JP3462370B2 - ＧａＮ系結晶成長用基板およびその用途 - Google Patents
ＧａＮ系結晶成長用基板およびその用途Info
- Publication number
- JP3462370B2 JP3462370B2 JP19214797A JP19214797A JP3462370B2 JP 3462370 B2 JP3462370 B2 JP 3462370B2 JP 19214797 A JP19214797 A JP 19214797A JP 19214797 A JP19214797 A JP 19214797A JP 3462370 B2 JP3462370 B2 JP 3462370B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gan
- substrate
- based crystal
- base substrate
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Led Devices (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＧａＮ系結晶成長
用基板と、それを用いたＧａＮ系結晶基板の製造方法に
関するものである。
用基板と、それを用いたＧａＮ系結晶基板の製造方法に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般的なＧａＮ系半導体結晶（以下、Ｇ
ａＮ系結晶）の厚膜成長方法としては、サファイア基板
上にＺｎＯ等のバッファ層を形成し、その上にハイドラ
イド気相エピタキシャル成長法（以下、「ＨＶＰＥ」）
でＧａＮ系結晶を成長させる方法がある。また、その改
良技術として、サファイア基板に代えて、スピネル、Ｌ
ＧＯ、ＬＡＯ、ＺｎＯ、ＳｉＣ等の基板を用いる方法等
がある。
ａＮ系結晶）の厚膜成長方法としては、サファイア基板
上にＺｎＯ等のバッファ層を形成し、その上にハイドラ
イド気相エピタキシャル成長法（以下、「ＨＶＰＥ」）
でＧａＮ系結晶を成長させる方法がある。また、その改
良技術として、サファイア基板に代えて、スピネル、Ｌ
ＧＯ、ＬＡＯ、ＺｎＯ、ＳｉＣ等の基板を用いる方法等
がある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の成長方法に
は、サファイア結晶とＧａＮ系結晶との間の格子定数の
違いから、大きな転位密度（１×１０9 ｃｍ-2〜１×１
０10ｃｍ-2程度）のＧａＮ系結晶しか得られないといっ
た、結晶品質上の問題がある。ここで転位とは、基板上
にＧａＮ系結晶層を成長させるときに、格子定数が合致
していない（格子不整合）状態で成長させた場合に発生
する欠陥であり、これら転位は結晶欠陥であるため非発
光再結合中心として働いたり、そこが電流のパスとして
働き漏れ電流の原因になるなど、当該ＧａＮ系結晶を発
光素子に用いた場合に発光特性や寿命特性を低下させる
原因となる。
は、サファイア結晶とＧａＮ系結晶との間の格子定数の
違いから、大きな転位密度（１×１０9 ｃｍ-2〜１×１
０10ｃｍ-2程度）のＧａＮ系結晶しか得られないといっ
た、結晶品質上の問題がある。ここで転位とは、基板上
にＧａＮ系結晶層を成長させるときに、格子定数が合致
していない（格子不整合）状態で成長させた場合に発生
する欠陥であり、これら転位は結晶欠陥であるため非発
光再結合中心として働いたり、そこが電流のパスとして
働き漏れ電流の原因になるなど、当該ＧａＮ系結晶を発
光素子に用いた場合に発光特性や寿命特性を低下させる
原因となる。
【０００４】また、上記従来の成長方法には、例えば、
サファイア基板上にＧａＮ系結晶層を厚膜に成長させる
と、ＧａＮ系結晶とサファイア基板との熱膨張係数の違
いから界面に多大のストレスが掛かり、ＧａＮ系結晶の
厚膜が割れ、大型基板が得られないという、面積や厚さ
の問題がある。
サファイア基板上にＧａＮ系結晶層を厚膜に成長させる
と、ＧａＮ系結晶とサファイア基板との熱膨張係数の違
いから界面に多大のストレスが掛かり、ＧａＮ系結晶の
厚膜が割れ、大型基板が得られないという、面積や厚さ
の問題がある。
【０００５】ＧａＮ系結晶を厚膜に成長させるため、例
えば、特開平７−２７７８８４号公報「半導体用単結晶
の製造方法」では、サファイア基板の裏面に切り欠き溝
を形成し、ＧａＮ系結晶の厚膜より割れやすい易劈開性
の基板として、ＧａＮ系結晶の厚膜にはクラックを発生
させないようにしている。しかし、場合によっては、サ
ファイア基板だけが割れるのではなく、ＧａＮ系結晶の
厚膜までもが共割れすることが問題となっていた。
えば、特開平７−２７７８８４号公報「半導体用単結晶
の製造方法」では、サファイア基板の裏面に切り欠き溝
を形成し、ＧａＮ系結晶の厚膜より割れやすい易劈開性
の基板として、ＧａＮ系結晶の厚膜にはクラックを発生
させないようにしている。しかし、場合によっては、サ
ファイア基板だけが割れるのではなく、ＧａＮ系結晶の
厚膜までもが共割れすることが問題となっていた。
【０００６】本発明の課題は、厚膜で、しかも転位など
の欠陥を内包しない高品質なＧａＮ系結晶基板を割れる
ことなく製造し得るＧａＮ系結晶成長用基板を提供し、
またそれを用いたＧａＮ系結晶基板の製造方法を提供す
ることである。
の欠陥を内包しない高品質なＧａＮ系結晶基板を割れる
ことなく製造し得るＧａＮ系結晶成長用基板を提供し、
またそれを用いたＧａＮ系結晶基板の製造方法を提供す
ることである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、以下の特徴を
有するものである。 （１）ＧａＮ系結晶が成長可能なベース基板の一方の面
に、部分的にマスク層が設けられてマスク領域と非マス
ク領域とが形成され、マスク層はそれ自身の表面から実
質的にＧａＮ系結晶が成長し得ない材料からなり、ベー
ス基板の他方の面には、ベース基板に反りが生じようと
するときに割れを誘発する破壊誘導部が設けられ、該破
壊誘導部は、割れ面の起点となりかつ割れ面がマスク領
域に到達するように形成されているＧａＮ系結晶成長用
基板。
有するものである。 （１）ＧａＮ系結晶が成長可能なベース基板の一方の面
に、部分的にマスク層が設けられてマスク領域と非マス
ク領域とが形成され、マスク層はそれ自身の表面から実
質的にＧａＮ系結晶が成長し得ない材料からなり、ベー
ス基板の他方の面には、ベース基板に反りが生じようと
するときに割れを誘発する破壊誘導部が設けられ、該破
壊誘導部は、割れ面の起点となりかつ割れ面がマスク領
域に到達するように形成されているＧａＮ系結晶成長用
基板。
【０００８】（２）破壊誘導部が、切欠き溝、または帯
状の脆弱部である上記（１）記載のＧａＮ系結晶成長用
基板。
状の脆弱部である上記（１）記載のＧａＮ系結晶成長用
基板。
【０００９】（３）マスク領域が、ベース基板上に成長
するＧａＮ系結晶の〈１−１００〉方向に延びる帯状領
域を有するものである上記（１）記載のＧａＮ系結晶成
長用基板。
するＧａＮ系結晶の〈１−１００〉方向に延びる帯状領
域を有するものである上記（１）記載のＧａＮ系結晶成
長用基板。
【００１０】（４）ベース基板が、Ｃ面サファイア基板
である上記（１）または（３）記載のＧａＮ系結晶成長
用基板。
である上記（１）または（３）記載のＧａＮ系結晶成長
用基板。
【００１１】（５）破壊誘導部が切欠き溝または帯状の
脆弱部であって、この破壊誘導部が、ベース基板の面を
該基板の〈１１−２０〉方向に横切るように形成されて
いる上記（４）記載のＧａＮ系結晶成長用基板。
脆弱部であって、この破壊誘導部が、ベース基板の面を
該基板の〈１１−２０〉方向に横切るように形成されて
いる上記（４）記載のＧａＮ系結晶成長用基板。
【００１２】（６）割れ面がベース基板のＲ面であっ
て、破壊誘導部から発生したＲ面がマスク領域に到達す
るように、破壊誘導部の位置が決定されている上記
（４）または（５）記載のＧａＮ系結晶成長用基板。
て、破壊誘導部から発生したＲ面がマスク領域に到達す
るように、破壊誘導部の位置が決定されている上記
（４）または（５）記載のＧａＮ系結晶成長用基板。
【００１３】（７）ベース基板の一方の面全面に、かつ
マスク層の下層側に、ｎX ＧａY Ａｌ Z Ｎ（０≦Ｘ≦
１、０≦Ｙ≦１、０≦Ｚ≦１、Ｘ＋Ｙ＋Ｚ＝１）からな
る薄膜層が、ベース基板に直接またはバッファ層を介し
て形成されている上記（１）記載のＧａＮ系結晶成長用
基板。
マスク層の下層側に、ｎX ＧａY Ａｌ Z Ｎ（０≦Ｘ≦
１、０≦Ｙ≦１、０≦Ｚ≦１、Ｘ＋Ｙ＋Ｚ＝１）からな
る薄膜層が、ベース基板に直接またはバッファ層を介し
て形成されている上記（１）記載のＧａＮ系結晶成長用
基板。
【００１４】（８）上記（１）〜（７）のいずれかに記
載のＧａＮ系結晶成長用基板を用い、該基板上の非マス
ク領域を出発点としてマスク層上を覆うまでＧａＮ系結
晶層を成長させる工程を有することを特徴とするＧａＮ
系結晶基板の製造方法。
載のＧａＮ系結晶成長用基板を用い、該基板上の非マス
ク領域を出発点としてマスク層上を覆うまでＧａＮ系結
晶層を成長させる工程を有することを特徴とするＧａＮ
系結晶基板の製造方法。
【００１５】
【作用】本明細書では、ＧａＮ系結晶やサファイア基板
などの六方格子結晶の格子面を４つのミラー指数（ｈｋ
ｉｌ）によって指定する場合があれば、記載の便宜上、
指数が負のときには、その指数の前にマイナス記号を付
けて表記するものとし、この負の指数に関する表記方法
以外は、一般的なミラー指数の表記方法に準じる。従っ
て、ＧａＮ系結晶の場合では、Ｃ軸に平行なプリズム面
（特異面）は６面あるが、例えば、その１つの面は（１
−１００）と表記し、６面を等価な面としてまとめる場
合には｛１−１００｝と表記する。また、前記｛１−１
００｝面に垂直でかつＣ軸に平行な面を等価的にまとめ
て｛１１−２０｝と表記する。また、（１−１００）面
に垂直な方向は〔１−１００〕、それと等価な方向の集
合を〈１−１００〉とし、（１１−２０）面に垂直な方
向は〔１１−２０〕、それと等価な方向の集合を〈１１
−２０〉と表記する。但し、図面では、指数が負である
場合には、その指数の上にマイナス記号を付けて表記
し、ミラー指数の表記方法に全て準じる。
などの六方格子結晶の格子面を４つのミラー指数（ｈｋ
ｉｌ）によって指定する場合があれば、記載の便宜上、
指数が負のときには、その指数の前にマイナス記号を付
けて表記するものとし、この負の指数に関する表記方法
以外は、一般的なミラー指数の表記方法に準じる。従っ
て、ＧａＮ系結晶の場合では、Ｃ軸に平行なプリズム面
（特異面）は６面あるが、例えば、その１つの面は（１
−１００）と表記し、６面を等価な面としてまとめる場
合には｛１−１００｝と表記する。また、前記｛１−１
００｝面に垂直でかつＣ軸に平行な面を等価的にまとめ
て｛１１−２０｝と表記する。また、（１−１００）面
に垂直な方向は〔１−１００〕、それと等価な方向の集
合を〈１−１００〉とし、（１１−２０）面に垂直な方
向は〔１１−２０〕、それと等価な方向の集合を〈１１
−２０〉と表記する。但し、図面では、指数が負である
場合には、その指数の上にマイナス記号を付けて表記
し、ミラー指数の表記方法に全て準じる。
【００１６】「マスク領域」と「非マスク領域」は、と
もにベース基板面（該ベース基板面上にＧａＮ系結晶の
薄膜層が設けられる場合には該薄膜層の上面）中の領域
である。マスク層の上面の領域は、マスク領域に等しい
ものとみなし、同義として説明に用いる。
もにベース基板面（該ベース基板面上にＧａＮ系結晶の
薄膜層が設けられる場合には該薄膜層の上面）中の領域
である。マスク層の上面の領域は、マスク領域に等しい
ものとみなし、同義として説明に用いる。
【００１７】本発明者らは、先にＧａＮ系結晶（特にＧ
ａＮ結晶）とサファイア結晶基板との格子定数及び熱膨
張係数の違いに起因するＧａＮ系結晶層のクラック対策
として、図５（ａ）に示すように、ベース基板１上に、
格子状にパターニングしたマスク層２を設け、基板面が
露出している非マスク領域１１だけにＧａＮ系結晶を成
長させ、ベース基板面全体に対してチップサイズのＧａ
Ｎ系結晶層３０を点在させることによってクラックを防
止することを提案している（特開平７−２７３３６７号
公報）。
ａＮ結晶）とサファイア結晶基板との格子定数及び熱膨
張係数の違いに起因するＧａＮ系結晶層のクラック対策
として、図５（ａ）に示すように、ベース基板１上に、
格子状にパターニングしたマスク層２を設け、基板面が
露出している非マスク領域１１だけにＧａＮ系結晶を成
長させ、ベース基板面全体に対してチップサイズのＧａ
Ｎ系結晶層３０を点在させることによってクラックを防
止することを提案している（特開平７−２７３３６７号
公報）。
【００１８】その後、本発明者らがさらに研究を重ねた
結果、点在的に成長させたＧａＮ系結晶層３０をさらに
成長させると、図５（ｂ）に示すように、厚さ方向だけ
でなく、各ＧａＮ系結晶層３０からマスク層２上へ向け
ての横方向へも成長が行われることが確認された。しか
も、厚さ方向（Ｃ軸方向）と同じ程度の成長速度があ
り、結晶方位依存性が判明した。
結果、点在的に成長させたＧａＮ系結晶層３０をさらに
成長させると、図５（ｂ）に示すように、厚さ方向だけ
でなく、各ＧａＮ系結晶層３０からマスク層２上へ向け
ての横方向へも成長が行われることが確認された。しか
も、厚さ方向（Ｃ軸方向）と同じ程度の成長速度があ
り、結晶方位依存性が判明した。
【００１９】さらに、ＧａＮ系結晶層３０におけるＧａ
Ｎ系結晶中に存在する転位は、ベース基板を含む下地か
ら継承するか、何れかの成長界面で発生し、結晶成長と
共に成長する特性があるが、図５（ｂ）に示す如く、マ
スク層２の上に当たる領域（≒マスク領域として、以
下、この領域もマスク領域と呼ぶ）には発生源となる下
地（成長界面）が存在しないので、無転位状態となるこ
とを知見した。また、上述の横方向の成長をさらに進め
ると、図５（ｃ）に示す如く、ＧａＮ系結晶はマスク層
２の上を完全に覆ってマスク層を埋め込み、このマスク
領域には非常に欠陥の少ない、クラックの無い大型且つ
厚膜のＧａＮ系結晶３が得られる事を見いだした。
Ｎ系結晶中に存在する転位は、ベース基板を含む下地か
ら継承するか、何れかの成長界面で発生し、結晶成長と
共に成長する特性があるが、図５（ｂ）に示す如く、マ
スク層２の上に当たる領域（≒マスク領域として、以
下、この領域もマスク領域と呼ぶ）には発生源となる下
地（成長界面）が存在しないので、無転位状態となるこ
とを知見した。また、上述の横方向の成長をさらに進め
ると、図５（ｃ）に示す如く、ＧａＮ系結晶はマスク層
２の上を完全に覆ってマスク層を埋め込み、このマスク
領域には非常に欠陥の少ない、クラックの無い大型且つ
厚膜のＧａＮ系結晶３が得られる事を見いだした。
【００２０】上記のように、マスク領域には高品質で厚
いＧａＮ系結晶層が得られることがわかったが、それと
同時に本発明者らは、この厚いＧａＮ系結晶層とベース
基板との間の熱膨張係数の差によって積層体全体に反り
が生じることを新たに見いだし、これを改善すべき問題
とした。
いＧａＮ系結晶層が得られることがわかったが、それと
同時に本発明者らは、この厚いＧａＮ系結晶層とベース
基板との間の熱膨張係数の差によって積層体全体に反り
が生じることを新たに見いだし、これを改善すべき問題
とした。
【００２１】本発明では、ＧａＮ系結晶層を厚膜に形成
し、積層体全体に反りが生じようとしたときに、ベース
基板が自ら割れて応力を解消し反りを防止するよう、割
れを誘発するための破壊誘導部をベース基板の裏面に設
けている。しかも、破壊誘導部とマスク層とを対応させ
ることによって、破壊誘導部を起点として発生させた割
れ面を、マスク領域（マスク層下面）に到達させてそこ
で割れを止め、ＧａＮ系結晶の厚膜層の共割れを防止し
ている。即ち、マスク層の上面を高品質なＧａＮ系結晶
層の横方向の成長に利用しながら、該マスク層の本体
は、割れ面の進行を止める障壁として利用している。ま
た、マスク層と破壊誘導部とは、互いを考慮した形成パ
ターンとして形成されており、これら２つによって割れ
の好ましい起点と終点が構成されている。
し、積層体全体に反りが生じようとしたときに、ベース
基板が自ら割れて応力を解消し反りを防止するよう、割
れを誘発するための破壊誘導部をベース基板の裏面に設
けている。しかも、破壊誘導部とマスク層とを対応させ
ることによって、破壊誘導部を起点として発生させた割
れ面を、マスク領域（マスク層下面）に到達させてそこ
で割れを止め、ＧａＮ系結晶の厚膜層の共割れを防止し
ている。即ち、マスク層の上面を高品質なＧａＮ系結晶
層の横方向の成長に利用しながら、該マスク層の本体
は、割れ面の進行を止める障壁として利用している。ま
た、マスク層と破壊誘導部とは、互いを考慮した形成パ
ターンとして形成されており、これら２つによって割れ
の好ましい起点と終点が構成されている。
【００２２】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながら、本発
明の実施の形態につき説明する。本発明によるＧａＮ系
結晶成長用基板では、図１に示すように、ベース基板１
の一方の面（以下、「おもて面」とも呼ぶ）１ａに、部
分的にマスク層２を設けてマスク領域１２と非マスク領
域１１とを形成し、ベース基板１の他方の面（以下、
「裏面」とも呼ぶ）１ｂには、ベース基板に反りが生じ
ようとするときに割れを誘発する破壊誘導部１ｃを設け
る。破壊誘導部１ｃは、割れ面１ｄの起点となり、かつ
その割れ面がマスク領域に到達するように形成されてい
る。この構成によって、ＧａＮ系結晶の厚膜層３（図
中、一点鎖線）を成長させて、全体に反りが生じようと
したとき、破壊誘導部から割れを発生させることがで
き、しかも割れ面をマスク層で止めることができる。即
ち、ＧａＮ系結晶の厚膜層３が共割れすることなく、反
りを防止できるのである。
明の実施の形態につき説明する。本発明によるＧａＮ系
結晶成長用基板では、図１に示すように、ベース基板１
の一方の面（以下、「おもて面」とも呼ぶ）１ａに、部
分的にマスク層２を設けてマスク領域１２と非マスク領
域１１とを形成し、ベース基板１の他方の面（以下、
「裏面」とも呼ぶ）１ｂには、ベース基板に反りが生じ
ようとするときに割れを誘発する破壊誘導部１ｃを設け
る。破壊誘導部１ｃは、割れ面１ｄの起点となり、かつ
その割れ面がマスク領域に到達するように形成されてい
る。この構成によって、ＧａＮ系結晶の厚膜層３（図
中、一点鎖線）を成長させて、全体に反りが生じようと
したとき、破壊誘導部から割れを発生させることがで
き、しかも割れ面をマスク層で止めることができる。即
ち、ＧａＮ系結晶の厚膜層３が共割れすることなく、反
りを防止できるのである。
【００２３】ベース基板は、ＧａＮ系結晶が成長可能な
ものであればよく、例えば、従来からＧａＮ系結晶を成
長させる際に汎用されている、サファイア、水晶、Ｓｉ
Ｃ等を用いてもよい。なかでも、サファイアのＣ面、Ａ
面、６Ｈ−ＳｉＣ基板、特にＣ面サファイア基板が好ま
しい。
ものであればよく、例えば、従来からＧａＮ系結晶を成
長させる際に汎用されている、サファイア、水晶、Ｓｉ
Ｃ等を用いてもよい。なかでも、サファイアのＣ面、Ａ
面、６Ｈ−ＳｉＣ基板、特にＣ面サファイア基板が好ま
しい。
【００２４】マスク層は、それ自身の表面からは実質的
にＧａＮ系結晶が成長し得ない材料を用いる。このよう
な材料としては、例えば非晶質体が例示され、さらにこ
の非晶質体としてＳｉ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｚｒ等の窒化物や
酸化物等が例示される。特に、耐熱性に優れると共に成
膜及びエッチング除去が比較的容易なＳｉＯ2 膜が好適
に使用できる。
にＧａＮ系結晶が成長し得ない材料を用いる。このよう
な材料としては、例えば非晶質体が例示され、さらにこ
の非晶質体としてＳｉ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｚｒ等の窒化物や
酸化物等が例示される。特に、耐熱性に優れると共に成
膜及びエッチング除去が比較的容易なＳｉＯ2 膜が好適
に使用できる。
【００２５】マスク層は、例えば真空蒸着、スパッタ、
ＣＶＤ等の方法により基板全表面を覆うように形成した
後、通常のフォトリソグラフィー技術によって光感光性
レジストのパターニングを行い、エッチングによって基
板の一部を露出させる等の手段で形成される。
ＣＶＤ等の方法により基板全表面を覆うように形成した
後、通常のフォトリソグラフィー技術によって光感光性
レジストのパターニングを行い、エッチングによって基
板の一部を露出させる等の手段で形成される。
【００２６】マスク層の形成パターンは、マスク領域
が、ベース基板上に成長するＧａＮ系結晶の〈１−１０
０〉方向に延びる帯状領域を少なくとも有するものとす
るのが好ましい。即ち、マスク領域と非マスク領域との
境界線が、〈１−１００〉方向の線分を有するように形
成するのが好ましい。これによって、ＧａＮ系結晶の
｛１１−２０｝面が、マスク層の上面に沿って成長する
面として確保される。｛１１−２０｝面はオフファセッ
トな面であるため、ファセットな｛１−１００｝面に比
べて高速に成長する面である。
が、ベース基板上に成長するＧａＮ系結晶の〈１−１０
０〉方向に延びる帯状領域を少なくとも有するものとす
るのが好ましい。即ち、マスク領域と非マスク領域との
境界線が、〈１−１００〉方向の線分を有するように形
成するのが好ましい。これによって、ＧａＮ系結晶の
｛１１−２０｝面が、マスク層の上面に沿って成長する
面として確保される。｛１１−２０｝面はオフファセッ
トな面であるため、ファセットな｛１−１００｝面に比
べて高速に成長する面である。
【００２７】マスク層の形成パターンは、それ自体の好
ましい形成パターンとすることに加えて、マスク層に対
応して形成される破壊誘導部のことも考慮して形成する
のが好ましい。即ち、マスク層の形成パターンを、マス
ク領域と非マスク領域とが交互に配列された平行縞状の
パターンや、〈１１−２０〉方向と〈１−１００〉方向
とに直交する格子状のパターンとすることによって、マ
スク層上にはＧａＮ系結晶を高速に成長させながら、そ
れらに応じて形成された破壊誘導部も、好ましく割れを
発生させ得るパターンとなる。
ましい形成パターンとすることに加えて、マスク層に対
応して形成される破壊誘導部のことも考慮して形成する
のが好ましい。即ち、マスク層の形成パターンを、マス
ク領域と非マスク領域とが交互に配列された平行縞状の
パターンや、〈１１−２０〉方向と〈１−１００〉方向
とに直交する格子状のパターンとすることによって、マ
スク層上にはＧａＮ系結晶を高速に成長させながら、そ
れらに応じて形成された破壊誘導部も、好ましく割れを
発生させ得るパターンとなる。
【００２８】破壊誘導部は、ベース基板上にＧａＮ系結
晶の厚膜層を形成して積層体全体に反りが生じようとし
たときに、ベース基板に割れを誘発し得るものであれば
よく、切欠き溝や帯状の脆弱部などが例示される。切欠
き溝は、形状的に応力集中が起こり得る断面形状のもの
であればよく、例えば、図２（ａ）に示すＶ字状の溝１
ｃや、図２（ｂ）に示すＵ字状の溝１ｃなどが挙げられ
る。帯状の脆弱部は、図２（ｃ）に示すように、ベース
基板１の裏面１ｂに帯状の領域１ｃとして形成され、適
当な深さまで機械的強度が周囲よりも低いように変質さ
せた態様である。
晶の厚膜層を形成して積層体全体に反りが生じようとし
たときに、ベース基板に割れを誘発し得るものであれば
よく、切欠き溝や帯状の脆弱部などが例示される。切欠
き溝は、形状的に応力集中が起こり得る断面形状のもの
であればよく、例えば、図２（ａ）に示すＶ字状の溝１
ｃや、図２（ｂ）に示すＵ字状の溝１ｃなどが挙げられ
る。帯状の脆弱部は、図２（ｃ）に示すように、ベース
基板１の裏面１ｂに帯状の領域１ｃとして形成され、適
当な深さまで機械的強度が周囲よりも低いように変質さ
せた態様である。
【００２９】切欠き溝の形成方法は、ウエットエッチン
グ、ドライエッチング、ダイシング、スクライビングな
どが挙げられ、特にスクライビングが簡便で好ましい方
法である。切欠き溝の最深部（溝の底）からベース基板
のおもて面１ａまでの厚さは３〜１００μｍ、好ましく
は５〜２０μｍとすればよい。厚さが３μｍ未満であれ
ば基板としての強度がなく、１００μｍを超えると易破
壊性が充分に付与できない場合がある。
グ、ドライエッチング、ダイシング、スクライビングな
どが挙げられ、特にスクライビングが簡便で好ましい方
法である。切欠き溝の最深部（溝の底）からベース基板
のおもて面１ａまでの厚さは３〜１００μｍ、好ましく
は５〜２０μｍとすればよい。厚さが３μｍ未満であれ
ば基板としての強度がなく、１００μｍを超えると易破
壊性が充分に付与できない場合がある。
【００３０】帯状の脆弱部の形成方法は、ＣＯ2 レーザ
ーやエキシマレーザーなどの高出力レーザーを形成部位
に照射することで形成でき、レーザー光を走査すること
により、帯状にも格子状にも形成することができる。
ーやエキシマレーザーなどの高出力レーザーを形成部位
に照射することで形成でき、レーザー光を走査すること
により、帯状にも格子状にも形成することができる。
【００３１】破壊誘導部の形成パターンは限定されない
が、切欠き溝や脆弱に形成された帯が、ベース基板の裏
面を、外周上の一点から外周上の他の点まで直線的に横
切るパターンとする方がより易破壊性が増す。またその
とき、切欠き溝、脆弱に形成された帯の本数は、ベース
基板の規模に応じて、最も好ましく割れが発生するよう
に決定すればよく、適宜間隔をおいた縞状のパターンと
するのが好ましい。
が、切欠き溝や脆弱に形成された帯が、ベース基板の裏
面を、外周上の一点から外周上の他の点まで直線的に横
切るパターンとする方がより易破壊性が増す。またその
とき、切欠き溝、脆弱に形成された帯の本数は、ベース
基板の規模に応じて、最も好ましく割れが発生するよう
に決定すればよく、適宜間隔をおいた縞状のパターンと
するのが好ましい。
【００３２】破壊誘導部を形成するに際しては、マスク
層の形成パターンを考慮する他に、破壊誘導部から発生
する割れ面が該ベース基板のへき開面となるように形成
するのが、易破壊性が大となって好ましい態様である。
その場合には、ベース基板のへき開面とマスク領域との
関係、即ち、ベース基板の結晶方位とその上に成長する
ＧａＮ系結晶の結晶方位との関係を考慮し、破壊誘導部
から発生した割れ面（へき開面）が、マスク領域に到達
するように、破壊誘導部およびマスク層を形成するのが
好ましい。また、前記したように、マスク層もこの点を
考慮して形成するのが好ましい。
層の形成パターンを考慮する他に、破壊誘導部から発生
する割れ面が該ベース基板のへき開面となるように形成
するのが、易破壊性が大となって好ましい態様である。
その場合には、ベース基板のへき開面とマスク領域との
関係、即ち、ベース基板の結晶方位とその上に成長する
ＧａＮ系結晶の結晶方位との関係を考慮し、破壊誘導部
から発生した割れ面（へき開面）が、マスク領域に到達
するように、破壊誘導部およびマスク層を形成するのが
好ましい。また、前記したように、マスク層もこの点を
考慮して形成するのが好ましい。
【００３３】例えば、ベース基板のなかでもＣ面サファ
イア基板は、その上に成長するＧａＮ系結晶との間に、
ａ軸に関する特殊な関係がある。図３は、Ｃ面サファイ
ア基板上にＧａＮ結晶が成長したときの状態をＣ面方向
から見た図であって、サファイア結晶とそのａ軸（ａ1
〜ａ3 ）を一点鎖線で、ＧａＮ結晶とそのａ軸（ａ1〜
ａ3 ）を太線で示しており、Ｃ軸を共通軸として、サフ
ァイア結晶とＧａＮ結晶とを重ね合わせて示している。
同図に示すように、サファイア結晶上にＧａＮ系結晶を
エピタキシャル成長させたとき、サファイア結晶のａ軸
に対してＧａＮ系結晶のａ軸は、Ｃ軸を中心に３０°回
転した関係となる。
イア基板は、その上に成長するＧａＮ系結晶との間に、
ａ軸に関する特殊な関係がある。図３は、Ｃ面サファイ
ア基板上にＧａＮ結晶が成長したときの状態をＣ面方向
から見た図であって、サファイア結晶とそのａ軸（ａ1
〜ａ3 ）を一点鎖線で、ＧａＮ結晶とそのａ軸（ａ1〜
ａ3 ）を太線で示しており、Ｃ軸を共通軸として、サフ
ァイア結晶とＧａＮ結晶とを重ね合わせて示している。
同図に示すように、サファイア結晶上にＧａＮ系結晶を
エピタキシャル成長させたとき、サファイア結晶のａ軸
に対してＧａＮ系結晶のａ軸は、Ｃ軸を中心に３０°回
転した関係となる。
【００３４】サファイア基板には、へき開面としてＲ面
｛１−１０２｝がある。例えばＣ面サファイア基板を用
い、Ｒ面を割れ面として利用する場合では、図３に示す
ように、Ｃ面サファイア基板におけるＲ面は、サファイ
ア結晶における〈１１−２０〉方向の直線を交線として
そのＣ面と角度５７．６°をなして交わる。図３では、
Ｒ面は〈１１−２０〉方向の直線を基線として紙面に対
して立ち上がっており、Ｃ軸との交点は示していない。
上記のとおり、Ｃ面サファイア基板とＧａＮ系結晶とは
ａ軸が３０°回転した関係にあるから、Ｃ面サファイア
基板のＲ面は、ＧａＮ系結晶のＣ面とは、ＧａＮ系結晶
における〈１−１００〉方向の直線を交線として交わ
る。
｛１−１０２｝がある。例えばＣ面サファイア基板を用
い、Ｒ面を割れ面として利用する場合では、図３に示す
ように、Ｃ面サファイア基板におけるＲ面は、サファイ
ア結晶における〈１１−２０〉方向の直線を交線として
そのＣ面と角度５７．６°をなして交わる。図３では、
Ｒ面は〈１１−２０〉方向の直線を基線として紙面に対
して立ち上がっており、Ｃ軸との交点は示していない。
上記のとおり、Ｃ面サファイア基板とＧａＮ系結晶とは
ａ軸が３０°回転した関係にあるから、Ｃ面サファイア
基板のＲ面は、ＧａＮ系結晶のＣ面とは、ＧａＮ系結晶
における〈１−１００〉方向の直線を交線として交わ
る。
【００３５】従って、ベース基板としてＣ面サファイア
基板を用いた場合、破壊誘導部は、Ｃ面サファイア基板
のＣ面における〈１１−２０〉方向の直線に沿って該Ｃ
面を横切るパターンとし、Ｒ面を割れ面とする割れを発
生させることが好ましい一態様であり、特に、図４に示
すように、破壊誘導部１ｃから発生したＲ面（割れ面）
がマスク領域に到達するように、破壊誘導部１ｃを、マ
スク領域の直下ではなく、斜め５７．６°下方に位置さ
せるのが好ましい一態様として挙げることができる。
基板を用いた場合、破壊誘導部は、Ｃ面サファイア基板
のＣ面における〈１１−２０〉方向の直線に沿って該Ｃ
面を横切るパターンとし、Ｒ面を割れ面とする割れを発
生させることが好ましい一態様であり、特に、図４に示
すように、破壊誘導部１ｃから発生したＲ面（割れ面）
がマスク領域に到達するように、破壊誘導部１ｃを、マ
スク領域の直下ではなく、斜め５７．６°下方に位置さ
せるのが好ましい一態様として挙げることができる。
【００３６】ベース基板として、Ａ面サファイア基板、
６Ｈ−ＳｉＣ基板を用いる場合でも、上記Ｃ面サファイ
ア基板の場合と同様、各基板のへき開面を割れ面として
利用するのが好ましく、それぞれ、破壊誘導部からへき
開面を割れ面とする割れを発生させ、へき開をマスク層
で止めるようにする態様が好ましい。
６Ｈ−ＳｉＣ基板を用いる場合でも、上記Ｃ面サファイ
ア基板の場合と同様、各基板のへき開面を割れ面として
利用するのが好ましく、それぞれ、破壊誘導部からへき
開面を割れ面とする割れを発生させ、へき開をマスク層
で止めるようにする態様が好ましい。
【００３７】ベース基板のおもて面には全面に、マスク
層の形成前に、ＩｎX ＧａY ＡｌZＮ（０≦Ｘ≦１、０
≦Ｙ≦１、０≦Ｚ≦１、Ｘ＋Ｙ＋Ｚ＝１）からなる薄膜
層を、直接またはＺｎＯなどの公知のバッファ層を介し
て形成してもよい。これによって、ＧａＮ系結晶の厚膜
層の結晶品質が向上する。
層の形成前に、ＩｎX ＧａY ＡｌZＮ（０≦Ｘ≦１、０
≦Ｙ≦１、０≦Ｚ≦１、Ｘ＋Ｙ＋Ｚ＝１）からなる薄膜
層を、直接またはＺｎＯなどの公知のバッファ層を介し
て形成してもよい。これによって、ＧａＮ系結晶の厚膜
層の結晶品質が向上する。
【００３８】本発明のＧａＮ系基板の製造方法は、上記
説明のＧａＮ系結晶成長用基板を用いてＧａＮ系結晶を
成長させる製造方法である。ＧａＮ系結晶の成長は、ベ
ース基板の非マスク部が出発点となって始まる。成長を
続けると、図５（ａ）に示すように、マスク層同士の間
はＧａＮ系結晶によって充填され、さらに図５（ｂ）に
示すように、ＧａＮ系結晶はマスク層の上面よりも高く
膨出する。このとき、ＧａＮ系結晶は高さ方向（Ｃ軸方
向）だけでなく、前記膨出部の側面を出発点として横方
向へも成長が始まる。やがて隣の非マスク部を出発点と
する成長結晶と合流し、ついには図５（ｃ）に示すよう
に、マスク層２上を完全に覆うと共に厚さ方向への成長
が継続して行き、厚膜のＧａＮ系結晶層３が形成され
る。ＧａＮ系結晶の成長後、温度を室温へもどす際に、
熱膨張係数の差から全体に反りが発生しようとするが、
図１または図４に示すようにベース基板だけが好ましく
割れて反ることなく、厚膜のＧａＮ系結晶層が得られ
る。ＧａＮ系結晶基板は、この厚膜の層をベース基板ご
と用いる態様から、他の層を全て除去し厚膜のＧａＮ系
結晶層だけを用いる態様まで自由である。
説明のＧａＮ系結晶成長用基板を用いてＧａＮ系結晶を
成長させる製造方法である。ＧａＮ系結晶の成長は、ベ
ース基板の非マスク部が出発点となって始まる。成長を
続けると、図５（ａ）に示すように、マスク層同士の間
はＧａＮ系結晶によって充填され、さらに図５（ｂ）に
示すように、ＧａＮ系結晶はマスク層の上面よりも高く
膨出する。このとき、ＧａＮ系結晶は高さ方向（Ｃ軸方
向）だけでなく、前記膨出部の側面を出発点として横方
向へも成長が始まる。やがて隣の非マスク部を出発点と
する成長結晶と合流し、ついには図５（ｃ）に示すよう
に、マスク層２上を完全に覆うと共に厚さ方向への成長
が継続して行き、厚膜のＧａＮ系結晶層３が形成され
る。ＧａＮ系結晶の成長後、温度を室温へもどす際に、
熱膨張係数の差から全体に反りが発生しようとするが、
図１または図４に示すようにベース基板だけが好ましく
割れて反ることなく、厚膜のＧａＮ系結晶層が得られ
る。ＧａＮ系結晶基板は、この厚膜の層をベース基板ご
と用いる態様から、他の層を全て除去し厚膜のＧａＮ系
結晶層だけを用いる態様まで自由である。
【００３９】本発明のＧａＮ系結晶成長用基板上に結晶
成長させるべき物質は、ＩｎX Ｇａ Y ＡｌZ Ｎ（０≦Ｘ
≦１、０≦Ｙ≦１、０≦Ｚ≦１、Ｘ＋Ｙ＋Ｚ＝１）で示
されるＧａＮ系の化合物半導体が挙げられる。特に、厚
膜層として有用なものには、ＧａＮが挙げられる。
成長させるべき物質は、ＩｎX Ｇａ Y ＡｌZ Ｎ（０≦Ｘ
≦１、０≦Ｙ≦１、０≦Ｚ≦１、Ｘ＋Ｙ＋Ｚ＝１）で示
されるＧａＮ系の化合物半導体が挙げられる。特に、厚
膜層として有用なものには、ＧａＮが挙げられる。
【００４０】ＧａＮ系結晶層の成長方法については制限
はなく、ＨＶＰＥ、ＭＯＶＰＥ、ＭＢＥなどが例示でき
るが、とりわけＨＶＰＥは成長速度が非常に大きいとい
う利点があるため好ましい。
はなく、ＨＶＰＥ、ＭＯＶＰＥ、ＭＢＥなどが例示でき
るが、とりわけＨＶＰＥは成長速度が非常に大きいとい
う利点があるため好ましい。
【００４１】本発明の製造方法によって得られたＧａＮ
系基板を用い、該基板上にクラッド層と活性層とからな
る発光部等及び電極を形成することで、ＬＥＤやＬＤ等
の発光素子を製造することができる。
系基板を用い、該基板上にクラッド層と活性層とからな
る発光部等及び電極を形成することで、ＬＥＤやＬＤ等
の発光素子を製造することができる。
【００４２】
【実施例】以下、実施例を挙げて本発明を具体的に示
す。本実施例では、ベース基板としてＣ面サファイア基
板を用いて本発明によるＧａＮ系結晶成長用基板を製作
し、それを用いてＧａＮ結晶基板を製造した。
す。本実施例では、ベース基板としてＣ面サファイア基
板を用いて本発明によるＧａＮ系結晶成長用基板を製作
し、それを用いてＧａＮ結晶基板を製造した。
【００４３】〔ＧａＮ系結晶成長用基板の製作〕図４に
示すように、直径２インチ、厚さ３３０μｍ、Ｃ面サフ
ァイア基板上に、ＭＯＶＰＥ装置を使って、厚さ３０ｎ
ｍのＧａＮバッファ層（図示せず）を低温成長させ、続
いて１．５μｍのＧａＮ結晶の薄膜層（図示せず）を成
長させた。さらにその上に、ＳｉＯ2 薄膜からなるマス
ク層２を直線状の縞模様となるようスパッタリング法で
形成した。マスク層２は、〈１−１００〉方向に延びる
帯状として形成し、厚さ０．５μｍ、帯幅５μｍ、縞模
様における帯の中心間ピッチを２０μｍとした。
示すように、直径２インチ、厚さ３３０μｍ、Ｃ面サフ
ァイア基板上に、ＭＯＶＰＥ装置を使って、厚さ３０ｎ
ｍのＧａＮバッファ層（図示せず）を低温成長させ、続
いて１．５μｍのＧａＮ結晶の薄膜層（図示せず）を成
長させた。さらにその上に、ＳｉＯ2 薄膜からなるマス
ク層２を直線状の縞模様となるようスパッタリング法で
形成した。マスク層２は、〈１−１００〉方向に延びる
帯状として形成し、厚さ０．５μｍ、帯幅５μｍ、縞模
様における帯の中心間ピッチを２０μｍとした。
【００４４】Ｃ面サファイア基板の裏面１ｂに、破壊誘
導部としてＶ字状の溝を縞模様となるようスクライバー
によって形成し、本発明のＧａＮ系結晶成長用基板を得
た。Ｖ字状の溝は、〈１１−２０〉方向に延びるように
形成し、へき開面での割れを誘発させるように設定し
た。中心間ピッチはマスク層と同じ２０μｍとし、マス
クの斜め下方５７．６°に位置するように形成した。溝
の深さは１０μｍ、Ｖ字の開く角度は９０°である。
導部としてＶ字状の溝を縞模様となるようスクライバー
によって形成し、本発明のＧａＮ系結晶成長用基板を得
た。Ｖ字状の溝は、〈１１−２０〉方向に延びるように
形成し、へき開面での割れを誘発させるように設定し
た。中心間ピッチはマスク層と同じ２０μｍとし、マス
クの斜め下方５７．６°に位置するように形成した。溝
の深さは１０μｍ、Ｖ字の開く角度は９０°である。
【００４５】〔ＧａＮ結晶の厚膜層の形成〕上記ＧａＮ
系結晶成長用基板をＨＶＰＥ装置に装填し、非マスク領
域を出発点として２００μｍのＧａＮ結晶層を形成し
た。ＧａＮ結晶はマスク層上を横方向にも成長しマスク
層を完全に覆った。全体の温度を室温へ降下させる途
中、Ｃ面サファイア基板に破壊誘導部から割れが発生
し、積層体全体の反りは発生しなかった。割れ面は、へ
き開面に沿った斜めの面であり、マスク層に到達して止
まっていた。なお、マスク層も割れているものもあった
が、その場合でも割れはマスク層とＧａＮ結晶層との界
面で止まっていた。
系結晶成長用基板をＨＶＰＥ装置に装填し、非マスク領
域を出発点として２００μｍのＧａＮ結晶層を形成し
た。ＧａＮ結晶はマスク層上を横方向にも成長しマスク
層を完全に覆った。全体の温度を室温へ降下させる途
中、Ｃ面サファイア基板に破壊誘導部から割れが発生
し、積層体全体の反りは発生しなかった。割れ面は、へ
き開面に沿った斜めの面であり、マスク層に到達して止
まっていた。なお、マスク層も割れているものもあった
が、その場合でも割れはマスク層とＧａＮ結晶層との界
面で止まっていた。
【００４６】Ｃ面サファイア基板〜ＧａＮ薄膜層を除去
し、マスク層を内部に含む厚さ２００μｍのＧａＮ結晶
基板を得た。該ＧａＮ結晶基板は、無転位部位を含んだ
平坦で高品質なＧａＮ結晶基板であった。
し、マスク層を内部に含む厚さ２００μｍのＧａＮ結晶
基板を得た。該ＧａＮ結晶基板は、無転位部位を含んだ
平坦で高品質なＧａＮ結晶基板であった。
【００４７】
【発明の効果】以上説明したように、マスク層と破壊誘
導部とを互いに関連づけて構成することによって、先
ず、マスク領域には転位などの欠陥を内包しない高品質
なＧａＮ系結晶が高速に成長できる。しかも、ＧａＮ系
結晶を厚膜に成長させて反りが生じるような内部応力が
発生すれば、破壊誘導部からベース基板が割れ、内部応
力が緩和されて反りの発生が抑制される。その割れ面は
マスク層で止まる。従って、厚膜で、しかも転位などの
欠陥を内包しない高品質なＧａＮ系結晶基板を製造する
ことができる。
導部とを互いに関連づけて構成することによって、先
ず、マスク領域には転位などの欠陥を内包しない高品質
なＧａＮ系結晶が高速に成長できる。しかも、ＧａＮ系
結晶を厚膜に成長させて反りが生じるような内部応力が
発生すれば、破壊誘導部からベース基板が割れ、内部応
力が緩和されて反りの発生が抑制される。その割れ面は
マスク層で止まる。従って、厚膜で、しかも転位などの
欠陥を内包しない高品質なＧａＮ系結晶基板を製造する
ことができる。
【図１】本発明のＧａＮ系結晶成長用基板の一例を示す
図である。
図である。
【図２】破壊誘導部の態様を示す図である。
【図３】Ｃ面サファイア基板とその上に成長するＧａＮ
結晶との間の、ａ軸についての関係を示す図である。
結晶との間の、ａ軸についての関係を示す図である。
【図４】本発明のＧａＮ系結晶成長用基板の好ましい態
様例を示す図である。
様例を示す図である。
【図５】ＧａＮ系単結晶がマスク層上に成長する状態例
を示す図である。
を示す図である。
１ ベース基板
１ａ ベース基板の一方の面（おもて面）
１ｂ ベース基板の他方の面（裏面）
１ｃ 破壊誘導部
１ｄ 割れ面
２ マスク層
３ ＧａＮ系結晶の厚膜層
１１ 非マスク領域
１２ マスク領域
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 只友 一行
兵庫県伊丹市池尻４丁目３番地 三菱電
線工業株式会社 伊丹製作所内
(56)参考文献 特開 平７−277884（ＪＰ，Ａ)
特開 平７−273367（ＪＰ，Ａ)
特開 平８−222812（ＪＰ，Ａ)
特開 平10−326912（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−36602（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−183892（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 33/00
C30B 23/02
C30B 29/38
H01L 21/205
Claims (8)
- 【請求項１】 ＧａＮ系結晶が成長可能なベース基板の
一方の面に、部分的にマスク層が設けられてマスク領域
と非マスク領域とが形成され、マスク層はそれ自身の表
面から実質的にＧａＮ系結晶が成長し得ない材料からな
り、ベース基板の他方の面には、ベース基板に反りが生
じようとするときに割れを誘発する破壊誘導部が設けら
れ、該破壊誘導部は、割れ面の起点となりかつ割れ面が
マスク領域に到達するように形成されているＧａＮ系結
晶成長用基板。 - 【請求項２】 破壊誘導部が、切欠き溝、または帯状の
脆弱部である請求項１記載のＧａＮ系結晶成長用基板。 - 【請求項３】 マスク領域が、ベース基板上に成長する
ＧａＮ系結晶の〈１−１００〉方向に延びる帯状領域を
有するものである請求項１記載のＧａＮ系結晶成長用基
板。 - 【請求項４】 ベース基板が、Ｃ面サファイア基板であ
る請求項１または３記載のＧａＮ系結晶成長用基板。 - 【請求項５】 破壊誘導部が切欠き溝または帯状の脆弱
部であって、この破壊誘導部が、ベース基板の面を該基
板の〈１１−２０〉方向に横切るように形成されている
請求項４記載のＧａＮ系結晶成長用基板。 - 【請求項６】 割れ面がベース基板のＲ面であって、破
壊誘導部から発生したＲ面がマスク領域に到達するよう
に、破壊誘導部の位置が決定されている請求項４または
５記載のＧａＮ系結晶成長用基板。 - 【請求項７】 ベース基板の一方の面全面に、かつマス
ク層の下層側に、ｎX ＧａY ＡｌZ Ｎ（０≦Ｘ≦１、０
≦Ｙ≦１、０≦Ｚ≦１、Ｘ＋Ｙ＋Ｚ＝１）からなる薄膜
層が、ベース基板に直接またはバッファ層を介して形成
されている請求項１記載のＧａＮ系結晶成長用基板。 - 【請求項８】 請求項１〜７のいずれかに記載のＧａＮ
系結晶成長用基板を用い、該基板上の非マスク領域を出
発点としてマスク層上を覆うまでＧａＮ系結晶層を成長
させる工程を有することを特徴とするＧａＮ系結晶基板
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19214797A JP3462370B2 (ja) | 1997-07-17 | 1997-07-17 | ＧａＮ系結晶成長用基板およびその用途 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19214797A JP3462370B2 (ja) | 1997-07-17 | 1997-07-17 | ＧａＮ系結晶成長用基板およびその用途 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1140849A JPH1140849A (ja) | 1999-02-12 |
| JP3462370B2 true JP3462370B2 (ja) | 2003-11-05 |
Family
ID=16286490
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19214797A Expired - Fee Related JP3462370B2 (ja) | 1997-07-17 | 1997-07-17 | ＧａＮ系結晶成長用基板およびその用途 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3462370B2 (ja) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100464296B1 (ko) * | 1998-02-05 | 2005-03-08 | 삼성전자주식회사 | 단결정 박막 성장 방법 |
| JP4055503B2 (ja) | 2001-07-24 | 2008-03-05 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体発光素子 |
| JP5800452B2 (ja) * | 2001-07-24 | 2015-10-28 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体発光素子 |
| US7000448B2 (en) * | 2003-02-12 | 2006-02-21 | Emerson Electric Co. | Compression tool jawarm member |
| JP4594707B2 (ja) * | 2003-12-05 | 2010-12-08 | 昭和電工株式会社 | 半導体チップ製造方法 |
| JP4907929B2 (ja) | 2005-06-27 | 2012-04-04 | 株式会社東芝 | 電界効果型半導体装置及び電界効果型半導体装置の製造方法 |
| JP5444969B2 (ja) * | 2009-09-08 | 2014-03-19 | 株式会社リコー | テンプレート |
| CN102792420B (zh) * | 2010-03-05 | 2016-05-04 | 并木精密宝石株式会社 | 单晶衬底、单晶衬底的制造方法、带多层膜的单晶衬底的制造方法以及元件制造方法 |
| JP2011201759A (ja) * | 2010-03-05 | 2011-10-13 | Namiki Precision Jewel Co Ltd | 多層膜付き単結晶基板、多層膜付き単結晶基板の製造方法および素子製造方法 |
| JP2013212946A (ja) * | 2012-03-30 | 2013-10-17 | Mitsubishi Chemicals Corp | Ｉｉｉ族窒化物半導体結晶 |
-
1997
- 1997-07-17 JP JP19214797A patent/JP3462370B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH1140849A (ja) | 1999-02-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100680870B1 (ko) | 질화물 반도체 기판 및 그 제조방법과 질화물 반도체기판을 이용한 질화물 반도체 장치 | |
| US6225650B1 (en) | GAN group crystal base member having low dislocation density, use thereof and manufacturing methods thereof | |
| JP4032538B2 (ja) | 半導体薄膜および半導体素子の製造方法 | |
| JP3518455B2 (ja) | 窒化物半導体基板の作製方法 | |
| JPH1143398A (ja) | ＧａＮ系結晶成長用基板およびその用途 | |
| JP3589200B2 (ja) | 窒化物半導体基板及びその製造方法、並びにその窒化物半導体基板を用いた窒化物半導体素子 | |
| JP2002009004A (ja) | 窒化物半導体の製造方法、窒化物半導体素子の製造方法、窒化物半導体素子、半導体発光素子及びその製造方法 | |
| JP6966343B2 (ja) | 結晶成長方法および半導体素子の製造方法 | |
| JP3462370B2 (ja) | ＧａＮ系結晶成長用基板およびその用途 | |
| JP2003055097A (ja) | 窒化物半導体から成る単体基板及びその製造方法 | |
| JPH11103135A (ja) | ＧａＮ系結晶成長用基板およびその用途 | |
| JPH10326912A (ja) | 無転位ＧａＮ基板の製造方法及びＧａＮ基材 | |
| JP4385504B2 (ja) | 窒化物半導体基板及びその製造方法 | |
| JP3416042B2 (ja) | ＧａＮ基材及びその製造方法 | |
| JP2000068559A (ja) | ＧａＮ系結晶基材およびその製造方法 | |
| JPH1192296A (ja) | ＧａＮ系結晶成長用基板およびその用途 | |
| JP2003077841A (ja) | 窒化物半導体基板、及びその成長方法 | |
| JP2002324758A (ja) | 窒化物半導体基板、及びそれを用いた窒化物半導体素子の製造方法 | |
| WO2021085556A1 (ja) | 半導体素子および半導体素子の製造方法 | |
| JP3569111B2 (ja) | ＧａＮ系結晶基板の製造方法 | |
| JP2000174334A (ja) | ＧａＮ系半導体素子の製造方法 | |
| JP4232326B2 (ja) | 低欠陥窒化物半導体の成長方法 | |
| JP4075867B2 (ja) | 窒化物半導体基板 | |
| JP3555657B2 (ja) | 低欠陥窒化物半導体基板及びその製造方法 | |
| JP7090201B2 (ja) | 結晶成長方法および半導体素子用基板 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080815 Year of fee payment: 5 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080815 Year of fee payment: 5 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080815 Year of fee payment: 5 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090815 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100815 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100815 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110815 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120815 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130815 Year of fee payment: 10 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |