KR20080064060A - 질화물계 반도체 발광소자 및 그의 제조방법 - Google Patents
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- 기판;상기 기판 상에 형성된 n형 질화물 반도체층;상기 n형 질화물 반도체층 상의 소정 영역에 형성된 활성층;상기 활성층 상에 형성된 p형 질화물 반도체층;상기 p형 질화물 반도체층 상에 상기 p형 질화물 반도체층으로부터 에피택시 자체의 재성장에 의한 인-시츄(in-situ) 방법으로 형성된 굴곡 패턴;상기 굴곡 패턴이 형성된 상기 p형 질화물 반도체층 상에 형성된 p형 전극; 및상기 활성층이 형성되지 않은 n형 질화물 반도체층 상에 형성되어 있는 n형 전극;을 포함하는 질화물계 반도체 발광소자.
- 제1항에 있어서,상기 굴곡 패턴은, 그물코 또는 복수의 섬 형상으로 형성된 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광소자.
- 제2항에 있어서,상기 굴곡 패턴은, 상기 p형 질화물 반도체층 상에 비계면 활성제를 도포하여 요철을 형성한 다음 상기 p형 질화물 반도체층을 재성장시켜 형성된 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광소자.
- 제3항에 있어서,상기 비계면 활성제는, 실리콘 카바이드(SiC)인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
- 제2항에 있어서,상기 굴곡 패턴은, 상기 p형 질화물 반도체층 상에 인듐을 소정 두께 성장시켜 p형 질화물 반도체층 표면의 결함에 비결합화합손(dangling bond)을 형성한 다음 상기 p형 질화물 반도체층을 재성장시켜 형성된 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광소자.
- 제2항에 있어서,상기 굴곡 패턴은, 상기 p형 질화물 반도체층 상에 수소 가스를 공급하면서 p형 질화물 반도체층 표면의 결함을 건식 식각한 다음 상기 p형 질화물 반도체층을 재성장시켜 형성된 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광소자.
- 기판 상에 n형 질화물 반도체층을 형성하는 단계;상기 n형 질화물 반도체층 상에 활성층을 형성하는 단계;상기 활성층 위에 p형 질화물 반도체층을 형성하는 단계;상기 p형 질화물 반도체층과 활성층 및 p형 질화물 반도체층의 일부를 메사 식각하여 상기 n형 질화물 반도체층의 일부를 드러내는 단계;상기 p형 질화물 반도체층 상에 에피택시 자체의 재성장에 의한 인-시츄(in-situ) 방법으로 굴곡 패턴을 형성하는 단계;상기 굴곡 패턴이 형성된 p형 질화물 반도체층과 드러난 n형 질화물 반도체층 상에 p형 전극과 n형 전극을 각각 형성하는 단계;를 포함하는 질화물계 반도체 발광소자의 제조방법.
- 제7항에 있어서,상기 p형 질화물 반도체층 상에 에피택시 자체의 재성장에 의한 인-시츄(in-situ) 방법으로 굴곡 패턴을 형성하는 단계는상기 p형 질화물 반도체층 상에 비계면 활성제를 도포하여 요철을 형성하는 단계와, 상기 요철이 형성된 p형 질화물 반도체층을 재성장시키는 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광소자의 제조방법.
- 제8항에 있어서,상기 비계면 활성제는, 실리콘 카바이드(SiC)를 사용하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자의 제조방법.
- 제7항에 있어서,상기 p형 질화물 반도체층 상에 에피택시 자체의 재성장에 의한 인-시츄(in-situ) 방법으로 굴곡 패턴을 형성하는 단계는상기 p형 질화물 반도체층 상에 인듐을 소정 두께 성장시켜 p형 질화물 반도체층 표면의 결함에 비결합화합손(dangling bond)을 형성하는 단계와, 상기 비결합화합손이 형성된 p형 질화물 반도체층을 재성장시키는 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광소자의 제조방법.
- 제7항에 있어서,상기 p형 질화물 반도체층 상에 에피택시 자체의 재성장에 의한 인-시츄(in- situ) 방법으로 굴곡 패턴을 형성하는 단계는상기 p형 질화물 반도체층 상에 수소 가스를 공급하면서 p형 질화물 반도체층 표면의 결함을 건식 식각하여 제거하는 단계와, 상기 결함이 제거된 p형 질화물 반도체층을 재성장시키는 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광소자의 제조방법.
- 제7항에 있어서,상기 굴곡 패턴을 형성하는 단계 이후에 상기 굴곡 패턴이 형성된 p형 질화물계 반도체층 상에 투명전극을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광소자의 제조방법.
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