JPS5946077A - ホ−ル素子 - Google Patents
ホ−ル素子Info
- Publication number
- JPS5946077A JPS5946077A JP57157137A JP15713782A JPS5946077A JP S5946077 A JPS5946077 A JP S5946077A JP 57157137 A JP57157137 A JP 57157137A JP 15713782 A JP15713782 A JP 15713782A JP S5946077 A JPS5946077 A JP S5946077A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- hall element
- oxide film
- compound semiconductor
- thermal oxide
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N52/00—Hall-effect devices
- H10N52/80—Constructional details
Landscapes
- Hall/Mr Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）技術分野
オ発明はｆヒ合物半導体材料を用いたホール素子７こ賀
する。
する。
（「１）従来技術
ホール素子は第１図に示す様な十字形状の半導体薄膜（
１）の入力端子間に電流を流しておき、この萬・膜（１
）の面に垂直な方向に磁界を作用きせると、出力端子に
磁束密度に応した電圧が発生するもσであり、磁気の検
出や測定に利用される。
１）の入力端子間に電流を流しておき、この萬・膜（１
）の面に垂直な方向に磁界を作用きせると、出力端子に
磁束密度に応した電圧が発生するもσであり、磁気の検
出や測定に利用される。
従来、ホーＬ素ｒは第２図に示す如く、ガラス等の絶縁
１本（２）」二にイン／ラム・アンチモナイドＣＩｎ５
ｂＪの様な化合物半導体１？！ｆ （３）を蒸着し、第
１ヌに示す十字形状にエツチングして電極付けして形成
していた。
１本（２）」二にイン／ラム・アンチモナイドＣＩｎ５
ｂＪの様な化合物半導体１？！ｆ （３）を蒸着し、第
１ヌに示す十字形状にエツチングして電極付けして形成
していた。
更に感度を高める場合には、第３図の如くフェライト等
の磁性体（５〉上に低融点ガラス薄Ｍ（６）を設（′）
、このガラス薄層（６）にインジウム・アンチモサイド
（ＩｎＳｂ）の如き化合物半導体層〈７）の蒸着を行い
、所望のパターンにエツチングし電極イ」けを行った後
磁性体小片（８）をその上に置いて形成しでいた。
の磁性体（５〉上に低融点ガラス薄Ｍ（６）を設（′）
、このガラス薄層（６）にインジウム・アンチモサイド
（ＩｎＳｂ）の如き化合物半導体層〈７）の蒸着を行い
、所望のパターンにエツチングし電極イ」けを行った後
磁性体小片（８）をその上に置いて形成しでいた。
勘上した従来のホール素子には以下に述・＼？・種々の
欠点があった。第一に化合物半導体層（３）（７）の梯
するカラスの結晶性が悪いため、イン；ｒｓ）ム・アン
チモナイド等を蒸着した後これを結晶化するための熱処
理をしても下地の影響を受（Ｊて結晶化か進まず、この
ためにボール素子の良好な特性が得られない。第一にガ
ラス板（２〉や低融点ガラス（６〉ハその加工性を維持
するために酸化〉リフン以外の不純物を含み、これが化
合物半導体層（３）ニア）に作用してその特性を低下さ
ゼる欠点がある。また不純物を含むガラスに対しインジ
ウム・アンナモナイドの蒸着膜（３）（７）の付着力は
小さて、時には剥離するおそれもある。第三にガラスや
フェライト等を基板に用いるとホール素子を金属支持体
−１に取付けて樹脂モールドする場合に、周’Ｅｌのレ
リコン半導体素子の製造方法を採用できず独自の装置お
よび手法を必要とする欠点があイ、。第四に基板き化合
物半導体層（３）（７）との線膨張（、Ｖ数の差により
ホール素子か破損するおそれがよ）る。
欠点があった。第一に化合物半導体層（３）（７）の梯
するカラスの結晶性が悪いため、イン；ｒｓ）ム・アン
チモナイド等を蒸着した後これを結晶化するための熱処
理をしても下地の影響を受（Ｊて結晶化か進まず、この
ためにボール素子の良好な特性が得られない。第一にガ
ラス板（２〉や低融点ガラス（６〉ハその加工性を維持
するために酸化〉リフン以外の不純物を含み、これが化
合物半導体層（３）ニア）に作用してその特性を低下さ
ゼる欠点がある。また不純物を含むガラスに対しインジ
ウム・アンナモナイドの蒸着膜（３）（７）の付着力は
小さて、時には剥離するおそれもある。第三にガラスや
フェライト等を基板に用いるとホール素子を金属支持体
−１に取付けて樹脂モールドする場合に、周’Ｅｌのレ
リコン半導体素子の製造方法を採用できず独自の装置お
よび手法を必要とする欠点があイ、。第四に基板き化合
物半導体層（３）（７）との線膨張（、Ｖ数の差により
ホール素子か破損するおそれがよ）る。
（ハ）発明の開示
本発明は斯上した従来の欠点に鑑みてな諮れ、従味の欠
点を完全に除去するホール素子を提供するものである。
点を完全に除去するホール素子を提供するものである。
本発明に依るホール素子は第４図に示す如く、ン１ｊフ
ン単結晶基板（１１）表面に熱酸化膜（１２）を形成し
、この熱酸化膜（１２）上にインジウム・アンチモナイ
Ｆ（ＩｎＳｂ）の様な化合物半導体層（１３）を蒸着し
、所望の形状にエツチングし電極（寸けして形成する。
ン単結晶基板（１１）表面に熱酸化膜（１２）を形成し
、この熱酸化膜（１２）上にインジウム・アンチモナイ
Ｆ（ＩｎＳｂ）の様な化合物半導体層（１３）を蒸着し
、所望の形状にエツチングし電極（寸けして形成する。
にン実絶倒
本発明に依るホール素子は、Ｑ、２ｍｍ厚の〉リコン彫
結晶基板（１１）の片面を鏡面研磨し、酸化雰囲気牛で
約１０５０℃に加熱して約５０００人の熱酸化膜（１２
）を成長させる。この熱酸化膜（１２）上にイン／ラム
・アンチモナイド（Ｉ ｎ Ｓ ｂ）（１３）を１μｍ
程度蒸着し、約５００°Ｃで熱処理して結晶化する。然
る後ホトエンチングにより第１図に示す十字状のボール
素子形状に工／チングし、入出力電極を形成して榛脂モ
ールドをしてホール素子を形成する。
結晶基板（１１）の片面を鏡面研磨し、酸化雰囲気牛で
約１０５０℃に加熱して約５０００人の熱酸化膜（１２
）を成長させる。この熱酸化膜（１２）上にイン／ラム
・アンチモナイド（Ｉ ｎ Ｓ ｂ）（１３）を１μｍ
程度蒸着し、約５００°Ｃで熱処理して結晶化する。然
る後ホトエンチングにより第１図に示す十字状のボール
素子形状に工／チングし、入出力電極を形成して榛脂モ
ールドをしてホール素子を形成する。
本発明によるホール素子は、ホール係数３００ｃＩＴ１
３／クーロン、易動度１５．ＯＯＯＣｍ２／ ｖ−ｓｅ
ｃであった。
３／クーロン、易動度１５．ＯＯＯＣｍ２／ ｖ−ｓｅ
ｃであった。
こＣ特性は従来のガラス基板や低融点ガラス上に形成し
たホール素子ては全く得られないものであるっまた化合
物半導体層（１３）の剥離も皆無であり、温度ザイクル
子ストによる化合物半導体層〈１３）Ｃクラックも発生
しなかった。
たホール素子ては全く得られないものであるっまた化合
物半導体層（１３）の剥離も皆無であり、温度ザイクル
子ストによる化合物半導体層〈１３）Ｃクラックも発生
しなかった。
（ホ）効果
を発明に依れば、第一にシリコン唯結晶基板（１１）ト
の熱酸化膜（１２）は結晶性が良いので、化合物半湧体
Ｊ＠（１３）を熱処理したとき結晶化し易く、ホール素
子としての特性を向上できる。
の熱酸化膜（１２）は結晶性が良いので、化合物半湧体
Ｊ＠（１３）を熱処理したとき結晶化し易く、ホール素
子としての特性を向上できる。
Claims (1)
- １、ンリコ〉基板表面の熱酸化膜上に化合物半導・体材
料の薄膜を付着きぜたことを特徴とするホー１１ 子
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57157137A JPS5946077A (ja) | 1982-09-08 | 1982-09-08 | ホ−ル素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57157137A JPS5946077A (ja) | 1982-09-08 | 1982-09-08 | ホ−ル素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5946077A true JPS5946077A (ja) | 1984-03-15 |
Family
ID=15643004
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57157137A Pending JPS5946077A (ja) | 1982-09-08 | 1982-09-08 | ホ−ル素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5946077A (ja) |
-
1982
- 1982-09-08 JP JP57157137A patent/JPS5946077A/ja active Pending
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