JPH02196417A - 選択エピタキシャル成長方法 - Google Patents
選択エピタキシャル成長方法Info
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- JPH02196417A JPH02196417A JP1600989A JP1600989A JPH02196417A JP H02196417 A JPH02196417 A JP H02196417A JP 1600989 A JP1600989 A JP 1600989A JP 1600989 A JP1600989 A JP 1600989A JP H02196417 A JPH02196417 A JP H02196417A
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Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分計〕
この発明は、半導体レーザ等を作製する際のＭＯＣＶＤ
等による選択エピタキシャル成長方法に関するものであ
る。
等による選択エピタキシャル成長方法に関するものであ
る。
第２図（ａ）〜（ｄ）は従来のこの種の選択埋込成長の
手順を示す断面図である。まず、ＧａＡｓ基板１上に選
択マスクを形成する。従来は選択マスクとして熱ＣＶＤ
、プラズマＣＶＤ、あるいはスパッタ等で形成したＳｉ
、Ｎ、膜あるいはＳｉＯ□膜の膜厚が１０００人程度０
比較的薄い膜（以下、マスク膜１２という）が用いられ
ていた。これらのマスク膜１２をＧａＡｓ基板１上に形
成した後、選択成長を行う領域のマスク膜１２を除去し
て窓を開け、さらにエツチングを行ってＧａＡｓ基板１
に溝３を形成する。この溝３が形成されたＧａＡｓ基板
１上にＭＯＣＶＤ法やＭＢＥ法により結晶を成長する。
手順を示す断面図である。まず、ＧａＡｓ基板１上に選
択マスクを形成する。従来は選択マスクとして熱ＣＶＤ
、プラズマＣＶＤ、あるいはスパッタ等で形成したＳｉ
、Ｎ、膜あるいはＳｉＯ□膜の膜厚が１０００人程度０
比較的薄い膜（以下、マスク膜１２という）が用いられ
ていた。これらのマスク膜１２をＧａＡｓ基板１上に形
成した後、選択成長を行う領域のマスク膜１２を除去し
て窓を開け、さらにエツチングを行ってＧａＡｓ基板１
に溝３を形成する。この溝３が形成されたＧａＡｓ基板
１上にＭＯＣＶＤ法やＭＢＥ法により結晶を成長する。
すなわち、ＧａＡｓ基板１の溝３内には単結晶層４が埋
め込まれ、一方、マスク膜１２上には多結晶５が析出す
る。第２図（ａ）は成長後の状態を示している。次にマ
スク膜１２上に析出した多結晶５を除去する必要がある
が、その手順として、まず、第２図（ｂ）に示すように
、写真製版によって溝３内に埋め込まれた単結晶層４の
上をレジスト６で覆う。次に第２図（ｃ）に示すように
、マスク膜１２上に析出した多結晶５を硫酸系あるいは
アンモニア系等のエッチャントによりエツチングして除
去する。次に第２図（ｄ）に示すように、レジスｌ−６
を除去し、さらにバッファ弗酸によってマスク膜１２を
除去する。
め込まれ、一方、マスク膜１２上には多結晶５が析出す
る。第２図（ａ）は成長後の状態を示している。次にマ
スク膜１２上に析出した多結晶５を除去する必要がある
が、その手順として、まず、第２図（ｂ）に示すように
、写真製版によって溝３内に埋め込まれた単結晶層４の
上をレジスト６で覆う。次に第２図（ｃ）に示すように
、マスク膜１２上に析出した多結晶５を硫酸系あるいは
アンモニア系等のエッチャントによりエツチングして除
去する。次に第２図（ｄ）に示すように、レジスｌ−６
を除去し、さらにバッファ弗酸によってマスク膜１２を
除去する。
上記のような従来の方法では、マスク膜１２上に析出し
た多結晶５を除去する際に、溝３内に選択成長された単
結晶層４が侵されないようにレジス）・６で覆って保護
する必要があり、そのなめ写真製版が必要となり工程が
複雑になる。また、多結晶５が付着した状態で写真製版
を行うので、レジスト６を均一に塗布することが困難で
ある。また、コンタクｌ一方式のマスクアライナが使用
できないため、正確なマスク合わせが困難であり、溝３
内の成長した単結晶層４がレジスト６で完全に覆われて
いない場合には多結晶５の除去のためのエツチングの際
に単結晶層４が侵される。したがって、レジスト６は溝
３内の単結晶層４よりも幾分幅広くして覆う必要がある
が、マスク膜１２の端近くに析出した多結晶５はレジス
ト６で覆われることになり除去されずに残ってしまう問
題点があった。
た多結晶５を除去する際に、溝３内に選択成長された単
結晶層４が侵されないようにレジス）・６で覆って保護
する必要があり、そのなめ写真製版が必要となり工程が
複雑になる。また、多結晶５が付着した状態で写真製版
を行うので、レジスト６を均一に塗布することが困難で
ある。また、コンタクｌ一方式のマスクアライナが使用
できないため、正確なマスク合わせが困難であり、溝３
内の成長した単結晶層４がレジスト６で完全に覆われて
いない場合には多結晶５の除去のためのエツチングの際
に単結晶層４が侵される。したがって、レジスト６は溝
３内の単結晶層４よりも幾分幅広くして覆う必要がある
が、マスク膜１２の端近くに析出した多結晶５はレジス
ト６で覆われることになり除去されずに残ってしまう問
題点があった。
この発明は、上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、写真製版を必要としない簡単な工程で多結
晶を除去することができ、また、溝内の成長層が侵され
たり、マスク膜の端近くに析出しな多結晶が除去されず
に残ったりしない選択エビクキシャル成長方法を得るこ
とを目的とする。
れたもので、写真製版を必要としない簡単な工程で多結
晶を除去することができ、また、溝内の成長層が侵され
たり、マスク膜の端近くに析出しな多結晶が除去されず
に残ったりしない選択エビクキシャル成長方法を得るこ
とを目的とする。
この発明に係る選択エピタキシャル成長方法は、−マス
ク膜として電子ビーム蒸着法によって形成した５ｉ０２
膜を用いて選択成長を行い、前記マスク膜をエツチング
除去することによってマスク膜上に堆積した多結晶を同
時に除去するものである。
ク膜として電子ビーム蒸着法によって形成した５ｉ０２
膜を用いて選択成長を行い、前記マスク膜をエツチング
除去することによってマスク膜上に堆積した多結晶を同
時に除去するものである。
この発明においては、選択成長のマスク膜として用いる
電子ビーム蒸着による５ｉＯｉ膜は、弗酸系のエッチャ
ントによるウェットエッチのエツチンググレートが非常
に速いため、マスク膜の上に多結晶が堆積したままの状
態でマスク膜をエツチングすると、サイドエッチによっ
て多結晶の下のマスク膜までエツチングされるため多結
晶も同時に除去される。
電子ビーム蒸着による５ｉＯｉ膜は、弗酸系のエッチャ
ントによるウェットエッチのエツチンググレートが非常
に速いため、マスク膜の上に多結晶が堆積したままの状
態でマスク膜をエツチングすると、サイドエッチによっ
て多結晶の下のマスク膜までエツチングされるため多結
晶も同時に除去される。
以下、この発明の一実施例を第１図（ａ）〜（ｅ）に従
って説明する。
って説明する。
まず、Ｇ ａＡｓ基板１上に選択マスクとして電子ビー
ム蒸着によるＳｉＯ２膜２を５０００λ程度の膜厚で形
成する。その後、選択成長を行う領域のＳｉｎ、膜２を
除去して窓を開け、さらにエツチングを行ってＧ ａＡ
ｓ基板１に溝３を形成する。この溝３が形成されたＧａ
Ａｓ基板１上にＭＯＣＶＤ法やＭＢＥ法により結晶を成
長する。これにより、第１図（ａ）に示すように、溝３
内には単結晶Ｈ４が埋め込まれる。一方、ＳｉＯ□膜２
上には多結晶５が析出する。次に第１図（ｂ）に示すよ
うに、バッファ弗酸（１（Ｆ： ６ＮＨ４Ｆ）により
Ｓ ｉ Ｏｔ Ｒ２をエツチングする。マスク膜である
電子ビーム蒸着によるＳｉｎ、膜２は弗酸系エッチャン
トによるエツチングレートが非常に速いため、サイドエ
ッチによって多結晶５の下のＳ ｉ Ｏｘ ＃ ２まで
エツチングされ、第１図（ｅ）に示すように、多結晶５
も同時に除去される。
ム蒸着によるＳｉＯ２膜２を５０００λ程度の膜厚で形
成する。その後、選択成長を行う領域のＳｉｎ、膜２を
除去して窓を開け、さらにエツチングを行ってＧ ａＡ
ｓ基板１に溝３を形成する。この溝３が形成されたＧａ
Ａｓ基板１上にＭＯＣＶＤ法やＭＢＥ法により結晶を成
長する。これにより、第１図（ａ）に示すように、溝３
内には単結晶Ｈ４が埋め込まれる。一方、ＳｉＯ□膜２
上には多結晶５が析出する。次に第１図（ｂ）に示すよ
うに、バッファ弗酸（１（Ｆ： ６ＮＨ４Ｆ）により
Ｓ ｉ Ｏｔ Ｒ２をエツチングする。マスク膜である
電子ビーム蒸着によるＳｉｎ、膜２は弗酸系エッチャン
トによるエツチングレートが非常に速いため、サイドエ
ッチによって多結晶５の下のＳ ｉ Ｏｘ ＃ ２まで
エツチングされ、第１図（ｅ）に示すように、多結晶５
も同時に除去される。
この発明においては、多結晶５の下の５１０２膜２をエ
ツチングすることによって多結晶５を除去するので単結
晶層４はエツチングされないため、従来のように埋込層
である単結晶層４をレジストで覆って保護する必要がな
い。したがって、写真製版′等の複雑な工程を行う必要
がなく、非常に簡単にマスク膜上に堆積した多結晶５を
除去することができる。また、バッファ弗酸では単結晶
層４はエツチングされないので埋込成長層が侵される恐
れはない。また、レジストで覆わないので、マスク膜の
端近（に析出した多結晶５が除去されずに残るという問
題は生じない。
ツチングすることによって多結晶５を除去するので単結
晶層４はエツチングされないため、従来のように埋込層
である単結晶層４をレジストで覆って保護する必要がな
い。したがって、写真製版′等の複雑な工程を行う必要
がなく、非常に簡単にマスク膜上に堆積した多結晶５を
除去することができる。また、バッファ弗酸では単結晶
層４はエツチングされないので埋込成長層が侵される恐
れはない。また、レジストで覆わないので、マスク膜の
端近（に析出した多結晶５が除去されずに残るという問
題は生じない。
なお、上記実施例では溝３の中にエピタキシャル層が選
択成長する場合について説明したが、溝３を形成せずに
Ｇ ａＡｓ基板１上に選択成長する場合にも適用でき、
同様の効果を奏する。
択成長する場合について説明したが、溝３を形成せずに
Ｇ ａＡｓ基板１上に選択成長する場合にも適用でき、
同様の効果を奏する。
以上説明したようにこの発明は、選択成長時のマスク膜
として電子ビーム蒸着によるＳｉ０Ｓ１０２ｌ１゜を用
いたため、バッファ弗酸等によって非常にエツチングレ
ートの速いエツチングが可能であり、マスク膜上に堆積
した多結晶を同時に除去することができ、多結晶の除去
が容易になる。また、バッファ弗酸では結晶はエツチン
グされないので、埋込成長層が侵されず、また、レジス
トで覆う必要がないので、マスク近くに析出した多結晶
を除去できる利点がある。
として電子ビーム蒸着によるＳｉ０Ｓ１０２ｌ１゜を用
いたため、バッファ弗酸等によって非常にエツチングレ
ートの速いエツチングが可能であり、マスク膜上に堆積
した多結晶を同時に除去することができ、多結晶の除去
が容易になる。また、バッファ弗酸では結晶はエツチン
グされないので、埋込成長層が侵されず、また、レジス
トで覆う必要がないので、マスク近くに析出した多結晶
を除去できる利点がある。
第１図はこの発明の一実施例による選択エピタキシャル
成長方法の工程を示す断面図、第２図は従来の選択エビ
クキシャル成長方法の工程を示す断面図である。 図において、１はＧ ａＡｓ基板、２は選択マスクであ
る電子ビーム蒸着によるＳｉｎ、膜、３は溝、４は単結
晶層、５は多結晶である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。
成長方法の工程を示す断面図、第２図は従来の選択エビ
クキシャル成長方法の工程を示す断面図である。 図において、１はＧ ａＡｓ基板、２は選択マスクであ
る電子ビーム蒸着によるＳｉｎ、膜、３は溝、４は単結
晶層、５は多結晶である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (1)
- 半導体基板上に電子ビーム蒸着法により形成したＳｉＯ
＿２膜を選択マスクとして選択成長を行った後、前記Ｓ
ｉＯ＿２膜をエッチング除去することによってこのＳｉ
Ｏ＿２膜上に堆積した多結晶を同時に除去することを特
徴とする選択エピタキシャル成長方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1600989A JPH02196417A (ja) | 1989-01-24 | 1989-01-24 | 選択エピタキシャル成長方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1600989A JPH02196417A (ja) | 1989-01-24 | 1989-01-24 | 選択エピタキシャル成長方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02196417A true JPH02196417A (ja) | 1990-08-03 |
Family
ID=11904591
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1600989A Pending JPH02196417A (ja) | 1989-01-24 | 1989-01-24 | 選択エピタキシャル成長方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02196417A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5585957A (en) * | 1993-03-25 | 1996-12-17 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Method for producing various semiconductor optical devices of differing optical characteristics |
-
1989
- 1989-01-24 JP JP1600989A patent/JPH02196417A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5585957A (en) * | 1993-03-25 | 1996-12-17 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Method for producing various semiconductor optical devices of differing optical characteristics |
| US5689358A (en) * | 1993-03-25 | 1997-11-18 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Optical functional devices and integrated optical devices having a ridged multi-quantum well structure |
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