KR100615146B1 - 질화갈륨 박막을 리프트 오프시키는 방법 - Google Patents
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- 사파이어 기판 상부에 0.1 ~ 1㎛인 미세 간격의 이격된 공간을 갖는 패턴으로 이루어진 버퍼층을 형성하는 단계와;상기 버퍼층을 포함하는 사파이어 기판 상부에 질화갈륨 박막을 형성하는 단계와;상기 버퍼층을 습식 식각하여 제거하는 단계와;열처리 공정을 수행하여, 상기 사파이어 기판으로부터 질화갈륨 박막을 이탈시키는 단계를 포함하여 이루어진 질화 갈륨 박막 이탈 방법.
- 사파이어 기판 상부에 부분적으로 버퍼층을 형성하는 단계와;상기 버퍼층을 포함하는 사파이어 기판 상부에 질화갈륨 박막을 형성하는 단계와;상기 버퍼층에서 사파이어 기판에 바로 질화갈륨이 형성된 영역을 식각하는 단계와;상기 버퍼층을 습식 식각하여 제거하여, 상기 사파이어 기판으로부터 질화갈륨 박막을 이탈시키는 단계를 포함하여 이루어진 질화 갈륨 박막 이탈 방법.
- 삭제
- 삭제
- 제 3 항에 있어서,상기 부분적으로 형성되는 버퍼층은,스트립(Strip), 직사각형(Rectangluar), 원(Circle)과 도트(Dot) 중 어느 하나의 형상으로 형성되고,상기 부분적으로 형성되는 버퍼층의 크기는,1um ~ 100um인 것을 특징으로 하는 질화 갈륨 박막 이탈 방법.
- 제 2 항, 제 3 항 및 제 6 항 중 어느 하나의 항에 있어서,상기 버퍼층은,산화막 계열로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 질화 갈륨 박막 이탈 방법.
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2005
- 2005-02-03 KR KR1020050010254A patent/KR100615146B1/ko active IP Right Grant
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