JP3569111B2 - GaN系結晶基板の製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えばGaN系発光素子の基板やその他の部材として好ましく用いることができるGaN系結晶基板の製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
一般的なGaN系半導体結晶(以下、GaN系結晶)の厚膜成長方法としては、サファイア基板上にZnO等のバッファ層を形成し、その上にハイドライド気相エピタキシャル成長法(HVPE)でGaN系結晶を成長させる方法がある。また、その改良技術として、サファイア基板に代えて、スピネル、LGO、LAO、ZnO、SiC等の基板を用いる方法、易劈開性の基板を用いる方法、或いは基板表面にマスクを設けその上に選択成長させる方法等がある。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、GaN系結晶が厚膜に成長すると、GaN系結晶とサファイア基板との格子定数及び熱膨張係数の違いから界面に多大のストレスが掛かり、GaNが割れ大型基板が得られないといった問題点があった。また、転位密度が極めて大きい(1×109 cm−2〜1×1010cm−2)基板しか得られないといった問題点があった。ここで転位とは、基板上にGaN系結晶層を成長させるときに、格子定数が合致していない(格子不整合)状態で成長させた場合に発生する欠陥であり、これら転位は結晶欠陥であるため非発光再結合中心として働いたり、そこが電流のパスとして働き漏れ電流の原因になるなど、当該GaN系結晶を発光素子に用いた場合に発光特性や寿命特性を低下させる原因となる。
【0004】
本発明の課題は、厚膜で、しかも転位などの欠陥を内包しない高品質なGaN系結晶基板を得ることができるGaN系結晶基板の製造方法を提供することである。
【0005】
【課題を解決するための手段】
本発明は、以下の特徴を有するものである。
(1)化学式In X Ga Y Al Z N(0≦X≦1、0≦Y≦1、0≦Z≦1、X+Y+Z=1)で決定されるGaN系結晶が成長可能なベース基板の一方の面に、GaN系結晶に対して選択的にエッチング除去可能な材料からなるバッファ層を介してGaN系結晶の薄膜層を形成し、
前記薄膜層上面に、Si、Ti、TaおよびZrから選ばれる元素の窒化物または酸化物からなる非晶質体を材料としたマスク層を部分的に設けてマスク領域と非マスク領域とを形成し、非マスク領域を出発点としてマスク層上を覆うまでGaN系結晶の厚膜層を成長させ、バッファ層だけをエッチング除去することによってベース基板を分離し、GaN系結晶の厚膜層を有するGaN系結晶基板を得ることを特徴とするGaN系結晶基板の製造方法。
(2)ベース基板が、C面サファイア基板である上記(1)記載のGaN系結晶基板の製造方法。
(3)マスク領域と非マスク領域との境界線が、少なくとも、ベース基板上に成長するGaN系結晶の〈1−100〉方向の線分を有するようにマスク層を設ける上記(1)記載のGaN系結晶基板の製造方法。
(4)バッファ層の材料が、ZnO、MgO、CaOまたはMnOである上記(1)記載のGaN系結晶基板の製造方法。
【0009】
【作用】
本明細書では、六方格子結晶であるGaN系結晶の格子面を4つのミラー指数(hkil)によって指定するに際し、記載の便宜上、指数が負である場合には、その指数の前にマイナス記号を付けて表記するものとし、この負の指数に関する表記方法以外は、一般的なミラー指数の表記方法に準じる。従って、GaN系結晶の場合では、C軸に平行なプリズム面(特異面)は6面あるが、例えば、その1つの面は(1−100)と表記し、6面を等価な面としてまとめる場合には{1−100}と表記する。また、前記{1−100}面に垂直でかつC軸に平行な面を等価的にまとめて{11−20}と表記する。また、(1−100)面に垂直な方向は〔1−100〕、それと等価な方向の集合を〈1−100〉とし、(11−20)面に垂直な方向は〔11−20〕、それと等価な方向の集合を〈11−20〉と表記する。ただし、図面では、指数が負である場合には、その指数の上にマイナス記号を付けて表記し、ミラー指数の表記方法に全て準じる。
【0010】
ベース基板上に設けられる「マスク領域」と「非マスク領域」は、ともにベース基板面中の領域である。マスク層の上面の領域は、マスク領域に等しいものとみなし、同義として説明に用いる。
【0011】
本発明者らは、先にGaN系結晶(特にGaN結晶)とサファイア結晶基板との格子定数及び熱膨張係数の違いに起因するGaN系結晶層のクラック対策として、図2(a)に示すように、ベース基板1上に、格子状にパターニングしたマスク層2を設け、基板面が露出している非マスク領域11だけにGaN系結晶を成長させ、ベース基板面全体に対してチップサイズのGaN系結晶層30を点在させることによってクラックを防止することを提案している(特開平7−273367号公報)。
【0012】
その後、本発明者らがさらに研究を重ねた結果、点在的に成長させたGaN系結晶層30をさらに成長させると、図2(b)に示すように、厚さ方向だけでなく、各GaN系結晶層30からマスク層2上へ向けての横方向へも成長が行われることが確認された。しかも、厚さ方向(C軸方向)と同じ程度の成長速度があり、結晶方位依存性が判明した。
【0013】
さらに、GaN系結晶層30におけるGaN系結晶中に存在する転位は、ベース基板を含む下地から継承するか、何れかの成長界面で発生し、結晶成長と共に成長する特性があるが、図2(b)に示す如く、マスク領域(マスク層2の上に当たる領域)には発生源となる下地(成長界面)が存在しないので、無転位状態となることを知見した。また、上述の横方向の成長をさらに進めると、図2(c)に示す如く、GaN系結晶はマスク層2の上を完全に覆ってマスク層を埋め込み、このマスク領域には非常に欠陥の少ない、クラックの無い大型且つ厚膜のGaN系結晶3が得られる事を見いだした。
【0014】
上記のように、マスク領域には高品質で厚いGaN系結晶層が得られることがわかったが、それと同時に本発明者らは、GaN系結晶層を厚膜に成長させると、ベース基板と厚膜のGaN系結晶との間の熱膨張係数の差によって積層体全体に反りが生じることを新たに見いだし、これを改善すべき問題とした。
【0015】
ベース基板と厚膜のGaN系結晶層との積層体全体に反りが生じた場合、その反りのために研磨装置を用いてベース基板を除去することは困難であり、その結果、GaN系結晶層だけを得ることも困難となる。また、ベース基板はGaN系結晶が成長し得るような結晶基板であるから、エッチングによる除去法はGaN系結晶層にも影響を与えるため、用いられない。
【0016】
本発明ではGaN系結晶層を厚膜に形成するに際し、ベース基板上に、GaN系結晶に対して選択的にエッチング除去可能な材料をバッファ層として用い、その上にGaN系結晶の薄膜を設け、さらにマスク層を形成する。この構成によって、図2のようにGaN系結晶の厚膜層を形成して積層体全体に反りが生じても、バッファ層だけをエッチングで除去することができるので、ベース基板が分離し、厚膜のGaN系結晶層は反りが戻った状態で残る。
【0017】
図2(c)に示す積層体を上記のように通常の積層方法で製造すると反りが生じるが、ベース基板を除去すれば、GaN系結晶の反りは戻ることが予想される。しかし、除去のための機械的な研磨加工は、その反りのために困難である。
「GaN系結晶に対して選択的にエッチング除去する」とは、GaN系結晶と他の材料とを同時に同一のエッチング加工をほどこしても、GaN系結晶は除去されず残り、他の材料だけがエッチングにて除去されることをいう。
【0018】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照しながら、本発明の実施の形態につき説明する。
本発明によるGaN系結晶基板の製造方法は、先ず、図1(a)に断面を示すように、ベース基板Sの一方の面に、バッファ層a1を介してGaN系結晶の薄膜層a2を形成する。ハッチングは層を区別し易いように施している。バッファ層a1には、GaN系結晶に対して選択的にエッチング除去可能な材料を用いる。さらにその上にマスク層2を部分的に設けてマスク領域12と非マスク領域11とを形成し、GaN系結晶成長用基板A1とする。次に、図1(b)に示すように、非マスク領域を出発点としてマスク層上を覆うまでGaN系結晶の厚膜層3を成長させる。さらに、図1(c)に示すように、バッファ層a1だけをエッチング除去することによってベース基板Sを分離し、GaN系結晶の厚膜層3を有するGaN系結晶基板A2を得る。このGaN系結晶基板A2は、反りが戻っており、GaN系結晶の厚膜層3のなかでもマスク領域には転位が無く良好な品質となっている。
【0019】
ベース基板は、GaN系結晶が成長可能なものであればよく、例えば、従来からGaN系結晶を成長させる際に汎用されている、サファイア、水晶、SiC等を用いてもよい。なかでも、サファイアのC面、A面、6H−SiC基板、特にC面サファイア基板が好ましい。
【0020】
バッファ層の材料は、GaN系結晶に対して選択的にエッチング除去可能な材料であればよく、ZnO、MgO、CaO、MnOが例示される。
これらのバッファ層材料を除去し得るエッチング法としては、HClなどの酸中でのウエットエッチングなどが挙げられる。
【0021】
バッファ層の形成方法は、MOVPE、HVPE、MBE、GS−MBE、CBE等、目的の単結晶3の成長プロセスと同様のエピタキシャル成長法の他、スパッタ、CVDなど、公知の成膜法を用いてよい。
【0022】
バッファ層の厚みは限定されるものではないが、0.001μm〜5μm程度であればよい。特に本発明では、最終的にバッファ層をエッチングにて除去することから0.01μm〜0.5μmとするのが好ましい。
【0023】
バッファ層上に形成するGaN系結晶の薄膜、および、製造目的であるGaN系結晶の厚膜は、InX GaY AlZ N(0≦X≦1、0≦Y≦1、0≦Z≦1、X+Y+Z=1)で決定される半導体の結晶である。特に、厚膜層として有用なものは、GaNである。
【0024】
図1に示すベース基板S、バッファ層a1、GaN系結晶の薄膜層a2の好ましい組み合わせの例としては、サファイア基板S、ZnOバッファ層a1、GaN薄膜層a2、または、サファイア基板S、MgOバッファ層a1、GaN薄膜層a2、などが挙げられる。このような組み合わせによって、薄膜層a2内、さらには目的のGaN系結晶の厚膜層内に新たに発生する転位の密度を低く抑える事が出来、非マスク領域上にも比較的良好な結晶性を得ることができる。
【0025】
マスク層は、それ自身の表面からは実質的にGaN系結晶が成長し得ない材料を用いる。このような材料としては、例えば非晶質体が例示され、さらにこの非晶質体としてSi、Ti、Ta、Zr等の窒化物や酸化物等が例示される。特に、耐熱性に優れると共に成膜及びエッチング除去が比較的容易なSiO2 膜が好適に使用できる。
【0026】
マスク層は、例えばMOVPE、スパッタ、CVD等の方法により基板全表面を覆うように形成した後、通常のフォトリソグラフィー技術によって光感光性レジストのパターニングを行い、エッチングによって基板の一部を露出させる等の手段で形成される。
【0027】
マスク領域と非マスク領域との境界線は、少なくともベース基板上に成長するGaN系結晶の〈1−100〉方向の線分を有するように形成するのが好ましい。これによって、GaN系結晶の{11−20}面が、マスク層の上面に沿って成長する面として確保される。{11−20}面は非安定 (off facet)な面であり、安定 (facet)な{1−100}面に比べて高速に成長する面である。
【0028】
図1(b)に示すように、GaN系結晶成長用基板A1上に厚膜に形成するGaN系結晶の成長方法については制限はなく、HVPE法(ハイドライド気相エピタキシー)、MOVPE法、MBE法等などが例示できるが、とりわけHVPE法は成長速度が非常に大きいという利点があるため好ましい。
製造目的であるGaN系結晶の厚さは限定されないが、50μm〜1000μm程度とすることによって、ベース基板を分離した後、さらにマスク層を除去すべく全体を研磨しGaN系結晶だけの基板として用いることができる。
【0029】
【実施例】
実施例1
〔GaN系結晶成長用基板の製作〕
図1(a)に示すように、直径2インチ、厚さ330μm、C面サファイア基板S上に、スパッタリング装置を使って、厚さ20nmのZnOバッファ層a1を低温成長させ、続いて5μmのGaN結晶の薄膜層a2を成長させた。さらにその上に、SiO2 薄膜からなるマスク層2を直線状の縞模様となるようスパッタリング法で形成し、GaN結晶成長用基板A1を得た。マスク層2は、〈1−100〉方向に延びる帯状として形成し、厚さ0.5μm、帯幅5μm、帯間の幅(非マスク領域の幅)10μmとした。
【0030】
〔GaN系結晶の厚膜層の形成〕
上記GaN結晶成長用基板A1をHVPE装置に装填し、図1(b)に示すように、非マスク領域を出発点として200μmのGaN結晶層3を形成した。GaN結晶はマスク層上を横方向にも成長しマスク層を完全に覆った。
このとき、積層体全体に反りが発生した。
【0031】
〔ベース基板の除去〕
バッファ層a1基板部材をHCl中に20分浸漬して除去することによってC面サファイア基板Sを分離し、マスク層を内部に含む厚さ200μmのGaN結晶基板を得た。該GaN結晶基板の反りは戻り、平坦で高品質なGaN結晶基板であった。
【0032】
【発明の効果】
本発明のGaN結晶基板の製造方法は、GaN系結晶に対して選択的にエッチング除去可能な材料からなるバッファ層を用いる方法である。目的のGaN系結晶の厚膜層をマスク層上を覆うまで形成した後、バッファ層だけをエッチング除去することによって、GaN系結晶の厚膜層全体の反りは戻り、平坦で高品質のGaN系結晶基板が得られるようになった。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の製造方法を示す図である。
【図2】GaN系単結晶がマスク層上に成長する状態例を示す図である。
【符号の説明】
S ベース基板
a1 バッファ層
a2 GaN系結晶の薄膜層
2 マスク層
3 GaN系結晶の厚膜層
11 非マスク領域
12 マスク領域
Claims (4)
- 化学式In X Ga Y Al Z N(0≦X≦1、0≦Y≦1、0≦Z≦1、X+Y+Z=1)で決定されるGaN系結晶が成長可能なベース基板の一方の面に、GaN系結晶に対して選択的にエッチング除去可能な材料からなるバッファ層を介してGaN系結晶の薄膜層を形成し、
前記薄膜層上面に、Si、Ti、TaおよびZrから選ばれる元素の窒化物または酸化物からなる非晶質体を材料としたマスク層を部分的に設けてマスク領域と非マスク領域とを形成し、非マスク領域を出発点としてマスク層上を覆うまでGaN系結晶の厚膜層を成長させ、バッファ層だけをエッチング除去することによってベース基板を分離し、GaN系結晶の厚膜層を有するGaN系結晶基板を得ることを特徴とするGaN系結晶基板の製造方法。 - ベース基板が、C面サファイア基板である請求項1記載のGaN系結晶基板の製造方法。
- マスク領域と非マスク領域との境界線が、少なくとも、ベース基板上に成長するGaN系結晶の〈1−100〉方向の線分を有するようにマスク層を設ける請求項1記載のGaN系結晶基板の製造方法。
- バッファ層の材料が、ZnO、MgO、CaOまたはMnOである請求項1記載のGaN系結晶基板の製造方法。
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