電極を形成し、本実施の形態の半導体装置が製造することができた。
7 トレンチ
14a バックゲート領域
14b バックゲート領域
15a ソース領域
15b ソース領域
16 層間絶縁膜
101 埋込絶縁層間膜
102 ソース電極
103 埋込ゲート電極
104 ゲート絶縁膜
105 Pベース層
106 N+ソース層
107 P+バックゲート層
108 n−エピ層
109 n++サブ層
110 ドレイン電極
201 イオン注入
202 Pベース層
203 トレンチ
204 ゲート酸化膜
205 ポリシリコン
206 埋込層間膜
207 フォトレジスト
208 イオン注入
209 N+ソース層
210 P+バックゲート層
211 ソース電極
301 電流経路
302 Pベース層厚
401 トレンチ
402 ゲート絶縁膜
403 ポリシリコン
404 回転注入
405 中央部
406 Pベース層
407 Pベース層
408 フォトレジスト
409 回転注入
410 N+ソース層
411 埋込絶縁層間膜
412 P+バックゲート層
413 ソース電極
414 露出部
501 電流経路
502 Pベース層厚
Claims (11)
- 基板内の一対のトレンチに形成された埋込ゲート電極と、
前記一対のトレンチに挟まれた所定の領域に形成されたベース領域と、
前記ベース領域の上部に形成されたソース領域と、
を備える半導体装置の製造方法であって、
前記基板に前記一対のトレンチをストライプ状に形成し、前記トレンチを埋め込むようにポリシリコンを全面に形成する第一のステップと、
前記ポリシリコンの全面をエッチバックして、前記トレンチ内の前記ポリシリコンの上側を除去し、前記トレンチの側壁および前記所定の領域の上面に、露出部を形成するとともに、前記埋込ゲート電極を形成する第二のステップと、
前記基板の法線方向に対して斜め方向に回転注入する方法により、前記露出部から前記所定の領域に、第一の不純物を斜めに注入し、その後、前記第一の不純物が注入された前記所定の領域を加熱して、前記第一の不純物を下方に拡散させて、前記ベース領域を形成する第三のステップと、
前記回転注入する方法により、前記露出部から前記所定の領域に、第二の不純物を斜めに注入して、前記ベース領域の上部に前記ソース領域を形成する第四のステップと、を含む半導体装置の製造方法。 - 前記第四のステップにおいて、前記ソース領域は、下向きに凹型に形成されることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第三のステップにおいて、前記ベース領域は、下向きに凸型に形成されることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第三のステップにおいて、前記第一の不純物を斜めに注入したときのベース領域は、下向きに凸型に形成されることを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第三のステップの回転注入において、前記一対のトレンチの間の距離をDとしたとき、前記露出部から第一の不純物の濃度分布のピーク域までの平均第一の不純物注入深さのうち、前記法線方向に対して直角方向の前記注入深さが、1/2Dよりも大きいことを特徴とする請求項1から4のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第四のステップの回転注入において、前記一対のトレンチの間の距離をDとしたとき、前記露出部から第二の不純物の濃度分布のピーク域までの平均第二の不純物注入深さのうち、前記法線方向に対して直角方向の前記注入深さが、1/2Dよりも小さいことを特徴とする請求項1から5のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第三のステップの回転注入の注入エネルギーは、前記第四のステップの回転注入の注入エネルギーより、大きいことを特徴とする請求項1から6のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第三のステップの法線方向に対する斜め方向の角度は、前記第四のステップの法線方向に対する斜め方向の角度より、小さいことを特徴とする請求項1から7のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第一の不純物および前記第二の不純物の、一方はn型不純物、他方はp型不純物であることを特徴とする請求項1から8のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記埋込ゲート電極の上に埋込絶縁層間膜を形成するステップをさらに含むことを特徴とする請求項1から9のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第四のステップにおいて、前記ベース領域の上部のバックゲート層を形成する予定の領域にマスクをした後に、前記ソース領域を形成し、その後、マスクを除去して、前記予定の領域にバックゲート層を形成するステップをさらに含むことを特徴とする請求項1から10のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
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