CN116682912A - 发光芯片、显示面板、发光组件及其制作方法 - Google Patents
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Abstract
本申请提供了一种发光芯片，发光芯片包括层叠设置的第一半导体组件、发光层以及第二半导体组件。发光芯片还包括多个图形化衬底，第一半导体组件背对发光层的一侧罩设多个图形化衬底，图形化衬底上开设有贯穿图形化衬底的多个排气孔，多个排气孔与外界连通，发光芯片从原生基板上剥离时，发光芯片内的目标气体通过排气孔排出，避免了目标气体在发光芯片内部聚集导致发光芯片内出现较大的应力，进而避免了发光芯片出现断晶与脆断的问题，提高了发光芯片的剥离转移效率。本申请还提供一种显示面板、一种发光组件以及一种发光组件的制作方法。
Description
技术领域
本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种发光芯片、一种具有该发光芯片的显示面板、一种具有该发光芯片的发光组件以及一种发光组件的制作方法。
背景技术
微米发光二极管(Micro Light-Emitting Diode，Micro LED)显示装置作为新一代显示技术，相较于液晶显示装置(Liquid Crystal Display，LCD)与有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)显示装置，Micro LED显示装置具有更高亮度、发光效率高、低功耗及寿命长等优点。
现有技术中，在将Micro LED芯片从原生基板激光剥离过程中，在激光的作用下，外延氮化镓(GaN)层分解形成了镓(Ga)和氮气(N2)，由于氮气在Micro LED芯片内不能有效释放，会造成Micro LED芯片内产生较大的应力，导致Micro LED芯片出现断晶，甚至出现脆断，进而影响了Micro LED芯片的剥离转移效率。
鉴于此，如何解决现有技术中激光剥离过程中由于氮气不能有效从Micro LED芯片内释放导致的Micro LED芯片出现断晶与脆断是本领域技术人员亟需解决的问题。
发明内容
鉴于上述现有技术的不足，本申请的目的在于提供一种发光芯片、一种具有该发光芯片的显示面板、一种具有该发光芯片的发光组件以及一种发光组件的制作方法，其旨在解决现有技术中激光剥离过程中由于氮气不能有效从Micro LED芯片内释放导致的Micro LED芯片出现断晶与脆断的问题。
为解决上述技术问题，本申请提供一种发光芯片，所述发光芯片包括层叠设置的第一半导体组件、发光层以及第二半导体组件，所述发光芯片还包括多个图形化衬底，所述第一半导体组件背对所述发光层的一侧罩设多个所述图形化衬底，所述图形化衬底上开设有贯穿所述图形化衬底的多个排气孔，多个所述排气孔与外界连通，所述发光芯片从原生基板上剥离时，所述发光芯片内的目标气体通过所述排气孔排出。
综上所述，本申请实施例提供的发光芯片包括多个图形化衬底，所述图形化衬底上开设有贯穿所述图形化衬底的多个排气孔，多个所述排气孔与外界连通，所述发光芯片从原生基板上剥离时，所述发光芯片内的目标气体通过所述排气孔排出，避免了目标气体在所述发光芯片内部聚集导致所述发光芯片内出现较大的应力，进而避免了所述发光芯片出现断晶与脆断的问题，提高了所述发光芯片的剥离转移效率。
在示例性实施方式中，所述排气孔的直径小于或等于0.1um。
在示例性实施方式中，所述排气孔包括相对设置的第一开口与第二开口，所述第一开口朝向所述第一半导体组件设置，所述第二开口露出所述第一半导体组件背对所述发光层的一侧，且所述第二开口的直径大于所述第一开口的直径。
在示例性实施方式中，所述第一开口的直径小于或等于0.1um。
在示例性实施方式中，相邻的所述排气孔之间的间距小于或等于1um。
基于同样的发明构思，本申请实施例还提供一种显示面板，所述显示面板包括驱动基板以及多个上述的发光芯片，多个所述发光芯片设置于所述驱动基板的一侧，并与所述驱动基板电连接。
综上所述，本申请实施例提供的显示面板包括驱动基板与多个发光芯片，所述发光芯片包括多个图形化衬底，所述图形化衬底上开设有贯穿所述图形化衬底的多个排气孔，多个所述排气孔与外界连通，所述发光芯片从原生基板上剥离时，所述发光芯片内的目标气体通过所述排气孔排出，避免了目标气体在所述发光芯片内部聚集导致所述发光芯片内出现较大的应力，进而避免了所述发光芯片出现断晶与脆断的问题，提高了所述发光芯片的剥离转移效率。
基于同样的发明构思，本申请还提供一种发光组件，所述发光组件包括原生基板以及多个上述的发光芯片，多个所述发光芯片设置于所述原生基板的一侧。
综上所述，本申请实施例提供的发光组件包括原生基板与多个发光芯片，所述发光芯片包括多个图形化衬底，所述图形化衬底上开设有贯穿所述图形化衬底的多个排气孔，多个所述排气孔与外界连通，所述发光芯片从原生基板上剥离时，所述发光芯片内的目标气体通过所述排气孔排出，避免了目标气体在所述发光芯片内部聚集导致所述发光芯片内出现较大的应力，进而避免了所述发光芯片出现断晶与脆断的问题，提高了所述发光芯片的剥离转移效率。
在示例性实施方式中，所述原生基板面对所述发光芯片的一侧开设有多个第一连接孔，多个所述第一连接孔与多个所述排气孔一一连通。所述原生基板内开设有多个镂空部，所述镂空部位于多个所述第一连接孔背对所述排气孔的开口处，多个所述第一连接孔与所述镂空部连通。
在示例性实施方式中，所述原生基板开设有多个所述第一连接孔的一侧开设有多个第二连接孔，所述第二连接孔在所述原生基板上的正投影位于相邻的两个所述发光芯片在所述原生基板上的正投影之间，所述第二连接孔分别与多个所述镂空部连通以及外界连通，使得多个所述排气孔与外界连通。
基于同样的发明构思，本申请实施例还提供一种发光组件的制作方法，所述发光组件的制作方法用于制作上述的发光组件，包括：
提供一原生基板，所述原生基板的一侧开设有多个第一连接孔，所述原生基板内开设有多个镂空部，每个所述镂空部与多个所述第一连接孔连通；
在所述原生基板上形成多个牺牲结构，每个所述牺牲结构的部分位于所述第一连接孔与所述镂空部内，且部分所述牺牲结构伸出所述第一连接孔背对所述镂空部的一侧；
在多个所述牺牲结构上形成多个图形化衬底；
去除多个所述牺牲结构，以在每个所述图形化衬底内形成多个排气孔，每个所述排气孔与所述第一连接孔连通；
在多个所述图形化衬底上依次形成多个第一半导体组件、多个发光层以及多个第二半导体组件，多个所述图形化衬底、第一半导体组件、所述发光层以及所述第二半导体组件构成了所述发光芯片，所述发光芯片与所述原生基板构成了所述发光组件。
综上所述，本申请实施例提供的发光组件的制作方法通过在每个所述图形化衬底内形成多个排气孔，多个所述排气孔与外界连通，所述发光芯片从原生基板上剥离时，所述发光芯片内的目标气体通过所述排气孔排出，避免了目标气体在所述发光芯片内部聚集导致所述发光芯片内出现较大的应力，进而避免了所述发光芯片出现断晶与脆断的问题，提高了所述发光芯片的剥离转移效率。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请第一实施例公开的发光芯片的层结构示意图；
图2为图1所示的发光芯片中结构II的放大示意图；
图3为本申请第一实施例公开的原生基板的层结构示意图；
图4为本申请第一实施例公开的原生基板的俯视结构示意图；
图5为本申请第二实施例公开的发光芯片的层结构示意图；
图6为图5所示的发光芯片中结构VI的放大示意图；
图7为本申请第三实施例公开的显示面板的层结构示意图；
图8为本申请第四实施例公开的显示装置的层结构示意图；
图9为本申请第四实施例公开的发光组件的制作方法的流程示意图；
图10为本申请第四实施例公开的发光组件的制作方法步骤S10对应形成的结构示意图；
图11为本申请第四实施例公开的发光组件的制作方法步骤S20对应形成的结构示意图；
图12为本申请第四实施例公开的发光组件的制作方法步骤S30对应形成的结构示意图；
图13为本申请第四实施例公开的发光组件的制作方法步骤S40对应形成的结构示意图；
图14为本申请第四实施例公开的发光组件的制作方法步骤S50对应形成的结构示意图。
附图标记说明：
001-第一方向；10-图形化衬底；10a-排气孔；11-第一开口；12-第二开口；20-第一半导体组件；21-缓冲层；22-第一半导体层；30-发光层；40-第二半导体组件；60-钝化结构；60a-第一开孔；60b-第二开孔；70-第一电极；80-第二电极；90-牺牲结构；100-发光芯片；100a-发光芯片；200-原生基板；200a-第一连接孔；200b-镂空部；200c-第二连接孔；201-第三开口；202-第四开口；300-驱动基板；400-显示面板；500-壳体；600-显示装置；S10-S50-发光组件的制作方法的步骤。
具体实施方式
为了便于理解本申请，下面将参照相关附图对本申请进行更全面的描述。附图中给出了本申请的较佳实施方式。但是，本申请可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施方式。相反地，提供这些实施方式的目的是使对本申请的公开内容理解的更加透彻全面。
以下各实施例的说明是参考附加的图示，用以例示本申请可用以实施的特定实施例。本文中为部件所编序号本身，例如“第一”、“第二”等，仅用于区分所描述的对象，不具有任何顺序或技术含义。而本申请所说“连接”、“联接”，如无特别说明，均包括直接和间接连接(联接)。本申请中所提到的方向用语，例如，“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“内”、“外”、“侧面”等，仅是参考附加图式的方向，因此，使用的方向用语是为了更好、更清楚地说明及理解本申请，而不是指示或暗指所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。
在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸地连接，或者一体地连接；可以是机械连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。需要说明的是，本申请的说明书和权利要求书及所述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别不同对象，而不是用于描述特定顺序。
此外，本申请中使用的术语“包括”、“可以包括”、“包含”、或“可以包含”表示公开的相应功能、操作、元件等的存在，并不限制其他的一个或多个更多功能、操作、元件等。此外，术语“包括”或“包含”表示存在说明书中公开的相应特征、数目、操作、元素、部件或其组合，而并不排除存在或添加一个或多个其他特征、数目、操作、元素、部件或其组合，意图在于覆盖不排他的包含。此外，当描述本申请的实施方式时，使用“可”表示“本申请的一个或多个实施方式”。并且，用语“示例性的”旨在指代示例或举例说明。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的，不是旨在于限制本申请。
请参阅图1，图1为本申请第一实施例公开的发光芯片的层结构示意图。在本申请实施例提供的发光芯片100生长于原生基板200上，所述发光芯片100可以包括多个图形化衬底10、第一半导体组件20、发光层30以及第二半导体组件40。所述第一半导体组件20、所述发光层30以及所述第二半导体组件40依次层叠设置，也即为，所述第一半导体组件20与所述第二半导体组件40相对且间隔设置，所述发光层30设置于所述第一半导体组件20与所述第二半导体组件40之间。所述第一半导体组件20背对所述发光层30的一侧罩设多个所述图形化衬底10，即多个所述图形化衬底10嵌设于所述第一半导体组件20背对所述发光层30的一侧，且多个所述图形化衬底10背对所述发光层30的表面露出所述第一半导体组件20背对所述发光层30的表面，也即为，多个所述图形化衬底10部分露出所述第一半导体组件20背对所述发光层30的表面。所述第一半导体组件20与所述第二半导体组件40用于分别向所述发光层30提供相应的载流子，所述发光层30用于接收载流子并发光，所述图形化衬底10用于避免所述发光层30发出的光线在所述发光芯片100内全反射，以提高所述发光芯片100的出光效率。
在示例性实施方式中，所述第一半导体组件20向所述发光层30提供的载流子可为电子，所述第二半导体组件40向所述发光层30提供的载流子可为空穴。
在本申请实施方式中，所述发光芯片100未从所述原生基板200上剥离时，所述第一半导体组件20将多个所述图形化衬底10罩设于所述原生基板200上，即所述原生基板200位于多个所述图形化衬底10背对所述发光层30的表面，并与所述第一半导体组件20背对所述发光层30的表面相连接。
在本申请实施方式中，请参阅图1与图2，图2为图1所示的发光芯片中结构II的放大示意图。所述图形化衬底10上开设有贯穿所述图形化衬底10的多个排气孔10a，多个所述排气孔10a与外界连通。在所述发光芯片100从所述原生基板200上剥离时，所述发光芯片100内的目标气体通过所述排气孔10a排出。
可以理解的是，将所述发光芯片100从所述原生基板200上剥离的激光剥离技术(Laser Lift-Off，LLO)中，激光照射到所述发光芯片100与所述原生基板200的连接处，使得所述发光芯片100与所述原生基板200的连接处分解，进而所述发光芯片100就会从所述原生基板200分离。由于所述发光芯片100为氮化镓(GaN)基发光芯片，所述发光芯片100与所述原生基板200的连接处存在部分的氮化镓，氮化镓在激光的照射下会分解成镓(Ga)和氮气(N2)，如果氮气不能被排出，会使得Mesa台阶处和所述图形化衬底10处容易出现脆断。氮气通过所述图形化衬底10上的多个所述排气孔10a排出，避免了氮气在所述发光芯片100内部聚集而导致所述发光芯片100内出现较大的应力，进而避免了所述发光芯片100出现断晶与脆断的问题，提高了所述发光芯片100的剥离转移效率。同时，在所述图形化衬底10开设多个所述排气孔10a可以避免所述第一半导体组件20出现晶格缺陷。
在本申请实施方式中，所述目标气体可为氮气。
在示例性实施方式中，所述排气孔10a的深度方向与所述第一半导体组件20的厚度方向平行。所述排气孔10a可为圆形孔、椭圆形孔或多边形孔，本申请对此不作具体限制。
在本申请实施方式中，所述第一半导体组件20可为N(Negative)型半导体，所述第二半导体组件40可为P(Positive)型半导体。
在示例性实施方式中，相邻的所述图形化衬底10可相间隔或相连接设置，本申请对此不作具体限制。所述图形化衬底10的整体形状可为棱台、圆台、半球形或半椭圆形，本申请对此不作具体限制。所述图形化衬底10的数量可由所述发光芯片100的尺寸以及所述图形化衬底10的尺寸决定，本申请对此不做具体限制。每个所述图形化衬底10的所述排气孔10a的数量可由所述图形化衬底10的尺寸、所述排气孔10a的尺寸以及相邻的所述排气孔10a之间的间距决定，本申请对此不作具体限制。
在示例性实施方式中，所述发光芯片100未从所述原生基板200上剥离时，所述原生基板200上的所述发光芯片100可为多个。
在示例性实施方式中，所述排气孔10a的直径小于或等于0.1um，例如，0.01um、0.02um、0.04um、0.055um、0.07um、0.08um、0.09um、0.1um、或其他数值，本申请对此不作具体限制。相邻的所述排气孔10a之间的间距小于或等于1um，例如，0.1um、0.3um、0.5um、0.67um、0.8um、0.9um、1um、或其他数值，本申请对此不作限制。
可以理解的是，所述图形化衬底10上开设所述排气孔10a的位置会出现晶格缺陷，如果所述排气孔10a的直径大于0.1um，使得所述第一半导体组件20不能很好地与所述图形化衬底10形成晶格匹配，进而影响生成的所述第一半导体组件20的质量。如果相邻的所述排气孔10a之间的间距大于1um，使得相邻的所述排气孔10a之间存在一定量所述目标气体，导致存在一定量所述目标气体的位置出现断晶。
在示例性实施方式中，所述图形化衬底10的材料可为氧化铝(Al2O3)。
综上所述，本申请实施例提供的发光芯片100包括多个图形化衬底10、第一半导体组件20、发光层30以及第二半导体组件40，所述第一半导体组件20、所述发光层30以及所述第二半导体组件40依次层叠设置，所述第一半导体组件20背对所述发光层30的一侧罩设多个所述图形化衬底10。所述图形化衬底10上开设有贯穿所述图形化衬底10的多个排气孔10a，多个所述排气孔10a与外界连通。在所述发光芯片100从所述原生基板200上剥离时，所述排气孔10a用于排出所述发光芯片100内的目标气体。因此，避免了目标气体(氮气)在所述发光芯片100内部聚集导致所述发光芯片100内出现较大的应力，进而避免了所述发光芯片100出现断晶与脆断的问题，提高了所述发光芯片100的剥离转移效率，尤其可以提高大尺寸的发光芯片100的剥离良率。
在本申请实施方式中，请参阅图1，所述第一半导体组件20包括层叠设置的缓冲层21与第一半导体层22，所述缓冲层21背对所述第一半导体层22的一侧罩设多个所述图形化衬底10，所述发光层30设置于所述第一半导体层22背对所述缓冲层21的一侧。所述缓冲层21用于避免所述原生基板200与所述第一半导体组件20出现晶格失配，所述第一半导体层22用于向所述发光层30提供电子。
在示例性实施方式中，所述发光芯片100未从所述原生基板200上剥离时，所述缓冲层21将多个所述图形化衬底10罩设于所述原生基板200上，并与所述原生基板200相连接。
在示例性实施方式中，所述缓冲层21可为未掺杂的GaN层，所述第一半导体层22可为掺杂硅(Si)的GaN层。
在示例性实施方式中，所述第二半导体组件40可为掺杂镁(Mg)的GaN层，所述第二半导体组件40用于向所述发光层30提供空穴。
在示例性实施方式中，所述发光层30可为多量子阱(Multiple Quantum Well，MQW)层。
在本申请实施方式中，请参阅图1，所述发光层30设置于部分所述第一半导体层22上，即所述第一半导体层22背对所述缓冲层21的一侧部分被所述发光层30覆盖。
在本申请实施方式中，请参阅图1，所述发光芯片100还包括钝化结构60，所述钝化结构60设置于所述缓冲层21的周侧、所述第一半导体层22的周侧、所述第一半导体层22背对所述缓冲层21的一侧且未被所述发光层30覆盖的部分、所述发光层30的周侧、所述第二半导体组件40的周侧以及所述第二半导体组件40背对所述发光层30的一侧。也即为，所述钝化结构60依次将所述缓冲层21、所述第一半导体层22、所述发光层30以及所述第二半导体组件40罩设于所述原生基板200上。所述钝化结构60具有较好的物理钝化性能，用于隔绝水汽、氧气及灰尘等杂质以保护所述第一半导体组件20、所述发光层30以及所述第二半导体组件40。
在示例性实施方式中，所述钝化结构60的材料可为二氧化硅(SiO2)。
在示例性实施方式中，请参阅图1，所述钝化结构60开设有第一开孔60a与第二开孔60b，所述第一开孔60a位于所述第一半导体层22背对所述缓冲层21的一侧且未被所述发光层30覆盖的部分，部分所述第一半导体层22从所述第一开孔60a露出。所述第二开孔60b位于所述第二半导体组件40背对所述发光层30的一侧，且部分第二半导体组件40从所述第二开孔60b露出。
在示例性实施方式中，请参阅图1，所述发光芯片100还包括第一电极70与第二电极80，所述第一电极70的一端设置于所述第一开孔60a内并与所述第一半导体层22连接以实现电连接，所述第二电极80的一端设置于所述第二开孔60b内并与所述第二半导体组件40连接以实现电连接。
在本申请实施方式中，请参阅图1和图2，所述原生基板200面对所述发光芯片100的一侧开设有多个第一连接孔200a，多个所述第一连接孔200a的位置与多个所述排气孔10a的位置一一对应且多个所述第一连接孔200a与多个所述排气孔10a一一连通，也即为，多个所述第一连接孔200a在所述原生基板200上的正投影与多个所述排气孔10a在所述原生基板200上的正投影一一重合或一一部分重合。多个第一所述连接孔200a的一开口与多个所述排气孔10a的一开口一一对应连接以实现多个第一所述连接孔200a与多个所述排气孔10a一一对应连通。所述原生基板200内开设有多个镂空部200b，所述镂空部200b位于多个所述第一连接孔200a背对所述排气孔10a的开口处，多个所述第一连接孔200a背对所述排气孔10a的开口均与所述镂空部200b连接以实现多个所述第一连接孔200a与所述镂空部200b连通。也即为，每个所述第一连接孔200a的一端与一个对应的排气孔10a相连通，该所述第一连接孔200a相对的另一端与所述镂空部200b相连通，即所述排气孔10a通过相应的第一连接孔200a与所述镂空部200b相连通。
在示例性实施方式中，一个所述镂空部200b可与多个所述第一连接孔200a相对应，也即是，多个所述第一连接孔200a在所述原生基板200上的正投影位于一个所述镂空部200b在所述原生基板200上的正投影内，且多个所述第一连接孔200a可与一个所述镂空部200b相连通。
在示例性实施方式中，所述排气孔10a与所述第一连接孔200a相互连接的开口的尺寸相匹配。
在本申请实施方式中，请参阅图3与图4，图3为本申请第一实施例公开的原生基板的层结构示意图，图4为本申请第一实施例公开的原生基板的俯视结构示意图。所述原生基板200开设有多个所述第一连接孔200a的一侧开设有多个第二连接孔200c，一个所述第二连接孔200c在所述原生基板200上的正投影位于相邻的两个所述发光芯片100在所述原生基板200上的正投影之间。一个所述第二连接孔200c与多个所述镂空部200b连通，所述第二连接孔200c还与外界连通，使得多个所述排气孔10a与外界连通。所述发光芯片100内的目标气体依次通过所述排气孔10a、所述第一连接孔200a、所述镂空部200b、所述第二连接孔200c排出。可以理解的是，所述第二连接孔200c缩短了所述排气孔10a与外界的传输路径，有利于所述目标气体排出。
在示例性实施方式中，所述第一连接孔200a、所述镂空部200b以及所述第二连接孔200c可通过电感耦合等离子体刻蚀(Inductively Couple Plasma，ICP)工艺形成，其中，ICP工艺的蚀刻气体可为氯气或氯化硼。
在示例性实施方式中，所述发光芯片100从所述原生基板200上剥离时，可在所述原生基板200形成有所述发光芯片100的一侧提供驱动气体，所述驱动气体用于加快所述发光芯片100周围的空气流通，使得所述发光芯片100周围的压强小于所述第二连接孔200c内的压强，有利于所述第二连接孔200c内的所述目标气体排出，进而有利于所述发光芯片100内的目标气体排出。
在示例性实施方式中，所述驱动气体的流动方向可为第一方向001，所述第一方向001可与所述原生基板200的厚度方向垂直。
请参阅图5，图5为本申请第二实施例公开的发光芯片的层结构示意图。第二实施例的发光芯片100a与第一实施例的发光芯片100的区别在于：所述排气孔10a的形状不同。第二实施例的发光芯片100a与第一实施例的发光芯片100相同之处的描述，请参阅第一实施例的发光芯片100的相关描述，在此不再赘述。
在本申请实施方式中，请参阅图5和图6，图6为图5所示的发光芯片中结构VI的放大示意图。所述排气孔10a包括相对设置的第一开口11与第二开口12，所述第一开口11朝向所述第一半导体组件20的所述缓冲层21设置，所述第二开口12朝向所述原生基板200设置，即所述第二开口12露出所述第一半导体组件20背对所述发光层30的一侧，所述第二开口12的直径大于所述第一开口11的直径，且所述第一开口11的直径小于或等于0.1um，例如，0.01um、0.02um、0.04um、0.055um、0.07um、0.08um、0.09um、0.1um、或其他数值，本申请对此不作具体限制。
可以理解的是，由于所述第一开口11朝向所述第一半导体组件20的所述缓冲层21设置，且所述第一开口11使得所述图形化衬底10出现晶格缺陷，如果所述第一开口11的直径大于0.1um，使得所述第一半导体组件20不能很好地与所述图形化衬底10形成晶格匹配，进而影响生成的所述第一半导体组件20的质量。而且，所述第二开口12的直径大于所述第一开口11的直径有利于所述目标气体从所述排气孔10a内排出。
在示例性实施方式中，所述第一连接孔200a包括相对设置的第三开口201与第四开口202，所述第三开口201朝向所述第二开口12设置，且与所述第二开口12相连接并连通，所述第四开口202设置于所述第三开口201背对所述第二开口12的一侧，所述第四开口202与所述镂空部200b连接并连通。所述第三开口201的口径与所述第二开口12的口径相匹配，所述第四开口202的口径大于所述第三开口201的口径。
可以理解的是，所述第四开口202的口径大于所述第三开口201的口径有利于目标气体排出所述第一连接孔200a。
综上所述，本申请实施例提供的发光芯片100包括多个图形化衬底10、第一半导体组件20、发光层30以及第二半导体组件40，所述第一半导体组件20、所述发光层30以及所述第二半导体组件40依次层叠设置，所述第一半导体组件20背对所述发光层30的一侧罩设多个所述图形化衬底10。所述图形化衬底10上开设有贯穿所述图形化衬底10的多个排气孔10a，多个所述排气孔10a与外界连通。在所述发光芯片100从所述原生基板200上剥离时，所述排气孔10a用于排出所述发光芯片100内的目标气体。因此，在所述发光芯片100从所述原生基板200上剥离时，可以避免由于目标气体(氮气)在所述发光芯片100内部聚集而导致所述发光芯片100内出现较大的应力，进而避免了所述发光芯片100出现断晶与脆断的问题，提高了所述发光芯片100的剥离转移效率。
基于同样的发明构思，本申请第三实施例提供一种显示面板。请参阅图7，图7为本申请第三实施例公开的显示面板的层结构示意图。本申请实施例提供的显示面板400包括驱动基板300以及多个上述的发光芯片100，多个所述发光芯片100设置在所述驱动基板300的一侧，并与所述驱动基板300电连接，所述驱动基板300用于向多个所述发光芯片100传输电信号以控制多个所述发光芯片100发光。由于图1至图6所示的实施例已对所述发光芯片进行了较为详细的阐述，在此不再赘述。
在示例性实施方式中，所述发光芯片100的所述第一电极70与所述第二电极80与所述驱动基板300连接以实现电连接。所述发光芯片100与所述驱动基板300可通过焊接工艺进行键合。
在示例性实施方式中，所述发光芯片可以是第一实施例的发光芯片100或第二实施例的发光芯片100a，本申请对此不做具体限制。
可以理解地，所述显示面板可用于包含诸如个人数字助理(Personal DigitalAssistant，PDA)和/或音乐播放器功能的电子设备，诸如手机、平板电脑、具备无线通讯功能的可穿戴电子设备(如智能手表)等。上述电子设备也可以是其它电子装置，诸如具有触敏表面(例如触控面板)的膝上型计算机(Laptop)等。在一些实施例中，所述电子设备可以具有通信功能，即可以通过2G(第二代手机通信技术规格)、3G(第三代手机通信技术规格)、4G(第四代手机通信技术规格)、5G(第五代手机通信技术规格)或W-LAN(无线局域网)或今后可能出现的通信方式与网络建立通信。为简明起见，对此本申请实施例不做进一步限定。
综上所述，本申请实施例提供的显示面板400包括驱动基板300与多个发光芯片100，所述发光芯片100包括多个图形化衬底10、第一半导体组件20、发光层30以及第二半导体组件40，所述第一半导体组件20、所述发光层30以及所述第二半导体组件40依次层叠设置，所述第一半导体组件20背对所述发光层30的一侧罩设多个所述图形化衬底10。所述图形化衬底10上开设有贯穿所述图形化衬底10的多个排气孔10a，多个所述排气孔10a与外界连通。在所述发光芯片100从所述原生基板200上剥离时，所述排气孔10a用于排出所述发光芯片100内的目标气体。因此，在所述发光芯片100从所述原生基板200上剥离时，可以避免由于目标气体(氮气)在所述发光芯片100内部聚集而导致所述发光芯片100内出现较大的应力，进而避免了所述发光芯片100出现断晶与脆断的问题，提高了所述发光芯片100的剥离转移效率。
基于同样的发明构思，本申请实施例还提供一种显示装置。请参阅图8，图8为本申请第四实施例公开的显示装置的层结构示意图。本申请实施例提供的显示装置600包括壳体500以及上述的显示面板400，所述显示面板400设置于所述壳体500内，且所述显示面板400的出光侧露出所述壳体500。由于图1至图7所示的实施例已对所述发光芯片以及所述显示面板400进行了较为详细的阐述，在此不再赘述。
可以理解地，所述显示装置600可用于包括但不限于电视、平板电脑、笔记本电脑、台式电脑、移动电话、车载显示器、智能手表、智能手环、智能眼镜等电子设备。根据本申请的实施例，所述显示装置600的具体种类不受特别的限制，本领域技术人员可根据所述显示装置600的具体使用要求进行相应地设计，在此不再赘述。
在示例性实施方式中，所述显示装置600还可以包括电源板、高压板以及按键控制板等其他必要的部件和组成部分，本领域技术人员可根据所述显示装置600的具体类型和实际功能进行相应地补充，在此不再赘述。
综上所述，本申请实施例提供的显示装置600包括壳体500与显示面板400，所述显示面板400包括驱动基板300与多个发光芯片100，所述发光芯片100包括多个图形化衬底10、第一半导体组件20、发光层30以及第二半导体组件40，所述第一半导体组件20、所述发光层30以及所述第二半导体组件40依次层叠设置，所述第一半导体组件20背对所述发光层30的一侧罩设多个所述图形化衬底10。所述图形化衬底10上开设有贯穿所述图形化衬底10的多个排气孔10a，多个所述排气孔10a与外界连通。在所述发光芯片100从所述原生基板200上剥离时，所述排气孔10a用于排出所述发光芯片100内的目标气体。因此，在所述发光芯片100从所述原生基板200上剥离时，可以避免由于目标气体(氮气)在所述发光芯片100内部聚集而导致所述发光芯片100内出现较大的应力，进而避免了所述发光芯片100出现断晶与脆断的问题，提高了所述发光芯片100的剥离转移效率。
基于同样的发明构思，本申请实施例还提供发光组件，所述发光组件包括图1至图6所示的原生基板与多个所述发光芯片，多个所述发光芯片设置于所述原生基板的一侧。所述发光芯片与所述原生基板的相关描述，请参阅上述图1至图6所示实施例关于所述发光芯片与所述原生基板的描述，在此不再赘述。综上所述，本申请实施例的发光组件包括发光芯片与原生基板，所述发光芯片100包括多个图形化衬底10、第一半导体组件20、发光层30以及第二半导体组件40，所述第一半导体组件20、所述发光层30以及所述第二半导体组件40依次层叠设置，所述第一半导体组件20背对所述发光层30的一侧罩设多个所述图形化衬底10。所述图形化衬底10上开设有贯穿所述图形化衬底10的多个排气孔10a，多个所述排气孔10a与外界连通。在所述发光芯片100从所述原生基板200上剥离时，所述排气孔10a用于排出所述发光芯片100内的目标气体。因此，在所述发光芯片100从所述原生基板200上剥离时，可以避免由于目标气体(氮气)在所述发光芯片100内部聚集而导致所述发光芯片100内出现较大的应力，进而避免了所述发光芯片100出现断晶与脆断的问题，提高了所述发光芯片100的剥离转移效率。
基于同样的发明构思，本申请实施例还提供发光组件的制作方法，所述发光组件的制作方法用于制作上述的发光组件，所述发光组件的制作方法与所述发光组件、所述发光芯片以及所述原生基板相同之处的描述，请参阅所述发光组件以及上述图1至图6所示实施例关于所述发光芯片以及所述原生基板的描述，在此不再赘述。请参阅图9，图9为本申请第四实施例公开的发光组件的制作方法的流程示意图，所述发光组件的制作方法包括以下步骤。
S10、提供一原生基板200，所述原生基板200的一侧开设有多个第一连接孔200a，所述原生基板200内开设有多个镂空部200b，每个所述镂空部200b与多个所述第一连接孔200a连通。
具体地，请参阅图10，图10为本申请第四实施例公开的发光组件的制作方法步骤S10对应形成的结构示意图。所述原生基板200上的一侧开设有多个第一连接孔200a，所述原生基板200内开设有多个镂空部200b，每个所述镂空部200b与多个所述第一连接孔200a的一个开口连接以实现连通。所述原生基板200在开设有多个所述第一连接孔200a的一侧开设有多个第二连接孔200c，每个所述第二连接孔200c与多个所述镂空部200b连通，且所述第二连接孔200c还与外界连通，使得多个所述排气孔10a与外界连通。
在本申请一实施方式中，如图6所示，所述第一连接孔200a深度方向的截面形状可为梯形。所述第一连接孔200a包括第三开口201与第四开口202，所述第四开口202位于所述原生基板200内，并与所述镂空部200b连接以实现连通，所述第三开口201位于所述第四开口202背对所述镂空部200b的一侧。
在本申请另一实施方式中，所述第一连接孔200a深度方向的截面形状可为矩形。
在示例性实施方式中，所述原生基板200可为蓝宝石基板，所述第一连接孔200a可为圆形孔、椭圆形孔或多边形孔，本申请对此不作具体限制。
S20、在所述原生基板200上形成多个牺牲结构90，每个所述牺牲结构90的部分位于所述第一连接孔200a与所述镂空部200b内，且部分所述牺牲结构90伸出所述第一连接孔200a背对所述镂空部200b的一侧。
具体地，请参阅图11，图11为本申请第四实施例公开的发光组件的制作方法步骤S20对应形成的结构示意图。在所述原生基板200上形成多个牺牲结构90，每个所述牺牲结构90的部分位于所述第一连接孔200a与所述镂空部200b内，且部分所述牺牲结构90伸出所述第一连接孔200a。也即是，每个所述牺牲结构90从所述镂空部200b向所述第一连接孔200a延伸，并伸出所述第一连接孔200a背对所述镂空部200b的一侧。
在本申请一实施方式中，所述牺牲结构90的整体形状可为棱台或圆台。
在本申请另一实施方式中，所述牺牲结构90的整体形状可为棱柱或圆柱。
在示例性实施方式中，所述牺牲结构90位于所述第一连接孔200a的形状、尺寸与所述第一连接孔200a的形状、尺寸相匹配。
S30、在多个所述牺牲结构90上形成多个图形化衬底10。
具体地，请参阅图12，图12为本申请第四实施例公开的发光组件的制作方法步骤S30对应形成的结构示意图。在多个所述牺牲结构90上形成多个图形化衬底10，每个所述图形化衬底10覆盖多个所述牺牲结构90伸出所述第一连接孔200a的部分的周侧，多个所述牺牲结构90背对所述镂空部200b的表面可露出所述图形化衬底10。
S40、去除多个所述牺牲结构90，以在每个所述图形化衬底10内形成多个排气孔10a，每个所述排气孔10a与所述第一连接孔200a连通。
具体地，请参阅图13，图13为本申请第四实施例公开的发光组件的制作方法步骤S40对应形成的结构示意图。去除多个所述牺牲结构90，进而在每个所述图形化衬底10内且位于所述牺牲结构90原来的位置形成多个排气孔10a，每个所述排气孔10a贯穿所述牺牲结构90，且依次与所述第一连接孔200a以及所述镂空部200b连通。
在本申请一实施方式中，请参阅图6，所述排气孔10a深度方向的截面形状可为梯形。所述排气孔10a包括第一开口11与第二开口12，所述第二开口12与所述第三开口201连接以实现连通，所述第一开口11位于所述第二开口12背对所述第三开口201的一侧，且所述第二开口12的口径大于所述第一开口11的口径。
在本申请另一实施方式中，所述排气孔10a深度方向的截面形状可为矩形。
在示例性实施方式中，可以通过光刻胶清洗液或激光去除多个所述牺牲结构90。去除多个所述牺牲结构90后，对所述图形化衬底10进行1000摄氏度左右的退火处理，使所述图形化衬底10结晶化，从而形成具有多个所述排气孔10a的所述图形化衬底10。光刻胶清洗液可通过所述镂空部200b进入所述原生基板200内。
S50、在多个所述图形化衬底10上依次形成多个第一半导体组件20、多个发光层30以及多个第二半导体组件40，多个所述图形化衬底10、第一半导体组件20、所述发光层30以及所述第二半导体组件40构成了所述发光芯片，所述发光芯片与所述原生基板200构成了所述发光组件。
具体地，请参阅图14，图14为本申请第四实施例公开的发光组件的制作方法步骤S50对应形成的结构示意图。在多个所述图形化衬底10上依次形成多个第一半导体组件20、多个发光层30以及多个第二半导体组件40，每个所述第一半导体组件20将多个所述图形化衬底10罩设于所述原生基板200上，所述发光层30形成于所述第一半导体组件20背对所述图形化衬底10的一侧，所述第二半导体组件40形成于所述发光层30背对所述第一半导体组件20的一侧。
在示例性实施方式中，所述第一半导体组件20、所述发光层30以及所述第二半导体组件40可通过金属有机化合物化学气相沉淀(Metal-Organic Chemical VaporDeposition，MOCVD)工艺生成。
在本申请实施方式中，形成所述半导体组件40后，再形成多个所述钝化结构60、多个所述第一电极70以及多个所述第二电极80，所述钝化结构60、所述第一电极70以及所述第二电极80的相关描述，请参阅第一实施例的发光芯片100的相关描述，在此不再赘述。
在示例性实施方式中，通过激光剥离技术(Laser Lift-Off，LLO)将所述原生基板200上的多个所述发光芯片剥离。可以理解的是，在激光剥离技术工艺时，可在所述原生基板200形成有所述发光芯片100的一侧提供驱动气体，所述驱动气体用于加快所述发光芯片100周围的空气流通，使得所述发光芯片100周围的压强小于所述第二连接孔200c内压强，有利于所述第二连接孔200c内的所述目标气体排出，进而有利于所述发光芯片100内的目标气体排出。其中，所述驱动气体可为氮气或其他惰性气体。
综上所述，本申请实施例提供的发光组件的制作方法包括：提供一原生基板200，所述原生基板200的一侧开设有多个第一连接孔200a，所述原生基板200内开设有多个镂空部200b，每个镂空部200b与多个所述第一连接孔200a连通；在所述原生基板200上形成多个牺牲结构90，每个所述牺牲结构90的部分位于所述第一连接孔200a与所述镂空部200b内，且部分所述牺牲结构90伸出所述第一连接孔200a；在多个所述牺牲结构90上形成多个图形化衬底10；去除多个所述牺牲结构90，在每个所述图形化衬底10内形成多个排气孔10a，每个所述排气孔10a与所述第一连接孔200a连通；在多个所述图形化衬底10上依次形成多个第一半导体组件20、多个发光层30以及多个第二半导体组件40，多个所述图形化衬底10、第一半导体组件20、所述发光层30以及所述第二半导体组件40构成了所述发光芯片，所述发光芯片与所述原生基板200构成了所述发光组件。因此，在所述发光芯片100从所述原生基板200上剥离时，所述排气孔10a用于排出所述发光芯片100内的目标气体。因此，在所述发光芯片100从所述原生基板200上剥离时，可以避免由于目标气体(氮气)在所述发光芯片100内部聚集而导致的所述发光芯片100内出现较大的应力，进而避免了所述发光芯片100出现断晶与脆断的问题，提高了所述发光芯片100的剥离转移效率。
本申请中所描述的流程图仅仅为一个实施例，在不偏离本申请的精神的情况下对此图示或者本申请中的步骤可以有多种修改变化。比如，可以不同次序的执行这些步骤，或者可以增加、删除或者修改某些步骤。本领域的一般技术人员可以理解实现上述实施例的全部或部分流程，并依本申请权利要求所作的等同变化，仍属于本申请所涵盖的范围。
需要理解的是，术语“第一”、“第二”等仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本申请的实施方式的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
在本说明书的描述中，参考术语“一个实施方式”、“一些实施方式”、“示意性实施方式”、“示例”、“具体示例”或“一些示例”等的描述意指结合所述实施方式或示例描述的具体特征、结构或者特点包含于本申请的至少一个实施方式或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施方式或示例。而且，描述的具体特征、结构或者特点可以在任何的一个或多个实施方式或示例中以合适的方式结合。
应当理解的是，本申请的应用不限于上述的举例，对本领域普通技术人员来说，可以根据上述说明加以改进或变换，所有这些改进和变换都应属于本申请所附权利要求的保护范围。本领域的一般技术人员可以理解实现上述实施例的全部或部分流程，并依本申请权利要求所作的等同变化，仍属于本申请所涵盖的范围。
Claims (10)
1.一种发光芯片，包括层叠设置的第一半导体组件、发光层以及第二半导体组件，其特征在于，所述发光芯片还包括多个图形化衬底，所述第一半导体组件背对所述发光层的一侧罩设多个所述图形化衬底，所述图形化衬底上开设有贯穿所述图形化衬底的多个排气孔，多个所述排气孔与外界连通，所述发光芯片从原生基板上剥离时，所述发光芯片内的目标气体通过所述排气孔排出。
2.如权利要求1所述的发光芯片，其特征在于，所述排气孔的直径小于或等于0.1um。
3.如权利要求1所述的发光芯片，其特征在于，所述排气孔包括相对设置的第一开口与第二开口，所述第一开口朝向所述第一半导体组件设置，所述第二开口露出所述第一半导体组件背对所述发光层的一侧，且所述第二开口的直径大于所述第一开口的直径。
4.如权利要求3所述的发光芯片，其特征在于，所述第一开口的直径小于或等于0.1um。
5.如权利要求1-4任一项所述的发光芯片，其特征在于，相邻的所述排气孔之间的间距小于或等于1um。
6.一种显示面板，其特征在于，包括驱动基板以及多个如权利要求1-5任一项所述的发光芯片，多个所述发光芯片设置于所述驱动基板的一侧，并与所述驱动基板电连接。
7.一种发光组件，其特征在于，包括原生基板以及多个如权利要求1-5任一项所述的发光芯片，多个所述发光芯片设置于所述原生基板的一侧。
8.如权利要求7所述的发光组件，其特征在于，所述原生基板面对所述发光芯片的一侧开设有多个第一连接孔，多个所述第一连接孔与多个所述排气孔一一连通；
所述原生基板内开设有多个镂空部，所述镂空部位于多个所述第一连接孔背对所述排气孔的开口处，多个所述第一连接孔与所述镂空部连通。
9.如权利要求8所述的发光组件，其特征在于，所述原生基板开设有多个所述第一连接孔的一侧开设有多个第二连接孔，所述第二连接孔在所述原生基板上的正投影位于相邻的两个所述发光芯片在所述原生基板上的正投影之间，所述第二连接孔分别与多个所述镂空部连通以及外界连通，使得多个所述排气孔与外界连通。
10.一种发光组件的制作方法，其特征在于，用于制作如权利要求7-9任一项所述的发光组件，所述发光组件的制作方法包括：
提供一原生基板，所述原生基板的一侧开设有多个第一连接孔，所述原生基板内开设有多个镂空部，每个所述镂空部与多个所述第一连接孔连通；
在所述原生基板上形成多个牺牲结构，每个所述牺牲结构的部分位于所述第一连接孔与所述镂空部内，且部分所述牺牲结构伸出所述第一连接孔背对所述镂空部的一侧；
在多个所述牺牲结构上形成多个图形化衬底；
去除多个所述牺牲结构，以在每个所述图形化衬底内形成多个排气孔，每个所述排气孔与所述第一连接孔连通；
在多个所述图形化衬底上依次形成多个第一半导体组件、多个发光层以及多个第二半导体组件，多个所述图形化衬底、第一半导体组件、所述发光层以及所述第二半导体组件构成了所述发光芯片，所述发光芯片与所述原生基板构成了所述发光组件。
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