JP3416042B2 - ＧａＮ基材及びその製造方法 - Google Patents
ＧａＮ基材及びその製造方法Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えばＧａＮ系発
光素子の製造に好適なＧａＮ基材及びその製造方法に関
するものである。
光素子の製造に好適なＧａＮ基材及びその製造方法に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般的なＧａＮ半導体材料の厚膜成長手
段としては、サファイア基板上にＺｎＯ等のバッファ層
を形成し、その上にＨＶＰＥ法でＧａＮ半導体材料を成
長させる方法がある。また、その改良技術として、サフ
ァイア基板に代え、スピネル、ＬＧＯ、ＬＡＯ、Ｚｎ
Ｏ、ＳｉＣ等の基板を用いたり、易劈開性の基板を用い
たり、或いは基板表面にマスクを設けその上に選択成長
させる方法等がある。
段としては、サファイア基板上にＺｎＯ等のバッファ層
を形成し、その上にＨＶＰＥ法でＧａＮ半導体材料を成
長させる方法がある。また、その改良技術として、サフ
ァイア基板に代え、スピネル、ＬＧＯ、ＬＡＯ、Ｚｎ
Ｏ、ＳｉＣ等の基板を用いたり、易劈開性の基板を用い
たり、或いは基板表面にマスクを設けその上に選択成長
させる方法等がある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ＧａＮ
半導体材料を厚膜成長すると、ＧａＮとサファイア基板
との格子定数及び熱膨張係数の違いから界面に多大のス
トレスが掛かり、ＧａＮが割れ大型基板が得られないと
いった問題点があった。また、転位密度が極めて大きい
（１×１０9 cm-2〜１×１０10cm-2）基板しか得られな
いといった問題点があった。ここで転位とは、基板上に
半導体層を成長させるときに、格子定数が合致していな
い（格子不整合）状態で成長させた場合に発生する欠陥
であり、これら転位は結晶欠陥であるため非発光再結合
中心として働いたり、そこが電流のパスとして働き漏れ
電流の原因になるなど、当該ＧａＮ半導体材料を発光素
子に用いた場合に発光特性や寿命特性を低下させる原因
となる。
半導体材料を厚膜成長すると、ＧａＮとサファイア基板
との格子定数及び熱膨張係数の違いから界面に多大のス
トレスが掛かり、ＧａＮが割れ大型基板が得られないと
いった問題点があった。また、転位密度が極めて大きい
（１×１０9 cm-2〜１×１０10cm-2）基板しか得られな
いといった問題点があった。ここで転位とは、基板上に
半導体層を成長させるときに、格子定数が合致していな
い（格子不整合）状態で成長させた場合に発生する欠陥
であり、これら転位は結晶欠陥であるため非発光再結合
中心として働いたり、そこが電流のパスとして働き漏れ
電流の原因になるなど、当該ＧａＮ半導体材料を発光素
子に用いた場合に発光特性や寿命特性を低下させる原因
となる。
【０００４】従って本発明は、厚膜のＧａＮ半導体材料
の成長が可能で、しかも転位などの欠陥を内包しない高
品質なＧａＮ基材及びその製造方法を提供することを目
的とする。
の成長が可能で、しかも転位などの欠陥を内包しない高
品質なＧａＮ基材及びその製造方法を提供することを目
的とする。
【０００５】
【発明を解決するための手段】本発明のＧａＮ基材は、
ベース基板と、該ベース基板の表面を部分的に覆うマス
ク層と、その上に成長され、ベース基板の非マスク部と
直接接触する部位を有すると共に前記マスク層上を覆う
ＧａＮ層とからなり、前記マスク層は、それ自身の表面
からは実質的にＧａＮが結晶成長し得ない材料からな
り、該マスク層の形成パターンは、ＧａＮ層の〈１１−
２０〉方向の格子と、ＧａＮ層の〈１−１００〉方向の
格子とからなる格子状パターンであることを特徴とする
ものである。ここで、ベース基板表面の非マスク部が格
子状を呈していること、あるいは、非マスク部がストラ
イプ状を呈していることも好ましい。さらに、ベース基
板は少なくともその表層がＩｎXＧａYＡｌZＮ（０≦Ｘ
≦１，０≦Ｙ≦１，０≦Ｚ≦１，Ｘ＋Ｙ＋Ｚ＝１）であ
ることが好ましい。
ベース基板と、該ベース基板の表面を部分的に覆うマス
ク層と、その上に成長され、ベース基板の非マスク部と
直接接触する部位を有すると共に前記マスク層上を覆う
ＧａＮ層とからなり、前記マスク層は、それ自身の表面
からは実質的にＧａＮが結晶成長し得ない材料からな
り、該マスク層の形成パターンは、ＧａＮ層の〈１１−
２０〉方向の格子と、ＧａＮ層の〈１−１００〉方向の
格子とからなる格子状パターンであることを特徴とする
ものである。ここで、ベース基板表面の非マスク部が格
子状を呈していること、あるいは、非マスク部がストラ
イプ状を呈していることも好ましい。さらに、ベース基
板は少なくともその表層がＩｎXＧａYＡｌZＮ（０≦Ｘ
≦１，０≦Ｙ≦１，０≦Ｚ≦１，Ｘ＋Ｙ＋Ｚ＝１）であ
ることが好ましい。
【０００６】また、本発明のＧａＮ基材の製造方法は、
ベース基板の表面を、それ自身の表面からは実質的に結
晶成長し得ない材料からなるマスク層で部分的に覆い、
次いでベース基板表面の非マスク部を出発点として、前
記マスク層上を覆う厚さ以上にＧａＮ層を成長させるＧ
ａＮ基材の製造方法であって、前記マスク層の形成パタ
ーンを、ＧａＮ層の〈１１−２０〉方向の格子と、〈１
−１００〉方向の格子とからなる格子状パターンとする
ことを特徴とするものである。ここで、ＧａＮ層の成長
は、ＨＶＰＥ法もしくはＭＯＣＶＤ法により行われるこ
とが好ましい。
ベース基板の表面を、それ自身の表面からは実質的に結
晶成長し得ない材料からなるマスク層で部分的に覆い、
次いでベース基板表面の非マスク部を出発点として、前
記マスク層上を覆う厚さ以上にＧａＮ層を成長させるＧ
ａＮ基材の製造方法であって、前記マスク層の形成パタ
ーンを、ＧａＮ層の〈１１−２０〉方向の格子と、〈１
−１００〉方向の格子とからなる格子状パターンとする
ことを特徴とするものである。ここで、ＧａＮ層の成長
は、ＨＶＰＥ法もしくはＭＯＣＶＤ法により行われるこ
とが好ましい。
【０００７】
【作用】本明細書では、ＧａＮ系結晶やサファイア基板
などの六方格子結晶の格子面を４つのミラー指数（ｈｋ
ｉｌ）によって指定する場合があれば、記載の便宜上、
指数が負のときには、その指数の前にマイナス記号を付
けて表記するものとし、この負の指数に関する表記方法
以外は、一般的なミラー指数の表記方法に準じる。従っ
て、ＧａＮ系結晶の場合では、Ｃ軸に平行なプリズム面
（特異面）は６面あるが、例えば、その１つの面は（１
−１００）と表記し、６面を等価な面としてまとめる場
合には｛１−１００｝と表記する。また、前記｛１−１
００｝面に垂直でかつＣ軸に平行な面を等価的にまとめ
て｛１１−２０｝と表記する。また、（１−１００）面
に垂直な方向は〔１−１００〕、それと等価な方向の集
合を〈１−１００〉とし、（１１−２０）面に垂直な方
向は〔１１−２０〕、それと等価な方向の集合を〈１１
−２０〉と表記する。但し、図面にミラー指数を記入す
る場合があれば、指数が負のときには、その指数の上に
マイナス記号を付けて表記し、ミラー指数の一般的な表
記方法に全て準じる。本発明でいう結晶方位は、ベース
基板上にＣ軸を厚み方向として成長したＧａＮの結晶を
基準とする方位である。
などの六方格子結晶の格子面を４つのミラー指数（ｈｋ
ｉｌ）によって指定する場合があれば、記載の便宜上、
指数が負のときには、その指数の前にマイナス記号を付
けて表記するものとし、この負の指数に関する表記方法
以外は、一般的なミラー指数の表記方法に準じる。従っ
て、ＧａＮ系結晶の場合では、Ｃ軸に平行なプリズム面
（特異面）は６面あるが、例えば、その１つの面は（１
−１００）と表記し、６面を等価な面としてまとめる場
合には｛１−１００｝と表記する。また、前記｛１−１
００｝面に垂直でかつＣ軸に平行な面を等価的にまとめ
て｛１１−２０｝と表記する。また、（１−１００）面
に垂直な方向は〔１−１００〕、それと等価な方向の集
合を〈１−１００〉とし、（１１−２０）面に垂直な方
向は〔１１−２０〕、それと等価な方向の集合を〈１１
−２０〉と表記する。但し、図面にミラー指数を記入す
る場合があれば、指数が負のときには、その指数の上に
マイナス記号を付けて表記し、ミラー指数の一般的な表
記方法に全て準じる。本発明でいう結晶方位は、ベース
基板上にＣ軸を厚み方向として成長したＧａＮの結晶を
基準とする方位である。
【０００８】本明細書でいう「無転位」とは、転位が全
く存在しない理想的な状態（理論上存在する状態）だけ
を意味するのではなく、サファイア基板上にバッファ層
を介してＧａＮ系結晶を成長させた場合における通常の
転位密度に比べて、産業上その転位の影響を無視し得る
程十分に低い転位密度とされた状態を意味する。
く存在しない理想的な状態（理論上存在する状態）だけ
を意味するのではなく、サファイア基板上にバッファ層
を介してＧａＮ系結晶を成長させた場合における通常の
転位密度に比べて、産業上その転位の影響を無視し得る
程十分に低い転位密度とされた状態を意味する。
【０００９】本発明者らは、先にＧａＮとサファイア基
板との格子定数及び熱膨張係数の違いに起因するＧａＮ
層のクラック対策として、図４に示すように、ベース基
板１上に格子状にパターニングしたマスク層２を施し、
基板露出部へ点在的にチップサイズのＧａＮ層３０を成
長させることを提案している（特開平７−２７３３６７
号公報）。
板との格子定数及び熱膨張係数の違いに起因するＧａＮ
層のクラック対策として、図４に示すように、ベース基
板１上に格子状にパターニングしたマスク層２を施し、
基板露出部へ点在的にチップサイズのＧａＮ層３０を成
長させることを提案している（特開平７−２７３３６７
号公報）。
【００１０】その後本発明者らがさらに研究を重ねた結
果、点在的に成長させたＧａＮ層３０をさらに成長させ
ると、図１に示す如く厚さ方向だけでなく、各ＧａＮ層
３０からマスク層２上へ向けての横方向へも成長が行わ
れることが確認された。しかも、成長条件によっては結
晶方位依存性を有することが判明した。
果、点在的に成長させたＧａＮ層３０をさらに成長させ
ると、図１に示す如く厚さ方向だけでなく、各ＧａＮ層
３０からマスク層２上へ向けての横方向へも成長が行わ
れることが確認された。しかも、成長条件によっては結
晶方位依存性を有することが判明した。
【００１１】さらに、前述の結晶中に存在する転位は、
基板を含む下地から継承するか、何れかの成長界面で発
生し、結晶成長と共に成長する特性がある。非マスク部
を出発点としマスク層を覆うまでＧａＮ結晶を成長させ
た場合、マスク層を覆うのに要する厚み、低転位領域の
形成される場所は、マスク層の方向（マスク層と非マス
ク部との境界線の方向）・ＧａＮ結晶を成長させる時の
ガス雰囲気により変化することを見いだした。また、上
述の横方向の成長をさらに進めると、図２に示すよう
に、マスク層２を完全に埋め込み、非常に欠陥の少ない
平坦でクラックの無い大型且つ厚膜のＧａＮ層３が得ら
れる事を見出した。クラックが発生しないのは、マスク
層２界面とＧａＮ層３との界面が分離しているためにス
トレスが緩和されていることが原因と思われる。本発明
はかかる知見に基づくものである。
基板を含む下地から継承するか、何れかの成長界面で発
生し、結晶成長と共に成長する特性がある。非マスク部
を出発点としマスク層を覆うまでＧａＮ結晶を成長させ
た場合、マスク層を覆うのに要する厚み、低転位領域の
形成される場所は、マスク層の方向（マスク層と非マス
ク部との境界線の方向）・ＧａＮ結晶を成長させる時の
ガス雰囲気により変化することを見いだした。また、上
述の横方向の成長をさらに進めると、図２に示すよう
に、マスク層２を完全に埋め込み、非常に欠陥の少ない
平坦でクラックの無い大型且つ厚膜のＧａＮ層３が得ら
れる事を見出した。クラックが発生しないのは、マスク
層２界面とＧａＮ層３との界面が分離しているためにス
トレスが緩和されていることが原因と思われる。本発明
はかかる知見に基づくものである。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下図面を参照しながら、本発明
の実施の形態につき説明する。図２は本発明にかかるＧ
ａＮ基材の一例を示す断面図であり、１はベース基板、
２は該ベース基板１の表面を部分的に覆うマスク層、３
はベース基板１の非マスク部１１と直接接触する部位を
有すると共に前記マスク層２上を覆うＧａＮ層である。
の実施の形態につき説明する。図２は本発明にかかるＧ
ａＮ基材の一例を示す断面図であり、１はベース基板、
２は該ベース基板１の表面を部分的に覆うマスク層、３
はベース基板１の非マスク部１１と直接接触する部位を
有すると共に前記マスク層２上を覆うＧａＮ層である。
【００１３】本発明で用いるベース基板１としては特に
制限はなく、従来からＧａＮ層を成長させる際に汎用さ
れている、例えばサファイア、水晶、ＳｉＣ等を用いる
ことができる。なかでも、サファイアのＣ面、Ａ面、６
Ｈ−ＳｉＣ基板、特にＣ面サファイア基板が好ましい。
またこれら材料の表面に、ＧａＮ層との格子定数や熱膨
張係数の違いを緩和するためのＺｎＯ、ＭｇＯやＡｌＮ
等のバッファ層を設けたものであっても良い。
制限はなく、従来からＧａＮ層を成長させる際に汎用さ
れている、例えばサファイア、水晶、ＳｉＣ等を用いる
ことができる。なかでも、サファイアのＣ面、Ａ面、６
Ｈ−ＳｉＣ基板、特にＣ面サファイア基板が好ましい。
またこれら材料の表面に、ＧａＮ層との格子定数や熱膨
張係数の違いを緩和するためのＺｎＯ、ＭｇＯやＡｌＮ
等のバッファ層を設けたものであっても良い。
【００１４】特に、後に成長させるＧａＮ結晶となるべ
く格子定数が近く、且つ熱膨張係数ができるだけ近いも
のを選択することが、転位などの欠陥を本来的に少なく
する点及びクラック等をより生じにくくする点で望まし
い。また、後述するマスク層２の薄膜形成の際における
高熱やエッチングに対する耐性に優れることが好まし
い。このようなベース基板１として、少なくともその表
層（ＧａＮ層３が成長される側の面表層）がＩｎX Ｇａ
Y ＡｌZ Ｎ（０≦Ｘ≦１，０≦Ｙ≦１，０≦Ｚ≦１，Ｘ
＋Ｙ＋Ｚ＝１）からなるものが挙げられる。具体的に
は、サファイア基板上に、ＭＯＶＰＥ法によりＺｎＯや
ＡｌＮ等のバッファ層、及びＧａＮ又はＧａＡｌＮの薄
層を順次成膜したものが好適に用い得る。このようなベ
ース基板であれば、ＧａＮ層３の成長界面から新たに発
生する転位の密度を低く抑える事が出来、良好な結晶性
のＧａＮ層３を得ることができる。
く格子定数が近く、且つ熱膨張係数ができるだけ近いも
のを選択することが、転位などの欠陥を本来的に少なく
する点及びクラック等をより生じにくくする点で望まし
い。また、後述するマスク層２の薄膜形成の際における
高熱やエッチングに対する耐性に優れることが好まし
い。このようなベース基板１として、少なくともその表
層（ＧａＮ層３が成長される側の面表層）がＩｎX Ｇａ
Y ＡｌZ Ｎ（０≦Ｘ≦１，０≦Ｙ≦１，０≦Ｚ≦１，Ｘ
＋Ｙ＋Ｚ＝１）からなるものが挙げられる。具体的に
は、サファイア基板上に、ＭＯＶＰＥ法によりＺｎＯや
ＡｌＮ等のバッファ層、及びＧａＮ又はＧａＡｌＮの薄
層を順次成膜したものが好適に用い得る。このようなベ
ース基板であれば、ＧａＮ層３の成長界面から新たに発
生する転位の密度を低く抑える事が出来、良好な結晶性
のＧａＮ層３を得ることができる。
【００１５】上記マスク層２は、ベース基板１表面にお
けるＧａＮ層３の成長可能領域を実質的に制限すること
を目的とする層であるので、該マスク層２を構成する材
料としては、それ自身の表面からは実質的に結晶が成長
し得ないものであることが必要である。このような材料
として例えば非晶質体が例示され、さらにこの非晶質体
としてＳｉ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｚｒ等の窒化物や酸化物、即
ち、ＳｉＯ2 、ＳｉＮ X 、ＳｉＯ1-X ＮX 、ＴｉＯ2 、
ＺｒＯ2 等が例示される。とりわけ、耐熱性に優れると
共に成膜及びエッチング除去が比較的容易なＳｉＯ2 、
ＳｉＮX 、ＳｉＯ1-X ＮX が適しており、またこれら材
料の多層構造でもよい。
けるＧａＮ層３の成長可能領域を実質的に制限すること
を目的とする層であるので、該マスク層２を構成する材
料としては、それ自身の表面からは実質的に結晶が成長
し得ないものであることが必要である。このような材料
として例えば非晶質体が例示され、さらにこの非晶質体
としてＳｉ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｚｒ等の窒化物や酸化物、即
ち、ＳｉＯ2 、ＳｉＮ X 、ＳｉＯ1-X ＮX 、ＴｉＯ2 、
ＺｒＯ2 等が例示される。とりわけ、耐熱性に優れると
共に成膜及びエッチング除去が比較的容易なＳｉＯ2 、
ＳｉＮX 、ＳｉＯ1-X ＮX が適しており、またこれら材
料の多層構造でもよい。
【００１６】該マスク層２は、例えばＭＯＶＰＥ、スパ
ッタ、ＣＶＤ等の方法により基板全表面を覆うように形
成した後、通常のフォトリソグラフィー技術によって光
感光性レジストのパターニングを行い、エッチングによ
って基板の一部を露出させる等の手段で形成される。
ッタ、ＣＶＤ等の方法により基板全表面を覆うように形
成した後、通常のフォトリソグラフィー技術によって光
感光性レジストのパターニングを行い、エッチングによ
って基板の一部を露出させる等の手段で形成される。
【００１７】マスク層２の形成パターンには特に限定は
なく、格子状、ストライプ状、ドット状等であって良い
が、格子状とすればベース基板１表面積を有効に使用で
きるため好ましい。格子状マスキングを採用する場合、
ベース基板１の露出パターンの形状は四角形、その他多
角形、円形でも構わない。しかし、横方向の結晶成長速
度はＧａＮ層の〈１−１００〉方向よりもＧａＮ層の
〈１１−２０〉方向が速いという性質があるため、図３
に示すようにＧａＮ層の〈１１−２０〉方向の格子の幅
Ａと、ＧａＮ層の〈１−１００〉方向の格子の幅Ｂと
を、０＜Ａ≦Ｂの関係とし、マスク上の結晶性が良好で
ある特徴を最大限生かすようにすることが望ましい。な
お、格子の幅は１μｍ〜２ｍｍ程度、露出パターンは四
角形の場合は１μｍ〜２ｍｍ角程度とするのが好まし
い。
なく、格子状、ストライプ状、ドット状等であって良い
が、格子状とすればベース基板１表面積を有効に使用で
きるため好ましい。格子状マスキングを採用する場合、
ベース基板１の露出パターンの形状は四角形、その他多
角形、円形でも構わない。しかし、横方向の結晶成長速
度はＧａＮ層の〈１−１００〉方向よりもＧａＮ層の
〈１１−２０〉方向が速いという性質があるため、図３
に示すようにＧａＮ層の〈１１−２０〉方向の格子の幅
Ａと、ＧａＮ層の〈１−１００〉方向の格子の幅Ｂと
を、０＜Ａ≦Ｂの関係とし、マスク上の結晶性が良好で
ある特徴を最大限生かすようにすることが望ましい。な
お、格子の幅は１μｍ〜２ｍｍ程度、露出パターンは四
角形の場合は１μｍ〜２ｍｍ角程度とするのが好まし
い。
【００１８】マスク層２で部分的に覆われたベース基板
１の上には、ＧａＮ層３が結晶成長によって形成され
る。この場合、ＧａＮ結晶はベース基板１の非マスク部
のみが出発点となって成長が始まる。即ちＧａＮ層３と
ベース基板１との直接接触部位は、非マスク部のみとな
る。さらに成長を続けると、マスク層２の非マスク部キ
ャビティを完全に埋め、ほどなくマスク層２上に膨出す
る。なお成長を行うと、ＧａＮ結晶は厚さ方向だけでな
く、前記膨出部の側面を出発点として横方向への成長が
始まり、やがて他の非マスク部を出発点とする成長結晶
と合流し、ついにはマスク層２上を完全に覆うと共に厚
さ方向への成長が継続して行き、ＧａＮ層３が形成され
るものである。
１の上には、ＧａＮ層３が結晶成長によって形成され
る。この場合、ＧａＮ結晶はベース基板１の非マスク部
のみが出発点となって成長が始まる。即ちＧａＮ層３と
ベース基板１との直接接触部位は、非マスク部のみとな
る。さらに成長を続けると、マスク層２の非マスク部キ
ャビティを完全に埋め、ほどなくマスク層２上に膨出す
る。なお成長を行うと、ＧａＮ結晶は厚さ方向だけでな
く、前記膨出部の側面を出発点として横方向への成長が
始まり、やがて他の非マスク部を出発点とする成長結晶
と合流し、ついにはマスク層２上を完全に覆うと共に厚
さ方向への成長が継続して行き、ＧａＮ層３が形成され
るものである。
【００１９】このようにしてＧａＮ層が非マスク部を出
発点として結晶成長しマスク層を覆うまでに要する厚
み、低転位領域が形成される場所は、マスク層の方向
（マスク層と非マスク部との境界線の方向）・ＧａＮ結
晶を成長させる時のガス雰囲気により変化する。マスク
層の長手方向を〈１１−２０〉方向にした場合、横方向
成長速度に対しＣ軸方向の成長速度が早いため、｛１−
１０１｝面などの斜めファセットが形成され易い。よっ
て、ピラミッド状の形状が先ず形成されてから平坦化す
る。このため平坦に埋め込むにはある程度の厚みが必要
となる。一方、マスク層の長手方向を〈１−１００〉方
向にした場合、横方向成長速度が速くなるため｛１−１
０１｝面などの斜めファセットは形成され難い。この結
果、平坦に埋め込むのが〈１１−２０〉に比べて薄くて
済む。
発点として結晶成長しマスク層を覆うまでに要する厚
み、低転位領域が形成される場所は、マスク層の方向
（マスク層と非マスク部との境界線の方向）・ＧａＮ結
晶を成長させる時のガス雰囲気により変化する。マスク
層の長手方向を〈１１−２０〉方向にした場合、横方向
成長速度に対しＣ軸方向の成長速度が早いため、｛１−
１０１｝面などの斜めファセットが形成され易い。よっ
て、ピラミッド状の形状が先ず形成されてから平坦化す
る。このため平坦に埋め込むにはある程度の厚みが必要
となる。一方、マスク層の長手方向を〈１−１００〉方
向にした場合、横方向成長速度が速くなるため｛１−１
０１｝面などの斜めファセットは形成され難い。この結
果、平坦に埋め込むのが〈１１−２０〉に比べて薄くて
済む。
【００２０】ＧａＮ層を非マスク部を出発点としてマス
ク層上を覆うように成長させる時の成長雰囲気ガスは、
水素・窒素・アルゴン・ヘリウム等が挙げられるが、形
状等を制御する上で水素・窒素が望ましい。水素と窒素
では、Ｃ軸方向と横方向の速度比が変動するため、目的
に応じ適時使い分けると素子設計の幅が広がる。基板−
成長層界面を起点とし上に伝搬する転位線（貫通転位）
の形成のされ方は、マスク層の開口部上に｛１−１０
１｝面などの斜めファセットが出る場合、この面で曲げ
られるため、マスク層上に転位が形成され、この結果、
非マスク部（開口部）の上方が低転位領域となる。一
方、横方向成長速度が速く、｛１−１０１｝面などの斜
めファセットが形成され難い場合は、転位線はＣ軸方向
に伝搬する。この場合、マスク層の上方が低転位領域と
なる。この様に、成長条件を変化させることでマスク層
を埋め込むまでに要する厚さ・低転位領域の位置を制御
できるために、デバイス設計の自由度が上がる。また、
ＧａＮ層とベース基板との直接接触部位は非マスク部の
みで接触面積は小さく、両者の熱膨張係数の相違の影響
をあまり受けないことから、厚肉のＧａＮ層が容易に成
長させ得るという利点もある。
ク層上を覆うように成長させる時の成長雰囲気ガスは、
水素・窒素・アルゴン・ヘリウム等が挙げられるが、形
状等を制御する上で水素・窒素が望ましい。水素と窒素
では、Ｃ軸方向と横方向の速度比が変動するため、目的
に応じ適時使い分けると素子設計の幅が広がる。基板−
成長層界面を起点とし上に伝搬する転位線（貫通転位）
の形成のされ方は、マスク層の開口部上に｛１−１０
１｝面などの斜めファセットが出る場合、この面で曲げ
られるため、マスク層上に転位が形成され、この結果、
非マスク部（開口部）の上方が低転位領域となる。一
方、横方向成長速度が速く、｛１−１０１｝面などの斜
めファセットが形成され難い場合は、転位線はＣ軸方向
に伝搬する。この場合、マスク層の上方が低転位領域と
なる。この様に、成長条件を変化させることでマスク層
を埋め込むまでに要する厚さ・低転位領域の位置を制御
できるために、デバイス設計の自由度が上がる。また、
ＧａＮ層とベース基板との直接接触部位は非マスク部の
みで接触面積は小さく、両者の熱膨張係数の相違の影響
をあまり受けないことから、厚肉のＧａＮ層が容易に成
長させ得るという利点もある。
【００２１】ＧａＮ層３の形成材料としては、ＧａＮだ
けでなく、ＧａＮ系半導体材料も使用でき、例えば式Ｉ
ｎX ＧａY ＡｌZ Ｎ（０≦Ｘ≦１，０≦Ｙ≦１，０≦Ｚ
≦１，Ｘ＋Ｙ＋Ｚ＝１）で示される材料を使用できる。
かかるＧａＮ層３の成長方法については制限はなく、Ｈ
ＶＰＥ法、ＭＯＣＶＤ法、ＭＢＥ法等などがよい。Ｃ軸
方向に高速に成長させて厚膜を形成する場合はＨＶＰＥ
法が好ましいが、薄膜を形成する場合はＭＯＣＶＤ法が
好ましい。
けでなく、ＧａＮ系半導体材料も使用でき、例えば式Ｉ
ｎX ＧａY ＡｌZ Ｎ（０≦Ｘ≦１，０≦Ｙ≦１，０≦Ｚ
≦１，Ｘ＋Ｙ＋Ｚ＝１）で示される材料を使用できる。
かかるＧａＮ層３の成長方法については制限はなく、Ｈ
ＶＰＥ法、ＭＯＣＶＤ法、ＭＢＥ法等などがよい。Ｃ軸
方向に高速に成長させて厚膜を形成する場合はＨＶＰＥ
法が好ましいが、薄膜を形成する場合はＭＯＣＶＤ法が
好ましい。
【００２２】本発明にかかるＧａＮ基材、特に厚肉に成
長させたＧａＮ層３を基板として、その上にクラッド層
と活性層とからなる発光部等及び電極を形成すること
で、ＬＥＤやＬＤ等の発光素子を製造することができ
る。
長させたＧａＮ層３を基板として、その上にクラッド層
と活性層とからなる発光部等及び電極を形成すること
で、ＬＥＤやＬＤ等の発光素子を製造することができ
る。
【００２３】
（実施例１）直径２インチ、厚さ３３０μｍ、Ｃ面サフ
ァイア基板上に、ＭＯＶＰＥ装置を使って、厚さ２０ｎ
ｍのＡｌＮバッファ層を低温成長し、続いて１．５μｍ
のＧａＮ薄層を成長し、ベース基板とした。この基板の
表面にマスク材料として厚さ５００ｎｍのＳｉＯ2 薄膜
をスパッタリング法で形成し、さらにエッチングによっ
て、線幅１００μｍで２００μｍピッチの格子状のパタ
ーンにマスク材料を残してマスク層とした。即ち、１０
０μｍ角の正方形の露出部分が２００μｍ間隔で並ぶ形
状となる。これを新たな基板としてＨＶＰＥ装置に装填
し、３００μｍのｎ型ＧａＮ層を成長した。マスク層は
完全に埋め込まれ、表面の平坦性は良好であり、２イン
チ径のｎ型ＧａＮ基材が得られた。尚、マスク層上のＧ
ａＮをＴＥＭで評価した結果、転位密度は１×１０2 ｃ
ｍ -2以下であった。
ァイア基板上に、ＭＯＶＰＥ装置を使って、厚さ２０ｎ
ｍのＡｌＮバッファ層を低温成長し、続いて１．５μｍ
のＧａＮ薄層を成長し、ベース基板とした。この基板の
表面にマスク材料として厚さ５００ｎｍのＳｉＯ2 薄膜
をスパッタリング法で形成し、さらにエッチングによっ
て、線幅１００μｍで２００μｍピッチの格子状のパタ
ーンにマスク材料を残してマスク層とした。即ち、１０
０μｍ角の正方形の露出部分が２００μｍ間隔で並ぶ形
状となる。これを新たな基板としてＨＶＰＥ装置に装填
し、３００μｍのｎ型ＧａＮ層を成長した。マスク層は
完全に埋め込まれ、表面の平坦性は良好であり、２イン
チ径のｎ型ＧａＮ基材が得られた。尚、マスク層上のＧ
ａＮをＴＥＭで評価した結果、転位密度は１×１０2 ｃ
ｍ -2以下であった。
【００２４】（実施例２）直径２インチ、厚さ３３０μ
ｍ、Ｃ面サファイア基板上に、ＭＯＶＰＥ装置を使っ
て、厚さ５０ｎｍのＡｌＮバッファ層を低温成長し、続
いて１．５μｍのＧａＮ薄層を成長し、ベース基板とし
た。この基板の表面にマスク材料として厚さ１２０ｎｍ
のＳｉＯ2 薄膜をスパッタリング法で形成し、さらにエ
ッチングによって、線幅１．５ｍｍで２ｍｍピッチの格
子状のパターンにマスク材料を残してマスク層とした。
即ち、５００μｍ角の正方形の露出部分が１．５ｍｍ間
隔で並ぶ形状となる。この基板をＨＶＰＥ装置に装填
し、２ｍｍのｎ型ＧａＮ層を成長した。マスク層は完全
に埋め込まれ、クラックの発生は見られず、表面の平坦
性の良好な２インチ径のｎ型ＧａＮ基材が得られた。
ｍ、Ｃ面サファイア基板上に、ＭＯＶＰＥ装置を使っ
て、厚さ５０ｎｍのＡｌＮバッファ層を低温成長し、続
いて１．５μｍのＧａＮ薄層を成長し、ベース基板とし
た。この基板の表面にマスク材料として厚さ１２０ｎｍ
のＳｉＯ2 薄膜をスパッタリング法で形成し、さらにエ
ッチングによって、線幅１．５ｍｍで２ｍｍピッチの格
子状のパターンにマスク材料を残してマスク層とした。
即ち、５００μｍ角の正方形の露出部分が１．５ｍｍ間
隔で並ぶ形状となる。この基板をＨＶＰＥ装置に装填
し、２ｍｍのｎ型ＧａＮ層を成長した。マスク層は完全
に埋め込まれ、クラックの発生は見られず、表面の平坦
性の良好な２インチ径のｎ型ＧａＮ基材が得られた。
【００２５】（実施例３）実施例２で作製したベース基
板に、マスク材料として、厚さ５００ｎｍのＳｉＯ2 薄
膜をスパッタリング法で形成し、さらにエッチングによ
って、線幅２００μｍの直線状パターンが４００μｍピ
ッチで並ぶストライプ状のパターンにマスク材料を残し
てマスク層とした。即ち、２００μｍ幅の直線の露出部
分が２００μｍ間隔で並ぶ形状となる。ストライプの方
向は〈１−１００〉方向に合わせた。これを新たな基板
としてＨＶＰＥ装置に装填し、２２０μｍのｎ型ＧａＮ
層を成長した。マスク層は完全に埋め込まれ、クラック
の発生は見られず、表面の平坦性の良好な２インチ径の
ｎ型ＧａＮ基材が得られた。
板に、マスク材料として、厚さ５００ｎｍのＳｉＯ2 薄
膜をスパッタリング法で形成し、さらにエッチングによ
って、線幅２００μｍの直線状パターンが４００μｍピ
ッチで並ぶストライプ状のパターンにマスク材料を残し
てマスク層とした。即ち、２００μｍ幅の直線の露出部
分が２００μｍ間隔で並ぶ形状となる。ストライプの方
向は〈１−１００〉方向に合わせた。これを新たな基板
としてＨＶＰＥ装置に装填し、２２０μｍのｎ型ＧａＮ
層を成長した。マスク層は完全に埋め込まれ、クラック
の発生は見られず、表面の平坦性の良好な２インチ径の
ｎ型ＧａＮ基材が得られた。
【００２６】（実施例４）結晶構造が６Ｈ型であるＳｉ
Ｃ基板（０００１）上に、マスク材料として厚さ１５０
ｎｍのＳｉＯ2 薄膜を熱ＣＶＤ法で形成し、さらにエッ
チングによって、１０μｍ径の円形の露出部分が１００
μｍピッチで並ぶドット状のパターンにマスク材料を残
してマスク層とした。即ち、１００μｍ間隔の格子点上
に上記の円形露出部分が並んだ形状となる。これを新た
な基板としてＨＶＰＥ装置に装填し、３００μｍのｎ型
ＧａＮ層を成長した。マスク層は完全に埋め込まれ、ク
ラックの発生は見られず、表面の平坦性の良好な２イン
チ径のｎ型ＧａＮ基材が得られた。
Ｃ基板（０００１）上に、マスク材料として厚さ１５０
ｎｍのＳｉＯ2 薄膜を熱ＣＶＤ法で形成し、さらにエッ
チングによって、１０μｍ径の円形の露出部分が１００
μｍピッチで並ぶドット状のパターンにマスク材料を残
してマスク層とした。即ち、１００μｍ間隔の格子点上
に上記の円形露出部分が並んだ形状となる。これを新た
な基板としてＨＶＰＥ装置に装填し、３００μｍのｎ型
ＧａＮ層を成長した。マスク層は完全に埋め込まれ、ク
ラックの発生は見られず、表面の平坦性の良好な２イン
チ径のｎ型ＧａＮ基材が得られた。
【００２７】（実施例５）実施例２で作製したベース基
板に、表面にマスク材料として厚さ１５０ｎｍのＳｉＯ
2 薄膜をスパッタリング法で形成し、さらにエッチング
によって、線幅２ｍｍで２．１ｍｍピッチの格子状のパ
ターンにマスク材料を残してマスク層とした。即ち、１
００μｍ角の正方形の露出部分が２ｍｍ間隔で並ぶ形状
となる。この基板をＨＶＰＥ装置に装填し、２ｍｍのｎ
型ＧａＮ層を成長した。室温付近まで冷却しＨＶＰＥ装
置から取出したところ、ＧａＮ層はベース基板と自然に
分離しており、クラックの発生のない、平坦性の良好な
２インチ径のｎ型ＧａＮ基板が得られた。
板に、表面にマスク材料として厚さ１５０ｎｍのＳｉＯ
2 薄膜をスパッタリング法で形成し、さらにエッチング
によって、線幅２ｍｍで２．１ｍｍピッチの格子状のパ
ターンにマスク材料を残してマスク層とした。即ち、１
００μｍ角の正方形の露出部分が２ｍｍ間隔で並ぶ形状
となる。この基板をＨＶＰＥ装置に装填し、２ｍｍのｎ
型ＧａＮ層を成長した。室温付近まで冷却しＨＶＰＥ装
置から取出したところ、ＧａＮ層はベース基板と自然に
分離しており、クラックの発生のない、平坦性の良好な
２インチ径のｎ型ＧａＮ基板が得られた。
【００２８】（実施例６）本実施例では、マスク層の形
成パターンをストライプ状とし、そのストライプの長手
方向、結晶成長法、ＧａＮ成長時のガス雰囲気などを選
択して、マスク層の上層側に形成される低転位部分の位
置を制御することを試みた。結晶基板としてはサファイ
アＣ面基板を用いた。まずこのサファイアＣ面基板をＭ
ＯＣＶＤ装置内に配置し、水素雰囲気下で１１００℃ま
で昇温し、サーマルエッチングを行った。その後温度を
５００℃まで下げＡｌ原料としてトリメチルアルミニウ
ム（以下ＴＭＡ）、Ｎ原料としてアンモニアを流し、Ａ
ｌＮ低温バッファ層を成長させた。つづいて、温度を１
０００℃に昇温しＧａ原料としてトリメチルガリウム
（ＴＭＧ）を、Ｎ原料としてアンモニアを流しＧａＮ層
を２μｍ成長させた。
成パターンをストライプ状とし、そのストライプの長手
方向、結晶成長法、ＧａＮ成長時のガス雰囲気などを選
択して、マスク層の上層側に形成される低転位部分の位
置を制御することを試みた。結晶基板としてはサファイ
アＣ面基板を用いた。まずこのサファイアＣ面基板をＭ
ＯＣＶＤ装置内に配置し、水素雰囲気下で１１００℃ま
で昇温し、サーマルエッチングを行った。その後温度を
５００℃まで下げＡｌ原料としてトリメチルアルミニウ
ム（以下ＴＭＡ）、Ｎ原料としてアンモニアを流し、Ａ
ｌＮ低温バッファ層を成長させた。つづいて、温度を１
０００℃に昇温しＧａ原料としてトリメチルガリウム
（ＴＭＧ）を、Ｎ原料としてアンモニアを流しＧａＮ層
を２μｍ成長させた。
【００２９】この試料をＭＯＣＶＤ装置から取出し、ス
パッタリング装置にてＳｉＯ2 マスク層を形成した。マ
スク層の形成パターンはストライプ状とした。ストライ
プの長手方向はＧａＮ層の〈１１−２０〉方向とし、帯
状のマスク層の幅、非マスク部の幅（マスク層同士の隙
間）を共に４μｍとした。
パッタリング装置にてＳｉＯ2 マスク層を形成した。マ
スク層の形成パターンはストライプ状とした。ストライ
プの長手方向はＧａＮ層の〈１１−２０〉方向とし、帯
状のマスク層の幅、非マスク部の幅（マスク層同士の隙
間）を共に４μｍとした。
【００３０】この試料をＨＶＰＥ装置内に配置し、水素
雰囲気下で、１０００℃まで昇温し、ＴＭＧ、アンモニ
アを３０分間流し、非マスク部を出発点としてＧａＮ結
晶をマスク層の上面を平坦に覆うまで成長させた。上面
が平坦となった時点でのＧａＮ層の厚みは５０μｍであ
った。このとき低転位領域は非マスク部の上方に位置し
ていた。また、ＧａＮ層の表面の平坦性は良好であり、
２インチ径のＧａＮ基材が得られた。
雰囲気下で、１０００℃まで昇温し、ＴＭＧ、アンモニ
アを３０分間流し、非マスク部を出発点としてＧａＮ結
晶をマスク層の上面を平坦に覆うまで成長させた。上面
が平坦となった時点でのＧａＮ層の厚みは５０μｍであ
った。このとき低転位領域は非マスク部の上方に位置し
ていた。また、ＧａＮ層の表面の平坦性は良好であり、
２インチ径のＧａＮ基材が得られた。
【００３１】（実施例７）マスク層の形成パターンを、
ＧａＮ層の〈１−１００〉方向を長手方向とするストラ
イプ状とし、結晶成長法をＭＯＣＶＤ法としたこと以外
は、実施例６と同様にＧａＮ基材を形成した。この結
果、上面が平坦となった時点でのＧａＮ層の厚みは４μ
ｍであった。このとき低転位領域はマスク層の上方に位
置していた。また、ＧａＮ層の表面の平坦性は良好であ
り、２インチ径のＧａＮ基材が得られた。
ＧａＮ層の〈１−１００〉方向を長手方向とするストラ
イプ状とし、結晶成長法をＭＯＣＶＤ法としたこと以外
は、実施例６と同様にＧａＮ基材を形成した。この結
果、上面が平坦となった時点でのＧａＮ層の厚みは４μ
ｍであった。このとき低転位領域はマスク層の上方に位
置していた。また、ＧａＮ層の表面の平坦性は良好であ
り、２インチ径のＧａＮ基材が得られた。
【００３２】（実施例８）マスク層の形成パターンを次
のようにしたこと以外は、実施例６と同様にＧａＮ基材
を形成した。基板の表面全体をマスク材料で覆い、この
表面から直径１０μｍの開口を設け、該開口の内部底面
に基板の表面を露出させてこれを１つの非マスク部と
し、この開口が、中心間ピッチ２０μｍでマトリクス状
に並ぶパターンとした。この結果、上面が平坦となった
時点でのＧａＮ層の厚みは２０μｍであった。また、Ｇ
ａＮ層の表面の平坦性は良好であり、２インチ径のＧａ
Ｎ基材が得られた。
のようにしたこと以外は、実施例６と同様にＧａＮ基材
を形成した。基板の表面全体をマスク材料で覆い、この
表面から直径１０μｍの開口を設け、該開口の内部底面
に基板の表面を露出させてこれを１つの非マスク部と
し、この開口が、中心間ピッチ２０μｍでマトリクス状
に並ぶパターンとした。この結果、上面が平坦となった
時点でのＧａＮ層の厚みは２０μｍであった。また、Ｇ
ａＮ層の表面の平坦性は良好であり、２インチ径のＧａ
Ｎ基材が得られた。
【００３３】（実施例９）マスク層を覆うＧａＮ層の結
晶成長法をＨＶＰＥ法としたこと以外は、実施例７と同
様にＧａＮ基材を形成した。上面が平坦となった時点で
のＧａＮ層の厚みは２０μｍであった。このとき低転位
領域はマスク層の上方に位置していた。また、ＧａＮ層
の表面の平坦性は良好であり、２インチ径のＧａＮ基材
が得られた。
晶成長法をＨＶＰＥ法としたこと以外は、実施例７と同
様にＧａＮ基材を形成した。上面が平坦となった時点で
のＧａＮ層の厚みは２０μｍであった。このとき低転位
領域はマスク層の上方に位置していた。また、ＧａＮ層
の表面の平坦性は良好であり、２インチ径のＧａＮ基材
が得られた。
【００３４】（実施例１０）上記実施例７で得られたＧ
ａＮ基材をＨＶＰＥ装置内に配置し、該基材上にＧａＮ
結晶層を厚さ１００μｍとなるまで厚膜成長させた。形
成されたＧａＮ層表面の転位を観察したところ、転位密
度の低い領域と高い領域とが明らかに別れて存在するよ
うな状態は無くなったが、転位密度は全体的に均一に低
くなっていた。また、ＧａＮ層の表面の平坦性は良好で
あり、２インチ径のＧａＮ基材が得られた。
ａＮ基材をＨＶＰＥ装置内に配置し、該基材上にＧａＮ
結晶層を厚さ１００μｍとなるまで厚膜成長させた。形
成されたＧａＮ層表面の転位を観察したところ、転位密
度の低い領域と高い領域とが明らかに別れて存在するよ
うな状態は無くなったが、転位密度は全体的に均一に低
くなっていた。また、ＧａＮ層の表面の平坦性は良好で
あり、２インチ径のＧａＮ基材が得られた。
【００３５】
【発明の効果】以上説明した通りの本発明のＧａＮ基材
及びその製造方法によれば、厚膜のＧａＮ半導体材料の
成長が可能で、しかも転位などの欠陥を内包しない高品
質なＧａＮ基材を提供することができる。従って本発明
で得られたＧａＮ基材を発光素子の構成材料として用い
た場合、転位に基づく非発光再結合中心の生成や、漏れ
電流の発生の問題を解消でき、当該発光素子の発光特性
や寿命特性を低下させることがないという優れた効果を
奏する。
及びその製造方法によれば、厚膜のＧａＮ半導体材料の
成長が可能で、しかも転位などの欠陥を内包しない高品
質なＧａＮ基材を提供することができる。従って本発明
で得られたＧａＮ基材を発光素子の構成材料として用い
た場合、転位に基づく非発光再結合中心の生成や、漏れ
電流の発生の問題を解消でき、当該発光素子の発光特性
や寿命特性を低下させることがないという優れた効果を
奏する。
【図１】本発明に係るＧａＮ基材の成長途中の状態を示
す断面図である。
す断面図である。
【図２】本発明に係るＧａＮ基材を示す断面図である。
【図３】本発明におけるマスク層パターンの一例を示す
上面図である。
上面図である。
【図４】従来のＧａＮ基材を示す断面図である。
１ ベース基板
２ マスク層
３ ＧａＮ層
１１ 非マスク部
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 只友 一行
兵庫県伊丹市池尻４丁目３番地 三菱電
線工業株式会社 伊丹製作所内
(72)発明者 岡川 広明
兵庫県伊丹市池尻４丁目３番地 三菱電
線工業株式会社 伊丹製作所内
(72)発明者 大内 洋一郎
兵庫県伊丹市池尻４丁目３番地 三菱電
線工業株式会社 伊丹製作所内
(72)発明者 宮下 啓二
兵庫県伊丹市池尻４丁目３番地 三菱電
線工業株式会社 伊丹製作所内
(56)参考文献 特開 平10−312971（ＪＰ，Ａ)
特開 平８−64791（ＪＰ，Ａ)
特開 昭56−150880（ＪＰ，Ａ)
国際公開97／011518（ＷＯ，Ａ１)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 21/205
C30B 25/04
C30B 29/38
H01L 33/00
Claims (4)
- 【請求項１】 ベース基板と、該ベース基板の表面を部
分的に覆うマスク層と、その上に成長され、ベース基板
の非マスク部と直接接触する部位を有すると共に前記マ
スク層上を覆うＧａＮ層とからなり、 前記マスク層は、それ自身の表面からは実質的にＧａＮ
が結晶成長し得ない材料からなり、該マスク層の形成パ
ターンは、ＧａＮ層の〈１１−２０〉方向の格子と、Ｇ
ａＮ層の〈１−１００〉方向の格子とからなる格子状パ
ターンである ことを特徴とするＧａＮ基材。 - 【請求項２】 ベース基板は、少なくともその表層がＩ
ｎXＧａYＡｌZＮ（０≦Ｘ≦１，０≦Ｙ≦１，０≦Ｚ≦
１，Ｘ＋Ｙ＋Ｚ＝１）であることを特徴とする請求項１
記載のＧａＮ基材。 - 【請求項３】 ベース基板の表面を、それ自身の表面か
らは実質的にＧａＮが結晶成長し得ない材料からなるマ
スク層で部分的に覆い、次いでベース基板表面の非マス
ク部を出発点として、前記マスク層上を覆う厚さ以上に
ＧａＮ層を成長させるＧａＮ基材の製造方法であって、 前記マスク層の形成パターンを、ＧａＮ層の〈１１−２
０〉方向の格子と、〈１−１００〉方向の格子とからな
る格子状パターンとする ことを特徴とするＧａＮ基材の
製造方法。 - 【請求項４】 ＧａＮ層の成長が、ＨＶＰＥ法、ＭＯＣ
ＶＤ法、ＭＢＥ法のいずれかによって行われることを特
徴とする請求項３記載のＧａＮ基材の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35331897A JP3416042B2 (ja) | 1997-03-25 | 1997-12-22 | ＧａＮ基材及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9-91513 | 1997-03-25 | ||
| JP9151397 | 1997-03-25 | ||
| JP35331897A JP3416042B2 (ja) | 1997-03-25 | 1997-12-22 | ＧａＮ基材及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10326751A JPH10326751A (ja) | 1998-12-08 |
| JP3416042B2 true JP3416042B2 (ja) | 2003-06-16 |
Family
ID=26432949
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35331897A Expired - Fee Related JP3416042B2 (ja) | 1997-03-25 | 1997-12-22 | ＧａＮ基材及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3416042B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2200071B1 (en) * | 1997-10-30 | 2012-01-18 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | GaN single crystal substrate and method of making the same using homoepitaxy |
| US6335546B1 (en) * | 1998-07-31 | 2002-01-01 | Sharp Kabushiki Kaisha | Nitride semiconductor structure, method for producing a nitride semiconductor structure, and light emitting device |
| US6596079B1 (en) * | 2000-03-13 | 2003-07-22 | Advanced Technology Materials, Inc. | III-V nitride substrate boule and method of making and using the same |
| US6673149B1 (en) * | 2000-09-06 | 2004-01-06 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd | Production of low defect, crack-free epitaxial films on a thermally and/or lattice mismatched substrate |
| JP2011146589A (ja) * | 2010-01-15 | 2011-07-28 | Stanley Electric Co Ltd | 半導体発光素子及びその製造方法 |
| JP6186763B2 (ja) * | 2013-03-08 | 2017-08-30 | 株式会社リコー | １３族窒化物結晶の製造方法、１３族窒化物結晶基板の製造方法、及び１３族窒化物結晶基板 |
-
1997
- 1997-12-22 JP JP35331897A patent/JP3416042B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH10326751A (ja) | 1998-12-08 |
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