JPH05175148A - ＩｎＳｂ薄膜の転写形成方法 - Google Patents
ＩｎＳｂ薄膜の転写形成方法Info
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- JPH05175148A JPH05175148A JP35704991A JP35704991A JPH05175148A JP H05175148 A JPH05175148 A JP H05175148A JP 35704991 A JP35704991 A JP 35704991A JP 35704991 A JP35704991 A JP 35704991A JP H05175148 A JPH05175148 A JP H05175148A
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- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 素子基板上に結晶度の良好な電子，正孔の移
動度の高いＩｎＳｂ薄膜を形成することができるＩｎＳ
ｂ薄膜の転写形成方法を提供する。 【構成】 薄膜形成基板１上にＢａＦ2 のバッファ層２
を形成し、このバッファ層２上にＩｎＳｂ薄膜３を形成
してキャップ層４で覆い、ＩｎＳｂ薄膜３をアニール処
理する。前記キャップ層４と素子基板６のＳｉＯ2 層５
とを陽極接合する。そして、バッファ層２を水や弱酸で
エッチングして除去し、ＩｎＳｂ薄膜３を素子基板６に
転写形成する。
動度の高いＩｎＳｂ薄膜を形成することができるＩｎＳ
ｂ薄膜の転写形成方法を提供する。 【構成】 薄膜形成基板１上にＢａＦ2 のバッファ層２
を形成し、このバッファ層２上にＩｎＳｂ薄膜３を形成
してキャップ層４で覆い、ＩｎＳｂ薄膜３をアニール処
理する。前記キャップ層４と素子基板６のＳｉＯ2 層５
とを陽極接合する。そして、バッファ層２を水や弱酸で
エッチングして除去し、ＩｎＳｂ薄膜３を素子基板６に
転写形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ホール素子や磁気抵抗
素子や光電素子等のセンサ素子に使用されるＩｎＳｂ薄
膜の転写形成方法に関するものである。
素子や光電素子等のセンサ素子に使用されるＩｎＳｂ薄
膜の転写形成方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ホール素子や磁気抵抗素子等のセンサ素
子にはＩｎＳｂ薄膜が使用されている。このＩｎＳｂ薄
膜素子の感度を高めるために、ＩｎＳｂ薄膜をアニール
処理して、再結晶化させ、電子，正孔の移動度を高める
方法が知られている。従来のＩｎＳｂ薄膜のアニール処
理方法としては、例えば、図６に示すようにＳｉ等の薄
膜形成基板１上にＩｎＳｂ薄膜３を形成し、このＩｎＳ
ｂ薄膜３をアニール用キャップ層，保護膜を用いずアニ
ール処理を行う第１の方法や、図７に示すようにＳｉ等
の基板１上にＩｎＳｂ薄膜３を形成し、このＩｎＳｂ薄
膜３上をＳｉＯ2 膜のアニール用キャップ層４で覆った
後、ＩｎＳｂ薄膜３をアニール処理する第２の方法が知
られている。前記第１の方法ではアニール処理すると、
ＩｎＳｂ薄膜３中のＳｂが蒸発飛散するが、第２の方法
では、アニール処理中、キャップ層４があるため、Ｓｂ
が蒸発せず、ＩｎＳｂ薄膜３を表面に出す必要からキャ
ップ層４をＳｉＯ2 エッチング液（バッファ・フッ酸）
で取り除く作業が行われている。
子にはＩｎＳｂ薄膜が使用されている。このＩｎＳｂ薄
膜素子の感度を高めるために、ＩｎＳｂ薄膜をアニール
処理して、再結晶化させ、電子，正孔の移動度を高める
方法が知られている。従来のＩｎＳｂ薄膜のアニール処
理方法としては、例えば、図６に示すようにＳｉ等の薄
膜形成基板１上にＩｎＳｂ薄膜３を形成し、このＩｎＳ
ｂ薄膜３をアニール用キャップ層，保護膜を用いずアニ
ール処理を行う第１の方法や、図７に示すようにＳｉ等
の基板１上にＩｎＳｂ薄膜３を形成し、このＩｎＳｂ薄
膜３上をＳｉＯ2 膜のアニール用キャップ層４で覆った
後、ＩｎＳｂ薄膜３をアニール処理する第２の方法が知
られている。前記第１の方法ではアニール処理すると、
ＩｎＳｂ薄膜３中のＳｂが蒸発飛散するが、第２の方法
では、アニール処理中、キャップ層４があるため、Ｓｂ
が蒸発せず、ＩｎＳｂ薄膜３を表面に出す必要からキャ
ップ層４をＳｉＯ2 エッチング液（バッファ・フッ酸）
で取り除く作業が行われている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、アニー
ル条件としての最適熱処理温度は薄膜材料であるＩｎＳ
ｂの融点530 ℃付近であるが、前記第１のアニール法
で、この最適熱処理温度まで温度を上げると、ＩｎＳｂ
薄膜３中のＳｂが蒸発飛散し、ＩｎＳｂの化学量論的組
成（Ｉｎ：Ｓｂ＝１：１）の最適条件からずれてしま
い、特性が劣化するので、熱処理温度を下げざるを得な
い。したがって、低温でアニール処理することになるの
で、ＩｎＳｂ薄膜３の再結晶化が期待通り進行せず、電
子，正孔の移動度を高めることができないという問題が
ある。また、第２の方法では、ＩｎＳｂ薄膜３を熱処理
後、ＳｉＯ2 のキャップ層４をエッチング液で取り除く
際に、ＳｉＯ2 用エッチング液（バッファ・フッ酸）に
よって、ＩｎＳｂ薄膜３が犯され易く、ＩｎＳｂ薄膜３
の電気特性が劣化する等の問題がある。したがって、従
来の第１のアニール法および第２のアニール法では素子
基板上に高移動度のＩｎＳｂ薄膜３を得ることが困難で
あった。すなわち、薄膜形成基板１上に直接ＩｎＳｂ薄
膜３を形成して、薄膜形成基板１を素子基板として使用
する場合にはどうしても結晶性の良好な電子，正孔の移
動度の高いＩｎＳｂ薄膜３を得ることはできない致命的
な欠点があった。
ル条件としての最適熱処理温度は薄膜材料であるＩｎＳ
ｂの融点530 ℃付近であるが、前記第１のアニール法
で、この最適熱処理温度まで温度を上げると、ＩｎＳｂ
薄膜３中のＳｂが蒸発飛散し、ＩｎＳｂの化学量論的組
成（Ｉｎ：Ｓｂ＝１：１）の最適条件からずれてしま
い、特性が劣化するので、熱処理温度を下げざるを得な
い。したがって、低温でアニール処理することになるの
で、ＩｎＳｂ薄膜３の再結晶化が期待通り進行せず、電
子，正孔の移動度を高めることができないという問題が
ある。また、第２の方法では、ＩｎＳｂ薄膜３を熱処理
後、ＳｉＯ2 のキャップ層４をエッチング液で取り除く
際に、ＳｉＯ2 用エッチング液（バッファ・フッ酸）に
よって、ＩｎＳｂ薄膜３が犯され易く、ＩｎＳｂ薄膜３
の電気特性が劣化する等の問題がある。したがって、従
来の第１のアニール法および第２のアニール法では素子
基板上に高移動度のＩｎＳｂ薄膜３を得ることが困難で
あった。すなわち、薄膜形成基板１上に直接ＩｎＳｂ薄
膜３を形成して、薄膜形成基板１を素子基板として使用
する場合にはどうしても結晶性の良好な電子，正孔の移
動度の高いＩｎＳｂ薄膜３を得ることはできない致命的
な欠点があった。
【０００４】本発明は上記従来の課題を解決するための
ものであり、その目的は、素子基板上に高移動度のＩｎ
Ｓｂ薄膜を形成することができるＩｎＳｂ薄膜の転写形
成方法を提供することにある。
ものであり、その目的は、素子基板上に高移動度のＩｎ
Ｓｂ薄膜を形成することができるＩｎＳｂ薄膜の転写形
成方法を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するために、次のように構成されている。すなわち、本
発明のＩｎＳｂ薄膜の転写形成方法は、薄膜形成基板上
にＩｎＳｂと格子定数がほぼ等しく、かつ、水又は溶液
に溶け易いバッファ層を形成し、このバッファ層上にＩ
ｎＳｂ薄膜を形成し、このＩｎＳｂ薄膜をキャップ層で
覆ってからＩｎＳｂ薄膜をアニールし、然る後に、キャ
ップ層の上側にキャップ層を接着層として素子基板を接
合し、次に、前記バッファ層をエッチングして前記薄膜
形成基板を取り除き、素子基板上にＩｎＳｂ薄膜を形成
することを特徴として構成されている。また、本発明の
ＩｎＳｂ薄膜の転写形成方法は、マイカからなる薄膜形
成基板上にＩｎＳｂ薄膜を形成し、このＩｎＳｂ薄膜を
接着層で覆い、然る後に、接着層の上側に素子基板を接
合し、次に、前記薄膜形成基板を取り除いて素子基板上
にＩｎＳｂ薄膜を形成することを特徴として構成されて
いる。
するために、次のように構成されている。すなわち、本
発明のＩｎＳｂ薄膜の転写形成方法は、薄膜形成基板上
にＩｎＳｂと格子定数がほぼ等しく、かつ、水又は溶液
に溶け易いバッファ層を形成し、このバッファ層上にＩ
ｎＳｂ薄膜を形成し、このＩｎＳｂ薄膜をキャップ層で
覆ってからＩｎＳｂ薄膜をアニールし、然る後に、キャ
ップ層の上側にキャップ層を接着層として素子基板を接
合し、次に、前記バッファ層をエッチングして前記薄膜
形成基板を取り除き、素子基板上にＩｎＳｂ薄膜を形成
することを特徴として構成されている。また、本発明の
ＩｎＳｂ薄膜の転写形成方法は、マイカからなる薄膜形
成基板上にＩｎＳｂ薄膜を形成し、このＩｎＳｂ薄膜を
接着層で覆い、然る後に、接着層の上側に素子基板を接
合し、次に、前記薄膜形成基板を取り除いて素子基板上
にＩｎＳｂ薄膜を形成することを特徴として構成されて
いる。
【０００６】
【作用】ＢａＦ2 のバッファ層の上に形成したＩｎＳｂ
薄膜にキャップ層を被覆する。このＩｎＳｂ薄膜をアニ
ールしてＩｎＳｂの再結晶を促す。アニール処理後、キ
ャップ層上にこのキャップ層を接着層として素子基板を
陽極接合し、バッファ層を水あるいは弱酸でエッチング
処理してバッファ層を除去し、素子基板上にＩｎＳｂ薄
膜を転写形成する。
薄膜にキャップ層を被覆する。このＩｎＳｂ薄膜をアニ
ールしてＩｎＳｂの再結晶を促す。アニール処理後、キ
ャップ層上にこのキャップ層を接着層として素子基板を
陽極接合し、バッファ層を水あるいは弱酸でエッチング
処理してバッファ層を除去し、素子基板上にＩｎＳｂ薄
膜を転写形成する。
【０００７】また、マイカからなる薄膜形成基板上に形
成した結晶性の良好なＩｎＳｂ薄膜を接着層で覆い、こ
の接着層上に素子基板を接合した後、マイカの薄膜形成
基板を研磨等によって取り除いて素子基板上にＩｎＳｂ
薄膜を転写形成する。
成した結晶性の良好なＩｎＳｂ薄膜を接着層で覆い、こ
の接着層上に素子基板を接合した後、マイカの薄膜形成
基板を研磨等によって取り除いて素子基板上にＩｎＳｂ
薄膜を転写形成する。
【０００８】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。なお、本実施例の説明において、従来例と同一の
名称部分には同一符号を付し、その詳細な重複説明は省
略する。図１〜図３には第１の実施例に係るＩｎＳｂ薄
膜の転写形成方法の説明図が示されている。これらの図
において、ガラス，Ｓｉ（表面にＳｉＯ2 を形成したも
のを含む），ＣａＦ2 等により構成される薄膜形成基板
１上に抵抗加熱型蒸着法やＲＦマグネトロンスパッタ法
等でＢａＦ2 のバッファ層２が形成されている。このバ
ッファ層２に用いるＢａＦ2 はＩｎＳｂと結晶形が同じ
で格子定数がほぼ同じであり、かつ、水や弱酸等に容易
に溶ける性質を備えている。このバッファ層２上にはＩ
ｎＳｂ薄膜３を抵抗加熱型蒸着法，電子銃（ＥＢ）型蒸
着法，イオンプレーティング法，スパッタ法，Molecula
r Chemical Vapor Deposite （ＭＯＣＶＤ）法，Molecu
lar Beam Epitaxy（ＭＢＥ）法等の成膜方法によって形
成し、このＩｎＳｂ薄膜３上にはＳｉＯ2 膜のアニール
用キャップ層４が覆われている。この状態で、ＩｎＳｂ
薄膜３は500 ℃付近の温度で長時間保持されアニール処
理される。なお、ＩｎＳｂ薄膜３の熱膨張係数と、キャ
ップ層４のＳｉＯ2 膜やバッファ層２のＢａＦ2 膜の熱
膨張係数とがほぼ一桁異なるので、各膜間に応力が生じ
ないように、昇温速度，降温速度を低く設定する必要が
ある。このアニール工程によってバッファ層２上に結晶
性の良好な高移動度のＩｎＳｂ薄膜３が形成される。
する。なお、本実施例の説明において、従来例と同一の
名称部分には同一符号を付し、その詳細な重複説明は省
略する。図１〜図３には第１の実施例に係るＩｎＳｂ薄
膜の転写形成方法の説明図が示されている。これらの図
において、ガラス，Ｓｉ（表面にＳｉＯ2 を形成したも
のを含む），ＣａＦ2 等により構成される薄膜形成基板
１上に抵抗加熱型蒸着法やＲＦマグネトロンスパッタ法
等でＢａＦ2 のバッファ層２が形成されている。このバ
ッファ層２に用いるＢａＦ2 はＩｎＳｂと結晶形が同じ
で格子定数がほぼ同じであり、かつ、水や弱酸等に容易
に溶ける性質を備えている。このバッファ層２上にはＩ
ｎＳｂ薄膜３を抵抗加熱型蒸着法，電子銃（ＥＢ）型蒸
着法，イオンプレーティング法，スパッタ法，Molecula
r Chemical Vapor Deposite （ＭＯＣＶＤ）法，Molecu
lar Beam Epitaxy（ＭＢＥ）法等の成膜方法によって形
成し、このＩｎＳｂ薄膜３上にはＳｉＯ2 膜のアニール
用キャップ層４が覆われている。この状態で、ＩｎＳｂ
薄膜３は500 ℃付近の温度で長時間保持されアニール処
理される。なお、ＩｎＳｂ薄膜３の熱膨張係数と、キャ
ップ層４のＳｉＯ2 膜やバッファ層２のＢａＦ2 膜の熱
膨張係数とがほぼ一桁異なるので、各膜間に応力が生じ
ないように、昇温速度，降温速度を低く設定する必要が
ある。このアニール工程によってバッファ層２上に結晶
性の良好な高移動度のＩｎＳｂ薄膜３が形成される。
【０００９】前記アニール完了したＩｎＳｂ薄膜３を、
図２に示すように、Ｓｉ等の素子基板６に接合させるた
め、素子基板６の表面を酸化してＳｉＯ2 層５を形成
し、このＳｉＯ2 層５とキャップ層４とを陽極接合（加
熱，電圧印加）することによって、ＩｎＳｂ薄膜３と素
子基板６とが接合される。次いで、ＢａＦ2 のバッファ
層２を水又は弱酸でエッチング処理して溶解することに
より、図３に示すようにバッファ層２と薄膜形成基板１
が除去されて、ＩｎＳｂ薄膜３が素子基板６に転写形成
される。
図２に示すように、Ｓｉ等の素子基板６に接合させるた
め、素子基板６の表面を酸化してＳｉＯ2 層５を形成
し、このＳｉＯ2 層５とキャップ層４とを陽極接合（加
熱，電圧印加）することによって、ＩｎＳｂ薄膜３と素
子基板６とが接合される。次いで、ＢａＦ2 のバッファ
層２を水又は弱酸でエッチング処理して溶解することに
より、図３に示すようにバッファ層２と薄膜形成基板１
が除去されて、ＩｎＳｂ薄膜３が素子基板６に転写形成
される。
【００１０】従来のように薄膜形成基板１を素子基板と
してＩｎＳｂ薄膜３を形成した場合には、良好な電子，
正孔の高移動度を得られないという致命的な欠点を有す
るが、本発明においては、薄膜形成基板１を素子基板に
使用せず、ＩｎＳｂ薄膜３を別の素子基板６に転写形成
する方法を開発して前記従来の欠点を完全に除去したこ
とが特徴である。
してＩｎＳｂ薄膜３を形成した場合には、良好な電子，
正孔の高移動度を得られないという致命的な欠点を有す
るが、本発明においては、薄膜形成基板１を素子基板に
使用せず、ＩｎＳｂ薄膜３を別の素子基板６に転写形成
する方法を開発して前記従来の欠点を完全に除去したこ
とが特徴である。
【００１１】この実施例によれば、アニールしたＩｎＳ
ｂ薄膜３と素子基板６とを陽極接合し、ＢａＦ2 バッフ
ァ層２を水や弱酸でエッチング除去してＩｎＳｂ薄膜３
を転写形成したので、従来のように、ＳｉＯ2 膜のキャ
ップ層４をＳｉＯ2 エッチング液（バッファ・フッ酸）
でエッチング処理する必要がなく、キャップ層４は素子
基板６とＩｎＳｂ薄膜３との接着層として機能し、Ｉｎ
Ｓｂ薄膜３にはＳｉＯ2 エッチング液の影響が全くない
ので、ＩｎＳｂ薄膜３の劣化は全くなく、結晶性の良好
な電子，正孔移動度を高めたＩｎＳｂ薄膜３を素子基板
６上に転写形成することができる。
ｂ薄膜３と素子基板６とを陽極接合し、ＢａＦ2 バッフ
ァ層２を水や弱酸でエッチング除去してＩｎＳｂ薄膜３
を転写形成したので、従来のように、ＳｉＯ2 膜のキャ
ップ層４をＳｉＯ2 エッチング液（バッファ・フッ酸）
でエッチング処理する必要がなく、キャップ層４は素子
基板６とＩｎＳｂ薄膜３との接着層として機能し、Ｉｎ
Ｓｂ薄膜３にはＳｉＯ2 エッチング液の影響が全くない
ので、ＩｎＳｂ薄膜３の劣化は全くなく、結晶性の良好
な電子，正孔移動度を高めたＩｎＳｂ薄膜３を素子基板
６上に転写形成することができる。
【００１２】図４には第２の実施例に係るＩｎＳｂ薄膜
の転写形成方法の説明図が示されている。同図におい
て、マイカの薄膜形成基板８上にＩｎＳｂ薄膜３が蒸着
法やスパッタ法等により形成される。このＩｎＳｂ薄膜
３は接着層９で覆われ、この接着層９と素子基板６とが
接合されている。このマイカ基板８上へ形成したＩｎＳ
ｂ薄膜３は結晶性が良好で電子，正孔の移動度が高いた
め、第１の実施例のようなバッファ層２やＩｎＳｂ薄膜
のアニール処理が不要である。しかしながら、このマイ
カ基板８に形成したＩｎＳｂ薄膜３はマイカ基板８から
剥離し易く、マイカ基板８は素子基板としての機能を保
持することができないので、ＩｎＳｂ薄膜３は素子基板
６に転写形成し、不要のマイカ基板は研磨等により除去
される。
の転写形成方法の説明図が示されている。同図におい
て、マイカの薄膜形成基板８上にＩｎＳｂ薄膜３が蒸着
法やスパッタ法等により形成される。このＩｎＳｂ薄膜
３は接着層９で覆われ、この接着層９と素子基板６とが
接合されている。このマイカ基板８上へ形成したＩｎＳ
ｂ薄膜３は結晶性が良好で電子，正孔の移動度が高いた
め、第１の実施例のようなバッファ層２やＩｎＳｂ薄膜
のアニール処理が不要である。しかしながら、このマイ
カ基板８に形成したＩｎＳｂ薄膜３はマイカ基板８から
剥離し易く、マイカ基板８は素子基板としての機能を保
持することができないので、ＩｎＳｂ薄膜３は素子基板
６に転写形成し、不要のマイカ基板は研磨等により除去
される。
【００１３】この実施例によれば、マイカ基板８上にＩ
ｎＳｂ薄膜３を形成したので、アニール処理が不要とな
り、ＩｎＳｂ薄膜３が劣化することがなく、電子，正孔
の移動度を高めたＩｎＳｂ薄膜３を素子基板６上に転写
形成することができる。
ｎＳｂ薄膜３を形成したので、アニール処理が不要とな
り、ＩｎＳｂ薄膜３が劣化することがなく、電子，正孔
の移動度を高めたＩｎＳｂ薄膜３を素子基板６上に転写
形成することができる。
【００１４】なお、本発明は上記実施例に限定されるこ
とはなく、様々な実施の態様を採り得る。例えば、第１
の実施例ではバッファ層２としてＢａＦ2 を用いたが、
このバッファ層２はＩｎＳｂと格子定数がほぼ等しく、
かつ、水又は溶液に溶け易い材質ならばよく、ＢａＦ2
に限定しない。
とはなく、様々な実施の態様を採り得る。例えば、第１
の実施例ではバッファ層２としてＢａＦ2 を用いたが、
このバッファ層２はＩｎＳｂと格子定数がほぼ等しく、
かつ、水又は溶液に溶け易い材質ならばよく、ＢａＦ2
に限定しない。
【００１５】
【発明の効果】本発明はＢａＦ2 バッファ層上に形成し
たＩｎＳｂ薄膜をキャップ層で覆ってアニールし、この
ＩｎＳｂ薄膜と素子基板とを接合してＢａＦ2 バッファ
層をエッチング除去したので、従来のようにキャップ層
をエッチングにより除去する必要がなくなり、したがっ
て、ＩｎＳｂ薄膜は劣化せず、結晶性の良好な電子，正
孔の移動度を高めたＩｎＳｂ薄膜を素子基板に転写形成
することができる。
たＩｎＳｂ薄膜をキャップ層で覆ってアニールし、この
ＩｎＳｂ薄膜と素子基板とを接合してＢａＦ2 バッファ
層をエッチング除去したので、従来のようにキャップ層
をエッチングにより除去する必要がなくなり、したがっ
て、ＩｎＳｂ薄膜は劣化せず、結晶性の良好な電子，正
孔の移動度を高めたＩｎＳｂ薄膜を素子基板に転写形成
することができる。
【００１６】また、マイカからなる薄膜形成基板上にＩ
ｎＳｂ薄膜を形成し、このＩｎＳｂ薄膜と素子基板とを
接合して転写し、マイカ基板を研磨等によって除去した
ので、電子，正孔の移動度の高いＩｎＳｂ薄膜を素子基
板に転写により形成することができる。
ｎＳｂ薄膜を形成し、このＩｎＳｂ薄膜と素子基板とを
接合して転写し、マイカ基板を研磨等によって除去した
ので、電子，正孔の移動度の高いＩｎＳｂ薄膜を素子基
板に転写により形成することができる。
【図１】第１の実施例に係り、薄膜形成基板１上にバッ
ファ層２，ＩｎＳｂ薄膜３，キャップ層４を形成し、ア
ニール処理した状態の説明図である。
ファ層２，ＩｎＳｂ薄膜３，キャップ層４を形成し、ア
ニール処理した状態の説明図である。
【図２】同実施例に係り、図１のキャップ層４と素子基
板６のＳｉＯ2 層５との接合状態を示す説明図である。
板６のＳｉＯ2 層５との接合状態を示す説明図である。
【図３】同実施例に係り、図２のバッファ層２をエッチ
ング除去した状態の説明図である。
ング除去した状態の説明図である。
【図４】第２の実施例に係り、マイカ基板８上にＩｎＳ
ｂ薄膜３を形成し、素子基板６とＩｎＳｂ薄膜３を接着
層９で接合した状態の説明図である。
ｂ薄膜３を形成し、素子基板６とＩｎＳｂ薄膜３を接着
層９で接合した状態の説明図である。
【図５】第２の実施例に係り、図４のマイカ基板８を除
去した状態の説明図である。
去した状態の説明図である。
【図６】従来のＩｎＳｂ薄膜形成の説明図である。
【図７】従来のＩｎＳｂ薄膜形成の他の説明図である。
１ 薄膜形成基板 ２ ＢａＦ2 バッファ層 ３ ＩｎＳｂ薄膜 ４ キャップ層 ５ ＳｉＯ2 層 ６ 素子基板 ８ マイカの薄膜形成基板 ９ 接着層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ０１Ｒ 33/06 Ｒ 8203−2Ｇ
Claims (2)
- 【請求項１】 薄膜形成基板上にＩｎＳｂと格子定数が
ほぼ等しく、かつ、水又は溶液に溶け易いバッファ層を
形成し、このバッファ層上にＩｎＳｂ薄膜を形成し、こ
のＩｎＳｂ薄膜をキャップ層で覆ってからＩｎＳｂ薄膜
をアニールし、然る後に、キャップ層の上側にキャップ
層を接着層として素子基板を接合し、次に、前記バッフ
ァ層をエッチングして前記薄膜形成基板を取り除き、素
子基板上にＩｎＳｂ薄膜を形成するＩｎＳｂ薄膜の転写
形成方法。 - 【請求項２】 マイカからなる薄膜形成基板上にＩｎＳ
ｂ薄膜を形成し、このＩｎＳｂ薄膜を接着層で覆い、然
る後に、接着層の上側に素子基板を接合し、次に、前記
薄膜形成基板を取り除いて素子基板上にＩｎＳｂ薄膜を
形成するＩｎＳｂ薄膜の転写形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35704991A JP3158588B2 (ja) | 1991-12-25 | 1991-12-25 | ＩｎＳｂ薄膜の転写形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35704991A JP3158588B2 (ja) | 1991-12-25 | 1991-12-25 | ＩｎＳｂ薄膜の転写形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05175148A true JPH05175148A (ja) | 1993-07-13 |
| JP3158588B2 JP3158588B2 (ja) | 2001-04-23 |
Family
ID=18452122
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35704991A Expired - Fee Related JP3158588B2 (ja) | 1991-12-25 | 1991-12-25 | ＩｎＳｂ薄膜の転写形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3158588B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003243646A (ja) * | 2002-02-13 | 2003-08-29 | Asahi Kasei Electronics Co Ltd | 複合半導体素子及びその製造方法 |
| KR100615146B1 (ko) * | 2005-02-03 | 2006-08-22 | 엘지전자 주식회사 | 질화갈륨 박막을 리프트 오프시키는 방법 |
| JP2014201464A (ja) * | 2013-04-02 | 2014-10-27 | 日本電信電話株式会社 | シリコン基板上のＩｎＧａＳｂ薄膜の作製方法 |
| CN106153082A (zh) * | 2015-06-29 | 2016-11-23 | 苏州森特克测控技术有限公司 | 基于p基层盖帽的霍尔基片及霍尔集成传感器芯片 |
-
1991
- 1991-12-25 JP JP35704991A patent/JP3158588B2/ja not_active Expired - Fee Related
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|---|---|---|---|---|
| JP2003243646A (ja) * | 2002-02-13 | 2003-08-29 | Asahi Kasei Electronics Co Ltd | 複合半導体素子及びその製造方法 |
| JP4480318B2 (ja) * | 2002-02-13 | 2010-06-16 | 旭化成エレクトロニクス株式会社 | 複合半導体素子及びその製造方法 |
| KR100615146B1 (ko) * | 2005-02-03 | 2006-08-22 | 엘지전자 주식회사 | 질화갈륨 박막을 리프트 오프시키는 방법 |
| JP2014201464A (ja) * | 2013-04-02 | 2014-10-27 | 日本電信電話株式会社 | シリコン基板上のＩｎＧａＳｂ薄膜の作製方法 |
| CN106153082A (zh) * | 2015-06-29 | 2016-11-23 | 苏州森特克测控技术有限公司 | 基于p基层盖帽的霍尔基片及霍尔集成传感器芯片 |
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