JP3518455B2

JP3518455B2 - 窒化物半導体基板の作製方法

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Publication number: JP3518455B2
Application number: JP35645999A
Authority: JP
Inventors: 一幸蝶々; 恵司坂本
Original assignee: Nichia Corp
Current assignee: Nichia Corp
Priority date: 1999-12-15
Filing date: 1999-12-15
Publication date: 2004-04-12
Anticipated expiration: 2019-12-15
Also published as: JP2001176813A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、発光ダイオード素
子（ＬＥＤ）、レーザダイオード素子（ＬＤ）等の発光
素子、太陽電池、光センサ等の受光素子、あるいはトラ
ンジスタ、パワーデバイス等の電子デバイスに用いられ
る窒化物半導体（Ｉｎ_XＡｌ_YＧａ_1-X-YＮ、０≦X、０≦
Y、X＋Y≦１）よりなる素子等に使用される窒化物半導
体基板の作製方法に関し、特に窒化物半導体からサファ
イアなどの異種基板を良好に分離して窒化物半導体基板
を作製する方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、発光出力の良好な窒化物半導体か
らなるＬＥＤが実用化されており、また寿命特性などの
良好な素子特性を有する窒化物半導体からなるＬＤの実
用性が高まってきている。

【０００３】例えば、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔ
ｔ．，Ｖｏｌ．７２，Ｎｏ．１６，２０Ａｐｒｉｌ１
９９８ｐｐ．２０１４−２０１６の文献には、窒化物
半導体の横方向の成長を積極的に利用することで転位の
低減が可能な成長方法でＧａＮを成長させる方法（以
下、単にＥＬＯＧ成長という場合がある。）により得ら
れたＧａＮのみからなるＧａＮ基板上に素子構造を成長
させてなるＬＤが記載されている。そして、前記文献で
は、サファイア基板上にＥＬＯＧ成長により転位の低減
されたＧａＮを成長させた後、絶縁性のサファイアを除
去した基板と、サファイアを有している基板とにそれぞ
れ同一の素子構造を形成して２種のＬＤを作製し、それ
ぞれの寿命特性を比較する実験を行っている。その結
果、サファイアを有する基板上のＬＤは室温での連続発
振が約２００時間であるのに対し、サファイアを除去さ
れたＧａＮ基板上のＬＤは、同条件での連続発振が７８
０時間以上となる。このような寿命特性の相違は、サフ
ァイア基板を有するＬＤではサファイアが絶縁性である
ために素子の駆動により発生する熱を放散しにくいのに
対し、絶縁性のサファイアを研磨により除去してＧａＮ
のみからなるＧａＮ基板を有するＬＤでは熱の放散が良
好となるために、素子の劣化の進行速度に差が生じるか
らではないかと考えられる。従って、絶縁性のサファイ
アを除去して放熱性を改善することで、寿命特性の向上
が可能となる。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ＥＬＯ
Ｇ成長後に、サファイア基板を研磨で除去する工程は、
サファイアが硬いために作業時間がかかってしまうばか
りか、ＧａＮ基板が欠けたり割れたりしないように注意
を要し、作製工程が煩雑化する。

【０００５】一方、研磨以外のＧａＮからサファイアを
分離する方法として、例えば、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌ
ｅｔｔ．７２（５），２Ｆｅｂｒｕａｙ１９９８
ｐｐ．５９９−６０１には、サファイア基板上にＧａＮ
を成長させた後、この成長させたＧａＮ面をＳｉウエハ
上にエポキシを介して固定し、サファイア／ＧａＮ／エ
ポキシ／Ｓｉの構造にした後、サファイア側からＫｒＦ
パルスエキシマレーザを照射して、サファイアとＧａＮ
とが接している共有面で分離し、ＧａＮからサファイア
を分離する方法が記載されている。この方法では、レー
ザ照射により、ＧａＮとサファイアが接触している共有
面でＧａＮがレーザ光を吸収してＧａＮの分解が生じ、
ＧａＮからサファイアを分離することができるものであ
るが、ＧａＮの分解によって発生するＮ₂ガスのガス圧
によりサファイアが割れ、この割れが原因でサファイア
と接触しているＧａＮ面にえぐれた傷が発生する。この
ようなえぐれた傷がＧａＮ面にあると、例えばマイクロ
クラックなどの発生を引き起こす場合がある。マイクロ
クラックが発生すると、寿命特性の低下などの素子特性
の劣化や、歩留まりの低下等を引き起こすことが考えら
れる。さらにＧａＮのサファイアと接触していた面にえ
ぐれ傷があると、この面に直接ｎ電極を形成しにくくな
るので、えぐれた傷を有するＧａＮ面を研磨する工程が
必要となって工程の煩雑化が生じ、作業工程が増えるこ
とで歩留まりの低下をも引き起こす可能性がある。ＬＤ
を実用化するにあたって、寿命特性などの素子特性を良
好にすると共に、量産する場合の歩留まりの向上等も良
好にすることが望まれる。

【０００６】そこで、本発明の目的は、窒化物半導体を
成長させる際に用いるサファイアなどの異種基板を良好
に除去して窒化物半導体基板を得ることのできる窒化物
半導体基板の作製方法を提供することである。

【０００７】

【課題を解決するための手段】即ち、本発明の目的は、
下記（１）〜（１１）の構成により達成することができ
る。（１）第１の面と第２の面とを有し窒化物半導体と異
なる材料からなる異種基板の第１の面上に、窒化物半導
体からなる下地層を成長させる第１の工程と、前記第１
の工程後に、前記下地層を部分的に異種基板までエッチ
ングして凹凸を形成し、該凹凸が下地層と異種基板との
接触面から１０００オングストローム以上の深さで削ら
れており、凹部側面に窒化物半導体の横方向の成長が可
能な面を露出させる第２の工程と、前記第２の工程後
に、前記凹凸を有する下地層上に、第１の窒化物半導体
を成長させ、転位の低減された第１の窒化物半導体を形
成すると共に、凹部底部の異種基板と第１の窒化物半導
体との間に空隙を形成させる第３の工程と、前記第３の
工程後に、前記異種基板の第２の面に電磁波を照射し、
下地層と異種基板との界面で分離して異種基板を取り除
く第４の工程と、を有することを特徴とする窒化物半導
体基板の作製方法。（２）前記凹凸の形状が、ストライプ状、碁盤目状、
又はドット状であることを特徴とする前記（１）に記載
の窒化物半導体基板の作製方法。（３）前記第２の工程で形成される凹凸が、エッチン
グにより下地層と異種基板との接触面から１０００オン
グストローム以上１．０μｍ以下の深さで削られている
ことを特徴とする前記（１）又は（２）に記載の窒化物
半導体基板の作製方法。（４）前記第２の工程で形成される凹凸が、ストライ
プ状であって、該凸部上部の幅を１μｍ以上２０μｍ以
下とし、凹部底部の幅を１０μｍ以上４０μｍ以下とす
ることを特徴とする前記（１）に記載の窒化物半導体基
板の作製方法。（５）前記第３の工程で成長させる第１の窒化物半導
体の膜厚が、１００μｍ以上であることを特徴とする
（１）に記載の窒化物半導体基板の作製方法。（６）前記第３の工程における第１の窒化物半導体
が、前記凹凸を有する下地層上に、成長速度を０．５μ
ｍ／時間以上１０μｍ／時間以下で第２の窒化物半導体
を成長させる第３−１の工程と、前記第３−１の工程後
に、成長速度を１０μｍ／時間以上５００μｍ／時間以
下で、第３の窒化物半導体を成長させる第３−２の工程
とにより形成されてなることを特徴とする前記（１）又
は（５）に記載の窒化物半導体基板の作製方法。（７）前記異種基板は、サファイア又はスピネルであ
ることを特徴とすることを特徴とする前記（１）に記載
の窒化物半導体基板の作製方法。（８）前記第２の工程で形成された凹凸の凸部上面
が、窒化物半導体が成長しにくい又は成長しない材料か
らなる保護膜で覆われている下地層、又は窒化物半導体
からなる下地層であることを特徴とする前記（１）に記
載の窒化物半導体基板の作製方法。（９）前記電磁波が、波長３７０ｎｍ以下の電磁波で
あることを特徴とする前記（１）に記載の窒化物半導体
基板の作製方法。（１０）前記電磁波は、エキシマレーザを用いること
を特徴とする（９）に記載の窒化物半導体基板の作製方
法。（１１）前記異種基板は、透明であることを特徴とす
る（１）に記載の窒化物半導体基板の作製方法。

【０００８】つまり、本発明は上記の如く、透明な異種
基板上に転位の低減できるＥＬＯＧ成長を行う際に、Ｅ
ＬＯＧ成長により異種基板と窒化物半導体との接触面付
近に部分的に空隙の生じるような特定のＥＬＯＧ成長方
法を行うことで、電磁波、例えばレーザ照射によるＧａ
Ｎの分解で発生するＮ₂ガスが、異種基板と窒化物半導
体との間に形成された空隙に広がるため、ガス圧による
サファイアの割れを防止し、さらにサファイアの割れが
原因で起こっていたＧａＮのえぐれ傷をも抑制できる。
さらに、本発明で用いられるＥＬＯＧ成長においては、
窒化物半導体からなる下地層を部分的に異種基板までエ
ッチングして凹凸を形成しているので凹部底部に隙間が
生じており、この隙間の発生により実質的に異種基板と
窒化物半導体とが接触している部分が少なくなるので、
レーザ照射により分解するＧａＮの面積が少なくなり窒
化物半導体から異種基板を良好に剥離することができ
る。

【０００９】以上のように本発明は、転位が低減される
と共に、異種基板と窒化物半導体との接触面積が少なく
且つ異種基板と窒化物半導体との間に空隙が生じるよう
な特定なＥＬＯＧ成長を行う工程と、レーザ照射等によ
りサファイアなどの異種基板を窒化物半導体から除去す
る工程とを組み合わせることで、異種基板を良好に分離
でき、転位が良好に低減された窒化物半導体を得ること
ができる。また、本発明において、電磁波の照射により
ＧａＮの分解で発生するＮ₂ガスは、凹部底部に形成さ
れる隙間に広がるために異種基板の割れやＧａＮのえぐ
れ傷の発生を引き起こす原因とならなくなったうえに、
隙間に広がったＮ₂ガスの緩やかなガス圧により異種基
板の剥離を容易にしていると考えられる。

【００１０】さらに、本発明において、下地層を部分的
にエッチングして形成される凹凸が、ストライプ形状で
あると、異種基板と下地層との間に生じる空隙がストラ
イプ状となり、ガスが良好に空隙内に広がり、異種基板
のガス圧による割れをより良好に防止できると共に、異
種基板と下地層とが接触している部分が良好に分離し易
くなり好ましい。また、凹凸の形状がストライプ形状で
あると、転位が良好に低減される部分が凹部上方部に同
様のストライプ形状に形成されるので、リッジ形状のス
トライプをこの凹部上方部にあわせて形成すると寿命特
性などの点で良好なレーザ素子などを形成でき好まし
い。

【００１１】またさらに、本発明において、第２の工程
で形成される凹凸が、エッチングにより下地層と異種基
板との接触面から１０００オングストローム以上の深さ
で削られていることが、空隙を形成するのに好ましい。
異種基板の削られる深さは、１０００オングストローム
以上の深さであれば特に限定されないが、深さの上限と
しては、異種基板の厚さより薄くて、削る作業が煩雑と
ならない程度の深さが好ましく、例えば１．０μｍ以下
が好ましい。さらに異種基板が２０００オングストロー
ム〜３０００オングストロームの深さで削られている
と、空隙の形成、転位の低減及び作業効率の点で好まし
い。また、削られる深さが上記範囲であると、ＧａＮの
分解で発生するＮ₂ガスが良好に広がる程度の空間とし
て空隙が形成され、サファイアの割れ及びその割れによ
る窒化物半導体のえぐれ傷を良好に防止することができ
好ましい。

【００１２】またさらに、本発明において、第３の工程
で成長させる第１の窒化物半導体の膜厚が、１００μｍ
以上、好ましくは２００μｍ以上、より好ましくは３０
０μｍ以上、さらに好ましくは５００μｍ以上である
と、電磁波を照射する際や、素子構造を形成する際に、
窒化物半導体基板の割れや欠け等を防止し、ハンドリン
グ性等の点で好ましい。第１の窒化物半導体の膜厚の上
限は特に限定されないが、装置や形成時間などを考慮し
て適宜調整され、例えば、１ｍｍ以下である。

【００１３】またさらに、本発明において、第３の工程
における第１の窒化物半導体が、前記凹凸を有する下地
層上に、成長速度を０．５μｍ／時間以上１０μｍ／時
間以下で第２の窒化物半導体を成長させる第３−１の工
程と、この工程後に、成長速度を１０μｍ／時間以上５
００μｍ／時間以下で、第３の窒化物半導体を成長させ
る第３−２の工程とにより形成されてなると、第３−１
の工程で成長速度が遅い成長方法、例えばＭＯＣＶＤ、
で良好に転位を低減でき、第３−２の工程で成長速度の
速い成長方法、例えばＨＶＰＥ、で厚膜の窒化物半導体
を成長させる際に異常成長等の発生が少なく好ましい。
成長速度の遅い方法により厚膜の窒化物半導体を成長さ
せると、長時間の反応となり異常成長などが発生し易く
なるが、成長速度の速い成長方法により成長させると異
常成長を防止でき、良好な第３の窒化物半導体が得られ
好ましい。また、成長速度の速い方法により薄い膜の窒
化物半導体を成長させる場合には膜厚が調整しにくい
が、成長速度の遅い成長方法により窒化物半導体を成長
させると、凹部側面での窒化物半導体の横方向の成長が
良好に行われ、転位が良好に低減された第２の窒化物半
導体を得ることができ好ましい。

【００１４】またさらに、本発明において、第２の工程
で形成された凹凸の凸部上面が、下地層、または凸部上
面が、窒化物半導体が成長しにくい又は成長しない材料
からなる保護膜で覆われている下地層であると、転位の
低減と共に、下地層と異種基板の間に空隙を形成する点
で好ましい。本発明におけるＥＬＯＧ成長としては、凹
部底部に空隙の形成されるような方法であれば特に限定
されないが、例えば好ましくは上記のように凹凸の凸部
上面が下地層、又は保護膜であるような方法が挙げられ
る。

【００１５】またさらに、本発明において、電磁波が、
波長３７０ｎｍ以下の電磁波であると、透明な異種基板
を良好に透過でき且つ凹凸の凸部下方部の異種基板と接
触している下地層を構成する窒化物半導体を良好に分解
でき、下地層から異種基板を良好に分離することができ
好ましい。

【００１６】

【発明の実施の形態】以下に図１〜図７を用いて、本発
明についてさらに詳細に説明する。図１は、本発明の一
実施の形態であるＥＬＯＧ成長後に異種基板側から電磁
波を照射する模式的断面図である。図２〜図４は、本発
明に用いられるＥＬＯＧ成長の各工程により得られるウ
エハの模式的断面図である。図５は、下地層に形成され
る凹凸のストライプ方向を説明するための基板主面側の
平面図である。図６は、本発明に用いられる異種基板の
主面がステップ状にオフアングルされている基板の一部
を拡大して示した模式的断面図である。図７は、サファ
イアの面方位を示すユニットセル図である。

【００１７】本発明は、図１に示すように、凹凸を有す
る下地層４上にＥＬＯＧ成長により第１の窒化物半導体
４を成長させることにより、凹部底部の異種基板１と第
１の窒化物半導体４との間に、空隙が形成されており、
このような状態のウエハの異種基板１側から電磁波を照
射することにより、異種基板１と下地層３の接している
共有面から分離でき、異種基板１を除去することができ
るものである。

【００１８】このような本発明の窒化物半導体基板の作
製方法は、上記のように少なくとも以下の第１の工程〜
第４の工程により窒化物半導体基板を作製する方法であ
る。まず、図２に示すように、第１の工程により、第１
の面と第２の面とを有し窒化物半導体と異なる材料から
なる電磁波が透過できるような透明な異種基板１の第１
の面上に、窒化物半導体からなる下地層３を成長させ
る。

【００１９】次に、図３（ａ−１）、（ｂ−１）に示す
ように、第２の工程により、窒化物半導体からなる下地
層３を部分的に異種基板１までエッチングして凹凸を形
成することで、凹部側面に窒化物半導体の横方向の成長
が可能な面を露出させる。

【００２０】次に、図３（ａ−２、ａ−３）、（ｂ−
２、ｂ−３）に示すように、第３の工程により、凹凸を
有する下地層３上に、第１の窒化物半導体４を成長さ
せ、さらに前記第１の窒化物半導体４の成長により凹部
底部の異種基板１と第１の窒化物半導体４との間に空隙
を形成させる。凹部内部は、側面に露出している下地層
３の窒化物半導体面に比べて凹部底部に露出している異
種基板１の面上に窒化物半導体が成長しにくいために、
凹部側面に露出された下地層３の窒化物半導体に、選択
的に第１の窒化物半導体４が横方向の成長から成長を開
始し、凹部の両側面から成長した第１の窒化物半導体４
が凹部内で接合し凹部を覆う。この際に、凹部底部に露
出している異種基板１面には第１の窒化物半導体４が成
長しにくいので、凹部底部の異種基板１と第１の窒化物
半導体４との間には空隙が形成される。

【００２１】次に、図１に示すように、第４の工程によ
り、異種基板１の第２の面から電磁波を照射し、異種基
板１と接している下地層３の接触面の窒化物半導体を分
解して異種基板１を除去できるようにし、また分解によ
って発生するＮ₂ガスを空隙内にそって広げることがで
きるので、ガス圧により生じていた異種基板１の割れを
防止すると共に、異種基板１の割れが原因で起こってい
た下地層３のえぐれ傷をも防止できる。このような第１
の工程〜第４の工程を行うことにより、異種基板１を除
去され、転位の低減された窒化物半導体のみからなる窒
化物半導体基板を作製することができる。以下に本発明
の各工程について具体的に説明する。

【００２２】［第１の工程］第１の工程は、図２に示さ
れるように、異種基板１上に下地層３を成長させる工程
である。本発明において、異種基板１としては、少なく
とも電磁波を透過できる程度に透明であれば特に限定さ
れないが、例えば具体例としては、Ｃ面、Ｒ面、及びＡ
面のいずれかを主面とするサファイア、スピネル（Ｍｇ
Ａ１₂Ｏ₄）のような絶縁性基板、ＳｉＣ（６Ｈ、４Ｈ、
３Ｃを含む）、ＺｎＳ、ＺｎＯ、ＧａＡｓ、Ｓｉ、及び
窒化物半導体と格子整合する酸化物基板等、従来知られ
ている窒化物半導体と異なる基板材料を用いることがで
きる。好ましい異種基板としては、サファイア、スピネ
ルが挙げられる。異種基板としてサファイアを用いる場
合、サファイアの主面をどの面にするかによって、凹凸
を形成した時の凸部上部と凹部側面の窒化物半導体の面
方位が特定される傾向があり、その面方位によって、窒
化物半導体の成長速度がやや異なることから、凹部側面
に成長し易い面方位がくるように主面を選択してもよ
い。また、異種基板１の第１の面と第２の面とは、下地
層３等を成長させる面と電磁波を照射する面とが異なる
面であることを示すために便宜上記載したものである。

【００２３】本発明において、下地層３としては、少な
くとも１層以上の窒化物半導体であれば特に限定されな
いが、好ましくは異種基板１上に低温成長のバッファ層
１２を成長させた後、高温成長の窒化物半導体１３を成
長させてなることが結晶性やＥＬＯＧ成長の点で好まし
い。バッファ層１２としては、ＡｌＮ、ＧａＮ、ＡｌＧ
ａＮ、ＩｎＧａＮ等が用いられる。バッファ層１２は、
例えば、９００℃以下３００℃以上の温度で、膜厚０．
５μｍ〜１０オングストロームで成長される。このよう
に異種基板１上にバッファ層１２を９００℃以下の温度
で形成すると、異種基板１と高温成長の窒化物半導体１
３との格子定数不正を緩和し、高温成長の窒化物半導体
１３の結晶欠陥が少なくなる傾向にある。高温成長の窒
化物半導体１３としては、特に限定されないが、例えば
好ましくはアンドープ（不純物をドープしない状態、un
dope）のＧａＮ、又は、Ｓｉ、Ｇｅ、及びＳ等のいずれ
か１種以上のｎ型不純物をドープしたＧａＮを用いるこ
とができる。高温成長の窒化物半導体１３は、高温、例
えば具体的には約９００℃より高温〜１１００℃、好ま
しくは１０５０℃で異種基板１上に成長される。このよ
うな温度で成長させると、高温成長の窒化物半導体１３
は単結晶となる。

【００２４】高温成長の窒化物半導体１３の膜厚として
は、第２の工程で形成される凹凸の凸部上面が下地層３
である［図３のａ−１〜ａ−３］か、保護膜で覆われて
いる下地層３である［図３のｂ−１〜ｂ−３］かによっ
て好ましい膜厚が異なる。さらに第２の工程で形成され
る凹凸の形状、例えば凹部の幅や凸部の幅などの大きさ
が異なる。

【００２５】以下に第２の工程で形成される凹凸の凸部
上面が下地層３である場合［図３の（ａ−１）〜（ａ−
３）］について記載する。凸部上面が下地層３である場
合、高温成長の窒化物半導体１３の膜厚は特に限定しな
いが、凹部内部での縦方向の成長を抑えて、横方向の成
長が促進できるように、凹凸の形状を調整することが可
能な膜厚であることが好ましく、少なくとも５００オン
グストローム以上、好ましくは５μｍ以上、より好まし
くは１０μｍ以上の膜厚で形成される。また、凹部開口
部の幅を広くする場合には、凹部の形状を深くすること
が凹部底面に窒化物半導体が成長するのを防止する点で
好ましく、このことから、高温成長の窒化物半導体１３
の膜厚は、凹部開口部の幅によって適宜調節される。よ
って、高温成長の窒化物半導体１３の膜厚は、開口部の
幅を広くする場合には、上記膜厚の範囲において厚目に
成長されることが好ましい。続いて以下に、凸部上面が
下地層３である場合の第２の工程を説明する。

【００２６】［第２の工程：凸部上面が下地層３である
場合］次に、第２の工程は、図３（ａ−２）に示される
ように、異種基板１上に下地層３（バッファ層１２、高
温成長の窒化物半導体１３）を成長させた後、下地層３
を部分的に異種基板１までエッチングして凹凸を形成
し、凹部側面に下地層３を構成する窒化物半導体を露出
させる工程である。

【００２７】第２の工程において、部分的に異種基板１
までエッチングして凹凸を形成するとは、少なくとも凹
部側面に下地層３を構成する窒化物半導体が露出され、
さらに凹部底部に異種基板１が露出されるように、下地
層３の表面から異種基板１方向に向かって窪みを形成し
てあればよく、下地層３にいずれの形状で凹凸を設けて
もよい。凹凸の形状としては、例えば、ランダムな窪
み、ストライプ状、碁盤目状、ドット状に形成できる。
好ましい形状としては、ストライプ状であり、この形状
とすると、異常成長が少なく、より平坦に埋まり好まし
く、またレーザ素子を形成する際に、より転位の少ない
凹部上方部にリッジ形状のストライプを形成し易くなり
好ましい。

【００２８】下地層３に部分的に設けられた凹凸は、少
なくとも異種基板１が露出していればよく、好ましくは
下地層３と異種基板１との接触面から１０００オングス
トローム以上の深さで削られていることが空隙を形成す
るのに好ましい。空隙を形成するのに好ましい深さは、
１０００オングストローム以上であれば特に限定されな
いが、深さの上限としては、異種基板の厚さより薄く
て、削る作業が煩雑とならない程度の深さが好ましく、
例えば１．０μｍ以下が好ましい。さらに異種基板１が
２０００オングストローム〜３０００オングストローム
の深さで削られていると、空隙の形成、転位の低減及び
作業効率の点で好ましい。また、削られる深さが上記範
囲であると、ＧａＮの分解で発生するＮ₂ガスが良好に
広がる程度の空間として空隙が形成され、サファイアの
割れ及びその割れによる窒化物半導体のえぐれ傷を良好
に防止することができ好ましい。

【００２９】また、上記のように凹部底部に異種基板１
が露出し、好ましくは特定の範囲の深さにエッチングさ
れていると、ＥＬＯＧ成長により転位を低減する点でも
好ましい。つまり、上記のように異種基板１が少なくと
も露出されていると、凹部底部からの成長が抑制されや
すくなり、凹部開口部から厚膜に成長する第１の窒化物
半導体４の転位を低減し易くなり好ましい。更に、異種
基板１が上記の深さで削られていると、凹部側面から成
長する第１の窒化物半導体４の接合部分での結晶の歪み
を緩和して、転位の発生を防止でき、結晶性の良好な、
面状態の良好な窒化物半導体を成長させることができ好
ましい。接合部分での歪みの緩和は、凹部底部に形成さ
れている空隙が関与していると思われる。つまり、凹部
内部の接合部分がわずかに下側に向かって成長する傾向
を示すが、空隙があるために歪みが緩和されるために結
晶性が良好となると思われる。更に削られている異種基
板１上に空隙が発生していると、転位の少ない凹部上部
の表面と、転位の多い凸部上部の表面との区別がつきや
すくなり、転位の少ない凹部上部表面にリッジ形状のス
トライプを形成し易くなり、製造工程での歩留まりの向
上の点で好ましい。

【００３０】凹凸の形状は、凹部側面の長さや、凸部上
部の幅と凹部底部の幅などは、特に限定されないが、少
なくとも凹部内での縦方向の成長が抑制され、凹部開口
部から厚膜に成長する第１の窒化物半導体４が凹部側面
から横方向に成長したものとなるように調整されている
ことが好ましい。凹凸の形状をストライプ状とする場
合、ストライプの形状として特に限定されないが、例え
ばストライプ幅（凸部上部の幅）を１〜２０μｍ、好ま
しくは１〜１０μｍであり、ストライプ間隔（凹部底部
の幅）を１０〜４０μｍ、好ましくは１５〜３５μｍで
あるものを形成することができる。このようなストライ
プ形状を有していると、転位の低減と面状態を良好にす
る点で好ましい。更に、凹部の幅が、上記範囲である
と、転位の少ない凹部上部にリッジ形状のストライプを
形成する際に、凹部の中心部分を避けて、且つ転位の少
ない部分に位置するように形成するのに好ましい。凹部
開口部から成長する第１の窒化物半導体４の部分を多く
するには、凹部底部の幅を広くし、凸部上部の幅を狭く
することで可能となり、このようにすると転位の低減さ
れた部分を多くすることができる。凹部底部の幅を広く
した場合には、凹部の深さを深めにすることが、凹部底
部から成長する可能性のある縦方向の成長を防止するの
に好ましい。

【００３１】第２の工程で凹凸を設ける方法としては、
第１の窒化物半導体４を一部分取り除くことができる方
法であればいずれの方法でもよく、例えば好ましくはエ
ッチングが挙げられる。また、結晶性を損なわなければ
ダイシングでもよい。エッチングにより、下地層３に部
分的（選択的）に凹凸を形成する場合は、フォトリソグ
ラフィー技術における種々の形状のマスクパターンを用
いて、ストライプ状、碁盤目状等のフォトマスクを作製
し、レジストパターンを下地層３に形成してエッチング
することにより形成できる。フォトマスクは、エッチン
グして凹凸を形成後に除去される。また、ダイシングで
行う場合は、例えば、ストライプ状や碁盤目状に形成で
きる。

【００３２】第２の工程において下地層３をエッチング
する方法には、ウエットエッチング、ドライエッチング
等の方法があり、平滑な面を形成するには、好ましくは
ドライエッチングを用いる。ドライエッチングには、例
えば反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）、反応性イオン
ビームエッチング（ＲＩＢＥ）、電子サイクロトロンエ
ッチング（ＥＣＲ）、イオンビームエッチング等の装置
があり、いずれもエッチングガスを適宜選択することに
より、窒化物半導体をエッチングしてできる。例えば、
本出願人が先に出願した特開平８−１７８０３号公報記
載の窒化物半導体の具体的なエッチング手段を用いるこ
とができる。また、エッチングによって凹凸を形成する
場合、エッチング面（凹部側面）が、図３（ａ−１）に
示すように、異種基板に対して端面がほぼ垂直となる形
状、又は順メサ形状や逆メサ形状でもよく、あるいは階
段状になるように形成された形状等がある。好ましくは
転位の低減や面状態の良好性などの点から、垂直、逆メ
サ、順メサであり、より好ましくは垂直である。

【００３３】また、第２の工程において、凹凸の形状を
ストライプ状とする場合に、ストライプを、図５に示す
ように、オリフラ面を例えばサファイアのＡ面とし、こ
のオリフラ面の垂直軸に対して左右どちらかに、θ＝
０．１°〜０．７°、好ましくはθ＝０．１°〜０．５
°ずらして形成すると、成長面がより平坦な良好な結晶
が得られ好ましい。ちなみに、図５のθが０°の場合
は、表面が平坦にならない場合があり、このような状態
の成長面に素子構造を形成すると、素子特性の低下が生
じ易くなる傾向が見られる。表面が平坦であると歩留ま
りの向上の点でも好ましい。

【００３４】以下に第２の工程で形成される凹凸の凸部
上面が、保護膜で覆われている下地層３である場合［図
３の（ｂ−１）〜（ｂ−３）］について記載する。凸部
上面が保護膜１５で覆われている下地層３である場合、
第１の工程で成長される高温成長の窒化物半導体１３の
膜厚は特に限定しないが、下地層３に凹凸を形成する際
に、凹部底部に対し凹部側面に露出している下地層３へ
第１の窒化物半導体４の成長が選択的に優先されるよう
に、第１の窒化物半導体４の成長速度をコントロール可
能な形状に凹凸を形成できる程度の膜厚、具体的には１
００オングストローム以上、好ましくは１〜１０μｍ程
度、好ましくは１〜５μｍの膜厚で形成することが望ま
しい。次に、凸部上面が保護膜１５で覆われている下地
層３である場合の第２の工程を説明する。

【００３５】［第２の工程：凸部上面に保護膜を有する
場合］次に、第２の工程は、図３（ｂ−１）に示される
ように、異種基板１上に成長させた下地層３（バッファ
層１２、高温成長の窒化物半導体１３）を部分的に異種
基板１までエッチングして凹凸を形成し、凹部側面に下
地層３を構成する窒化物半導体を露出させ、凸部上面に
保護膜１５を形成する工程である。

【００３６】下地層３に凹凸を形成することにより、成
長可能な面として、第１の窒化物半導体層２の端面と凹
部の底面とを露出させている。凸部上面には、窒化物半
導体が成長しにくい又は成長しない材料からなる保護膜
１５が形成されている。更に凹凸の形状は、凹部側面の
下地層３の端面への窒化物半導体の成長が、凹部底面の
異種基板１面への成長に対して優先されるように調整し
て形成されている。

【００３７】この場合の凹凸の形状は、特に限定されな
いが、上記のように特定の面に優先して窒化物半導体が
成長するように調整して形成されていればよく、好まし
い凹凸の形状としては、凹部の側面に露出している下地
層３の端面の長さ［図３（ｂ−１）のｄ］と、凹部の開
口部の幅［図３（ｂ−１）のｗ］を調整して形成されて
いる。更に好ましくは、凹凸の形状が、露出された下地
層３の端面の長さ（ｄ）と凹部の開口部の幅（ｗ）との
関係、ｗ／ｄが、０＜ｗ／ｄ≦５、好ましくは０＜ｗ／
ｄ≦３、より好ましくは０＜ｗ／ｄ≦１を示すように調
整して形成されていると、成長速度を良好にコントロー
ルでき下地層３の端面からの成長を促進できる。このよ
うに、下地層３の端面からの成長を優先させることによ
り、凹部の底面での窒化物半導体の成長を中断し易くな
る。凹部の底面は、少なくとも異種基板１が露出してい
ればよいが、好ましくは異種基板１が、前記凸部上部が
下地層３である場合［図３（ａ−１）の場合］と同様の
深さでエッチングされていることが、転位の低減と共
に、異種基板１を除去する点で好ましい。

【００３８】上記のように、凹部底部に異種基板１が露
出、好ましくは異種基板１が特定の深さでエッチングさ
れていると、第３の工程で成長させる第１の窒化物半導
体４の成長が、凹部底部の異種基板１よりも、凹部側面
に露出している下地層３に優先して行われ、凹部底部で
は第１の窒化物半導体４と異種基板１との間に空隙が形
成され、この空隙に第４の工程で電磁波により窒化物半
導体が分解することにより発生するＮ₂ガスが集まり、
ガス圧により生じる異種基板１の割れ及びこの割れによ
り起こる下地層のえぐれ傷を防止することができる。さ
らに異種基板１が上記の範囲の深さでエッチングされて
いると、ガスが良好に空隙内に広がり異種基板１の割れ
をより良好に防止することができ好ましい。またさら
に、異種基板１が、上記の範囲の深さでエッチングされ
ていると、凹部底部からの縦方向の成長をより一層良好
に防止でき、転位の低減の点で好ましい。

【００３９】第２の工程において、凸部上面が保護膜１
５で覆われているとは、下地層３を部分的にエッチング
して、下地層３の表面に現れる凹凸の形状にあわせて凸
部の上面に、例えば図３（ｂ−１）のように、保護膜１
５を下地層３の凸部上面に形成することである。凸部上
面の保護膜１５の形成面の形状は、特に限定されずいず
れの形状でも良く、例えば、前記ｗ／ｄの関係に加えて
更に、凹凸を形成された下地層３を上から見た形状が、
ランダムな窪み、ストライプ状、碁盤面状、ドット状に
形成することができる。好ましくはストライプ形状であ
り、このような形状であると、転位の低減と共に、第１
の窒化物半導体の面状態が良好となり好ましく、さらに
凹部底部の空隙の形成と異種基板１を除去する点で好ま
しい。

【００４０】凹凸をストライプ状の形状とする場合、ス
トライプの形状として、例えば具体的には、ストライプ
幅を１０〜２０μｍ、ストライプ間隔（凹部の開口部）
を２〜５μｍのものを形成することができる。上記範囲
であると、転位の低減及び空隙の形成の点で好ましい。

【００４１】第２の工程で凹凸を形成する方法として
は、下地層３を部分的に取り除くことができる方法であ
ればいずれの方法でもよいが、エッチングが好ましい。
また、結晶性を損なわない範囲であれば、ダイシングを
用いてもよい。エッチングにより、下地層３に部分的
（選択的）に凹凸を形成する場合は、フォトリソグラフ
ィー技術における種々の形状のマスクパターンを用い
て、ストライプ状、碁盤目状等のフォトマスクを作製
し、レジストパターンを下地層３に形成してエッチング
することにより形成できる。また、ダイシングで行う場
合は、例えば、ストライプ状や碁盤目状に形成できる。

【００４２】第２の工程において窒化物半導体をエッチ
ングする方法には、凸部上面が下地層３［図３（ａ−１
〜ａ−３）］の場合と同様の方法を用いることができ
る。また、エッチングによって凹凸を形成する場合、エ
ッチング面が、図３（ｂ−１）に示すように異種基板１
に対して下地層３の端面がほぼ垂直となる形状、又は順
メサ形状や逆メサ形状でもよく、下地層３の側面に第１
の窒化物半導体４が成長可能な形状であれば特に限定さ
れない。本発明において、図３（ｂ−１）〜（ｂ−３）
の場合、凹凸のエッチング面が順メサ形状や逆メサ形状
である場合、凹部側面の下地層３の端面の長さは、下地
層３の表面（凸部上面）から凹部の底面までの高さを前
記下地層３の端面の長さ（ｄ）とする。

【００４３】第２の工程で用いられる保護膜１５として
は、保護膜１５の表面に窒化物半導体が成長しないか、
若しくは成長しにくい性質を有する材料が挙げられる。
保護膜１５として、例えば酸化ケイ素（ＳｉＯ_X）、酸
化チタン（ＴｉＯ_X）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ_X）、
酸化アルミニウム（Ａｌ₂Ｏ₃）等の酸化物、窒化ケイ素
（Ｓｉ_XＮ_Y）等の窒化物、またこれらの多層膜の他、Ｎ
ｉ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｗ等の１２００℃以上の融点を有する
金属等をあげることができる。これらの保護膜材料は、
窒化物半導体の成長温度６００℃〜１１００℃の温度に
も耐え、その表面に窒化物半導体が成長しないか、成長
しにくい性質を有している。保護膜材料を窒化物半導体
表面に形成するには、例えば蒸着、スパッタ、ＣＶＤ等
の気相製膜技術を用いることができる。

【００４４】また、第２の工程において、保護膜１５
は、凹凸を下地層３に形成する方法が、エッチングであ
る場合と、ダイシングである場合とで、形成のされ方が
多少異なる。まずエッチングで凹凸を形成する場合、下
地層３上に保護膜１５を形成後、その上にレジスト膜を
形成しパターンを転写し露光、現像して部分的に保護膜
１５を形成した後、下地層３をエッチングすることで凹
凸の形成を行う。次に、ダイシングで段差を形成する場
合、下地層３の表面上に保護膜１５を形成し、この上か
ら所望の形状にダイシング・ソーで下地層３に凹凸を形
成すると、凸部の上面部分のみに保護膜１５が残る。

【００４５】保護膜１５の膜厚は、特に限定せず、第３
の工程で凹部の下地層３の端面から優先して成長を始め
る第１の窒化物半導体４が、保護膜１５上をあたかも成
長したかのように第１の窒化物半導体４が横方向に成長
し易いように調整されていることが好ましい。例えば、
保護膜１５は薄く形成された方が、保護膜１５上で隣接
して成長してきた第１の窒化物半導体４同士が接合し易
くなると考えられる。凸部上面に保護膜１５を形成する
場合、凹部底面での第１の窒化物半導体４の縦方向の成
長を防止する一実施の形態として、凹部底部に異種基板
１を少なくとも露出させることと、第１の窒化物半導体
層の露出された端面の長さと凹部の開口部の幅を調整す
ることを挙げたが、これに限定されない。

【００４６】次に、凸部上面が下地層３の場合及び保護
膜１５で覆われている下地層３の場合の第３の工程につ
いて説明する。［第３の工程：凸部上面が下地層３の場合及び保護膜の
場合］第３の工程は、図３（ａ−３，ａ−４）（ｂ−
３，ｂ−４）に示されるように、前記凹凸を形成された
下地層３上に、第１の窒化物半導体４を成長させる工程
である。第１の窒化物半導体４としては、特に限定され
ないが、例えば具体的に好ましくは、アンドープ（不純
物をドープしない状態、undope）のＧａＮ、又は、Ｓ
ｉ、Ｇｅ、及びＳ等のいずれか１種以上のｎ型不純物を
ドープしたＧａＮを用いることができる。第１の窒化物
半導体４は、下地層３を構成する高温成長の窒化物半導
体１３と同様に高温、例えば具体的には約９００℃より
高温〜１１００℃、好ましくは１０５０℃で凹凸を有す
る下地層３上に成長される。このような温度で成長させ
ると、第１の窒化物半導体４は単結晶となる。第１の窒
化物半導体４の膜厚としては、特に限定されないが、１
００μｍ以上、好ましくは２００μｍ以上、より好まし
くは３００μｍ以上、さらに好ましくは５００μｍ以上
であると、電磁波を照射する際や、素子構造を形成する
際に、窒化物半導体基板の割れや欠け等を防止し、ハン
ドリング性等の点で好ましい。第１の窒化物半導体４の
膜厚の上限は特に限定されないが、装置や形成時間など
を考慮して適宜調整され、例えば、１ｍｍ以下である。

【００４７】さらに、本発明において、第３の工程にお
ける第１の窒化物半導体４が、図４（ａ−４）、（ｂ−
４）に示すように、前記凹凸を有する下地層３上に、成
長速度を０．５μｍ／時間以上１０μｍ／時間以下で第
２の窒化物半導体１７を成長させる第３−１の工程と、
この工程後に、成長速度を１０μｍ／時間以上５００μ
ｍ／時間以下で、第３の窒化物半導体１８を成長させる
第３−２の工程とにより形成されてなることが好まし
い。つまり、第３−１の工程で成長速度が遅い成長方
法、例えばＭＯＣＶＤ、で良好に転位を低減でき、第３
−２の工程で成長速度の速い成長方法、例えばＨＶＰ
Ｅ、で厚膜の窒化物半導体を成長させる際に異常成長等
の発生が少なく好ましい。成長速度の遅い方法により厚
膜の窒化物半導体を成長させると、長時間の反応となり
異常成長などが発生し易くなるが、成長速度の速い成長
方法により成長させると異常成長を防止でき好ましい。
また、成長速度の速い方法により薄い膜の窒化物半導体
を成長させる場合には膜厚が調整しにくいが、成長速度
の遅い成長方法により窒化物半導体を成長させると、凹
部側面での窒化物半導体の横方向の成長が良好に行わ
れ、転位が低減された良好な第１の窒化物半導体（第３
−１の工程では第２の窒化物半導体）を得ることができ
好ましい。

【００４８】以下に第３−１の工程及び第３−２の工程
を順に説明する。まず、第３−１の工程は、図４（ａ−
４）に示すように、凹凸を有する下地層３上に、成長速
度を０．５μｍ／時間以上１０μｍ／時間以下で、窒化
物半導体の横方向の成長を利用し転位の低減される方法
により第２の窒化物半導体１７を成長させる工程であ
る。上記第２の窒化物半導体１７を成長させる成長速度
は、上記のように１０μｍ／時間以下０．５μｍ／時間
以上、好ましくは７μｍ／時間以下１μｍ／時間以上、
より好ましくは５μｍ／時間以下１．５μｍ／時間以上
である。成長速度が上記範囲であると、ＥＬＯＧ成長の
際に、転位の伝播を良好に抑制でき、また第２の窒化物
半導体１７の膜厚を調整するのに好ましい。このような
成長速度を有する具体的な成長方法として、特に限定さ
れないが、例えばＭＯＣＶＤが挙げられる。

【００４９】第２の窒化物半導体１７としては、特に限
定されないが、ＧａＮよりなる窒化物半導体が好まし
い。また、第３の窒化物半導体２２は、アンドープで
も、不純物をドープされてもよい。第３の窒化物半導体
２２が、アンドープであると結晶性の点で好ましい。ま
た、第２の工程でのＥＬＯＧ成長の際に、前記第１の工
程のＥＬＯＧ成長の場合と同様に、ｐ型不純物及び／ま
たはｎ型不純物をドープすると、窒化物半導体の横方向
の成長が促進され、転位の低減及び隣接の窒化物半導体
同士の接合部分での空隙発生の防止の点で好ましい。第
２の窒化物半導体１７の膜厚は、特に限定されず、少な
くとも凹凸を覆うことのできる膜厚以上であり、例えば
具体的な膜厚としては、好ましくは１〜５０μｍ、より
好ましくは２〜４０μｍ、さらに好ましくは７〜２０μ
ｍである。上記範囲の膜厚であると、凹凸を良好に覆う
ことができ、転位の伝播の抑制の点で好ましい。

【００５０】次に、図４（ａ−４）に示すように、第３
−２の工程では、上記第３−１の工程により形成された
第２の窒化物半導体１７上に、成長速度を５００μｍ／
時間以下１０μｍ／時間以上で、第３の窒化物半導体１
８を成長させる。第３−２の工程で、第３の窒化物半導
体１８を成長させる成長速度は、上記のように５００μ
ｍ／時間以下１０μｍ／時間以上、好ましくは１００μ
ｍ／時間以下５０μｍ／時間以上である。第３の窒化物
半導体１８を成長させる速度が、上記範囲であると、第
３の窒化物半導体１８を上記の膜厚に成長させる際に、
異常成長が防止でき、更に第３の窒化物半導体１８の成
長面がきれいとなり好ましい。成長速度が上記範囲とな
る具体的な方法としては、特に限定されないが、例えば
ＨＶＰＥ等が挙げられる。

【００５１】第３−２の工程で成長される第３の窒化物
半導体１８としては、特に限定されないが、ＧａＮから
なる窒化物半導体が結晶性の点などから好ましい。ま
た、第３の窒化物半導体１８は、アンドープでも不純物
をドープされてもよいが、アンドープであると結晶性の
点で好ましい。

【００５２】第３の窒化物半導体１８の膜厚は、前記第
２の窒化物半導体１７の膜厚より厚く成長される。第３
の窒化物半導体１８の膜厚としては、特に限定されない
が、第４の工程で電磁波を照射する際、電磁波を照射後
に異種基板１を除去する際、又はデバイス構造を形成す
る際等の物理的強度に耐えられ、欠けや割れ等の生じに
くい膜厚以上で、装置の大きさや操作がし易い範囲の膜
厚が望ましい。例えば、第３の窒化物半導体１８の具体
的な膜厚としては、好ましくは５０μｍ〜１０００μ
ｍ、より好ましくは８０μｍ〜５００μｍである。この
ような範囲の膜厚であると、欠けや割れ等の発生が防止
でき好ましい。

【００５３】また、第３−１の工程において、第２の窒
化物半導体１７を成長させる際に、不純物（例えばＳ
ｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｂｅ、Ｚｎ、Ｍｎ、Ｃｒ、及びＭｇ
等）をドープして成長させる、または窒化物半導体の原
料となるＩＩＩ族とＶ族の成分のモル比（ＩＩＩ／Ｖの
モル比）を調整して成長させる等により、横方向の成長
を縦方向の成長に比べて促進させ転位を低減させる点で
好ましく、さらに第２の窒化物半導体１７の表面の面状
態を良好にする点で好ましい。

【００５４】また、第２の窒化物半導体１７を成長させ
る際の圧力を、常圧以上の加圧条件で成長させてもよ
い。第２の窒化物半導体１７を常圧以上の反応条件で成
長させると、第２の窒化物半導体１７の表面の面状態を
良好にするのに好ましい。ここで、常圧以上の加圧条件
とは、常圧（意図的に圧力を加えない状態の圧力）か
ら、装置などを調整し意図的に圧力を加えて加圧条件に
した状態で反応を行うことである。具体的な圧力として
は、常圧以上の圧力であれば特に限定されないが、好ま
しくは常圧（ほぼ１気圧）〜２．５気圧であり、好まし
い圧力としては、常圧〜１．５気圧である。このような
圧力の条件下で第２の窒化物半導体１７を成長させる
と、第２の窒化物半導体１７の表面の面状態を良好にす
る点で好ましい。

【００５５】第３の工程において、凸部上面が下地層３
である場合、凹部内部では凹部の側面から横方向に成長
するものと、凹部底部から縦方向に成長するものとがあ
ると思われるが、成長し続ける過程で、凹部側面から成
長した第１の窒化物半導体４同士が接合し、凹部底部か
らの成長を抑制する。また、凹部底部に異種基板１が露
出しているため、第１の窒化物半導体４（第２の窒化物
半導体１７を含む）の成長は、選択的に凹部側面に横方
向の成長をはじめ凹部側面から成長した第１の窒化物半
導体４同士が接合する。その結果、凹部開口部から成長
した第１の窒化物半導体４には転位がほとんど見られな
い。凹部底部からの縦方向の成長は、凹部側面からの横
方向の成長に比べ、成長速度が遅い又は成長しないと思
われる。このように、凹部底部の表面が、サファイアな
どの異種基板１、好ましくは異種基板１が上記のような
深さで削られていると、凹部底部からの第１の窒化物半
導体４の成長が抑制され、凹部側面からの第１の窒化物
半導体４の成長が良好となり、転位の低減の点で好まし
い。また、凸部上面が下地層３である場合の凸部上面か
ら成長した第１の窒化物半導体４の部分には、凹部開口
部から成長するものに比べてやや多めの転位が見られ
る。しかし、凸部上部に縦方向に成長を始める窒化物半
導体も、縦方向に成長する速度よりも、凹部開口部に向
かって横方向に成長する傾向があり、凹凸を形成しない
で縦方向に成長させた場合に比べれば転位が低減する。
また、第１の窒化物半導体４上に、際度、第２及び第３
の工程を繰り返すことで、凸部上部の転位をなくすこと
ができる。また、凸部上部と凹部内部から成長した第１
の窒化物半導体４は、成長の過程で接合する。

【００５６】更に、第３の工程において、第１の窒化物
半導体４を成長させる際に、圧力を常圧以上の加圧条件
に調整することにより、第１の窒化物半導体４の表面が
異常成長の少ない平坦な良好な面状態となる。

【００５７】また、上記したように第２及び第３の工程
を繰り返す場合、下地層３に形成した凹部上部に第１の
窒化物半導体４に形成される凸部が、下地層３に形成し
た凸部上部に第１の窒化物半導体４に形成される凹部
が、それぞれ位置するように第１の窒化物半導体４に部
分的に凹凸を形成する。そして凹凸を形成された第１の
窒化物半導体４上に新たな窒化物半導体を成長させる。
新たな窒化物半導体は、全体的に転位の少ない窒化物半
導体となり好ましい。新たな窒化物半導体としては第１
の窒化物半導体４と同様のものを成長させる。また、第
２及び第３の工程を繰り返す場合、第１の窒化物半導体
４の膜厚を、繰り返さない場合に比べて、薄く成長さ
せ、第１の窒化物半導体４に形成される凹部底面がサフ
ァイアなどの異種基板１面となるように第１の窒化物半
導体４をエッチングすると、転位のより少ない面状態の
良好な新たな窒化物半導体が得られ好ましい。

【００５８】一方、第３の工程において、凸部上面が保
護膜で覆われている下地層３である場合には、凹部内部
の成長は、上記とほぼ同様であるが、凸部上面に成長す
る第１の窒化物半導体４はやや異なる。つまり、凸部上
面には保護膜１５が形成されているために、凸部上面に
は直接第１の窒化物半導体４は成長せず、凹部内部から
成長してきた第１の窒化物半導体４が保護膜１５上に向
かって横方向の成長により成長し、保護膜１５を覆う。
このように直接第１の窒化物半導体４は成長しないが、
凹部内部から成長してきた第１の窒化物半導体４が横方
向の成長をすることであたかも、保護膜１５上に成長し
たかのようになる。そして、凹部内部から成長する第１
の窒化物半導体４及び凸部上面に成長する第１の窒化物
半導体４ともに転位の低減された、さらに保護膜１５上
にはほとんど転位の見られない窒化物半導体となる。ま
た、保護膜１５を用いる場合も、転位のさらなる低減の
ために、第１の窒化物半導体４上に第２の工程及び第３
の工程を繰り返し行ってもよい。

【００５９】また、以下に異種基板１のその他の好まし
い一実施の形態について記載する。異種基板１として
は、異種基板となる材料の主面をオフアングルさせた基
板、さらにステップ状にオフアングルさせた基板を用い
たほうが好ましい（図６参照）。オフアングルさせた基
板を用いると、表面に３次元成長が見られず、ステップ
成長があらわれ表面が平坦になり易い。更にステップ状
にオフアングルされているサファイア基板のステップに
沿う方向（段差方向）が、サファイアのＡ面に対して垂
直に形成されていると、窒化物半導体のステップ面がレ
ーザの共振器方向と一致し、レーザ光が表面粗さにより
乱反射されることが少なくなり好ましい。

【００６０】更に好ましい異種基板１としては、（００
０１）面[Ｃ面]を主面とするサファイア、（１１２−
０）面[Ａ面]を主面とするサファイア、又は（１１１）
面を主面とするスピネルである。ここで異種基板１が、
（０００１）面[Ｃ面]を主面とするサファイアであると
き、前記下地層３に形成される凹凸のストライプ形状
が、そのサファイアの（１１２−０）面[Ａ面]に対して
垂直な軸から左右いずれかに０．１°〜０．７°ずらし
てストライプ形状を有していること［窒化物半導体の例
えば＜１−１００＞[Ｍ軸方向]から図５に示すように垂
直軸の左右のいずれかにθ＝０．１°〜０．７°ずらし
てストライプを形成すること］が好ましく、また、オフ
アングルのオフ角θ（図６に示すθ）は好ましくは０．
１°〜０．５°、より好ましくは０．１°〜０．２°で
ある。

【００６１】また（１１２−０）面[Ａ面]を主面とする
サファイアであるとき、前記凹凸のストライプ形状はそ
のサファイアの（１１−０２）面[Ｒ面]に対して垂直な
軸から上記Ａ面の場合と同様にずらしてストライプ形状
を有していることが好ましく、また（１１１）面を主面
とするスピネルであるとき、前記凹凸のストライプ形状
はそのスピネルの（１１０）面に対して上記サファイア
の場合と同様にストライプ形状を有していることが好ま
しい。ここでは、凹凸がストライプ形状の場合について
記載したが、本発明においてサファイアのＡ面及びＲ
面、スピネルの（１１０）面に窒化物半導体が横方向に
成長し易いので、これらの面に第１の窒化物半導体４等
の端面が形成されるように凹凸の形成を考慮することが
好ましい。また、上記のように各面に対する垂直軸から
わずかにずらしてストライプを形成すると表面モフォロ
ジーの点で好ましい。

【００６２】本発明において用いられる異種基板１につ
いて図を用いて更に詳細に説明する。図７はサファイア
の結晶構造を示すユニットセル図である。まず、Ｃ面を
主面とするサファイアを用い、凹凸はサファイアＡ面を
基準にしてストライプ形状とする場合について説明す
る。例えば、図５は主面側のサファイア基板の平面図で
ある。この図はサファイアＣ面を主面とし、オリエンテ
ーションフラット（オリフラ）面をＡ面としている。こ
の図５に示すように凹凸のストライプをＡ面に対して垂
直な軸の左右いずれかにθ＝０．１°〜０．７°ずらし
た方向で、互いに平行なストライプを形成する。図５に
示すように、サファイアＣ面上に窒化物半導体を選択成
長させた場合、窒化物半導体は面内ではＡ面に対して平
行な方向で成長しやすく、垂直な方向では成長しにくい
傾向にある。従ってＡ面に対して上記のようにややずら
した方向でストライプを設けると、ストライプとストラ
イプの間の窒化物半導体がつながって成長しやすくな
り、ＥＬＯＧ成長が容易に可能となると考えられるが詳
細は定かではない。更に表面モフォロジーが良好とな
る。

【００６３】次に、Ａ面を主面とするサファイア基板を
用いた場合、上記Ｃ面を主面とする場合と同様に、例え
ばオリフラ面をＲ面とすると、前記Ａ面の場合と同様に
Ｒ面に対して垂直な軸からわずかにずらした方向に、互
いに平行なストライプを形成することにより、ストライ
プ幅方向に対して窒化物半導体が成長しやすい傾向にあ
るため、転位の少ない窒化物半導体層を成長させること
ができ、さらに良好な表面モフォロジーを得ることがで
きる。

【００６４】また次に、スピネル（ＭｇＡｌ₂Ｏ₄）に対
しても、窒化物半導体の成長は異方性があり、窒化物半
導体の成長面を（１１１）面とし、オリフラ面を（１１
０）面とすると、窒化物半導体は（１１０）面に対して
平行方向に成長しやすい傾向がある。従って、（１１
０）面に対してほぼ垂直方向、好ましくは上記サファイ
アの場合と同様にわずかにずらした方向にストライプを
形成すると窒化物半導体層と隣接する窒化物半導体同士
が保護膜の上部でつながって、転位の少ない結晶を成長
できる。なおスピネルは四方晶であるため特に図示して
いない。

【００６５】また、以下に、オフアングルされたサファ
イア基板のステップに沿う方向が、サファイア基板のＡ
面に対して垂直に形成されてなる場合について図６を用
いて説明する。ステップ状にオフアングルしたサファイ
アなどの異種基板１は、図６に示すようにほぼ水平なテ
ラス部分Ａと、段差部分Ｂとを有している。テラス部分
Ａの表面凹凸は少なく、ほぼ規則正しく形成されてい
る。このようなオフ角θを有するステップ状部分は、基
板全体にわたって連続して形成されていることが望まし
いが、特に部分的に形成されていてもよい。なおオフ角
θとは、図６に示すように、複数の段差の底部を結んだ
直線と、最上層のステップの水平面との角度を示すもの
とする。また異種基板は、オフ角が０．１°〜０．５
°、好ましくは０．１°〜０．２°である。オフ角を上
記範囲とすると、第１の窒化物半導体２表面は細かな筋
状のモフォロジーとなり、エピタキシャル成長表面（第
２の窒化物半導体３表面）は波状のモフォロジーとな
り、この基板を用いて得られる窒化物半導体素子は平滑
で、特性も長寿命、高効率、高出力、歩留まりの向上し
たものが得られる。

【００６６】次に、電磁波を照射して異種基板１を除去
する第４の工程について説明する。［第４の工程］第４の工程は、図１に示すように、異種
基板１の第１の面上に下地層３及び第１の窒化物半導体
４を成長させた後、異種基板１の第２の面から電磁波を
照射し、異種基板１と接触している面の下地層３を分解
し、異種基板１と下地層３とが接している共有面で分離
して、異種基板１を除去する工程である。電磁波として
は、特に限定されないが、少なくとも下地層３を構成す
る窒化物半導体が吸収でき、さらに吸収により窒化物半
導体が分解することで異種基板１を除去できるような電
磁波が挙げられる。窒化物半導体が吸収できる電磁波と
しては、下地層３を構成する窒化物半導体のバンドギャ
ップエネルギーより大きい値を示す電磁波であり、例え
ばレーザ等を挙げることができる。具体的なレーザとし
ては、下地層３が吸収できる発振波長のレーザであれば
よく、例えば、発振波長が約３７０ｎｍ以下のレーザ光
を発振できる各種レーザが好ましい。このような発振波
長が３７０ｎｍ以下となるレーザとしては、特に限定さ
れないが、例えばエキシマレーザ［ＡｒＦ（１９３ｎ
ｍ）、ＫｒＦ（２４８．５ｎｍ）、ＸｅＣｌ（３０８ｎ
ｍ）など］等が挙げられる。

【００６７】電磁波の照射時間としては、特に限定され
ず、異種基板１の第２の面から電磁波を照射し、下地層
３が分解して異種基板１を除去できる程度に照射すれば
よく、電磁波の種類により適宜調整して行われる。例え
ば具体例としては、ＫｒＦエキシマレーザを用い、レー
ザ光を１ｍｍ×５０ｍｍの線状にして、異種基板１の第
２の面全面をスキャンさせ、レーザ光を照射させる。

【００６８】また、異種基板１の第２の面に電磁波を照
射する際、異種基板１の第１の面上に下地層３を介して
形成された第１の窒化物半導体４の面を、支持体に固定
して異種基板１の第２の面から電磁波を照射してもよ
い。このようにウエハを固定して電磁波を照射すると、
ウエハの割れを防止する点で好ましい。また、支持体に
第１の窒化物半導体４の面を固定する場合、ワックス
類、金属材料、接着剤などを用いてもよい。

【００６９】また、第１の窒化物半導体４の面を支持体
に金属等で固定する前に、金属などの形成などにより第
１の窒化物半導体４の結晶性が損なわれないように、保
護膜を形成してもよい。保護膜としては特に限定されな
いがＳｉＯ₂、ＳｉＮ等を用いることができる。支持体
としては、特に限定されないが、高温に耐えられ、硬く
割れにくい物理的強度のある材料が挙げられ、例えば具
体的には、サファイア等を用いることができる。

【００７０】異種基板１上に下地層３等の窒化物半導体
を成長させると、格子定数が異なるために反りが生じる
が、レーザ光などの電磁波を照射する際には、異種基板
１の第２の面が平らになるようにすることが、電磁波を
良好に照射でき異種基板１の除去が良好となり好まし
い。

【００７１】異種基板１の第２の面に電磁波を照射する
と、異種基板１と下地層３の接触面の窒化物半導体が分
解し、異種基板１の除去が可能となる。また、ウエハを
支持体に固定して電磁波を照射し異種基板１を除去する
場合、異種基板１を除去後に、固定するために用いてい
た金属材料、ワックス類、又は接着剤等を、各材料に適
した方法により除去する。この固定するために用いた材
料を除去する方法としては、特に限定されないが、窒化
物半導体の結晶性等へ悪影響を及ぼさないような方法が
好ましい。

【００７２】本発明の窒化物半導体基板の作製方法によ
り得られる窒化物半導体基板上に形成される窒化物半導
体素子を構成するデバイス構造としては、特に限定され
ないず、いずれのデバイス構造を成長させてもよい。本
発明の方法で得られる窒化物半導体基板は、転位が低減
されていると共に、異種基板１の割れを防止でき、窒化
物半導体にえぐれ傷が形成されていないので、本発明の
窒化物半導体基板上にデバイス構造を形成してなる素子
は、素子特性が良好とな。例えば窒化物半導体素子を構
成する窒化物半導体としては、特に限定されず、少なく
ともｎ型窒化物半導体、活性層、及びｐ型の窒化物半導
体が積層されていればよい。例えば、ｎ型窒化物半導体
層として、超格子構造を有するｎ型窒化物半導体層を有
し、この超格子構造のｎ型層にｎ電極を形成することの
できるｎ型窒化物半導体が形成されているもの等が挙げ
られる。活性層としては、例えばＩｎＧａＮを含んでな
る多重量子井戸構造の活性層が挙げられる。また、窒化
物半導体素子構造を形成するその他の構成は、例えば電
極、素子の形状等、いずれのものを適用させてもよい。
窒化物半導体素子の一実施の形態を実施例に参考例とし
て示したが、これに限定されない。

【００７３】本発明において、窒化物半導体を成長させ
る方法は、特に限定されないがＭＯＶＰＥ（有機金属気
相成長法）、ＨＶＰＥ（ハライド気相成長法）、ＭＢＥ
（分子線エピタキシー法）、ＭＯＣＶＤ（有機金属化学
気相成長法）等、窒化物半導体を成長させるのに知られ
ている全ての方法を適用できる。好ましい成長方法は、
ＭＯＣＶＤ法であり、結晶をきれいに成長させることが
できる。しかし、ＭＯＣＶＤ法は時間がかかるため、膜
厚が厚い場合には時間の短い方法で行うことが好まし
い。また使用目的によって種々の窒化物半導体の成長方
法を適宜選択し、窒化物半導体の成長を行うことが好ま
しい。

【００７４】

【実施例】以下に本発明の一実施の形態である実施例を
示す。しかし、本発明はこれに限定されない。

【００７５】［実施例１］実施例１における各工程を図
１〜図４を用いて示す。

【００７６】［第１の工程］異種基板１として、図６に
示すようにステップ状にオフアングルされたＣ面を主面
とし、オフアングル角θ＝０．１５°、ステップ段差お
よそ２０オングストローム、テラス幅Ｗおよそ８００オ
ングストロームであり、オリフラ面をＡ面とするサファ
イア基板１を用いる。

【００７７】＜下地層３＞上記サファイア基板１上に、
下記のバッファ層１２と高温成長の窒化物半導体１３と
を成長させ、下地層３を形成する（図２参照）。（バッファ層１２）このサファイア基板１をＭＯＣＶＤ
の反応容器内にセットし、温度を５１０℃にして、キャ
リアガスに水素、原料ガスにアンモニアとＴＭＧ（トリ
メチルガリウム）とを用い、サファイア基板１上にＧａ
Ｎよりなるバッファ層１２を２００オングストロームの
膜厚で成長させる。（高温成長の窒化物半導体１３）バッファ層成長後、Ｔ
ＭＧのみ止めて、温度を１０５０℃まで上昇させ、１０
５０℃になったら、原料ガスにＴＭＧ、アンモニアを用
い、アンドープＧａＮよりなる高温成長の窒化物半導体
１３を５μｍの膜厚で成長させる。

【００７８】［第２の工程］次に、バッファ層１２及び
高温成長の窒化物半導体１３からなる下地層３を成長
後、ストライプ状のフォトマスクを形成し、ＣＶＤ装置
によりストライプ幅（凸部の上部になる部）３μｍ、ス
トライプ間隔（凹部底部となる部分）１５μｍにパター
ニングされたＳｉＯ₂膜を形成し、続いて、ＲＩＥ装置
によりＳｉＯ₂膜の形成されていない部分の高温成長の
窒化物半導体１３をサファイア基板１を露出させ、さら
にサファイア基板１を、ほぼ２０００オングストローム
の深さまでエッチングして凹凸を形成することにより、
凹部側面に下地層３を構成する窒化物半導体の面を露出
させる。凹凸を形成した後、凸部上部のＳｉＯ₂を除去
することにより凹凸を形成する［図３（ａ−１）参
照］。なお、下地層３に形成される凹凸のストライプ方
向は、図５に示すように、オリフラ面に対して垂直な軸
から右側に０．３５°ずれた方向で形成する。

【００７９】［第３−１の工程］次に、下地層３に凹凸
を形成した後、ウエハをＭＯＣＶＤの反応容器に移し、
１０５０℃にて、原料ガスにＴＭＧ、アンモニア、Ｃｐ
₂Ｍｇ（シクロペンタジエニルマグネシウム）を用い、
アンドープのＧａＮよりなる第２の窒化物半導体１７を
１５μｍの膜厚で成長させる［図４（ａ−４）、及び図
３（ａ−２）参照］。但し、第２の窒化物半導体１７の
成長速度は、３μｍ／時間とした。また、第３−１の工
程により、凹部底部にはストライプ状に空隙が形成され
ている。また、凹部上方部に成長した第２の窒化物半導
体１７にはほとんど転位が見られない。

【００８０】［第３−２の工程］次に、第２の窒化物半
導体１７上に、アンドープのＧａＮからなる第３の窒化
物半導体１８をＨＶＰＥ装置により２００μｍの膜厚で
成長させる［図４（ａ−４）及び図３（ａ−３）参
照］。但し、第３の窒化物半導体１８の成長速度は、５
０μｍ／時間とした。

【００８１】［第４の工程］次に、図１に示すように、
サファイア基板１の第３の窒化物半導体１８が形成され
ていない面から、波長２４８ｎｍのＫｒＦエキシマレー
ザを用いて、出力６００Ｊ／ｃｍ²で、レーザ光を１ｍ
ｍ×５０ｍｍの線状にして、サファイア基板１の下地層
３等が形成されていない第２の面全面をスキャンして照
射する。レーザを照射することにより、サファイア基板
１と下地層３との界面を分解することでサファイア基板
１を除去することができ、下地層３、第２の窒化物半導
体１７、及び第３の窒化物半導体１８からなる窒化物半
導体基板を得ることができる。得られた窒化物半導体基
板は、レーザ照射する際にサファイア基板１の割れが防
止でき、下地層３のサファイア基板１を除去された面に
はえぐれ傷が生じてなく、良好にサファイア基板１を除
去することができたので、除去面の良好な、しかも転位
の低減されている良好な基板である。

【００８２】［実施例２］実施例１において、第２の工
程を下記のように変更する他は同様にして窒化物半導体
基板を作製する。

【００８３】［第２の工程］下地層３を成長後、下地層
３上にストライプ状のフォトマスクを形成し、ＣＶＤ装
置によりストライプ幅１５μｍ、ストライプ間隔（凹部
の開口部の幅）２μｍのＳｉＯ₂よりなる保護膜１５を
１μｍの膜厚で形成し、続いて、ＲＩＥ装置によりサフ
ァイア基板１までエッチング、さらにサファイア基板１
を、ほぼ２０００オングストロームの深さまでエッチン
グして凹凸を形成することにより下地層３を構成する窒
化物半導体面を露出させる［図３（ｂ−１）参照］。凸
部上面には保護膜１５が形成されている。なお、下地層
３に形成される凹凸のストライプ方向は、図５に示すよ
うに、オリフラ面に対して垂直な軸から右側に０．３５
°ずれた方向で形成する。

【００８４】上記のような第２の工程の後、実施例１と
同様に第３−１の工程、第３−２の工程、及び第４の工
程を行い、サファイア基板１を除去してなる窒化物半導
体を得る。ここで、第３−１の工程により第２の窒化物
半導体１７を成長させた後、保護膜１５で覆われている
凸部上方部に成長した第２の窒化物半導体１７及び凹部
上部に成長した第２の窒化物半導体１７にはほとんど転
位が見られない。また、凹部底部のサファイア基板１と
第２の窒化物半導体１７の間には空隙が形成されてい
る。以上のようにして得られた窒化物半導体基板は、レ
ーザ光を照射することで良好にサファイア基板１を除去
でき、実施例１と同様にえぐれ傷がなく良好であり、ま
た転位も良好に低減されている。

【００８５】

【発明の効果】本発明の窒化物半導体基板の作製方法
は、上記の如く、特定のＥＬＯＧ成長を用いることによ
って異種基板と異種基板上に成長する窒化物半導体との
間に、空隙を部分的に形成することができ、このような
状態で異種基板に電磁波を照射すると、異種基板と接し
ている窒化物半導体が分解して異種基板を分離して除去
することができる。さらに電磁波を照射することで窒化
物半導体が分解するが、この際に発生するＮ₂ガスがＥ
ＬＯＧ成長によって形成された空隙に広がり、ガス圧に
よる異種基板の割れを良好に防止することができると共
に、その割れにより起こっていた窒化物半導体のえぐれ
傷をも良好に防止することができる。その結果、えぐれ
傷のなく転位の低減された結晶性及び面状態の良好な窒
化物半導体基板を得ることができる。さらにまた、本発
明の窒化物半導体基板の作製方法は、従来の技術に比べ
て、簡略化され、さらに歩留まりの向上が可能となる。
さらにまた、本発明の作製方法では、大口径基板の作製
が可能になる。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１は、本発明の一実施の形態であるウエハに
電磁波を照射している模式的断面図である。

【図２】図２は、本発明に用いられるＥＬＯＧ成長の各
工程により得られるウエハの模式的断面図である。

【図３】図３は、本発明に用いられるＥＬＯＧ成長の各
工程により得られるウエハの模式的断面図である。

【図４】図４は、本発明に用いられるＥＬＯＧ成長の各
工程により得られるウエハの模式的断面図である。

【図５】図５は、下地層に形成される凹凸のストライプ
方向を説明するための基板主面側の平面図である。

【図６】図６は、本発明に用いられる異種基板の主面が
ステップ状にオフアングルされている場合の基板の一部
を拡大して示した模式的断面図である。

【図７】図７は、サファイアの面方位を示すユニットセ
ル図である。

【符号の説明】

１・・・異種基板３・・・下地層４・・・第１の窒化物半導体１２・・・バッファ層１３・・・高温成長の窒化物半導体１５・・・保護膜１７・・・第２の窒化物半導体１８・・・第３の窒化物半導体

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01L 21/268 H01L 21/02

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】第１の面と第２の面とを有し窒化物半導
体と異なる材料からなる異種基板の第１の面上に、窒化
物半導体からなる下地層を成長させる第１の工程と、前
記第１の工程後に、前記下地層を部分的に異種基板まで
エッチングして凹凸を形成し、該凹凸が下地層と異種基
板との接触面から１０００オングストローム以上の深さ
で削られており、凹部側面に窒化物半導体の横方向の成
長が可能な面を露出させる第２の工程と、前記第２の工
程後に、前記凹凸を有する下地層上に、第１の窒化物半
導体を成長させ、転位の低減された第１の窒化物半導体
を形成すると共に、凹部底部の異種基板と第１の窒化物
半導体との間に空隙を形成させる第３の工程と、前記第
３の工程後に、前記異種基板の第２の面に電磁波を照射
し、下地層と異種基板との界面で分離して異種基板を取
り除く第４の工程と、を有することを特徴とする窒化物
半導体基板の作製方法。
【請求項２】前記凹凸の形状が、ストライプ状、碁盤
目状、又はドット状であることを特徴とする請求項１に
記載の窒化物半導体基板の作製方法。
【請求項３】前記第２の工程で形成される凹凸が、エ
ッチングにより下地層と異種基板との接触面から１００
０オングストローム以上１．０μｍ以下の深さで削られ
ていることを特徴とする請求項１又は２に記載の窒化物
半導体基板の作製方法。
【請求項４】前記第２の工程で形成される凹凸が、ス
トライプ状であって、凸部上部の幅を１μｍ以上２０μ
ｍ以下とし、凹部底部の幅を１０μｍ以上４０μｍ以下
とすることを特徴とする請求項１に記載の窒化物半導体
基板の作製方法。
【請求項５】前記第３の工程で成長させる第１の窒化
物半導体の膜厚が、１００μｍ以上であることを特徴と
する請求項１に記載の窒化物半導体基板の作製方法。
【請求項６】前記第３の工程における第１の窒化物半
導体が、前記凹凸を有する下地層上に、成長速度を０．
５μｍ／時間以上１０μｍ／時間以下で第２の窒化物半
導体を成長させる第３−１の工程と、前記第３−１の工
程後に、成長速度を１０μｍ／時間以上５００μｍ／時
間以下で、第３の窒化物半導体を成長させる第３−２の
工程とにより形成されてなることを特徴とする請求項１
又は５に記載の窒化物半導体基板の作製方法。
【請求項７】前記異種基板は、サファイア又はスピネ
ルであることを特徴とする請求項１に記載の窒化物半導
体基板の作製方法。
【請求項８】前記第２の工程で形成された凹凸の凸部
上面が、窒化物半導体が成長しにくい又は成長しない材
料からなる保護膜で覆われている下地層、又は窒化物半
導体からなる下地層であることを特徴とする請求項１に
記載の窒化物半導体基板の作製方法。
【請求項９】前記電磁波が、波長３７０ｎｍ以下の電
磁波であることを特徴とする請求項１に記載の窒化物半
導体基板の作製方法。
【請求項１０】前記電磁波は、エキシマレーザを用い
ることを特徴とする請求項９に記載の窒化物半導体基板
の作製方法。
【請求項１１】前記異種基板は、透明であることを特
徴とする請求項１に記載の窒化物半導体基板の作製方
法。