KR20120010437A - 발광소자 및 그 제조방법 - Google Patents

발광소자 및 그 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20120010437A
KR20120010437A KR1020100071976A KR20100071976A KR20120010437A KR 20120010437 A KR20120010437 A KR 20120010437A KR 1020100071976 A KR1020100071976 A KR 1020100071976A KR 20100071976 A KR20100071976 A KR 20100071976A KR 20120010437 A KR20120010437 A KR 20120010437A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
layer
type semiconductor
semiconductor layer
contact
light emitting
Prior art date
Application number
KR1020100071976A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101692410B1 (ko
Inventor
채수희
박영수
민복기
김준연
홍현기
Original Assignee
삼성전자주식회사
삼성엘이디 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사, 삼성엘이디 주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020100071976A priority Critical patent/KR101692410B1/ko
Priority to US12/929,149 priority patent/US8928017B2/en
Publication of KR20120010437A publication Critical patent/KR20120010437A/ko
Priority to US14/564,928 priority patent/US9246048B2/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101692410B1 publication Critical patent/KR101692410B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
    • H01L33/22—Roughened surfaces, e.g. at the interface between epitaxial layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
    • H01L33/0066—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
    • H01L33/0075—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds comprising nitride compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0093—Wafer bonding; Removal of the growth substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/12—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a stress relaxation structure, e.g. buffer layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
    • H01L33/24—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate of the light emitting region, e.g. non-planar junction
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
    • H01L33/382—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape the electrode extending partially in or entirely through the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0016—Processes relating to electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/40—Materials therefor
    • H01L33/405—Reflective materials

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Abstract

발광소자 및 이의 제조방법이 개시된다. 개시된 발광소자는 제1형 반도체층; 제2형 반도체층; 상기 제1형 반도체층과 제2형 반도체층 사이에 형성된 활성층; 상기 제1형 반도체층 위에 마련된 것으로, 복수층으로 구성되고, 상기 활성층에서 생성된 광이 외부로 출사되게 하는 출사패턴이 구비된 출사패턴층;을 포함한다.

Description

발광소자 및 그 제조방법{Light emitting device and method of manufacturing the same}
본 개시는 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.
반도체 발광소자(Light Emitting Device; LED)는 고효율, 친환경적인 광원으로서 디스플레이, 광통신, 자동차, 일반 조명 등 여러 분야에 사용되고 있다. 최근에는 백색광 LED 기술의 발달로 일반 조명용 LED 기술이 크게 주목받고 있다. 백색광 LED는, 예컨대 청색 LED 또는 자외선 LED와 형광체를 이용하여 만들거나, 또는 적색, 녹색 및 청색 LED를 조합하여 만들 수 있다.
이러한 백색광 LED의 중요 구성요소인 청색 또는 자외선 LED는 주로 질화갈륨(GaN)계 화합물 반도체를 이용하여 만들어진다. 질화갈륨계 화합물 반도체는 밴드갭이 넓고 질화물의 조성에 따라 자외선에서 가시광선까지 거의 전파장 영역의 빛을 얻을 수 있다.
　통상적으로 박막형 GaN LED는 사파이어(Al2O3) 기판에 GaN 박막을 성장시켜 제조된다. 그런데, 질화갈륨계 화합물 반도체를 사파이어 기판 위에 박막 형태로 성장시킬 경우, 격자상수 부정합이나 열팽창 계수의 차이에 의해 발광 효율이 떨어지게 되며, 대면적의 성장이 어려워서 생산 비용이 증가하게 된다. 또한, GaN 박막 성장 후 사파이어 기판을 분리하는 과정에서 레이저 리프트 오프(laser lift off; LLO) 공정을 사용하는데, 이 때, 레이저 충격에 의해 광출력 저하가 야기될 수 있다
최근, LED의 생산량을 늘이고 생산 단가를 낮추는 위해 실리콘 기판을 활용하여 GaN LED를 제조하는 방법이 제안되고 있다. 실리콘 기판은 현재 12인치 이상의 대구경 웨이퍼가 제공되고 있으며, 고온 공정에서도 사파이어 기판에 비해 기판의 휨이 적은 것이 관찰되고 있다. 또한, 실리콘 기판을 사용하는 경우, GaN 박막 성장후, LLO 공정을 사용하지 않고 기판 분리가 가능하므로 분리 공정에 의한 효율 감소가 없을 것으로 기대된다.
본 개시는 공정 비용이 절감되며, 광추출효율이 증가되는 구조의 발광소자 및 이의 제조방법을 제공하고자 한다.
제1형 반도체층; 제2형 반도체층; 상기 제1형 반도체층과 제2형 반도체층 사이에 형성된 활성층; 상기 제1형 반도체층 위에 마련된 것으로, 복수층으로 구성되고, 상기 활성층에서 생성된 광이 외부로 출사되게 하는 출사패턴이 구비된 출사패턴층;을 포함하는 발광 소자가 제공된다.
상기 출사패턴층은 AlN층과 AlGaN층을 포함할 수 있다.
상기 출사패턴층은 AlN층과, 상기 AlN층 위에 반복 형성된 AlGaN층/ GaN층을 포함할 수 있다.
상기 제2형 반도체층의 하부에는 상기 활성층에서 생성된 광을 상기 출사패턴층 쪽으로 반사시키는 금속층이 더 형성될 수 있다.
상기 금속층과 상기 제2형 반도체층 사이에는 절연층이 더 형성될 수 있다.
상기 절연층, 제2형반도체층, 활성층을 관통하여 형성된 것으로, 상기 제1형 반도체층과 상기 금속층을 컨택하는 제1컨택층이 더 마련될 수 있다.
상기 절연층과 제2형 반도체층 사이의 일 영역으로부터 상기 제2형 반도체층, 활성층, 제1형 반도체층을 관통하여 연장 형성된 제2콘택층이 더 마련될 수 있다.
상기 제1형 반도체층과 상기 출사패턴층 사이에 GaN층이 더 형성될 수 있다.
상기 출사패턴은 요철 패턴으로 이루어질 수 있으며, 요철 패턴의 깊이는 대략 500nm 에서 1500nm의 범위로 형성될 수 있다.
제1기판 상에 버퍼층을 형성하는 단계; 상기 버퍼층 위에 제1형 반도체층, 활성층 및 제2형 반도체층을 순차 형성하는 단계; 상기 제1형 반도체층과 접촉하는 제1콘택층 및 상기 제2형 반도체층과 접촉하는 제2콘택층을 형성하는 단계; 상기 제1기판을 제거하고, 상기 버퍼층을 패터닝하여 출사패턴층을 형성하는 단계;를 포함하는 발광소자 제조방법이 제공된다.
상기 제1콘택층 및 상기 제2콘택층을 형성하는 단계는, 상기 제2형 반도체층, 활성층을 관통하여 상기 제1형 반도체층의 일 영역을 드러내는 관통홀을 형성하는 단계; 상기 제2형 반도체층의 표면과 상기 관통홀의 측면을 따라 절연층을 형성하는 단계; 상기 관통홀에 금속 물질을 채워 상기 제1콘택층을 형성하는 단계; 상기 제2형 반도체층 위의 절연층 일부를 식각하여 드러난 제2형 반도체층의 일 영역 위에 상기 제2콘택층이 될 금속 물질을 형성하고, 상기 제2콘택층을 절연물질로 덮는 단계;를 포함할 수 있다.
상기 절연층 위에 상기 제1콘택층 위로 금속층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 제1기판을 제거하기 전에, 상기 금속층 상에 제2기판을 본딩하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 제2콘택층이 오픈되도록, 상기 출사패턴층, 제1형 반도체층, 활성층, 제2형 반도체층을 관통하는 관통홀을 형성하고, 상기 관통홀에 상기 제2콘택층과 접촉하는 금속물질을 채우는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 제1기판을 제거할 때, 연마 공정과 식각 공정을 사용할 수 있다.
상기 버퍼층은 AlN층과 AlGaN층을 포함할 수 있으며, 또는, AlN층과, 상기 AlN층 위에 반복 형성된 AlGaN층/ GaN층을 포함할 수 있다.
상기 출사패턴층을 형성하는 단계에서, 상기 버퍼층에 요철패턴을 형성할 수 있다.
상술한 발광소자는 출사패턴층을 이루는 재질, AlN, AlGaN이 발광 구조를 이루는 질화물 반도체와 같은 재질로서 굴절률이 동일하기 때문에 층간 경계면에서 반사가 거의 없고, 또한, 표면 텍스쳐링에 의해 외부와의 경계면에서의 전반사를 줄이고 있어 광추출효율이 높다.
상술한 발광소자 제조방법에 따르면, 광추출효율을 높이는 구조의 발광소자를 공정 비용, 공정 시간을 절감하며 제조할 수 있다.
도 1은 실시예에 따른 발광소자의 개략적인 구성을 보인다.
도 2는 도 1의 변형예에 따른 발광소자의 개략적인 구성을 보인다.
도 3a 내지 도 3l는 실시예에 따른 발광소자 제조과정을 설명하는 도면들이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
100, 200, 300...발광소자 110, 310...기판
120, 320...금속층 130, 330, 333...절연층
140, 340...제2형 반도체층 150, 350...활성층
160, 360...제1형 반도체층 170, 380...GaN층
180, 380...출사패턴층 181, 381...AlGaN층
189, 389...AlN층
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 이하의 도면들에서 동일한 참조부호는 동일한 구성요소를 지칭하며, 도면상에서 각 구성요소의 크기는 설명의 명료성과 편의상 과장되어 있을 수 있다.
도 1은 실시예에 따른 발광소자(100)의 개략적인 구성을 보인다. 도 1을 참조하면, 발광소자(100)는 기판(110) 상에 형성된 제1형 반도체층(160), 제2형 반도체층(140), 제1형 반도체층(160)과 제2형 반도체층(140) 사이에 형성된 활성층(150), 제1형 반도체층(160) 위에 마련된 것으로, 복수층으로 구성되고, 활성층(150)에서 생성된 광이 외부로 출사되게 하는 출사패턴이 형성된 출사패턴층(180)을 포함한다.
제2형 반도체층(140)의 하부에는 활성층(150)에서 생성된 광이 기판(110) 쪽으로 방출되지 않고, 출사패턴층(180)을 통해 외부로 방출되도록 반사시키는 금속층(120)이 마련될 수 있다.
금속층(120)과 제2형 반도체층(140) 사이에는 절연층(130)이 형성될 수 있다. 절연층(130)은 제1형 반도체층(160)에 전압을 인가하기 위해 제1형 반도체층(160)과 접촉하는 제1콘택층(미도시), 제2형 반도체층(140)에 전압을 인가하기 위해 제2형 반도체층(140)과 접촉하는 제2콘택층(미도시) 사이의 절연을 위해 마련되는 것이다. 제1콘택층, 제2콘택층의 상세한 구조는 도 3a 이하의 제조방법 설명시에 후술하기로 한다.
제1형 반도체층(160)과 출사패턴층(180) 사이에는 GaN층(170)이 더 마련될 수 있다. GaN층(170)은 불순물 도핑이 되지 않은 형태이며, 버퍼층의 일부로 형성될 수 있다.
제1형 반도체층(160)은 n형 불순물로 도핑된 질화물 반도체, 예를 들어, n-AlxGayInzN (x+y+z=1)으로 이루어질 수 있다. 제2형 반도체층(140)은 p형 불순물로 도핑된 질화물 반도체, 예를 들어, p-AlxGayInzN (x+y+z=1)으로 구성될 수 있다. 활성층(150)은 AlxGayInzN에서 x, y, z 값을 주기적으로 변화시켜 띠 간격을 조절하여 만든 단일 또는 다중 양자우물 구조로 이루어질 수 있다. 활성층(150)의 InGaN 물질에서 In의 몰분율에 따라 발광 파장이 달라지며, 예를 들어, In 함량이 높아질수록 발광색이 장파장 대역으로 이동하게 된다.
출사패턴층(180)은 활성층(150)에서 생성된 광이 외부로 출사될 때, 외부와의 경계에서 전반사되지 않고 잘 방출되도록 마련된 것이다. 출사패턴층(180)은 AlGaN층(181)과 AlN층(189)을 포함하여 이루어질 수 있다. AlN층(189)과 AlGaN층(181)은 후술할 제조방법에서 설명하겠지만, 통상, 질화물 박막을 이종 기판 위에 성장시키기 위한 버퍼층으로 형성되는 것이다. 실시예에서는 이러한 버퍼층의 표면에 텍스쳐링 공정을 행하여 출사패턴을 형성하고 있다. AlN층(189)과 AlGaN층(181)은 요철 패턴을 가지도록 식각될 수 있으며, 요철 패턴은 도시된 바와 같이 V자형으로 인입된 요부를 가지는 형태일 수 있다.
요철 패턴의 깊이는 대략 500nm에서 1500nm의 범위를 가질 수 있다. 도면에서, 요철 패턴의 깊이는 AlN층(189)과 AlGaN층(181)의 두께 합과 동일하게 도시되고 있으나 이는 예시적인 것이다. 요철 패턴의 깊이는 예를 들어, AlGaN층(181)의 일부 깊이까지만, 또는 GaN층(170) 내부 소정 깊이까지로 변형될 수 있다.
도면에서, 출사패턴층(180)은 AlGaN층(181), AlN층(189)의 두 층만을 식각하여 형성된 패턴을 갖고 있지만, 이는 예시적인 것이고, GaN층(170) 내부로 소정 깊이까지 식각하는 표면 텍스쳐링 공정이 이루어진 형상일 수 있다.
도 2는 도 1의 변형예에 따른 발광소자(200)의 개략적인 구성을 보인다. 본 실시예는 출사패턴층(180)의 구체적인 층 구성에서 도 1의 실시예와 차이가 있다. 출사패턴층(180)은 AlN층(189)과, AlN층(189) 위에 반복 형성된 AlGaN층(185)/ GaN층(183)을 포함하여 이루어진다. 도면에서, AlGaN층(185)/GaN층(183)은 2회 반복된 구조로 도시되어 있지만, 이는 예시적인 것이며, 이에 한정되지 않는다.
도 3a 내지 도 3l는 실시예에 따른 발광소자 제조과정을 설명하는 도면들이다.
도 3a를 참조하면, 먼저, 제1기판(S) 상에 AlN층(389), AlGaN층(381), GaN층(370), 제1형 반도체층(360), 활성층(350), 제2형 반도체층(340)을 형성한다.
제1기판(S)으로 실리콘 기판이 채용될 수 있으며, 예를 들어 Si(111)을 사용할 수 있다.
AlN층(389)과 AlGaN층(381)은 질화물 박막 성장을 위한 버퍼층으로 형성되는 것이다. AlN 물질은 Al과 N원자의 부분적 이온결합 특성을 가진 공유결합을 한 육방정계의 섬유아연석(wurtzite) 경정구조의 화합물 반도체로서, III-V족 반도체 중 가장 큰 에너지 밴드갭을 가지며, 결정 구조적 이방성, 화학 양론적 결합구조를 가진다. 또한, 높은 탄성종과 높은 열전도도, 고온 안정성, 가시광선~적외선 영역에서의 좋은 투과성과 높은 굴절률, 상온 대기압에서의 안정적인 성질 등을 가진다. AlN 물질은 AlGaN 물질과 함께, 전위(dislocation)나 크랙(crack)이 적은 양호한 품질의 질화물 박막을 성장시키는 버퍼층으로 사용될 수 있다. 버퍼층의 두께는 200nm 에서 3um 범위로 형성될 수 있다. 이 두께는, 질화물 박막 성장시, 전위(dislocation)나 크랙(crack) 발생이 억제되고, 크랙 프리 두께(crack free thickness)가 필요한 만큼 확보될 수 있도록 정해질 수 있다. 버퍼층 구조는 도시된 구조에 한정되지 않으며, 예를 들어, AlN층(389) 위에 AlGaN/GaN이 교대로 반복된 구조를 가지는 것도 가능하다.
AlGaN층(381) 위에는 GaN층(370)이 더 구비될 수 있다. GaN층(370)은 불순물이 도핑되지 않은 u-GaN 으로 형성될 수 있다.
제1형 반도체층(360)은 n형 불순물로 도핑된 질화물 반도체, 예를 들어, n-AlxGayInzN (x+y+z=1)으로 이루어질 수 있다. 활성층(350)은 AlxGayInzN 에서 x, y, z 값을 주기적으로 변화시켜 띠 간격을 조절하여 만든 단일 또는 다중 양자우물 구조로 이루어질 수 있다. 제2형 반도체층(340)은 p형 불순물로 도핑된 질화물 반도체, 예를 들어, p- AlxGayInzN (x+y+z=1)으로 구성될 수 있다.
상술한 질화물 박막들의 형성은 일반적인 반도체 제조 공정에 따라 행해질 수 있으며, 예를 들어, MOCVD(metal organic chemical vapor deposition) 공정에 의해 형성될 수 있다.
도 3b는 제2형 반도체층(340), 활성층(350)을 관통하여 제1형 반도체층(360)의 일영역을 오픈하는 관통홀(h1)을 형성하는 단계를 보인다. 관통홀(h1)은 제1형 반도체층(360)에 전압 인가를 위해 제1형 반도체층(360)에 접촉하는 제1콘택층(미도시)를 형성하기 위해 마련되는 것이다. 먼저, 제2형 반도체층(340) 위에 포토 리지스트층(pr)을 도포하고, 소정 패턴으로 패터닝한다. 포토리지스트층(pr)을 마스크로 제2형 반도체층(340), 활성층(350)을 제1형 반도체층(360)을 식각하여 관통홀(h1)을 형성한다. 관통홀(h1)은 건식 식각 공정에 의해 형성될 수 있다.
다음, 도 3c와 같이, 제2형 반도체층(340)의 표면 및 관통홀(h1)의 측면을 따라 절연층(332)을 형성한다. 절연층(330)은 예를 들어, SiO2 재질로 형성될 수 있다.
다음, 도 3d와 같이 관통홀(h1)에 금속 물질을 채워 제1형 반도체층(160)과 접촉하는 제1콘택층(m1)을 형성한다. 제1콘택층(m1)은 예를 들어, Ti/Al/Ti/Pt를 증착하여 형성될 수 있다.
다음, 도 3e와 같이, 제1콘택층(m1) 위로 절연 물질을 더 도포하고, 제2형 반도체층(340) 위의 절연층(330) 일부를 식각하여 제2형 반도체층(140)의 일 영역을 오픈한다.
다음, 도 3f와 같이 상기 오픈된 영역에 금속 물질을 채워 제2콘택층(m2)을 형성한다. 제1콘택층(m2)은 예를 들어, Ni/Ag/Ti/Pt를 증착하여 형성될 수 있다.
다음, 도 3g는 금속층(120)이 더 형성된 것을 보인다. 금속층(120)이 제2콘택층(m2)과 절연되도록, 제2콘택층(m2) 위로 절연물질이 더 도포되고, 금속층(120)은 제1콘택층(m1)과 접촉되게 형성되고 있다. 금속층(120)은 예를 들어, Ti/Au/Sn/Au/Sn/Au를 증착하여 형성될 수 있다.
다음, 도 3h와 같이, 금속층(320)에 제2기판(310)을 본딩한다. 제2기판(310)으로는 예를 들어, Si(100)가 사용될 수 있다. 제2기판(310)은 유텍틱 본딩(eutectic bonding)에 의해 금속층(320)에 본딩될 수 있다.
다음, 도 3i와 같이, 제1기판(S)이 제거된 것을 보인다. 예를 들어, 그라인딩(grinding)이나, 연마(lapping) 공정을 통해 제1기판(S)의 두께를 줄인 후, 건식, 또는 습식의 식각 공정을 행하는 방법이 사용될 수 있다. 이와 같이, 연마 공정과 식각 공정을 함께 사용하여 제1기판(S)을 제거하는 것은 질화물 박막에 가해지는 식각 손상(etching damage)을 줄이기 위한 것이다. 또한, 실리콘 기판으로 구성된 제1기판(S)은 상술한 공정으로 제거될 수 있기 때문에, 사파이어 기판을 사용하는 경우에 비해 광추출효율 면에서 이점이 있다. 사파이어 기판에 질화물 박막을 형성하고, 레이저 리프트 오프 공정에 의해 사파이어 기판을 제거하는 경우, 레이저 충격에 의해 광출력이 감소될 수 있기 때문이다.
다음, 도 3j는 표면 텍스쳐링 공정이 행해진 것을 보인다. AlN층(389), AlGaN층(381)이 소정 패턴으로 패터닝되어 출사패턴층(380)을 형성하고 있다. 출사패턴층(380)은 요철 패턴을 갖는 형태일 수 있으며, 도시된 바와 같이, V자 형의 요부를 갖는 형태일 수 있으며, 다만, 이 형상에 한정되지는 않는다. 요철 패턴은 AlN층(389), AlGaN층(381)이 식각되어 이루어진 형상으로 도시되어 있으나 GaN층(370) 내부로 소정 깊이까지 식각된 형태를 가질 수도 있다. 또한, AlGaN층(381)의 일부 깊이까지만 식각된 형태를 가질 수도 있다. 요철 패턴의 깊이는 대략 500~1500nm 범위가 될 수 있다. 이와 같이 표면 텍스쳐링을 수행할 때, KOH를 사용한 습식 식각 공정이 사용될 수 있다. 이 공정은 복수층 구조를 단시간에 한꺼번에 식각할 수 있어, 공정 비용 및 시간이 절감된다. 5~10분 정도에 대략 400nm 깊이의 요철이 형성될 수 있다. 요철 패턴의 크기나 간격은 광추출효율을 높일 수 있도록 다양하게 변형될 수 있다. 예를 들어, 산란점을 가능한 많이 형성하며 균일한 크기를 갖도록 요철 패턴을 설정할 수 있다.
다음, 도 3k와 같이, 제2콘택층(mw)이 오픈되도록, 출사패턴층(380), GaN층(370), 제1형 반도체층(360), 활성층(350), 제2형 반도체층(340)을 관통하는 관통홀(h2)을 형성한다. 관통홀(h2)은 도 3b에서와 마찬가지로, 포토 공정 및 식각 공정을 거쳐서 형성될 수 있다. 또한, 관통홀(h2)의 측면은 절연층(333)으로 도포된다.
다음, 도 3l과 같이, 관통홀(h2)을 통해 제2콘택층(m2) 위로 금속물질을 증착하여 전극부(190)를 형성한다. 전극부(190)는 예를 들어, Ti/Au를 증착하여 형성될 수 있다. 제2기판(310)의 하면에는, 도시되지는 않았으나, 금속층(320), 제1콘택층(m1)을 통해 제1형 반도체층(360)에 전압이 인가되도록 전극부가 더 형성될 수 있다.
상술한 설명에서 제1콘택층(m1), 제2콘택층(m2)의 구조나 형성과정은 제1형 반도체층(360), 제2형 반도체층(340)에 전압 인가를 위해 가능한 전극 구조로 예시된 것이며, 다양한 변형이 가능하다.
상술한 제조과정을 통해, 공정 비용, 시간을 절감하며, 광추출효율이 높은 발광소자(300)가 제조된다.
이러한 본원 발명인 발광소자 및 이의 제조방법은 이해를 돕기 위하여 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나, 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 분야에서 통상적 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위에 의해 정해져야 할 것이다.

Claims (19)

  1. 제1형 반도체층;
    제2형 반도체층;
    상기 제1형 반도체층과 제2형 반도체층 사이에 형성된 활성층;
    상기 제1형 반도체층 위에 마련된 것으로, 복수층으로 구성되고, 상기 활성층에서 생성된 광이 외부로 출사되게 하는 출사패턴이 구비된 출사패턴층;을 포함하는 발광 소자.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 출사패턴층은 AlN층과 AlGaN층을 포함하는 발광소자.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 출사패턴층은 AlN층과, 상기 AlN층 위에 반복 형성된 AlGaN층/ GaN층을 포함하는 발광소자.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제2형 반도체층의 하부에는 상기 활성층에서 생성된 광을 상기 출사패턴층 쪽으로 반사시키는 금속층이 더 형성된 발광소자.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 금속층과 상기 제2형 반도체층 사이에는 절연층이 더 형성된 발광소자.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 절연층, 제2형반도체층, 활성층을 관통하여 형성된 것으로, 상기 제1형 반도체층과 상기 금속층을 컨택하는 제1컨택층이 더 마련된 발광소자.
  7. 제5항에 있어서,
    상기 절연층과 제2형 반도체층 사이의 일 영역으로부터 상기 제2형 반도체층, 활성층, 제1형 반도체층을 관통하여 연장 형성된 제2콘택층이 더 마련된 발광소자.
  8. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1형 반도체층과 상기 출사패턴층 사이에 GaN층이 더 형성된 발광소자.
  9. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 출사패턴은 요철패턴으로 이루어진 발광소자.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 요철패턴의 깊이는 대략 500nm에서 1500nm의 범위인 발광소자.
  11. 제1기판 상에 버퍼층을 형성하는 단계;
    상기 버퍼층 위에 제1형 반도체층, 활성층 및 제2형 반도체층을 순차 형성하는 단계;
    상기 제1형 반도체층과 접촉하는 제1콘택층 및 상기 제2형 반도체층과 접촉하는 제2콘택층을 형성하는 단계;
    상기 제1기판을 제거하고, 상기 버퍼층을 패터닝하여 출사패턴층을 형성하는 단계;를 포함하는 발광소자 제조방법.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 제1콘택층 및 상기 제2콘택층을 형성하는 단계는
    상기 제2형 반도체층, 활성층을 관통하여 상기 제1형 반도체층의 일 영역을 드러내는 관통홀을 형성하는 단계;
    상기 제2형 반도체층의 표면과 상기 관통홀의 측면을 따라 절연층을 형성하는 단계;
    상기 관통홀에 금속 물질을 채워 상기 제1콘택층을 형성하는 단계;
    상기 제2형 반도체층 위의 절연층 일부를 식각하여 드러난 제2형 반도체층의 일 영역 위에 상기 제2콘택층이 될 금속 물질을 형성하고, 상기 제2콘택층을 절연물질로 덮는 단계;를 포함하는 발광소자 제조방법.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 절연층 위에 상기 제1콘택층 위로 금속층을 형성하는 단계를 더 포함하는 발광소자 제조방법.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 제1기판을 제거하기 전에,
    상기 금속층 상에 제2기판을 본딩하는 단계를 더 포함하는 발광소자 제조방법.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 제2콘택층이 오픈되도록, 상기 출사패턴층, 제1형 반도체층, 활성층, 제2형 반도체층을 관통하는 관통홀을 형성하고, 상기 관통홀에 상기 제2콘택층과 접촉하는 금속물질을 채우는 단계를 더 포함하는 발광소자 제조방법.
  16. 제11항에 있어서,
    상기 제1기판을 제거할 때, 연마 공정과 식각 공정을 사용하는 발광소자 제조방법.
  17. 제11항 내지 제16항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 버퍼층은 AlN층과 AlGaN층을 포함하는 발광소자 제조방법.
  18. 제11항 내지 제16항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 버퍼층은 AlN층과, 상기 AlN층 위에 반복 형성된 AlGaN층/ GaN층을 포함하는 발광소자 제조방법.
  19. 제11항 내지 제16항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 출사패턴층을 형성하는 단계에서, 상기 버퍼층에 요철패턴을 형성하는 발광소자 제조방법.
KR1020100071976A 2010-07-26 2010-07-26 발광소자 및 그 제조방법 KR101692410B1 (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100071976A KR101692410B1 (ko) 2010-07-26 2010-07-26 발광소자 및 그 제조방법
US12/929,149 US8928017B2 (en) 2010-07-26 2011-01-04 Semiconductor light emitting devices having an uneven emission pattern layer and methods of manufacturing the same
US14/564,928 US9246048B2 (en) 2010-07-26 2014-12-09 Semiconductor light emitting devices having an uneven emission pattern layer and methods of manufacturing the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100071976A KR101692410B1 (ko) 2010-07-26 2010-07-26 발광소자 및 그 제조방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20120010437A true KR20120010437A (ko) 2012-02-03
KR101692410B1 KR101692410B1 (ko) 2017-01-03

Family

ID=45492852

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020100071976A KR101692410B1 (ko) 2010-07-26 2010-07-26 발광소자 및 그 제조방법

Country Status (2)

Country Link
US (2) US8928017B2 (ko)
KR (1) KR101692410B1 (ko)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150026199A (ko) * 2013-09-02 2015-03-11 엘지이노텍 주식회사 발광 소자
KR20150027770A (ko) * 2012-06-01 2015-03-12 코닌클리케 필립스 엔.브이. Led 표면 조면화에서의 피처 크기 및 형상 제어를 이용한 광 추출 개선
US9312445B2 (en) 2013-07-18 2016-04-12 Lg Innotek Co., Ltd. LED with multilayer light extractor having a refractive index gradient

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7573074B2 (en) 2006-05-19 2009-08-11 Bridgelux, Inc. LED electrode
US7985979B2 (en) 2007-12-19 2011-07-26 Koninklijke Philips Electronics, N.V. Semiconductor light emitting device with light extraction structures
US8664679B2 (en) * 2011-09-29 2014-03-04 Toshiba Techno Center Inc. Light emitting devices having light coupling layers with recessed electrodes
KR101286211B1 (ko) * 2012-02-16 2013-07-15 고려대학교 산학협력단 발광 소자 제조 방법 및 이를 이용하여 제조된 발광 소자
DE102013100818B4 (de) * 2013-01-28 2023-07-27 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips
KR102056618B1 (ko) * 2013-02-01 2019-12-17 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
DE102013103079A1 (de) * 2013-03-26 2014-10-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips
DE102013107531A1 (de) * 2013-07-16 2015-01-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterchip
CN105518879B (zh) * 2013-09-02 2018-08-31 Lg伊诺特有限公司 发光元件
DE102014102029A1 (de) * 2014-02-18 2015-08-20 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauelementen und Halbleiterbauelement
JP2015177025A (ja) * 2014-03-14 2015-10-05 株式会社東芝 光半導体素子
CN106531859B (zh) * 2016-12-16 2018-12-14 上海芯元基半导体科技有限公司 免封装高亮度led芯片结构及其制作方法
CN110265520A (zh) * 2019-07-02 2019-09-20 华南理工大学 优化电流分布的嵌入式电极结构led芯片及其制备方法
KR20210006538A (ko) * 2019-07-08 2021-01-19 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 제조방법
CN111628058A (zh) * 2020-04-17 2020-09-04 华灿光电(苏州）有限公司 AlGaInP基发光二极管芯片及其制造方法
CN112204752A (zh) * 2020-08-07 2021-01-08 英诺赛科（珠海）科技有限公司 半导体装置和其制造方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070197004A1 (en) * 2006-02-23 2007-08-23 Armin Dadgar Nitride semiconductor component and process for its production
JP2007266577A (ja) * 2006-03-03 2007-10-11 Matsushita Electric Ind Co Ltd 窒化物半導体装置及びその製造方法
KR100891761B1 (ko) * 2007-10-19 2009-04-07 삼성전기주식회사 반도체 발광소자, 그의 제조방법 및 이를 이용한 반도체발광소자 패키지
KR20100063650A (ko) * 2009-11-16 2010-06-11 삼성엘이디 주식회사 반도체 발광소자 및 그의 제조방법

Family Cites Families (46)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1143394C (zh) 1996-08-27 2004-03-24 精工爱普生株式会社 剥离方法、溥膜器件的转移方法和薄膜器件
USRE38466E1 (en) 1996-11-12 2004-03-16 Seiko Epson Corporation Manufacturing method of active matrix substrate, active matrix substrate and liquid crystal display device
US7208725B2 (en) 1998-11-25 2007-04-24 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Optoelectronic component with encapsulant
JP3906654B2 (ja) 2000-07-18 2007-04-18 ソニー株式会社 半導体発光素子及び半導体発光装置
WO2003019678A1 (fr) 2001-08-22 2003-03-06 Sony Corporation Element semiconducteur au nitrure et procede de production de cet element
JP2003218034A (ja) 2002-01-17 2003-07-31 Sony Corp 選択成長方法、半導体発光素子及びその製造方法
JP3815335B2 (ja) 2002-01-18 2006-08-30 ソニー株式会社 半導体発光素子及びその製造方法
KR100499129B1 (ko) 2002-09-02 2005-07-04 삼성전기주식회사 발광 다이오드 및 그 제조방법
US7002182B2 (en) 2002-09-06 2006-02-21 Sony Corporation Semiconductor light emitting device integral type semiconductor light emitting unit image display unit and illuminating unit
US7115896B2 (en) * 2002-12-04 2006-10-03 Emcore Corporation Semiconductor structures for gallium nitride-based devices
KR100714639B1 (ko) 2003-10-21 2007-05-07 삼성전기주식회사 발광 소자
KR100506740B1 (ko) 2003-12-23 2005-08-08 삼성전기주식회사 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR100664985B1 (ko) 2004-10-26 2007-01-09 삼성전기주식회사 질화물계 반도체 소자
KR101138943B1 (ko) 2004-12-14 2012-04-25 서울옵토디바이스주식회사 발광 소자 및 이의 제조 방법
US7736945B2 (en) * 2005-06-09 2010-06-15 Philips Lumileds Lighting Company, Llc LED assembly having maximum metal support for laser lift-off of growth substrate
KR100665222B1 (ko) 2005-07-26 2007-01-09 삼성전기주식회사 확산재료를 이용한 엘이디 패키지 및 그 제조 방법
KR100661614B1 (ko) 2005-10-07 2006-12-26 삼성전기주식회사 질화물계 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR100723247B1 (ko) 2006-01-10 2007-05-29 삼성전기주식회사 칩코팅형 ｌｅｄ 패키지 및 그 제조방법
KR100735325B1 (ko) 2006-04-17 2007-07-04 삼성전기주식회사 발광다이오드 패키지 및 그 제조방법
KR100865754B1 (ko) 2006-08-21 2008-10-28 삼성전기주식회사 수직구조 질화물계 반도체 발광소자 및 그 제조방법
US7910395B2 (en) * 2006-09-13 2011-03-22 Helio Optoelectronics Corporation LED structure
KR100930171B1 (ko) 2006-12-05 2009-12-07 삼성전기주식회사 백색 발광장치 및 이를 이용한 백색 광원 모듈
KR100818466B1 (ko) * 2007-02-13 2008-04-02 삼성전기주식회사 반도체 발광소자
KR100855065B1 (ko) 2007-04-24 2008-08-29 삼성전기주식회사 발광 다이오드 패키지
KR100893260B1 (ko) 2007-05-10 2009-04-17 광주과학기술원 기능성 박막, 그 제조방법 및 이를 이용한 표시장치
KR100982980B1 (ko) 2007-05-15 2010-09-17 삼성엘이디 주식회사 면 광원 장치 및 이를 구비하는 ｌｃｄ 백라이트 유닛
KR100892664B1 (ko) 2007-06-29 2009-04-15 서울옵토디바이스주식회사 수직형 발광 다이오드와 그 제조 방법 및 이를 구비한 발광다이오드
KR101164026B1 (ko) 2007-07-12 2012-07-18 삼성전자주식회사 질화물계 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR20090018451A (ko) 2007-08-17 2009-02-20 삼성전기주식회사 수직구조 갈륨계 ｌｅｄ 소자의 제조방법
DE102008021403A1 (de) * 2007-09-28 2009-04-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterkörper und Verfahren zu dessen Herstellung
KR101371852B1 (ko) * 2007-12-20 2014-03-07 엘지이노텍 주식회사 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR100930187B1 (ko) 2008-02-05 2009-12-07 삼성전기주식회사 수직구조 반도체 발광소자 제조방법
KR101499952B1 (ko) 2008-02-20 2015-03-06 엘지이노텍 주식회사 반도체 발광소자 및 그 제조방법
DE102008011848A1 (de) * 2008-02-29 2009-09-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterkörper und Verfahren zur Herstellung eines solchen
DE102009018603B9 (de) * 2008-04-25 2021-01-14 Samsung Electronics Co., Ltd. Leuchtvorrichtung und Herstellungsverfahren derselben
DE102008030584A1 (de) * 2008-06-27 2009-12-31 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelementes und optoelektronisches Bauelement
US7875534B2 (en) * 2008-07-21 2011-01-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Realizing N-face III-nitride semiconductors by nitridation treatment
DE102008034560B4 (de) * 2008-07-24 2022-10-27 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Strahlungsemittierender Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Halbleiterchips
KR101332794B1 (ko) 2008-08-05 2013-11-25 삼성전자주식회사 발광 장치, 이를 포함하는 발광 시스템, 상기 발광 장치 및발광 시스템의 제조 방법
KR20100030470A (ko) 2008-09-10 2010-03-18 삼성전자주식회사 다양한 색 온도의 백색광을 제공할 수 있는 발광 장치 및 발광 시스템
KR101530876B1 (ko) 2008-09-16 2015-06-23 삼성전자 주식회사 발광량이 증가된 발광 소자, 이를 포함하는 발광 장치, 상기 발광 소자 및 발광 장치의 제조 방법
US8008683B2 (en) 2008-10-22 2011-08-30 Samsung Led Co., Ltd. Semiconductor light emitting device
KR101539246B1 (ko) * 2008-11-10 2015-07-24 삼성전자 주식회사 광추출 효율이 향상된 발광 장치의 제조 방법 및 그 방법으로 제조된 발광 장치
WO2010146783A1 (ja) * 2009-06-15 2010-12-23 パナソニック株式会社 半導体発光装置、発光モジュール、および照明装置
KR20110008550A (ko) * 2009-07-20 2011-01-27 삼성전자주식회사 발광 소자 및 그 제조 방법
KR101106151B1 (ko) * 2009-12-31 2012-01-20 서울옵토디바이스주식회사 발광 소자 및 그것을 제조하는 방법

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070197004A1 (en) * 2006-02-23 2007-08-23 Armin Dadgar Nitride semiconductor component and process for its production
JP2007266577A (ja) * 2006-03-03 2007-10-11 Matsushita Electric Ind Co Ltd 窒化物半導体装置及びその製造方法
KR100891761B1 (ko) * 2007-10-19 2009-04-07 삼성전기주식회사 반도체 발광소자, 그의 제조방법 및 이를 이용한 반도체발광소자 패키지
KR20100063650A (ko) * 2009-11-16 2010-06-11 삼성엘이디 주식회사 반도체 발광소자 및 그의 제조방법

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150027770A (ko) * 2012-06-01 2015-03-12 코닌클리케 필립스 엔.브이. Led 표면 조면화에서의 피처 크기 및 형상 제어를 이용한 광 추출 개선
KR20200091502A (ko) * 2012-06-01 2020-07-30 루미리즈 홀딩 비.브이. Led 표면 조면화에서의 피처 크기 및 형상 제어를 이용한 광 추출 개선
US9312445B2 (en) 2013-07-18 2016-04-12 Lg Innotek Co., Ltd. LED with multilayer light extractor having a refractive index gradient
KR20150026199A (ko) * 2013-09-02 2015-03-11 엘지이노텍 주식회사 발광 소자

Also Published As

Publication number Publication date
US9246048B2 (en) 2016-01-26
US8928017B2 (en) 2015-01-06
KR101692410B1 (ko) 2017-01-03
US20150093848A1 (en) 2015-04-02
US20120018734A1 (en) 2012-01-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101692410B1 (ko) 발광소자 및 그 제조방법
US8709845B2 (en) Solid state lighting devices with cellular arrays and associated methods of manufacturing
TWI405257B (zh) 分離基板與半導體層的方法
JP2007294972A (ja) 発光素子及びその製造方法
TW201706452A (zh) 利用化學腐蝕的方法剝離生長襯底的方法
KR20120092326A (ko) 광 결정 구조를 갖는 비극성 발광 다이오드 및 그것을 제조하는 방법
KR20120092325A (ko) 광 결정 구조를 갖는 발광 다이오드 및 그것을 제조하는 방법
KR20090101604A (ko) 그룹 3족 질화물계 반도체 발광다이오드 소자 및 이의 제조방법
US8455276B2 (en) Light emitting element and a production method therefor
KR101926609B1 (ko) 질화갈륨계 반도체 소자 및 그 제조방법
KR20130025716A (ko) 나노로드 발광소자
TW202221938A (zh) Ｌｅｄ及製造方法
KR101123010B1 (ko) 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR20130025856A (ko) 나노로드 발광소자
KR101781505B1 (ko) 질화갈륨계 반도체 발광소자 및 그 제조방법
JP2013526781A (ja) 緩和層上に成長したｉｉｉ族窒化物発光デバイス
KR20050104151A (ko) 질화물계 반도체 발광다이오드 및 그의 제조방법
KR101296946B1 (ko) 화학적 리프트 오프 방식을 이용한 수직형 발광 다이오드 및 그 제조방법
KR101097888B1 (ko) 질화물계 반도체 발광 소자 및 기판 제조 방법
KR100889569B1 (ko) 질화물계 발광소자 및 그 제조방법
KR20100044403A (ko) 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR20120065610A (ko) 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR100889568B1 (ko) 질화물계 발광소자 및 그 제조방법
KR100704872B1 (ko) 수직전극형 발광 다이오드 및 그 제조 방법
KR20080064060A (ko) 질화물계 반도체 발광소자 및 그의 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
N231 Notification of change of applicant
A201 Request for examination
AMND Amendment
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
AMND Amendment
X701 Decision to grant (after re-examination)
GRNT Written decision to grant