JPH0261144B2 - - Google Patents
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- JPH0261144B2 JPH0261144B2 JP8112782A JP8112782A JPH0261144B2 JP H0261144 B2 JPH0261144 B2 JP H0261144B2 JP 8112782 A JP8112782 A JP 8112782A JP 8112782 A JP8112782 A JP 8112782A JP H0261144 B2 JPH0261144 B2 JP H0261144B2
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- heat treatment
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
- H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
- H01L21/265—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation
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- Physics & Mathematics (AREA)
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Description
【発明の詳細な説明】
(a) 発明の技術分野
本発明は半導体装置の製造方法に係り、特に化
合物半導体AlxGa1-xAsを使用する半導体装置の
製造工程中において加熱処理を施す際の表面保護
方法に関する。
合物半導体AlxGa1-xAsを使用する半導体装置の
製造工程中において加熱処理を施す際の表面保護
方法に関する。
(b) 従来技術と問題点
化合物半導体GaAs結晶にイオン注入を行なつ
た際に生じる欠陥を回復させる等を目的として、
上記GaAs結晶を用いた半導体装置の製造に際し
加熱処理を施すことが必要であるが、この際表面
の保護のために適当な保護膜を使用する。この保
護膜としてはAlNが優れていることが既に知ら
れている。
た際に生じる欠陥を回復させる等を目的として、
上記GaAs結晶を用いた半導体装置の製造に際し
加熱処理を施すことが必要であるが、この際表面
の保護のために適当な保護膜を使用する。この保
護膜としてはAlNが優れていることが既に知ら
れている。
一方化合物半導体AlxGa1-xAs結晶を加熱処理
する際にも保護膜としてAlNを使用することが
多い。しかし従来はAlxGa1-xAsの上に直接AlN
の膜を形成していたが、この場合、処理温度が
800〔℃〕以上になると、AlN膜の一部が剥がれ
てしまうという保護膜の密着強度上の問題があつ
た。
する際にも保護膜としてAlNを使用することが
多い。しかし従来はAlxGa1-xAsの上に直接AlN
の膜を形成していたが、この場合、処理温度が
800〔℃〕以上になると、AlN膜の一部が剥がれ
てしまうという保護膜の密着強度上の問題があつ
た。
(c) 発明の目的
本発明の目的は、表面保護膜の剥離を生じるこ
となく、AlxGa1-xAs結晶に加熱処理を施すこと
が可能な半導体装置の製造方法を提供することに
ある。
となく、AlxGa1-xAs結晶に加熱処理を施すこと
が可能な半導体装置の製造方法を提供することに
ある。
(d) 発明の構成
本発明の特徴は、AlNがGaAsに熱膨張係数が
比較的近く、十分な密着強度を有する保護膜を形
成し得ることを利用し、AlxGa1-xAs層上に薄い
GaAs層を設け、この上にAlN膜を形成し、しか
る後所望の加熱処理を施す工程を含むことにあ
る。
比較的近く、十分な密着強度を有する保護膜を形
成し得ることを利用し、AlxGa1-xAs層上に薄い
GaAs層を設け、この上にAlN膜を形成し、しか
る後所望の加熱処理を施す工程を含むことにあ
る。
(e) 発明の実施例
以下本発明の一実施例を図面により説明する。
第１図〜第３図は上記一実施例をその製造工程
の順に示す要部断面図で、１はGaAs基板、２は
AlxGa1-xAs層、３はGaAs層、４はAlN膜であ
る。
の順に示す要部断面図で、１はGaAs基板、２は
AlxGa1-xAs層、３はGaAs層、４はAlN膜であ
る。
GaAs基板１上に成長せしめたAlxGa1-xAs層２
に、イオン注入を行なつた後等において加熱処理
を施すに先立ち、予めまず第１図に示す如く、上
記AlxGa1-xAs層２表面にGaAs層３を、例えば
0.1〔μｍ〕ほどの厚さにエピタキシアル成長法に
より成長せしめる。
に、イオン注入を行なつた後等において加熱処理
を施すに先立ち、予めまず第１図に示す如く、上
記AlxGa1-xAs層２表面にGaAs層３を、例えば
0.1〔μｍ〕ほどの厚さにエピタキシアル成長法に
より成長せしめる。
次いで所望の不純物イオンの注入処理を施す。
しかる後、第２図に示すように、このGaAs層
３上にスパツタリング法等により、AlN膜４を
例えば0.1〔μｍ〕ほどの厚さに被着せしめる。
３上にスパツタリング法等により、AlN膜４を
例えば0.1〔μｍ〕ほどの厚さに被着せしめる。
このようにした後所望の温度、例えば800〔℃〕
或いはそれ以上の温度の加熱処理を施す。
或いはそれ以上の温度の加熱処理を施す。
上述の如く本実施例においては、AlxGa1-xAs
層２上に、従来法の如く直接AlN膜４を被着せ
しめるのではなく、GaAs層３を介してAlN膜４
を被着せしめたことにより、上記加熱処理工程に
おいてAlN膜４の剥離を生じることがない。
層２上に、従来法の如く直接AlN膜４を被着せ
しめるのではなく、GaAs層３を介してAlN膜４
を被着せしめたことにより、上記加熱処理工程に
おいてAlN膜４の剥離を生じることがない。
加熱処理工程終了後、第３図に示すように加熱
燐酸（H3PO4）溶液で処理する等により、上記
AlN膜４を除去し、次いでAlN膜４の下地層と
して用いたGaAs層３をGaAsの選択エツチング
液、例えば苛性カリ（NH4OH）と過酸化水素
（H2O2）との混合溶液を用いて除去する。
燐酸（H3PO4）溶液で処理する等により、上記
AlN膜４を除去し、次いでAlN膜４の下地層と
して用いたGaAs層３をGaAsの選択エツチング
液、例えば苛性カリ（NH4OH）と過酸化水素
（H2O2）との混合溶液を用いて除去する。
以上により本発明の要部である加熱処理工程を
終了した。このあとは通常の製造方法に従つて進
めてよい。
終了した。このあとは通常の製造方法に従つて進
めてよい。
(f) 発明の効果
以上説明した如く本発明により、保護膜の剥離
を生じることなく、AlxGa1-xAs結晶に800〔℃〕
以上の高温で加熱処理を施すことが可能となる。
を生じることなく、AlxGa1-xAs結晶に800〔℃〕
以上の高温で加熱処理を施すことが可能となる。
第１図〜第３図は本発明の一実施例を製造工程
の順に示す要部断面図である。 図において、１はGaAs基板、２はAlxGa1-xAs
層、３はGaAs層、４はAlN膜を示す。
の順に示す要部断面図である。 図において、１はGaAs基板、２はAlxGa1-xAs
層、３はGaAs層、４はAlN膜を示す。
Claims (1)
- １ AlxGa1-xAs結晶に所望の加熱処理を施すに
際し、予め前記AlxGa1-xAs結晶表面をGaAs層で
被覆し、該GaAs層上にAlN膜を形成し、しかる
後、前記AlxGa1-xAs結晶の加熱処理を行う工程
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8112782A JPS58197729A (ja) | 1982-05-13 | 1982-05-13 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8112782A JPS58197729A (ja) | 1982-05-13 | 1982-05-13 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58197729A JPS58197729A (ja) | 1983-11-17 |
| JPH0261144B2 true JPH0261144B2 (ja) | 1990-12-19 |
Family
ID=13737723
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8112782A Granted JPS58197729A (ja) | 1982-05-13 | 1982-05-13 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58197729A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5952679A (en) * | 1996-10-17 | 1999-09-14 | Denso Corporation | Semiconductor substrate and method for straightening warp of semiconductor substrate |
-
1982
- 1982-05-13 JP JP8112782A patent/JPS58197729A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58197729A (ja) | 1983-11-17 |
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