JP3158588B2 - ＩｎＳｂ薄膜の転写形成方法 - Google Patents
ＩｎＳｂ薄膜の転写形成方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ホール素子や磁気抵抗
素子や光電素子等のセンサ素子に使用されるＩｎＳｂ薄
膜の転写形成方法に関するものである。
素子や光電素子等のセンサ素子に使用されるＩｎＳｂ薄
膜の転写形成方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ホール素子や磁気抵抗素子等のセンサ素
子にはＩｎＳｂ薄膜が使用されている。このＩｎＳｂ薄
膜素子の感度を高めるために、ＩｎＳｂ薄膜をアニール
処理して、再結晶化させ、電子，正孔の移動度を高める
方法が知られている。従来のＩｎＳｂ薄膜のアニール処
理方法としては、例えば、図４に示すようにＳｉ等の薄
膜形成基板１上にＩｎＳｂ薄膜３を形成し、このＩｎＳ
ｂ薄膜３をアニール用キャップ層，保護膜を用いずアニ
ール処理を行う第１の方法や、図５に示すようにＳｉ等
の基板１上にＩｎＳｂ薄膜３を形成し、このＩｎＳｂ薄
膜３上をＳｉＯ２膜のアニール用キャップ層４で覆った
後、ＩｎＳｂ薄膜３をアニール処理する第２の方法が知
られている。前記第１の方法ではアニール処理すると、
ＩｎＳｂ薄膜３中のＳｂが蒸発飛散するが、第２の方法
では、アニール処理中、キャップ層４があるため、Ｓｂ
が蒸発せず、ＩｎＳｂ薄膜３を表面に出す必要からキャ
ップ層４をＳｉＯ２エッチング液（バッファ・フッ酸）
で取り除く作業が行われている。
子にはＩｎＳｂ薄膜が使用されている。このＩｎＳｂ薄
膜素子の感度を高めるために、ＩｎＳｂ薄膜をアニール
処理して、再結晶化させ、電子，正孔の移動度を高める
方法が知られている。従来のＩｎＳｂ薄膜のアニール処
理方法としては、例えば、図４に示すようにＳｉ等の薄
膜形成基板１上にＩｎＳｂ薄膜３を形成し、このＩｎＳ
ｂ薄膜３をアニール用キャップ層，保護膜を用いずアニ
ール処理を行う第１の方法や、図５に示すようにＳｉ等
の基板１上にＩｎＳｂ薄膜３を形成し、このＩｎＳｂ薄
膜３上をＳｉＯ２膜のアニール用キャップ層４で覆った
後、ＩｎＳｂ薄膜３をアニール処理する第２の方法が知
られている。前記第１の方法ではアニール処理すると、
ＩｎＳｂ薄膜３中のＳｂが蒸発飛散するが、第２の方法
では、アニール処理中、キャップ層４があるため、Ｓｂ
が蒸発せず、ＩｎＳｂ薄膜３を表面に出す必要からキャ
ップ層４をＳｉＯ２エッチング液（バッファ・フッ酸）
で取り除く作業が行われている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、アニー
ル条件としての最適熱処理温度は薄膜材料であるＩｎＳ
ｂの融点５３０℃付近であるが、前記第１のアニール法
で、この最適熱処理温度まで温度を上げると、ＩｎＳｂ
薄膜３中のＳｂが蒸発飛散し、ＩｎＳｂの化学量論的組
成（Ｉｎ：Ｓｂ＝１：１）の最適条件からずれてしま
い、特性が劣化するので、熱処理温度を下げざるを得な
い。したがって、低温でアニール処理することになるの
で、ＩｎＳｂ薄膜３の再結晶化が期待通り進行せず、電
子，正孔の移動度を高めることができないという問題が
ある。また、第２の方法では、ＩｎＳｂ薄膜３を熱処理
後、ＳｉＯ２のキャップ層４をエッチング液で取り除く
際に、ＳｉＯ２用エッチング液（バッファ・フッ酸）に
よって、ＩｎＳｂ薄膜３が犯され易く、ＩｎＳｂ薄膜３
の電気特性が劣化する等の問題がある。したがって、従
来の第１のアニール法および第２のアニール法では素子
基板上に高移動度のＩｎＳｂ薄膜３を得ることが困難で
あった。すなわち、薄膜形成基板１上に直接ＩｎＳｂ薄
膜３を形成して、薄膜形成基板１を素子基板として使用
する場合にはどうしても結晶性の良好な電子，正孔の移
動度の高いＩｎＳｂ薄膜３を得ることはできない致命的
な欠点があった。
ル条件としての最適熱処理温度は薄膜材料であるＩｎＳ
ｂの融点５３０℃付近であるが、前記第１のアニール法
で、この最適熱処理温度まで温度を上げると、ＩｎＳｂ
薄膜３中のＳｂが蒸発飛散し、ＩｎＳｂの化学量論的組
成（Ｉｎ：Ｓｂ＝１：１）の最適条件からずれてしま
い、特性が劣化するので、熱処理温度を下げざるを得な
い。したがって、低温でアニール処理することになるの
で、ＩｎＳｂ薄膜３の再結晶化が期待通り進行せず、電
子，正孔の移動度を高めることができないという問題が
ある。また、第２の方法では、ＩｎＳｂ薄膜３を熱処理
後、ＳｉＯ２のキャップ層４をエッチング液で取り除く
際に、ＳｉＯ２用エッチング液（バッファ・フッ酸）に
よって、ＩｎＳｂ薄膜３が犯され易く、ＩｎＳｂ薄膜３
の電気特性が劣化する等の問題がある。したがって、従
来の第１のアニール法および第２のアニール法では素子
基板上に高移動度のＩｎＳｂ薄膜３を得ることが困難で
あった。すなわち、薄膜形成基板１上に直接ＩｎＳｂ薄
膜３を形成して、薄膜形成基板１を素子基板として使用
する場合にはどうしても結晶性の良好な電子，正孔の移
動度の高いＩｎＳｂ薄膜３を得ることはできない致命的
な欠点があった。
【０００４】本発明は上記従来の課題を解決するための
ものであり、その目的は、素子基板上に高移動度のＩｎ
Ｓｂ薄膜を形成することができるＩｎＳｂ薄膜の転写形
成方法を提供することにある。
ものであり、その目的は、素子基板上に高移動度のＩｎ
Ｓｂ薄膜を形成することができるＩｎＳｂ薄膜の転写形
成方法を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するために、次のように構成されている。すなわち、本
発明のＩｎＳｂ薄膜の転写形成方法は、薄膜形成基板上
に水又は溶液に溶け易いバッファ層を形成し、このバッ
ファ層上にＩｎＳｂ薄膜を形成し、このＩｎＳｂ薄膜を
キャップ層で覆ってからＩｎＳｂ薄膜をアニールし、然
る後に、キャップ層の上側にキャップ層を接着層として
素子基板を接合し、次に、前記バッファ層をエッチング
して前記薄膜形成基板を取り除き、素子基板上にＩｎＳ
ｂ薄膜を形成することを特徴として構成されている。
するために、次のように構成されている。すなわち、本
発明のＩｎＳｂ薄膜の転写形成方法は、薄膜形成基板上
に水又は溶液に溶け易いバッファ層を形成し、このバッ
ファ層上にＩｎＳｂ薄膜を形成し、このＩｎＳｂ薄膜を
キャップ層で覆ってからＩｎＳｂ薄膜をアニールし、然
る後に、キャップ層の上側にキャップ層を接着層として
素子基板を接合し、次に、前記バッファ層をエッチング
して前記薄膜形成基板を取り除き、素子基板上にＩｎＳ
ｂ薄膜を形成することを特徴として構成されている。
【０００６】
【作用】ＢａＦ２のバッファ層の上に形成したＩｎＳｂ
薄膜にキャップ層を被覆する。このＩｎＳｂ薄膜をアニ
ールしてＩｎＳｂの再結晶を促す。アニール処理後、キ
ャップ層上にこのキャップ層を接着層として素子基板を
陽極接合し、バッファ層を水あるいは弱酸でエッチング
処理してバッファ層を除去し、素子基板上にＩｎＳｂ薄
膜を転写形成する。
薄膜にキャップ層を被覆する。このＩｎＳｂ薄膜をアニ
ールしてＩｎＳｂの再結晶を促す。アニール処理後、キ
ャップ層上にこのキャップ層を接着層として素子基板を
陽極接合し、バッファ層を水あるいは弱酸でエッチング
処理してバッファ層を除去し、素子基板上にＩｎＳｂ薄
膜を転写形成する。
【０００７】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。なお、本実施例の説明において、従来例と同一の
名称部分には同一符号を付し、その詳細な重複説明は省
略する。図１〜図３には実施例に係るＩｎＳｂ薄膜の転
写形成方法の説明図が示されている。これらの図におい
て、ガラス，Ｓｉ（表面にＳｉＯ２を形成したものを含
む），ＣａＦ２等により構成される薄膜形成基板１上に
抵抗加熱型蒸着法やＲＦマグネトロンスパッタ法等でＢ
ａＦ２のバッファ層２が形成されている。このバッファ
層２に用いるＢａＦ２はＩｎＳｂと結晶形が同じで格子
定数がほぼ同じであり、かつ、水や弱酸等に容易に溶け
る性質を備えている。このバッファ層２上にはＩｎＳｂ
薄膜３を抵抗加熱型蒸着法，電子銃（ＥＢ）型蒸着法，
イオンプレーティング法，スパッタ法，Ｍｏｌｅｃｕｌ
ａｒ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔ
ｅ （ＭＯＣＶＤ）法，Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｂｅａｍ
Ｅｐｉｔａｘｙ（ＭＢＥ）法等の成膜方法によって形成
し、このＩｎＳｂ薄膜３上にはＳｉＯ２膜のアニール用
キャップ層４が覆われている。この状態で、ＩｎＳｂ薄
膜３は５００℃付近の温度で長時間保持されアニール処
理される。なお、ＩｎＳｂ薄膜３の熱膨張係数と、キャ
ップ層４のＳｉＯ２膜やバッファ層２のＢａＦ２膜の熱
膨張係数とがほぼ一桁異なるので、各膜間に応力が生じ
ないように、昇温速度，降温速度を低く設定する必要が
ある。このアニール工程によってバッファ層２上に結晶
性の良好な高移動度のＩｎＳｂ薄膜３が形成される。
する。なお、本実施例の説明において、従来例と同一の
名称部分には同一符号を付し、その詳細な重複説明は省
略する。図１〜図３には実施例に係るＩｎＳｂ薄膜の転
写形成方法の説明図が示されている。これらの図におい
て、ガラス，Ｓｉ（表面にＳｉＯ２を形成したものを含
む），ＣａＦ２等により構成される薄膜形成基板１上に
抵抗加熱型蒸着法やＲＦマグネトロンスパッタ法等でＢ
ａＦ２のバッファ層２が形成されている。このバッファ
層２に用いるＢａＦ２はＩｎＳｂと結晶形が同じで格子
定数がほぼ同じであり、かつ、水や弱酸等に容易に溶け
る性質を備えている。このバッファ層２上にはＩｎＳｂ
薄膜３を抵抗加熱型蒸着法，電子銃（ＥＢ）型蒸着法，
イオンプレーティング法，スパッタ法，Ｍｏｌｅｃｕｌ
ａｒ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔ
ｅ （ＭＯＣＶＤ）法，Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｂｅａｍ
Ｅｐｉｔａｘｙ（ＭＢＥ）法等の成膜方法によって形成
し、このＩｎＳｂ薄膜３上にはＳｉＯ２膜のアニール用
キャップ層４が覆われている。この状態で、ＩｎＳｂ薄
膜３は５００℃付近の温度で長時間保持されアニール処
理される。なお、ＩｎＳｂ薄膜３の熱膨張係数と、キャ
ップ層４のＳｉＯ２膜やバッファ層２のＢａＦ２膜の熱
膨張係数とがほぼ一桁異なるので、各膜間に応力が生じ
ないように、昇温速度，降温速度を低く設定する必要が
ある。このアニール工程によってバッファ層２上に結晶
性の良好な高移動度のＩｎＳｂ薄膜３が形成される。
【０００８】前記アニール完了したＩｎＳｂ薄膜３を、
図２に示すように、Ｓｉ等の素子基板６に接合させるた
め、素子基板６の表面を酸化してＳｉＯ２層５を形成
し、このＳｉＯ２層５とキャップ層４とを陽極接合（加
熱，電圧印加）することによって、ＩｎＳｂ薄膜３と素
子基板６とが接合される。次いで、ＢａＦ２のバッファ
層２を水又は弱酸でエッチング処理して溶解することに
より、図３に示すようにバッファ層２と薄膜形成基板１
が除去されて、ＩｎＳｂ薄膜３が素子基板６に転写形成
される。
図２に示すように、Ｓｉ等の素子基板６に接合させるた
め、素子基板６の表面を酸化してＳｉＯ２層５を形成
し、このＳｉＯ２層５とキャップ層４とを陽極接合（加
熱，電圧印加）することによって、ＩｎＳｂ薄膜３と素
子基板６とが接合される。次いで、ＢａＦ２のバッファ
層２を水又は弱酸でエッチング処理して溶解することに
より、図３に示すようにバッファ層２と薄膜形成基板１
が除去されて、ＩｎＳｂ薄膜３が素子基板６に転写形成
される。
【０００９】従来のように薄膜形成基板１を素子基板と
してＩｎＳｂ薄膜３を形成した場合には、良好な電子，
正孔の高移動度を得られないという致命的な欠点を有す
るが、本発明においては、薄膜形成基板１を素子基板に
使用せず、ＩｎＳｂ薄膜３を別の素子基板６に転写形成
する方法を開発して前記従来の欠点を完全に除去したこ
とが特徴である。
してＩｎＳｂ薄膜３を形成した場合には、良好な電子，
正孔の高移動度を得られないという致命的な欠点を有す
るが、本発明においては、薄膜形成基板１を素子基板に
使用せず、ＩｎＳｂ薄膜３を別の素子基板６に転写形成
する方法を開発して前記従来の欠点を完全に除去したこ
とが特徴である。
【００１０】この実施例によれば、アニールしたＩｎＳ
ｂ薄膜３と素子基板６とを陽極接合し、ＢａＦ２バッフ
ァ層２を水や弱酸でエッチング除去してＩｎＳｂ薄膜３
を転写形成したので、従来のように、ＳｉＯ２膜のキャ
ップ層４をＳｉＯ２エッチング液（バッファ・フッ酸）
でエッチング処理する必要がなく、キャップ層４は素子
基板６とＩｎＳｂ薄膜３との接着層として機能し、Ｉｎ
Ｓｂ薄膜３にはＳｉＯ２エッチング液の影響が全くない
ので、ＩｎＳｂ薄膜３の劣化は全くなく、結晶性の良好
な電子，正孔移動度を高めたＩｎＳｂ薄膜３を素子基板
６上に転写形成することができる。
ｂ薄膜３と素子基板６とを陽極接合し、ＢａＦ２バッフ
ァ層２を水や弱酸でエッチング除去してＩｎＳｂ薄膜３
を転写形成したので、従来のように、ＳｉＯ２膜のキャ
ップ層４をＳｉＯ２エッチング液（バッファ・フッ酸）
でエッチング処理する必要がなく、キャップ層４は素子
基板６とＩｎＳｂ薄膜３との接着層として機能し、Ｉｎ
Ｓｂ薄膜３にはＳｉＯ２エッチング液の影響が全くない
ので、ＩｎＳｂ薄膜３の劣化は全くなく、結晶性の良好
な電子，正孔移動度を高めたＩｎＳｂ薄膜３を素子基板
６上に転写形成することができる。
【００１１】なお、本発明は上記実施例に限定されるこ
とはなく、様々な実施の態様を採り得る。例えば、実施
例ではバッファ層２としてＢａＦ２を用いたが、このバ
ッファ層２は好ましくはＩｎＳｂと格子定数がほぼ等し
いものがより望ましいが、水又は溶液に溶け易い材質な
らばよく、ＢａＦ２に限定しない。
とはなく、様々な実施の態様を採り得る。例えば、実施
例ではバッファ層２としてＢａＦ２を用いたが、このバ
ッファ層２は好ましくはＩｎＳｂと格子定数がほぼ等し
いものがより望ましいが、水又は溶液に溶け易い材質な
らばよく、ＢａＦ２に限定しない。
【００１２】
【発明の効果】本発明はＢａＦ２バッファ層上に形成し
たＩｎＳｂ薄膜をキャップ層で覆ってアニールし、この
ＩｎＳｂ薄膜と素子基板とを接合してＢａＦ２バッファ
層をエッチング除去したので、従来のようにキャップ層
をエッチングにより除去する必要がなくなり、したがっ
て、ＩｎＳｂ薄膜は劣化せず、結晶性の良好な電子，正
孔の移動度を高めたＩｎＳｂ薄膜を素子基板に転写形成
することができる。
たＩｎＳｂ薄膜をキャップ層で覆ってアニールし、この
ＩｎＳｂ薄膜と素子基板とを接合してＢａＦ２バッファ
層をエッチング除去したので、従来のようにキャップ層
をエッチングにより除去する必要がなくなり、したがっ
て、ＩｎＳｂ薄膜は劣化せず、結晶性の良好な電子，正
孔の移動度を高めたＩｎＳｂ薄膜を素子基板に転写形成
することができる。
【図１】実施例に係り、薄膜形成基板１上にバッファ層
２，ＩｎＳｂ薄膜３，キャップ層４を形成し、アニール
処理した状態の説明図である。
２，ＩｎＳｂ薄膜３，キャップ層４を形成し、アニール
処理した状態の説明図である。
【図２】同実施例に係り、図１のキャップ層４と素子基
板６のＳｉＯ２層５との接合状態を示す説明図である。
板６のＳｉＯ２層５との接合状態を示す説明図である。
【図３】同実施例に係り、図２のバッファ層２をエッチ
ング除去した状態の説明図である。
ング除去した状態の説明図である。
【図４】従来のＩｎＳｂ薄膜形成の説明図である。
【図５】従来のＩｎＳｂ薄膜形成の他の説明図である。
１ 薄膜形成基板 ２ ＢａＦ２バッファ層 ３ ＩｎＳｂ薄膜 ４ キャップ層 ５ ＳｉＯ２層 ６ 素子基板
Claims (1)
- 【請求項１】 薄膜形成基板上に水又は溶液に溶け易い
バッファ層を形成し、このバッファ層上にＩｎＳｂ薄膜
を形成し、このＩｎＳｂ薄膜をキャップ層で覆ってから
ＩｎＳｂ薄膜をアニールし、然る後に、キャップ層の上
側にキャップ層を接着層として素子基板を接合し、次
に、前記バッファ層をエッチングして前記薄膜形成基板
を取り除き、素子基板上にＩｎＳｂ薄膜を形成するＩｎ
Ｓｂ薄膜の転写形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35704991A JP3158588B2 (ja) | 1991-12-25 | 1991-12-25 | ＩｎＳｂ薄膜の転写形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35704991A JP3158588B2 (ja) | 1991-12-25 | 1991-12-25 | ＩｎＳｂ薄膜の転写形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05175148A JPH05175148A (ja) | 1993-07-13 |
| JP3158588B2 true JP3158588B2 (ja) | 2001-04-23 |
Family
ID=18452122
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35704991A Expired - Fee Related JP3158588B2 (ja) | 1991-12-25 | 1991-12-25 | ＩｎＳｂ薄膜の転写形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3158588B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4480318B2 (ja) * | 2002-02-13 | 2010-06-16 | 旭化成エレクトロニクス株式会社 | 複合半導体素子及びその製造方法 |
| KR100615146B1 (ko) * | 2005-02-03 | 2006-08-22 | 엘지전자 주식회사 | 질화갈륨 박막을 리프트 오프시키는 방법 |
| JP5970408B2 (ja) * | 2013-04-02 | 2016-08-17 | 日本電信電話株式会社 | シリコン基板上のＩｎＧａＳｂ薄膜の作製方法 |
| CN106153082A (zh) * | 2015-06-29 | 2016-11-23 | 苏州森特克测控技术有限公司 | 基于p基层盖帽的霍尔基片及霍尔集成传感器芯片 |
-
1991
- 1991-12-25 JP JP35704991A patent/JP3158588B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05175148A (ja) | 1993-07-13 |
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