JPS5814526A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS5814526A JPS5814526A JP11186881A JP11186881A JPS5814526A JP S5814526 A JPS5814526 A JP S5814526A JP 11186881 A JP11186881 A JP 11186881A JP 11186881 A JP11186881 A JP 11186881A JP S5814526 A JPS5814526 A JP S5814526A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- single crystal
- silicon
- pad
- substrate
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 17
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 32
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 23
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 14
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 16
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 claims description 3
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 claims 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract description 14
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract description 14
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 abstract description 12
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract description 5
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 abstract description 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract 3
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract 3
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract 3
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract 3
- 238000010306 acid treatment Methods 0.000 abstract 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 8
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 7
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 7
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 2
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 2
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 241000255925 Diptera Species 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- -1 that is Inorganic materials 0.000 description 1
- 210000000689 upper leg Anatomy 0.000 description 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 1
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
- H01L21/32051—Deposition of metallic or metal-silicide layers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
- Local Oxidation Of Silicon (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
不発Ｑｌは８０ Ｉ （５ｉｌｉｃｏｎ ｏｎ Ｉｎｓ
ｕｌａｔｉｎｇＳｕｂｓｔｒａｔｅ） 構造の半導体装
置の製造方法に関す。
ｕｌａｔｉｎｇＳｕｂｓｔｒａｔｅ） 構造の半導体装
置の製造方法に関す。
単結晶シリコン基板上に絶縁膜を設け、該絶縁膜上に島
状に分離された半導体素子を形成するＳＯＩ＠造の半導
体装１ｔの製造工程において、半導体素子を形成すべき
位置に選択的に絶縁膜を配設して半導体素子のパッドと
し、該ノ（ラド及びその周囲のシリコン基板上に非単結
晶シリコンすなわち多結晶シリコン或いは非結晶シリコ
ンよりなる膜を形成して、波動或いは粒子ビーム照射に
より眩非単結晶シリコン臆を融解肱基板にエピタキシャ
ルに再結晶せしめることにより該）くラド上に単結晶シ
リコン膜を形成する場合において、該ノくラドとしては
、選択酸化法によって形成される二酸化シｖｔン（Ｓｔ
Ｏｔ）ｊｌ［がその製造方法、側端面の形状及び一般的
特性の点で最も適当である。
状に分離された半導体素子を形成するＳＯＩ＠造の半導
体装１ｔの製造工程において、半導体素子を形成すべき
位置に選択的に絶縁膜を配設して半導体素子のパッドと
し、該ノ（ラド及びその周囲のシリコン基板上に非単結
晶シリコンすなわち多結晶シリコン或いは非結晶シリコ
ンよりなる膜を形成して、波動或いは粒子ビーム照射に
より眩非単結晶シリコン臆を融解肱基板にエピタキシャ
ルに再結晶せしめることにより該）くラド上に単結晶シ
リコン膜を形成する場合において、該ノくラドとしては
、選択酸化法によって形成される二酸化シｖｔン（Ｓｔ
Ｏｔ）ｊｌ［がその製造方法、側端面の形状及び一般的
特性の点で最も適当である。
しかしながら融解されたシリコンの二酸化シリコン面へ
の濡れの悪さから、単結晶化後にシリコン族が該パッド
から剥離することがあるなど付着力が不十分である。
の濡れの悪さから、単結晶化後にシリコン族が該パッド
から剥離することがあるなど付着力が不十分である。
二酸化シリコンに代るべき絶縁物質として窒化シ！ｊコ
ン（８ｉｓ・Ｎ４）については、融解されたシリコンの
窒化シリコン面への濡れは二酸化シリコンより優れ、単
結晶化後の付着力も十分ではあるが、前記の選択酸化膜
と同様の形状と厚さとを壱する窒化Ｉｌｌを形成するこ
とは期待し得ない。なんとならば、厚い窒化膜は内部応
力によってクラックが生じ易いからである。
ン（８ｉｓ・Ｎ４）については、融解されたシリコンの
窒化シリコン面への濡れは二酸化シリコンより優れ、単
結晶化後の付着力も十分ではあるが、前記の選択酸化膜
と同様の形状と厚さとを壱する窒化Ｉｌｌを形成するこ
とは期待し得ない。なんとならば、厚い窒化膜は内部応
力によってクラックが生じ易いからである。
また選択酸化膜上に選択的に窒化シリコン膜を形成する
ことも従来実施されていない。
ことも従来実施されていない。
本発明は、単結晶化されたシリコン膜と選択酸化法によ
って形成された二酸化シリコン絶縁膜との付着力を十分
ならしめる、選択酸化膜上に選択的に形成された層間膜
を得ることを目的とする。
って形成された二酸化シリコン絶縁膜との付着力を十分
ならしめる、選択酸化膜上に選択的に形成された層間膜
を得ることを目的とする。
本発明は、選択酸化膜の形成とマスクを共用して、選択
酸化膜の光層部分をシリコン−オキ７ナイトライド（８
ｉ ｘＮＹＯｌ−）或いは窒化シリコンとすることによ
りその目的を達成する。
酸化膜の光層部分をシリコン−オキ７ナイトライド（８
ｉ ｘＮＹＯｌ−）或いは窒化シリコンとすることによ
りその目的を達成する。
以下に本発明を実施例により回向を用いて詳細に説明す
る。
る。
第１図にｈ面図を示す如く、単結晶シリコン基板ｌ上に
熱酸化法等により厚さ約５９ｎｍの二酸化シリコンＭ２
’ｉ−形成し、次いで化学蒸看法吟により淳さ約１５０
ｎｍの窒化シリコン膜を形成し、ＳＯＩ構造半導体素子
のパッドとする二酸化シリコン膜を形成する部分を選択
的に除去してマスク３とする。再び熱酸化法等によりマ
スク３の開口部分のシリコン基板を酸化し、第二図に断
面図を示す如く厚さ約６００ｎｍの二酸化シリコンより
なるパッド４を形成するり ド４の表層部分をシリコン・オキシナイトライド層５と
するが、その何れの方法においても選択酸化のマスク３
を窒化の際にもマスクとすることにより、二酸化シリコ
ン膜とオキシナイトライド層とを整合せしめる本実施例
におけるシリコン基板・ キシナイトライド形成の嬉−の方法は、第ｉｔｓに示す
状態の基板を１気圧のアンモニア（ＮＨ，）雰囲気中で
約１１００Ｃに１時間程度置くことによりシリコン・オ
キシナイトライドとする。
熱酸化法等により厚さ約５９ｎｍの二酸化シリコンＭ２
’ｉ−形成し、次いで化学蒸看法吟により淳さ約１５０
ｎｍの窒化シリコン膜を形成し、ＳＯＩ構造半導体素子
のパッドとする二酸化シリコン膜を形成する部分を選択
的に除去してマスク３とする。再び熱酸化法等によりマ
スク３の開口部分のシリコン基板を酸化し、第二図に断
面図を示す如く厚さ約６００ｎｍの二酸化シリコンより
なるパッド４を形成するり ド４の表層部分をシリコン・オキシナイトライド層５と
するが、その何れの方法においても選択酸化のマスク３
を窒化の際にもマスクとすることにより、二酸化シリコ
ン膜とオキシナイトライド層とを整合せしめる本実施例
におけるシリコン基板・ キシナイトライド形成の嬉−の方法は、第ｉｔｓに示す
状態の基板を１気圧のアンモニア（ＮＨ，）雰囲気中で
約１１００Ｃに１時間程度置くことによりシリコン・オ
キシナイトライドとする。
また第二の方法は、パッド４にＮ“イオンを約１８０ｋ
ｅ、Ｖにて５Ｘ１０”／−乃至ｌＸｌ０”／ｃｒＩ？の
ドーズ量にイオン注入し、１２００Ｃにおいて約２時間
アニールすることにより、シリコン・オキシナイトライ
ドとする。
ｅ、Ｖにて５Ｘ１０”／−乃至ｌＸｌ０”／ｃｒＩ？の
ドーズ量にイオン注入し、１２００Ｃにおいて約２時間
アニールすることにより、シリコン・オキシナイトライ
ドとする。
更に第三の方法は、アンモニア、窒素或いは両者の混合
雰囲気中で波動或いは粒子ビーム照射による方法で、例
えばクセノン（Ｘｅ）：７ンプの７うｙ シ＆光のｓ
Ｊ ／ｃｒｔ？、 ２ ｏｍ ｓの照射を５’ＫＪ／ｉ
の加圧窒素雰囲気中で実施することによりシリコ；ン・
オキシナイトライド層５を形成後燐酸（ＨＳＰＯ，）水
溶液中に温度１６０Ｃ乃至１７０Ｃ程腿において約３０
分ｔ！Ｊ＋浸漬して窒化シリーンよりなるマスク３を除
去し、次いで緩衝弗化水素酸等によるウェットエツチン
グによりシリコン拳オキシナイト２イド層５をマスクと
してパッド４以外の二酸化シリコン膜２を除去し、基板
１の単結晶を露出せしめる。かくの如き基板上に第四図
１こ＃ｒ面図を示す如く、例えば化学蒸着法によりモノ
シラン（ＳｉＨ，）より温に６００Ｃ乃至７００Ｃ程度
において非単結晶シリコン膜 成する。次いで波動或いは粒子ビーム照射により非単結
晶シリコン膜６を融解し再結晶せしめるとき、基板１に
接する部分より、基板ｌの単結晶にエピタキシャルに再
結晶化が進行し、／フッド４の上部に及び、単結晶シリ
コンｊｌ！６′を得る。
雰囲気中で波動或いは粒子ビーム照射による方法で、例
えばクセノン（Ｘｅ）：７ンプの７うｙ シ＆光のｓ
Ｊ ／ｃｒｔ？、 ２ ｏｍ ｓの照射を５’ＫＪ／ｉ
の加圧窒素雰囲気中で実施することによりシリコ；ン・
オキシナイトライド層５を形成後燐酸（ＨＳＰＯ，）水
溶液中に温度１６０Ｃ乃至１７０Ｃ程腿において約３０
分ｔ！Ｊ＋浸漬して窒化シリーンよりなるマスク３を除
去し、次いで緩衝弗化水素酸等によるウェットエツチン
グによりシリコン拳オキシナイト２イド層５をマスクと
してパッド４以外の二酸化シリコン膜２を除去し、基板
１の単結晶を露出せしめる。かくの如き基板上に第四図
１こ＃ｒ面図を示す如く、例えば化学蒸着法によりモノ
シラン（ＳｉＨ，）より温に６００Ｃ乃至７００Ｃ程度
において非単結晶シリコン膜 成する。次いで波動或いは粒子ビーム照射により非単結
晶シリコン膜６を融解し再結晶せしめるとき、基板１に
接する部分より、基板ｌの単結晶にエピタキシャルに再
結晶化が進行し、／フッド４の上部に及び、単結晶シリ
コンｊｌ！６′を得る。
前記実施例においては、シリコン基板１に選択酸化法に
よって二酸化シリコン膜４を形成する際の一スク３を窒
化シリ；ンにより形成したが、窒化シリコンに代えて白
金等の高融点でかつ酸素或いは窒素と化合し難い金属を
マスクとして前記実施例と同様の酸化、窒化を実施し、
マスクを玉水嶋の酸により除去するならば、前記実施例
の窒化反応が更に進行して、シリコン・オキシナイトラ
イドが窒化シリコンとなっても前記実施例と同様に取扱
うことが可能である。
よって二酸化シリコン膜４を形成する際の一スク３を窒
化シリ；ンにより形成したが、窒化シリコンに代えて白
金等の高融点でかつ酸素或いは窒素と化合し難い金属を
マスクとして前記実施例と同様の酸化、窒化を実施し、
マスクを玉水嶋の酸により除去するならば、前記実施例
の窒化反応が更に進行して、シリコン・オキシナイトラ
イドが窒化シリコンとなっても前記実施例と同様に取扱
うことが可能である。
前記実施例の如く、表層部分をシリコン働ナイトライド
或いは窒化シリコンとした酸化シリコンよりなるパッド
上に形成された単結晶シリコン領域に半導体素子を形成
すれば、ｌフッドとの付着力不足等の懸念なく安定した
半導体素子を得ることが可能となる。
或いは窒化シリコンとした酸化シリコンよりなるパッド
上に形成された単結晶シリコン領域に半導体素子を形成
すれば、ｌフッドとの付着力不足等の懸念なく安定した
半導体素子を得ることが可能となる。
本発明は以上説明した如く、単結晶シリコン基板上に酸
化シリコンよりなる絶縁膜を配設し、該絶縁膜上の非単
結晶シリコン領域を波動或いは粒子ビーム照射により融
解し、基板にエピタキシャルに再結晶せしめて単結晶シ
リコンとし、これより半導体素子８形成するＳＯＩ構造
の半導体装置の製造方法において、蚊絶縁膜の表層部分
をシリコンφオキシナイトライド或いは窒化シリコンと
することにより単結晶シリコン領域と骸絶縁物との付着
力を充分ならしめるものであって、ＳＯＩ構造の半導体
装置の発展に大きく寄与する。
化シリコンよりなる絶縁膜を配設し、該絶縁膜上の非単
結晶シリコン領域を波動或いは粒子ビーム照射により融
解し、基板にエピタキシャルに再結晶せしめて単結晶シ
リコンとし、これより半導体素子８形成するＳＯＩ構造
の半導体装置の製造方法において、蚊絶縁膜の表層部分
をシリコンφオキシナイトライド或いは窒化シリコンと
することにより単結晶シリコン領域と骸絶縁物との付着
力を充分ならしめるものであって、ＳＯＩ構造の半導体
装置の発展に大きく寄与する。
第１１乃全第４図は本発明の拠施例を示す断面図である
。図４こ８いて、１はシリコン基板、２は二酸化シリコ
ン族、３はマスク、４はパッド、５はシリコン・オキシ
ナイト２イド層、６は非単結晶シリコン族を示す〇 化１人 弁１士 松 岡 宏四戸賢コ第 １ 図 事ｚｒＺＪ 第３１￥ｌ ’ｊ５４１ｖｌ
。図４こ８いて、１はシリコン基板、２は二酸化シリコ
ン族、３はマスク、４はパッド、５はシリコン・オキシ
ナイト２イド層、６は非単結晶シリコン族を示す〇 化１人 弁１士 松 岡 宏四戸賢コ第 １ 図 事ｚｒＺＪ 第３１￥ｌ ’ｊ５４１ｖｌ
Claims (1)
- 単結晶シリコン基板上にシリコン酸化物よりなる絶縁膜
を配設し、前記絶縁膜を含む前記基板面上に非単結晶シ
リコン膜を形成し、前記非単結晶シリコン膜を波動或い
は粒子ビーム照射により融解し、前記基板に−ピ゛−牛
シャルに結晶化せしめて単結晶シリコン膜とし、前記単
結晶シリコン膜に半導体素子を形成する半導体装置の製
造方法において、前記絶縁膜の表層部分をｉａａを含む
シリコン化合物に変化せしめることを特徴とする半導体
装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11186881A JPS5814526A (ja) | 1981-07-17 | 1981-07-17 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11186881A JPS5814526A (ja) | 1981-07-17 | 1981-07-17 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5814526A true JPS5814526A (ja) | 1983-01-27 |
| JPH0335830B2 JPH0335830B2 (ja) | 1991-05-29 |
Family
ID=14572173
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11186881A Granted JPS5814526A (ja) | 1981-07-17 | 1981-07-17 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5814526A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61179523A (ja) * | 1985-02-05 | 1986-08-12 | Agency Of Ind Science & Technol | 単結晶薄膜形成方法 |
| US5116768A (en) * | 1989-03-20 | 1992-05-26 | Fujitsu Limited | Fabrication method of a semiconductor integrated circuit having an SOI device and a bulk semiconductor device on a common semiconductor substrate |
| JPH08203886A (ja) * | 1995-01-11 | 1996-08-09 | Lg Semicon Co Ltd | 半導体素子の隔離方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56116627A (en) * | 1980-02-20 | 1981-09-12 | Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Thin film semiconductor device |
-
1981
- 1981-07-17 JP JP11186881A patent/JPS5814526A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56116627A (en) * | 1980-02-20 | 1981-09-12 | Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Thin film semiconductor device |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61179523A (ja) * | 1985-02-05 | 1986-08-12 | Agency Of Ind Science & Technol | 単結晶薄膜形成方法 |
| US5116768A (en) * | 1989-03-20 | 1992-05-26 | Fujitsu Limited | Fabrication method of a semiconductor integrated circuit having an SOI device and a bulk semiconductor device on a common semiconductor substrate |
| JPH08203886A (ja) * | 1995-01-11 | 1996-08-09 | Lg Semicon Co Ltd | 半導体素子の隔離方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0335830B2 (ja) | 1991-05-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8053330B2 (en) | Quasi-hydrophobic Si-Si wafer bonding using hydrophilic Si surfaces and dissolution of interfacial bonding oxide | |
| US4472459A (en) | Local oxidation of silicon substrate using LPCVD silicon nitride | |
| JPH02283014A (ja) | 支持体上に結晶材料のシートを形成する方法 | |
| JPS59208743A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS5814526A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US4125427A (en) | Method of processing a semiconductor | |
| JPS617622A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0337728B2 (ja) | ||
| JPS634345B2 (ja) | ||
| JPS58175844A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6164119A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH06333822A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0396222A (ja) | 単結晶Ｓｉ膜の形成方法 | |
| JPS6112374B2 (ja) | ||
| JP2605286B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS58200525A (ja) | 半導体装置用基板の製造方法 | |
| JPS61116821A (ja) | 単結晶薄膜の形成方法 | |
| JPH0261144B2 (ja) | ||
| JPS5893224A (ja) | 半導体単結晶膜の製造方法 | |
| JPS61117821A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS61127118A (ja) | 半導体薄膜の形成方法 | |
| JPS6341029A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6116530A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS59197129A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS5814529A (ja) | 半導体装置の製造方法 |