TWI607556B - 發光裝置的製造方法、發光裝置以及電子裝置 - Google Patents

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Description

發光裝置的製造方法、發光裝置以及電子裝置
本發明係關於一種發光裝置的製造方法。
近年來，對利用電致發光(Electroluminescence：EL)的發光元件的研究開發日益火熱。在這些發光元件的基本結構中，在一對電極之間夾有包含發光物質的層。藉由對該元件施加電壓，可以獲得來自發光物質的發光。
因為上述發光元件是自發光型發光元件，所以使用該發光元件的發光裝置具有如下優點：具有良好的可見度；不需要背光；以及耗電量低等。而且，使用發光元件的發光裝置還具有如下優點：被製造成薄且輕；以及回應速度高等。
另外，由於具有上述發光元件的發光裝置能夠實現撓性，因此上述發光裝置還被探討應用於撓性基板。
作為使用具有撓性的基板的發光裝置的製造方法，已對如下技術進行開發：例如，在於玻璃基板或石英基板等基板上製造薄膜電晶體等半導體元件之後，在該半導體元 件與基板之間填充有機樹脂，從玻璃基板或石英基板將半導體元件轉置到其他基板(例如具有撓性的基板)的技術。在將半導體元件轉置到具有撓性的基板之後，為了使半導體元件與外部電源電連接，需要在該有機樹脂和基板中穿孔的製程。
例如，作為在由有機樹脂形成的層間絕緣膜中形成貫穿孔的方法，已提出了雷射燒蝕法(專利文獻1)。
[專利文獻1]日本專利申請公開平第07-80670號公報
在上述使用具有撓性的基板的發光裝置中，需要在設置於用來連接到構成發光裝置的半導體元件和外部電源及信號線的電極上的有機膜或基板等層中穿孔。但是，例如當使用雷射燒蝕法等在有機膜或基板中穿孔時，有如下憂慮：孔的底部或周邊受到由熱而導致的損傷；或者不能穿到所希望的深度的孔。於是，本發明的課題之一是提供一種發光裝置的製造方法，其中孔的底部或周邊不受由熱而導致的損傷而在有機膜中穿具有所希望的深度的孔來使電極端子露出，容易可以使電極端子與外部電源等電連接。或者，本發明的課題之一是提供一種不損傷電極端子而使被有機膜等覆蓋的電極端子露出的方法。此外，這裏的“由熱導致的損傷”包括燒焦或表面粗糙度等。
本發明的一個方式是一種發光裝置的製造方法，包括如下步驟：在第一基板上形成電極端子；形成與電極端子 電連接的第一電極層；形成覆蓋第一電極層的端部的隔壁；在電極端子及第一電極層上形成包含有機化合物的層；在包含有機化合物的層上形成第二電極層；在第二基板上形成剝離層；以使剝離層和第二電極層彼此相對的方式隔著黏合層黏合第一基板和第二基板；將第二基板剝離且在因該剝離而露出的面上形成有機層；以圍繞有機層的與電極端子重疊的部分的方式形成切口，將由切口圍繞的黏合層及有機層剝離，來使電極端子露出；以及形成與電極端子電連接的導電層。
除了在第一電極層上以外，還在輸入來自外部電源的電力和外部信號的電極端子之間的區域上形成島狀的包含有機化合物的層。包含有機化合物的層與電極端子的介面處的貼緊性較低。因此，形成在電極端子上的包含有機化合物的層上的黏合層容易可以從電極端子剝離。其結果是，藉由在有機層中形成切口並將有機層剝離，可以使電極端子露出。
由於本發明的一個方式的發光裝置的製造方法，與使用雷射燒蝕法、乾蝕刻法以及離子束濺射法等的情況相比，可以以較短時間去除有機層而使電極端子露出。此外，可以不損傷電極端子而去除有機層。
此外，本發明的另一個方式是一種發光裝置的製造方法，包括如下步驟：在第一基板上形成第一剝離層；在第一剝離層上形成電極端子；形成與電極端子電連接的第一電極層；形成覆蓋第一電極層的端部的隔壁；在電極端子 及第一電極層上形成包含有機化合物的層；在包含有機化合物的層上形成第二電極層；在第二基板上形成第二剝離層；以使第二剝離層和第二電極層彼此相對的方式隔著黏合層黏合第一基板和第二基板；將第二基板剝離且在因該剝離而露出的面上形成第二有機層，以與第二有機層接觸的方式設置第二具有撓性的基板；將第一基板剝離，在因該剝離而露出的面上形成第一有機層，以與第一有機層接觸的方式設置第一具有撓性的基板；以圍繞第二具有撓性的基板和第二有機層的與電極端子重疊的部分的方式形成切口，將由切口圍繞的第二具有撓性的基板、黏合層以及第二有機層剝離，來使電極端子露出；以及形成與電極端子電連接的導電層。
除了在第一電極層上以外，還在輸入來自外部電源的電力和外部信號的電極端子的區域上形成島狀的包含有機化合物的層。包含有機化合物的層與電極端子之間的介面處的貼緊性較低。因此，形成在電極端子上的包含有機化合物的層上的黏合層容易可以從電極端子剝離。其結果是，藉由在第二有機層中形成切口並將第二有機層剝離，可以使電極端子露出。
由於本發明的一個方式的發光裝置的製造方法，與使用雷射燒蝕法、乾蝕刻法以及離子束濺射法等的情況相比，可以以較短時間去除第二有機層而使電極端子露出。此外，可以不損傷電極端子而去除第二有機層。
根據本發明的一個方式的發光裝置的製造方法，可以 使用具有撓性的基板得到具有撓性的發光裝置。
再者，較佳第二電極層具有透光性，並且在形成剝離層(或者第二剝離層)的製程之後，具有在剝離層(或者第二剝離層)上形成著色層的製程。
根據本發明的一個方式的發光裝置的製造方法，可以從第二有機層一側將發光元件的發光提取到外部。此外，因為穿過著色層將從發光元件發射的光提取到外部，所以可以得到所希望的發光顏色。
根據本發明的一個方式，可以不損傷電極端子而在有機樹脂等中穿使電極端子露出的孔。而且，可以提供一種從該電極端子輸入電源和信號的具有撓性的發光裝置。
100a‧‧‧第一基板
100b‧‧‧第二基板
101a‧‧‧第一剝離層
101b‧‧‧第二剝離層
103‧‧‧絕緣層
104‧‧‧緩衝層
106‧‧‧閘極電極層
108‧‧‧閘極絕緣層
110‧‧‧半導體層
112a‧‧‧源極電極層
112b‧‧‧汲極電極層
114‧‧‧絕緣層
116‧‧‧絕緣層
118‧‧‧第一電極層
120‧‧‧包含有機化合物的層
120a‧‧‧電荷產生層
122‧‧‧第二電極層
124‧‧‧隔壁
130‧‧‧發光元件
150‧‧‧電晶體
151‧‧‧電晶體
152‧‧‧電晶體
162‧‧‧緩衝層
163‧‧‧鈍化層
164‧‧‧遮光膜
168‧‧‧外敷(overcoat)層
157‧‧‧電極端子
166‧‧‧著色層
170‧‧‧黏合層
501‧‧‧具有撓性的基板
502‧‧‧具有撓性的基板
600‧‧‧導電層
700a‧‧‧第一有機層
700b‧‧‧第二有機層
901‧‧‧發光裝置
902‧‧‧發光裝置
903‧‧‧發光裝置
904‧‧‧發光裝置
4502‧‧‧像素部
4503‧‧‧信號線電路部
4519‧‧‧各向異性導電膜
7100‧‧‧可攜式顯示裝置
7101‧‧‧外殼
7102‧‧‧顯示部
7103‧‧‧操作按鈕
7104‧‧‧收發信裝置
7200‧‧‧照明設備
7201‧‧‧底座
7202‧‧‧發光部
7203‧‧‧操作開關
7210‧‧‧照明設備
7212‧‧‧發光部
7220‧‧‧照明設備
7222‧‧‧發光部
7300‧‧‧顯示裝置
7301‧‧‧外殼
7302‧‧‧顯示部
7303‧‧‧操作按鈕
7304‧‧‧顯示部取出構件
7305‧‧‧控制部
7400‧‧‧行動電話機
7401‧‧‧外殼
7402‧‧‧顯示部
7403‧‧‧操作按鈕
7404‧‧‧外部連接埠
7405‧‧‧揚聲器
7406‧‧‧麥克風
在圖式中：圖1A至圖1D是本發明的一個方式的發光裝置的剖面圖；圖2A至圖2E是說明本發明的一個方式的發光裝置的製造方法的剖面圖；圖3A至圖3D是說明本發明的一個方式的發光裝置的製造方法的剖面圖；圖4A至圖4C是說明本發明的一個方式的發光裝置的製造方法的剖面圖；圖5A至圖5E是說明本發明的一個方式的發光裝置的製造方法的剖面圖； 圖6A至圖6C是說明本發明的一個方式的發光裝置的製造方法的剖面圖；圖7A和圖7B是本發明的一個方式的發光裝置的俯視圖及剖面圖；圖8A至圖8D是說明本發明的一個方式的發光裝置的製造方法的剖面圖；圖9A至圖9C是說明本發明的一個方式的發光裝置的製造方法的剖面圖；圖10A和圖10B是說明本發明的一個方式的發光裝置的製造方法的剖面圖；圖11A和圖11B是說明本發明的一個方式的發光裝置的製造方法的剖面圖；圖12A和圖12B是說明本發明的一個方式的發光裝置的製造方法的剖面圖；圖13A和圖13B是本發明的一個方式的發光元件的剖面圖；圖14A至圖14E是說明使用本發明的一個方式的發光裝置的電子裝置的圖；圖15A和圖15B是說明使用本發明的一個方式的發光裝置的電子裝置的圖；圖16是本發明的一個方式的發光裝置的剖面圖。
以下，參照圖式對實施方式進行詳細說明。但是，本 發明不侷限於以下說明，而所屬技術領域的普通技術人員可以很容易地理解一個事實就是其方式及詳細內容在不脫離本發明的宗旨及其範圍的情況下可以被變換為各種各樣的形式。因此，本發明不應該被解釋為僅侷限在以下所示的實施方式所記載的內容中。注意，在以下說明的發明結構中，在不同的圖式中共同使用相同的符號來表示相同的部分或具有相同功能的部分，而省略重複說明。
實施方式1
圖1A示出藉由本發明的一個方式的發光裝置的製造方法可以製造的發光裝置901的剖面圖。該發光裝置901在第一基板100a上具有電極端子157以及第一電極層118。該第一電極層118的端部被隔壁124覆蓋並絕緣。包含有機化合物的層120至少接觸於第一電極層118及隔壁124的頂面。在電極端子157上具有沒有包含有機化合物的層120的部分。第二電極層122至少接觸於包含有機化合物的層120的頂面。在電極端子157上沒有第二電極層122。黏合層170接觸於第二電極層122。在電極端子157上沒有黏合層170。第二剝離層101b接觸於黏合層170的頂面。第二有機層700b接觸於第二剝離層101b的頂面。在電極端子157上沒有第二有機層700b。導電層600與電極端子157電連接。
此外，將由隔壁124圍繞的第一電極層118、包含有機化合物的層120以及第二電極層122稱為發光元件130。
(基板)
作為第一基板100a，可以使用玻璃基板、石英基板、藍寶石基板、陶瓷基板、金屬基板等。此外，也可以使用具有能夠承受本實施方式的處理溫度的耐熱性的塑膠基板。
另外，當後面的加熱處理的溫度較高時，作為玻璃基板較佳為使用應變點為730℃以上的玻璃基板。另外，作為玻璃基板，例如可以使用如鋁矽酸鹽玻璃、鋁硼矽酸鹽玻璃或鋇硼矽酸鹽玻璃等的玻璃材料。注意，藉由使玻璃基板含有較多氧化鋇(BaO)，可以得到實用性更高的耐熱玻璃。此外，還可以使用晶化玻璃等。
(電極端子)
電極端子157可以使用具有電導性的物質形成。例如，可以使用金屬、半導體等形成。
(第一電極層)
作為第一電極層118，較佳為使用高效地反射後面形成的包含有機化合物的層120所發射的光的材料。這是因為可以提高光提取效率的緣故。此外，第一電極層118也可以採用疊層結構。例如，可以在接觸於包含有機化合物的層120一側形成薄的金屬氧化物的導電膜或鈦膜等，而在另一側使用具有高反射率的金屬膜(鋁、含有鋁的合金或銀等)。藉由採用上述結構，可以抑制在包含有機化合 物的層120和具有高反射率的金屬膜(鋁、含有鋁的合金或銀等)之間產生絕緣膜，所以是較佳的。
另外，雖然本實施方式例示出頂部發射結構(上面發射結構)的發光裝置，但是當採用底部發射結構(下面發射結構)及雙發射結構(雙面發射結構：dual emission structure)的發光裝置時，將具有透光性的材料用於第一電極層118，即可。
(隔壁)
隔壁124是為了防止相鄰的第一電極層118之間的電氣短路而設置的。雖然在圖式中只記載一個第一電極層118，但是有時在發光裝置中設置多個第一電極層118。此外，在形成後述的包含有機化合物的層120時使用金屬遮罩的情況下，發光元件之間的包含有機化合物的層120在該隔壁124上被斷開。隔壁124可以使用有機樹脂、無機膜等形成。
(包含有機化合物的層)
關於包含有機化合物的層120的結構，在實施方式3中進行說明。
(第二電極層)
作為第二電極層122，較佳為使用可以對後述的包含有機化合物的層120注入電子的功函數小的電極。較佳為 不使用功函數小的金屬單層，而使用將形成幾nm的功函數小的鹼金屬或鹼土金屬的層用作緩衝層，且在其上形成鋁等金屬、銦-錫氧化物等金屬氧化物或半導體的電極。作為緩衝層，也可以使用鹼金屬或鹼土金屬的氧化物或者鹵化物。此外，也可以使用鎂-銀等的合金作為第二電極層122。
此外，當透過第二電極層122提取從發光元件發射的光時，第二電極層122較佳為對可見光具有透光性。
(黏合層)
黏合層170與第二電極層122接觸。第二剝離層101b和第一基板100a被黏合層170固定。黏合層170可以使用光固化黏合劑、反應固化型黏合劑、熱固化型黏合劑或厭氧型黏合劑。例如，可以使用環氧樹脂、丙烯酸樹脂、亞胺樹脂等。此外，藉由將光的波長以下的尺寸的乾燥劑(沸石等)或具有高折射率的填料(氧化鈦、鋯等)混合到黏合劑中，發光元件130的可靠性得到提高或者發光元件130的光的提取效率得到提高，所以是較佳的。
(剝離層)
第二剝離層101b是由如下材料形成的單層或疊層的層：選自鎢、鉬、鈦、鉭、鈮、鎳、鈷、鋯、釕、銠、鈀、鋨、銥、矽中的元素；含有上述元素的合金材料；或者含有上述元素的化合物材料。包含矽的層的結晶結構可以 是非晶、微晶以及多晶中的任一種。此外，也可以是氧化鋁、氧化鎵、氧化鋅、二氧化鈦、氧化銦、氧化銦錫、氧化銦鋅和In-Ga-Zn類氧化物等的金屬氧化物中的任一種。
此外，第二剝離層101b可以藉由濺射法、電漿CVD法、塗敷法、印刷法等形成。注意，塗敷法包括旋塗法、液滴噴射法、分配器方法。
當第二剝離層101b具有單層結構時，較佳的是形成鎢層、鉬層或包含鎢和鉬的混合物的層。或者，形成包含鎢的氧化物或鎢的氧氮化物的層、包含鉬的氧化物或鉬的氧氮化物的層或者包含鎢和鉬的混合物的氧化物或鎢和鉬的混合物的氧氮化物的層。此外，鎢和鉬的混合物例如相當於鎢和鉬的合金。
另外，當作為第二剝離層101b形成包含鎢的層與包含鎢的氧化物的層的疊層結構時，可以採用如下結構：藉由形成包含鎢的層，且在其層上形成由氧化物構成的絕緣層，因此在鎢層和絕緣層之間的介面處形成包含鎢的氧化物的層的結構。此外，也可以對包含鎢的層的表面進行熱氧化處理、氧電漿處理、使用諸如臭氧水等的高氧化性的溶液的處理等來形成包含鎢的氧化物的層。此外，第二剝離層101b和後面說明的第一剝離層101a也可以使用同樣的材料形成。
(第二有機層)
第二有機層700b與第二剝離層101b接觸。第二有機層700b可以使用有機樹脂。例如，可以使用環氧樹脂、丙烯酸樹脂、亞胺樹脂等。
(導電層)
導電層600與電極端子157電連接。導電層600可以使用銀膏等導電膏、包括各向異性導電體的薄膜或膏或者藉由濺射法形成的金屬等。
〈發光裝置的製造方法〉
圖2A至圖2E示出本發明的一個方式的發光裝置的製造方法。在該剖面圖中，示出直到形成第二電極層122的製造方法。構成以下所述的各構成要素的材料可以參考上述說明。
首先，在第一基板100a上形成電極端子157(圖2A)。電極端子157可以使用濺射法等形成。
接著，在第一基板100a上形成第一電極層118(圖2B)。第一電極層118與電極端子157電連接。第一電極層118在藉由蒸鍍法、濺射法形成導電膜之後，使用光微影將該導電膜加工為所希望的形狀來形成。
接著，覆蓋第一電極層118的端部形成隔壁124(圖2C)。隔壁124藉由塗敷法形成有機樹脂，使用光微影將該有機樹脂加工為所希望的形狀來形成。
接著，以與電極端子157、第一電極層118以及隔壁 124接觸的方式形成包含有機化合物的層120(圖2D)。包含有機化合物的層120與電極端子157之間的介面處的貼緊性較低，因此藉由以與電極端子157接觸的方式形成包含有機化合物的層120，在後面的製程中可以容易從電極端子157將包含有機化合物的層120剝離。由此，可以使電極端子157露出。
接著，以與包含有機化合物的層120接觸的方式形成第二電極層122(圖2E)。第二電極層122可以利用蒸鍍法、濺射法等形成。
圖3A至圖3D示出直到在第二基板100b上形成第二剝離層101b的製程以及形成第二有機層700b的製程。
以與第二基板100b接觸的方式形成第二剝離層101b(圖3A)。第二基板100b可以使用與第一基板100a相同的材料。第二剝離層101b可以利用濺射法、蒸鍍法等形成。
接著，以與接觸於第二基板100b的第二剝離層101b接觸的方式塗敷黏合層170。由塗敷的黏合層170將第二電極層122和第二剝離層101b固定(圖3B)。發光元件130被黏合層170保護，因此可以得到可靠性高的發光裝置。
接著，將第二基板100b從發光裝置剝離(圖3C)。作為剝離方法，施加機械力(使用人手或夾具來剝離的處理或使滾筒轉動來進行分離的處理、超音波處理等)，即可。例如，使用鋒利的刀具或雷射照射在第二剝離層 101b中形成切口，且在該切口中注入水。藉由由於毛細現象而水滲到第二剝離層101b與第二基板100b之間，容易可以從發光裝置將第二基板100b剝離。此外，當使用雷射照射形成切口時，也可以從第一基板100a或第二基板100b照射雷射。
接著，去除第二剝離層101b上的塵屑，在第二剝離層101b上形成第二有機層700b(圖3D)。
圖4A至圖4C示出從以圍繞與電極端子157重疊的部分的方式在第二有機層700b、第二剝離層101b以及黏合層170中形成切口的製程直到形成導電層600的製程。
以圍繞與電極端子157重疊的部分的方式在第二有機層700b、第二剝離層101b以及黏合層170中形成切口(圖4A)。使用鋒利的刀具等形成切口，即可。
接著，向從發光裝置剝離的方向拉以圍繞與電極端子157重疊的部分的方式切開的第二有機層700b的一部分，即可。例如，貼上黏著性的膠帶等，然後向從發光裝置將第二有機層700b剝離的方向拉該膠帶，即可。包含有機化合物的層120與電極端子157之間的介面處的貼緊性較低，因此可以使電極端子157露出(圖4B)。藉由上述步驟，在第二有機層700b、第二剝離層101b、黏合層170以及包含有機化合物的層120中可以形成到達電極端子157的孔。此外，有時在將第二有機層700b剝離之後，包含有機化合物的層120的一部分附著在電極端子157上。此外，有時附著在電極端子157上的包含有機化合物 的層120造成後面形成的導電層600與電極端子157的貼緊性或電連接的故障現象。此時，較佳為在將第二有機層700b剝離之後，使用丙酮等有機溶劑等去除附著在電極端子157上的包含有機化合物的層120。
接著，使用導電層600填充上述穿的孔。(圖4C)。導電層600較佳為使用銀膏等形成。可以藉由導電層600輸入來自外部電源的電力和外部信號。或者，也可以在作為導電層600使用各向異性導電薄膜或各向異性導電膏在其上配置FPC(Flexible Print Circuit：撓性印刷電路)之後，藉由熱壓焊藉由導電層600使FPC與電極端子157電連接。或者，也可以使用直接安裝IC晶片代替FPC的方法。
根據本發明的一個方式的發光裝置的製造方法，可以在樹脂等中的所希望的部分穿孔，該樹脂等藉由雷射燒蝕法難以穿孔。此外，可以不損傷電極端子157而在難以穿孔的樹脂等中穿孔。
〈發光裝置的製造方法的變形例子1〉
圖1B示出藉由本發明的一個方式的發光裝置的製造方法可以製造的發光裝置902的剖面圖。該發光裝置902因為由具有撓性的基板501和第二有機層700b構成，所以具有撓性。該發光裝置902的製造方法與發光裝置901的製造方法不同之處在於：追加在第一基板100a與發光元件130之間形成第一剝離層101a的製程。
在本變形例子中，當將玻璃基板用於第一基板100a時，藉由在第一基板100a與第一剝離層101a之間形成絕緣層諸如氧化矽膜、氧氮化矽膜、氮化矽膜、氮氧化矽膜等，可以防止來自玻璃基板的鹼金屬的污染，所以是更佳的。
該發光裝置902以與具有撓性的基板501的頂面接觸的方式具有第一有機層700a。第一剝離層101a與第一有機層700a的頂面接觸。電極端子157、第一電極層118形成在第一剝離層101a上。第一電極層118的端部被隔壁124覆蓋並絕緣。包含有機化合物的層120至少與電極端子157、第一電極層118以及隔壁124的頂面接觸。電極端子157上的包含有機化合物的層120當後面說明的黏合層170等中的穿孔時被去除。第二電極層122至少與包含有機化合物的層120的頂面接觸。電極端子157上的第二電極層122也當後面說明的黏合層170等中的穿孔時被去除。黏合層170與第二電極層122接觸。電極端子157上的黏合層170也當後面說明的黏合層170等中的穿孔時被去除。第二剝離層101b與黏合層170的頂面接觸。電極端子157上的第二剝離層101b也當後面說明的黏合層170等中的穿孔時被去除。第二有機層700b與第二剝離層101b的頂面接觸。電極端子157上的第二有機層700b也當後面說明的黏合層170等中的穿孔時被去除。導電層600與電極端子157電連接。
圖5A至圖5E只示出發光裝置902的製程中的與發 光裝置901的製程不同的製程。其他製程可以參考實施方式1。
以與第一基板100a接觸的方式形成第一剝離層101a(圖5A)。第一剝離層101a可以使用與第二剝離層101b相同的材料。
接著，以與第一剝離層101a接觸的方式形成電極端子157(圖5B)。
從第一電極層118的形成到第二有機層700b的形成為止可以參考實施方式1的圖2B至圖2E以及圖3A至圖3D。發光裝置的一方的面由第二有機層700b形成(圖5C)。在以下的製程中，將另一方的基板從發光裝置剝離並轉置到具有撓性的基板501上，而實現具有撓性的發光裝置。
將第一基板100a從發光裝置剝離(圖5D)。作為剝離方法，施加機械力(使用人手或夾具來剝離的處理或使滾筒轉動來進行分離的處理、超音波處理等)，即可。例如，使用鋒利的刀具或雷射照射在第一剝離層101a中形成切口，且在該切口中注入水。藉由由於毛細現象而水滲到第一剝離層101a與第一基板100a之間，容易可以從發光裝置將第一基板100a剝離。此外，當使用雷射照射形成切口時，也可以從第二基板100b或第一基板100a照射雷射。
接著，去除第一剝離層101a上的水，以與第一剝離層101a接觸的方式形成第一有機層700a，並且貼合具有 撓性的基板501(圖5E)。
作為具有撓性的基板501，可以使用具有撓性及對可見光的透光性的基板，例如，適當地使用聚對苯二甲酸乙二醇酯樹脂、聚萘二甲酸乙二醇酯樹脂、聚丙烯腈樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚甲基丙烯酸甲酯樹脂、聚碳酸酯樹脂、聚醚碸樹脂、聚醯胺樹脂、環烯烴樹脂、聚苯乙烯樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂、聚氯乙烯樹脂等。此外，具有撓性的基板501的熱膨脹係數較佳為30ppm/K以下，更佳為10ppm/K以下。另外，也可以在具有撓性的基板501上預先形成具有低透水性的保護膜，諸如氮化矽或氧氮化矽等含有氮和矽的膜、氮化鋁等含有氮和鋁的膜等。另外，也可以將在纖維體中浸滲有有機樹脂的結構體(所謂的預浸料)用於具有撓性的基板501。
圖6A至圖6C示出從以圍繞與電極端子157重疊的部分的方式在第二有機層700b、第二剝離層101b以及黏合層170中形成切口的製程到形成導電層600的製程。
以圍繞與電極端子157重疊的部分的方式在第二有機層700b、第二剝離層101b以及黏合層170中形成切口(圖6A)。使用鋒利的刀具等形成切口，即可。
接著，向從發光裝置剝離的方向拉以與圍繞電極端子157重疊的部分的方式形成切口的第二有機層700b的一部分。包含有機化合物的層與電極端子之間的介面處的貼緊性較低，因此可以使電極端子157露出。
接著，使用導電層600填充上述穿的孔。(圖6B) 。導電層600較佳為使用銀膏等形成。可以藉由導電層600輸入來自外部電源的電力和外部信號。或者，也可以在作為導電層600使用各向異性導電薄膜或各向異性導電膏在其上配置FPC(Flexible Print Circuit：撓性印刷電路)之後，藉由熱壓焊藉由導電層600使FPC與電極端子157電連接。或者，也可以使用直接安裝IC晶片代替FPC的方法。
根據本發明的發光裝置的製造方法，可以對與電極端子157重疊的區域中的難以穿孔的樹脂等中穿孔。可以不損傷電極端子157而在難以穿孔的樹脂等中穿孔。
此外，因為發光裝置由具有撓性的基板501與第二有機層700b構成，所以可以實現具有撓性的發光裝置。
〈發光裝置的製造方法的變形例子2〉
圖1C示出藉由本發明的一個方式的發光裝置的製造方法可以製造的發光裝置903的剖面圖。該發光裝置903在黏合層170與第二剝離層101b之間具有著色層166。其他結構與發光裝置901相同，因此可以參考上述實施方式。因此，以下只說明著色層166的製造方法。
直到形成第二電極層122的製程可以參考發光裝置901的形成製程(圖2A至圖2E)。
(著色層)
在第二基板100b的第二剝離層101b上形成著色層 166。注意，在圖6C中，第二剝離層101b和著色層166位於第二基板100b的下面。著色層166也稱為濾色片，即是透過特定的波長區域中的光的有色層。例如，可以使用透過紅色波長區域中的光的紅色著色層、透過綠色波長區域中的光的綠色著色層、透過藍色波長區域中的光的藍色著色層等。各著色層可以使用公知的材料並藉由印刷法、噴墨法、使用光微影技術的蝕刻法形成(圖6C)。
形成在第二基板100b上的著色層166可以隔著黏合層170與第二電極層122黏合。該製程可以參考實施方式1。
將第二基板100b從發光裝置剝離且形成第二有機層700b的製程可以參考實施方式1。
使電極端子157露出的方法也可以參考實施方式1。
根據本發明的發光裝置的製造方法，可以對與電極端子157重疊的區域中穿孔。可以不損傷電極端子157而在樹脂等中穿孔。
根據該發光裝置的製造方法，所製造的發光裝置可以穿過著色層將從發光元件發射的光提取到外部，因此可以得到所希望的發光顏色。
〈發光裝置的製造方法的變形例子3〉
圖1D示出藉由本發明的一個方式的發光裝置的製造方法可以製造的發光裝置904的剖面圖。發光裝置904因為由具有撓性的基板501和第二有機層700b構成，所以具有撓性。此外，該發光裝置904在黏合層170和第二剝 離層101b之間具有著色層166。其他結構與發光裝置903相同。
形成在第二基板100b上的著色層166可以隔著黏合層170與第二電極層122黏合。該製程可以參考實施方式1。
將第二基板100b從發光裝置剝離且形成第二有機層700b的製程可以參考實施方式1。
將第一基板100a從發光裝置剝離、形成第一有機層700a並設置具有撓性的基板501的製程可以參考實施方式1。
根據本發明的發光裝置的製造方法，可以對與電極端子157重疊的區域中的難以穿孔的樹脂等中穿孔。可以不損傷電極端子157而在難以穿孔的樹脂等中穿孔。
此外，因為發光裝置由具有撓性的基板501與第二有機層700b構成，因此由於該發光裝置的製造方法而可以實現具有撓性的發光裝置。
此外，根據該發光裝置的製造方法，所製造的發光裝置可以穿過著色層將從發光元件發射的光提取到外部，因此可以得到所希望的發光顏色。
實施方式2
在本實施方式中，首先參照圖7A及圖7B對本發明的發光裝置的結構的一個方式進行說明，接著參照圖8A至圖12B對發光裝置的製造方法進行說明。
〈發光裝置的結構〉
圖7A是示出發光裝置的俯視圖，圖7B是沿著圖7A中的虛線A1-A2切斷的剖面圖。
圖7A所示的發光裝置設置有設置在具有撓性的基板501上的像素部4502以及信號線電路部4503。
各像素具備控制發光元件的驅動的電晶體150。此外，圖7A和圖7B示出電晶體152作為信號線電路部4503的一個例子。
圖7B所示的發光裝置具有由黏合層170貼合具有撓性的基板501和具有撓性的基板502的結構。在具有撓性的基板501上形成有電晶體150、形成在電晶體150上的發光元件130、形成在各像素之間的隔壁124以及電極端子157。在具有撓性的基板502上形成有遮光膜164以及著色層166。
另外，圖7B所示的發光裝置是所謂的頂部發射結構的發光裝置，其中來自發光元件130的光穿過著色層166從具有撓性的基板502一側發射。
具有撓性的基板501具有：設置在具有撓性的基板501上的第一有機層700a；設置在第一有機層700a上的第一緩衝層104；設置在第一緩衝層104上的用來控制發光元件的驅動的電晶體150；電連接於電晶體150的發光元件130；以及發光元件130之間的隔壁124。
電晶體150具有：形成在第一緩衝層104上的閘極電極層106；形成在閘極電極層106上的閘極絕緣層108； 形成在閘極絕緣層108上的半導體層110；以及形成在半導體層110上的源極電極層112a及汲極電極層112b。另外，電晶體150被第一絕緣層114和第二絕緣層116覆蓋，在該第二絕緣層116上形成有第一電極層118、形成在第一電極層118上的包含有機化合物的層120以及形成在包含有機化合物的層120上的第二電極層122。
圖7B所示的電晶體151或電晶體152的結構與電晶體150相同。注意，在各電晶體中可以適當地調節電晶體的尺寸(例如，通道長度、通道寬度)或電晶體的連接等。
另外，由第一電極層118、包含有機化合物的層120以及第二電極層122形成發光元件130。此外，發光元件130藉由設置在第一絕緣層114及第二絕緣層116中的開口電連接於電晶體150。電極端子157不被第二絕緣層116覆蓋。這是因為在電極端子157的表面上形成包含有機化合物的層120的緣故。
以與電極端子157的頂面接觸的方式形成包含有機化合物的層120和第二電極層122。這是因為為了在電極端子157與包含有機化合物的層120之間的介面處進行剝離來剝下黏合層170。
另外，發光元件130被隔壁124分離而形成像素。
隔壁124為了防止設置在第一電極層118、第一絕緣層114以及第二絕緣層116中的開口等的步階導致在第一電極層118、第一絕緣層114以及第二絕緣層116的頂面形成的膜的斷開而形成。因此，隔壁124較佳為具有正錐 形，以便防止在隔壁124的頂面形成的膜斷開。注意，正錐形是指一種結構，其中在成為基底的層上其他層接觸於該基底的層並以平緩的角度逐漸增加厚度。
在此，參照圖8A至圖12B對圖7B所示的發光裝置的製造方法進行詳細說明。
〈發光裝置的製造方法〉
首先，在第一基板100a上形成第一剝離層101a，在該第一剝離層101a上形成第一緩衝層104。第一緩衝層104較佳為不使第一剝離層101a暴露於大氣而連續地形成。藉由連續地形成第一緩衝層104，可以防止灰塵或雜質混入到第一剝離層101a和第一緩衝層104之間。
第一基板100a可以使用玻璃基板、石英基板、藍寶石基板、陶瓷基板、金屬基板等。關於其詳細內容，可以參考實施方式1。
第一剝離層101a是由如下材料形成的單層或疊層的層：選自鎢、鉬、鈦、鉭、鈮、鎳、鈷、鋯、釕、銠、鈀、鋨、銥、矽中的元素；含有上述元素的合金材料；含有上述元素的化合物材料。含有矽的層的結晶結構可以採用非晶、微晶和多晶中的任何一種。關於其詳細內容，可以參考實施方式1。
接著，將第一緩衝層104形成在第一剝離層101a上。第一緩衝層104較佳為使用氮化矽、氧氮化矽、氮氧化矽等的單層或疊層形成。
第一緩衝層104可以使用濺射法、電漿CVD法、塗敷法、印刷法等形成，例如藉由使用電漿CVD法在250℃以上且400℃以下的成膜溫度下進行成膜，可以形成緻密且具有極低的透水性的膜。另外，第一緩衝層104的厚度較佳為10nm以上且3000nm以下，更佳為200nm以上且1500nm以下。
接著，藉由在第一緩衝層104、絕緣層103上形成導電膜並使用光微影法，形成閘極電極層106(參照圖8A)。
閘極電極層106可以藉由使用鉬、鈦、鉻、鉭、鎢、鋁、銅、釹、鈧等金屬材料或含有上述金屬的合金材料的單層或疊層來形成。
接著，在閘極電極層106上形成閘極絕緣層108。閘極絕緣層108可以藉由使用電漿CVD法或濺射法等形成氧化矽、氮化矽、氧氮化矽、氮氧化矽或氧化鋁的單層或疊層。例如，可以藉由電漿CVD法使用SiH4、N2O作為成膜氣體來形成氧氮化矽膜。
接著，藉由形成半導體層並使用光微影法，形成島狀的半導體層110(參照圖8A)。
半導體層110可以使用矽半導體或氧化物半導體形成。矽半導體例如為單晶矽或多晶矽等，作為氧化物半導體可以適當地使用In-Ga-Zn類金屬氧化物等。注意，當作為半導體層110使用In-Ga-Zn類金屬氧化物的氧化物半導體來形成關態電流(off-state current)低的半導體層時 ，可以抑制在後面形成的發光元件成為截止狀態時的洩漏電流，所以是較佳的。關於可以應用於本發明的氧化物半導體，在實施方式4中進行說明。
接著，藉由在閘極絕緣層108及半導體層110上形成導電膜並使用光微影法形成源極電極層112a及汲極電極層112b。
用於源極電極層112a及汲極電極層112b的導電膜例如可以使用含有選自Al、Cr、Cu、Ta、Ti、Mo、W中的元素的金屬膜或者含有上述元素的金屬氮化物膜(氮化鈦膜、氮化鉬膜、氮化鎢膜)等。此外，也可以採用在Al、Cu等金屬膜的下側或上側中的一者或兩者上層疊Ti、Mo、W等難熔金屬膜或這些元素的金屬氮化物膜(氮化鈦膜、氮化鉬膜、氮化鎢膜)的結構。另外，用於源極電極層112a及汲極電極層112b的導電膜可以使用具有導電性的金屬氧化物形成。具有導電性的金屬氧化物例如可以使用氧化銦(In2O3等)、氧化錫(SnO2等)、氧化鋅(ZnO)、ITO、氧化銦氧化鋅(In2O3-ZnO等)或者使這些金屬氧化物材料含有氧化矽的材料。
接著，形成電極端子157。電極端子157使用導電膜形成，即可。也可以在形成源極電極層112a和汲極電極層112b的同時形成電極端子157。
接著，在半導體層110、源極電極層112a及汲極電極層112b上形成第一絕緣層114(參照圖8B)。第一絕緣層114可以使用氧化矽膜、氧氮化矽膜、氧化鋁膜等無 機絕緣膜。
接著，在第一絕緣層114上形成第二絕緣層116。
第二絕緣層116較佳為選擇為了減小起因於電晶體的表面的凹凸而具有平坦化功能的絕緣膜。例如，可以使用聚醯亞胺樹脂、丙烯酸樹脂等有機材料。此外，除了上述有機材料之外，還可以使用低介電常數材料(low-k材料)等。另外，也可以藉由層疊多個由上述材料形成的絕緣膜來形成第二絕緣層116。
接著，藉由進行光微影法在第一絕緣層114、第二絕緣層116中形成到達電極端子157及汲極電極層112b的開口。作為形成開口的方法，可以適當地選擇乾蝕刻法或濕蝕刻法等。
接著，藉由在第二絕緣層116及汲極電極層112b上形成導電膜，並使用光微影製程，形成第一電極層118。
第一電極層118較佳為使用可以有效地反射包含有機化合物的層120(在後面形成)所發射的光的材料。關於其詳細內容，可以參考實施方式1。
接著，在第一電極層118上形成隔壁124(參照圖8C)。
隔壁124使用有機絕緣材料或無機絕緣材料形成。尤其是，較佳為使用感光樹脂材料，並將其側壁形成為具有連續曲率的傾斜面。
以與電極端子157、第一電極層118以及隔壁124接觸的方式形成包含有機化合物的層120。在電極端子157 上形成包含有機化合物的層120是因為為了容易剝下電極端子157上的黏合層170。關於可以用於包含有機化合物的層120以及第二電極層122的材料，可以參考實施方式1及實施方式2。
另外，本實施方式雖然例示出以穿過著色層166的方式發射包含有機化合物的層120所發射的光的結構，但是不侷限於此。也可以採用將包含有機化合物的層120塗成為不同顏色(例如，RGB)而不使用著色層166的結構。 注意，如果將包含有機化合物的層120塗成為不同顏色則有可能增加製程數或成本，因此較佳為採用本實施方式所示的由呈現白色發光的包含有機化合物的層120和著色層166構成的結構。
接著，在包含有機化合物的層120上形成第二電極層122(參照圖8D)。第二電極層122也可以形成在電極端子157上。
作為第二電極層122，可以使用具有透光性的金屬氧化物形成。關於可以應用的材料，可以參考實施方式1。
另外，第一電極層118和第二電極層122中的任一方用作發光元件130的陽極，而另一方用作發光元件130的陰極。用作陽極的電極較佳為使用具有大功函數的物質，而用作陰極的電極較佳為使用具有小功函數的物質。
另外，由第一電極層118、包含有機化合物的層120以及第二電極層122形成發光元件130。
藉由上述步驟，在第一基板100a上形成控制發光元 件的驅動的電晶體150、電晶體151以及發光元件130。
接著，以下示出在第二基板100b上形成遮光膜164、著色層166以及外敷(overcoat)層168的形成方法。
首先，在第二基板100b上形成第二剝離層101b，並在該第二剝離層101b上形成第二緩衝層162(參照圖9A)。
第二剝離層101b及第二緩衝層162可以使用與上述第一剝離層101a及第一緩衝層104同樣的材料及方法形成。
接著，藉由在第二緩衝層162上形成鈍化層163和導電膜並使用光微影法對導電膜進行加工，來形成遮光膜164(參照圖9B)。
可以由遮光膜164防止各像素之間的混色。遮光膜164可以使用具有低反射率的金屬膜如鈦、鉻等或者浸滲有黑色顏料或黑色染料的有機樹脂膜等。
接著，在鈍化層163及遮光膜164上形成著色層166。
著色層166是透過特定的波長區域的光的有色層。例如，可以使用透過紅色波長區域的光的紅色(R)濾色片、透過綠色波長區域的光的綠色(G)濾色片、透過藍色波長區域的光的藍色(B)濾色片等。各濾色片藉由使用公知的材料利用印刷法、噴墨法、使用光微影法的蝕刻方法等來形成在所希望的位置。
另外，在此雖然說明採用RGB三個顏色的方法，但是不侷限於此。也可以採用使用RGBY(黃色)等四個顏色的結構或五個顏色以上的結構。
接著，在遮光膜164及著色層166上形成外敷(overcoat)層168(參照圖9C)。
外敷(overcoat)層168可以使用丙烯酸樹脂、聚醯亞胺樹脂等有機樹脂膜形成。可以由外敷(overcoat)層168防止著色層166所含有的雜質成分等擴散到包含有機化合物的層120一側。另外，外敷(overcoat)層168可以採用有機樹脂膜和無機絕緣膜的疊層結構。無機絕緣膜可以使用氮化矽、氧化矽等。另外，也可以不設置外敷(overcoat)層168。
此外，在後面的形成黏合層170的情況下，當將用於黏合層170的樹脂塗敷在第二基板100b上時，較佳作為外敷(overcoat)層168的材料是用對該樹脂具有高潤濕性的材料。尤其是，作為用於外敷(overcoat)層168的材料需要具有如下特性：高透過率；當與該樹脂接觸時不起反應；以及不溶解塗敷該樹脂時使用的溶劑等。例如，較佳為將ITO膜等氧化物導電膜或減薄為具有透光性的程度的Ag膜等金屬膜用於外敷(overcoat)層168。
藉由上述步驟，在第二基板100b上可以形成第二剝離層101b、第二緩衝層162、鈍化層163、遮光膜164、著色層166以及外敷(overcoat)層168。此外，在本實施方式中，因為在第二基板100b上形成著色層166，所以將以下示出的第一基板100a與第二基板100b的貼合精度設定為10ppm以下，較佳為5ppm以下。
接著，進行第一基板100a和第二基板100b的對準而 使用黏合層170將它們黏合在一起(參照圖10A)。
能夠用於黏合層170的材料可以參考實施方式1。
另外，也可以在黏合層170和第二電極層122之間形成具有低透濕性的密封膜。具有低透濕性的密封膜例如可以使用氧化矽、氮化矽、氧化鋁等。
接著，在形成在第二基板100b上的第二剝離層101b和第二基板100b之間進行剝離(分離)(參照圖10B)。剝離方法可以使用各種方法。
另外，形成在第一基板100a上的第一剝離層101a和形成在第二基板100b上的第二剝離層101b在平面方向上的尺寸可以不同。例如，藉由將第二剝離層101b形成為小於第一剝離層101a，可以在將第一基板100a和第二基板100b黏合之後容易在第二剝離層101b中形成槽，所以是較佳的。
作為剝離方法，可以施加機械力(用人手或工具進行剝下的處理、使滾筒轉動而進行分離的處理、超音波處理等)即可。另外，也可以藉由將液體滴在槽中並使該液體滲透到第二剝離層101b和第二緩衝層162之間的介面處，來將第二緩衝層162從第二剝離層101b剝離。此外，也可以藉由將NF3、BrF3、ClF3等氟化氣體導入到上述槽中而藉由使用氟化氣體進行蝕刻去除第二剝離層101b，來將第二緩衝層162從具有絕緣表面的第二基板100b剝離。
此外，例如藉由作為第二剝離層101b使用容易氧化 的金屬(例如鎢、鉬、鈦等)或包含該金屬的合金，作為第二緩衝層162使用氧化物(例如氧化矽等)且在形成第二緩衝層162之後進行熱處理，在它們之間的介面處形成金屬氧化物的層。可以使用該金屬氧化物的層將第二剝離層101b和第二緩衝層162剝離。此時，有時該金屬氧化物的層附著在剝離之後的第二剝離層101b的表面和第二緩衝層162的表面中的一者或兩者。此外，有時第二剝離層101b的一部分附著在第二緩衝層162上。在此，當形成該金屬氧化物的層時，也可以在形成第二緩衝層162之前對第二剝離層101b的表面進行熱氧化、電漿氧化等氧化處理，來在第二剝離層101b的表面形成金屬氧化物的層。
如此，也可以在第二剝離層101b與第二緩衝層162之間進行剝離。在此情況下，第二剝離層101b與第二基板100b一起被剝離，而在所製造的發光裝置中，沒有殘留第二剝離層101b。
作為其他剝離方法，在使用鎢形成第二剝離層101b的情況下，可以使用氨水和過氧化氫水的混合溶液在對第二剝離層101b進行蝕刻的同時進行剝離。
另外，當作為第二剝離層101b使用含有氮、氧或氫等的膜(例如，含有氫的非晶矽膜、含有氫的合金膜、含有氧的合金膜等)並作為第二基板100b使用具有透光性的基板時，可以從第二基板100b對第二剝離層101b照射雷射，使剝離層所含有的氮、氧或氫汽化，而在第二基板 100b和第二剝離層101b之間進行剝離。
接著，使用第二有機層700b將第二緩衝層162和具有撓性的基板502黏合在一起(參照圖11A)。
作為具有撓性的基板502，可以使用具有撓性及對可見光的透光性的基板。此外，也可以將具有觸摸屏功能的基板用於具有撓性的基板502。例如，將形成有透光導電膜的基板用於具有撓性的基板502的一方的面，即可。觸摸屏的檢測方法可以使用各種方式，但是較佳為採用投射電容式。藉由使具有撓性的基板502具有觸摸屏的功能，可以使發光裝置變薄。
另外，本實施方式所示的發光裝置為從具有撓性的基板502一側的面提取發光的頂部發射型的發光裝置，所以作為第一基板100a也可以使用減薄為具有非透光性的程度的金屬基板。該金屬基板設置在不提取光的一側。對構成金屬基板的材料沒有特別的限制，但是較佳為使用鋁、銅、鎳、鋁合金或不鏽鋼等金屬合金等。
當具有撓性的基板502的材料中含有纖維體時，作為纖維體使用有機化合物或無機化合物的高強度纖維。明確而言，高強度纖維是指拉伸彈性模量或楊氏模量高的纖維。作為其典型例子，可以舉出聚乙烯醇類纖維、聚酯類纖維、聚醯胺類纖維、聚乙烯類纖維、芳族聚醯胺類纖維、聚對苯撐苯並雙噁唑纖維、玻璃纖維或碳纖維。作為玻璃纖維可以舉出使用E玻璃、S玻璃、D玻璃、Q玻璃等的玻璃纖維。作為具有撓性的基板502也可以使用如下結構 體，該結構體是將上述纖維體以織布或不織布的狀態使用，且在該纖維體中浸滲有機樹脂並使該有機樹脂固化而成的。藉由作為具有撓性的基板502使用由纖維體和有機樹脂構成的結構體，可以提高抵抗彎曲或局部擠壓所引起的破損的可靠性，所以該結構是較佳的。
第二有機層700b可以使用各種固化型黏合劑如紫外線固化型黏合劑等光固化型黏合劑、反應固化型黏合劑、熱固化型黏合劑或厭氧型黏合劑等。作為這些黏合劑的材料可以使用環氧樹脂、丙烯酸樹脂、矽酮樹脂、酚醛樹脂等。
另外，在作為具有撓性的基板502使用預浸料的情況下，也可以將具有撓性的基板502和第二緩衝層162壓合並黏合，而不使用第二有機層700b。
接著，在形成在第一基板100a上的第一剝離層101a和第一基板100a之間進行剝離(分離)，並使用第一有機層700a進行具有撓性的基板501的黏合(參照圖11B)。
剝離方法可以使用與上述的在形成在第二基板100b上的第二剝離層101b和第二緩衝層162之間進行剝離時同樣的方法。另外，具有撓性的基板501及第一有機層700a可以分別使用與具有撓性的基板502及第二有機層700b同樣的材料及方法形成。
此外，如上所述那樣也可以在第一剝離層101a與第一緩衝層104之間進行剝離。在此情況下，第一剝離層101a與第一基板100a一起被剝離，而在所製造的發光裝 置中沒有殘留第一剝離層101a。
此外，如上所述那樣，當作為第一剝離層101a使用容易氧化的金屬或合金，並且在藉由使其氧化而得到的金屬氧化物層中進行剝離時，有時該金屬氧化物的層附著在第一剝離層101a的表面和第一緩衝層104的表面中的一者或兩者。
當採用從具有撓性的基板501一側的面提取發光的底部發射結構的發光裝置時，也可以將具有觸摸屏功能的基板用於具有撓性的基板502。
藉由如上步驟，可以製造形成在具有撓性的基板上的發光裝置。
另外，本實施方式雖然例示出將第二基板100b剝離之後將第一基板100a剝離的方法，但是本說明書所公開的發明不侷限於此，也可以在將第一基板100a剝離之後將第二基板100b剝離。
另外，本實施方式例示出將第一基板100a從形成在第一基板100a上的電晶體150、發光元件130剝離並轉置到具有撓性的基板501的方法。但是，本說明書所公開的發明不侷限於此，而也可以在具有撓性的基板501上直接形成電晶體150、發光元件130等。
接著，以圍繞與電極端子157重疊的部分的方式從具有撓性的基板502一側在具有撓性的基板502和第二有機層700b中形成切口(圖12A)。
接著，向從發光裝置剝離的方向拉以圍繞與電極端子 157重疊的部分的方式切開的第二有機層700b的一部分，即可。包含有機化合物的層120與電極端子157之間的介面處的貼緊性較低，因此可以使電極端子157露出(圖12B)。
接著，使用導電層600填充上述穿的孔。導電層600較佳為使用銀膏等形成。藉由各向異性導電膜4519導電層600與具有FPC4518的端子電連接，而能夠將來自外部電源的電力和外部信號輸入到發光裝置內的電晶體等。或者，也可以不使用各向異性導電膜4519而在作為導電層600使用各向異性導電薄膜或各向異性導電膏，在其上配置FPC4518，然後藉由熱壓焊藉由導電層600使FPC4518與電極端子157電連接。或者，也可以使用直接安裝IC晶片代替FPC的方法。
另外，雖然本實施方式例示出主動矩陣型的發光裝置作為發光裝置之一，但是也可以將本發明應用於被動矩陣型的發光裝置。
如上所述，在本實施方式所示的發光裝置中，以與電極端子157接觸的方式形成包含有機化合物的層120以及第二電極層122。因為包含有機化合物的層120與電極端子157之間的介面處的貼緊性較低，所以藉由剝離與電極端子157重疊的黏合層170、第二有機層以及具有撓性的基板可以穿孔。
在此，如上所述，在當進行第一基板100a或第二基板100b的剝離時在剝離層與緩衝層之間進行剝離的情況 下，如圖16所示那樣在所製造的發光裝置中沒有殘留剝離層。注意，圖16是第一剝離層101a和第二剝離層101b都沒有殘留的情況下的發光裝置的剖面示意圖。藉由採用在提取來自發光元件130的光一側沒有剝離層的結構，可以提高來自發光裝置的發光的提取效率。
此外，當採用剝離層殘留在發光裝置中的結構時，作為用於提取來自發光元件130的發光一側的剝離層較佳為使用具有透光性的材料。此外，當作為剝離層使用金屬膜、合金膜或半導體膜時，較佳為形成得薄以具有透過光的程度。
此外，本發明的一個方式的發光裝置的製造方法適合於在大型基板上同時製造多個發光裝置，即“得到多個發光裝置”。例如，將相同尺寸的大型基板用於第一基板100a和第二基板100b，在具有撓性的基板上製造多個發光裝置。然後，在根據每個發光裝置斷開之後，可以使電極端子157露出並與FPC4518電連接。
例如，當使用習知的方法得到多個發光裝置時，為了使電極端子157露出而需要使具有撓性的基板502的斷開位置與具有撓性的基板501的斷開位置不同。但是，當採用該方法時，由黏合層170黏合具有撓性的基板501和具有撓性的基板502，因此難以去除電極端子157上的具有撓性的基板502。根據本發明的一個方式的發光裝置的製造方法，可以在同一位置上斷開具有撓性的基板501和具有撓性的基板502，因此同時可以以高良率製造多個發光 裝置，因此可以提高生產率。
而且，藉由將相同尺寸的基板用於第一基板100a和第二基板100b，不需要準備不同尺寸的基板，而可以共同使用所使用的基板的種類或製造裝置(例如，成膜裝置等)，因此可以提高生產率。並且，藉由將相同尺寸的基板用於這些基板，當剝離(分離)每一個基板時，可以抑制應力集中在構成發光裝置的膜而產生裂縫等的故障現象。
本實施方式可以與其他實施方式所記載的結構適當地組合而實施。
實施方式3 〈發光元件的結構〉
圖13A所示的發光元件130具有在一對電極(第一電極層118、第二電極層122)之間夾有包含有機化合物的層120的結構。此外，在以下的本實施方式的說明中，作為例子，將第一電極層118用作陽極，而將第二電極層122用作陰極。
此外，包含有機化合物的層120至少包括發光層而形成即可，也可以採用除了發光層以外還包括功能層的疊層結構。作為發光層以外的功能層，可以使用包含電洞注入性高的物質、電洞傳輸性高的物質、電子傳輸性高的物質、電子注入性高的物質、雙極性(電子及電洞的傳輸性高的物質)的物質等的層。明確而言，可以將電洞注入層、 電洞傳輸層、電子傳輸層、電子注入層等功能層適當地組合而使用。
在圖13A所示的發光元件130中，產生在第一電極層118和第二電極層122之間的電位差使電流流過，在包含有機化合物的層120中電洞和電子重新結合，而得到發光。換言之，在包含有機化合物的層120中形成有發光區域。
在本發明中，來自發光元件130的發光從第一電極層118一側或第二電極層122一側被提取到外部。因此，第一電極層118和第二電極層122中的任一方由透光物質構成。
另外，如圖13B所示，可以在第一電極層118和第二電極層122之間層疊多個包含有機化合物的層120。當包含有機化合物的層120具有n(n是2以上的自然數)層的疊層結構時，較佳為在第m(m是自然數，m是1以上且n-1以下)個包含有機化合物的層120和第(m+1)個包含有機化合物的層120之間分別設置電荷產生層120a。
電荷產生層120a可以使用如下材料形成：有機化合物和金屬氧化物的複合材料；金屬氧化物；有機化合物和鹼金屬、鹼土金屬或這些的化合物的複合材料。除此之外，還可以適當地組合上述材料來形成電荷產生層120a。作為有機化合物和金屬氧化物的複合材料，例如是包含有機化合物和氧化釩、氧化鉬或氧化鎢等金屬氧化物的複合材料。作為有機化合物，可以使用各種化合物：芳香胺化 合物、咔唑衍生物、芳烴等低分子化合物；或者以這些低分子化合物為基本骨架的低聚物、樹枝狀聚合物、聚合物等。此外，作為具有電洞傳輸性的有機化合物，較佳為使用其電洞遷移率為10-6cm2/Vs以上的有機化合物。但是，只要是其電洞傳輸性高於其電子傳輸性的物質，就可以使用上述以外的物質。另外，由於用於電荷產生層120a的這些材料具有優異的載流子注入性、載流子傳輸性，所以可以實現發光元件130的低電流驅動及低電壓驅動。
另外，電荷產生層120a也可以使用有機化合物和金屬氧化物的複合材料與其他材料的組合來形成。例如，也可以組合包含有機化合物和金屬氧化物的複合材料的層與包含選自電子供給物質中的一種化合物和電子傳輸性高的化合物的層而形成電荷產生層120a。另外，也可以組合包含有機化合物和金屬氧化物的複合材料的層與透明導電膜而形成電荷產生層120a。
具有上述結構的發光元件130不容易產生能量的移動或滅光等的問題，並且因為具有上述結構的發光元件的材料的選擇範圍變大，所以可以容易形成兼有高發光效率和長使用壽命的發光元件。另外，也容易從一方的發光層得到磷光發光而從另一方的發光層得到螢光發光。
另外，電荷產生層120a當對第一電極層118和第二電極層122施加電壓時具有對接觸於電荷產生層120a地形成的一方的包含有機化合物的層120注入電洞的功能，並具有對另一方的包含有機化合物的層120注入電子的功 能。
圖13B所示的發光元件130藉由改變用於包含有機化合物的層120的發光物質的種類來可以得到各種發光顏色。另外，藉由作為發光物質使用多個不同發光物質，也可以得到寬光譜的發光或白色發光。
當使用圖13B所示的發光元件130得到白色發光時，多個包含有機化合物的層120的組合採用包括紅色、藍色及綠色的光而發射白色光的結構即可，例如可以舉出如下結構：即具有包括藍色的螢光材料作為發光物質的第一發光層和包括綠色和紅色的磷光材料作為發光物質的第二發光層的結構。也可以採用具有呈現紅色發光的第一發光層、呈現綠色發光的第二發光層和呈現藍色發光的第三發光層的結構。或者，藉由採用具有發射處於補色關係的光的發光層的結構，也可以獲得白色發光。在層疊有兩個發光層的疊層型元件中，當使從第一發光層獲得的發光顏色和從第二發光層獲得的發光顏色處於補色關係時，作為補色關係可以舉出藍色和黃色或者藍綠色和紅色等。
另外，在上述疊層型元件的結構中，藉由在層疊的發光層之間配置電荷產生層，可以在保持低電流密度的狀態下實現高亮度區中的長使用壽命的元件。另外，由於可以降低電極材料的電阻所導致的電壓下降，因此可以實現大面積的均勻發光。
本實施方式可以與其他實施方式所記載的結構適當地組合而實施。
實施方式4
在本實施方式中，詳細說明可以用於實施方式2中的半導體層的氧化物半導體。
用於電晶體的半導體層的氧化物半導體較佳至少包含銦(In)或鋅(Zn)。尤其是較佳為包含In及Zn。此外，除了上述元素以外，較佳為還包含使氧堅固地結合的穩定劑(stabilizer)。作為穩定劑，包含鎵(Ga)、錫(Sn)、鋯(Zr)、鉿(Hf)和鋁(Al)中的至少一種即可。
另外，作為其他穩定劑，也可以具有鑭系元素的鑭(La)、鈰(Ce)、鐠(Pr)、釹(Nd)、釤(Sm)、銪(Eu)、釓(Gd)、鋱(Tb)、鏑(Dy)、鈥(Ho)、鉺(Er)、銩(Tm)、鐿(Yb)、鑥(Lu)中的一種或多種。
例如，可以使用In-Sn-Ga-Zn類氧化物、In-Ga-Zn類氧化物、In-Sn-Zn類氧化物、In-Zr-Zn類氧化物、In-Al-Zn類氧化物、Sn-Ga-Zn類氧化物、Al-Ga-Zn類氧化物、Sn-Al-Zn類氧化物、In-Hf-Zn類氧化物、In-La-Zn類氧化物、In-Ce-Zn類氧化物、In-Pr-Zn類氧化物、In-Nd-Zn類氧化物、In-Sm-Zn類氧化物、In-Eu-Zn類氧化物、In-Gd-Zn類氧化物、In-Tb-Zn類氧化物、In-Dy-Zn類氧化物、In-Ho-Zn類氧化物、In-Er-Zn類氧化物、In-Tm-Zn類氧化物、In-Yb-Zn類氧化物、In-Lu-Zn類氧化物、In-Zn類氧化物、Sn-Zn類氧化物、Al-Zn類氧化物、Zn-Mg類氧化物、Sn-Mg類氧化物、In-Mg類氧化物、In-Ga類氧化 物、In類氧化物、Sn類氧化物、Zn類氧化物等。
另外，在此，例如，“In-Ga-Zn類氧化物”是指以In、Ga及Zn為主要成分的氧化物，對In、Ga及Zn的比率沒有限制。
另外，可以作為氧化物半導體使用以InMO3(ZnO)m(m>0)表示的材料。注意，M表示選自Ga、Fe、Mn和Co中的一種或多種金屬元素。另外，作為氧化物半導體，也可以使用以In2SnO5(ZnO)n(n>0)表示的材料。
例如，可以使用In：Ga：Zn=3：1：2、In：Ga：Zn=1：1：1或In：Ga：Zn=2：2：1的原子數比的In-Ga-Zn類氧化物或該組成的近旁的氧化物。或者，使用In：Sn：Zn=1：1：1、In：Sn：Zn=2：1：3或In：Sn：Zn=2：1：5的原子數比的In-Sn-Zn類氧化物或該組成的近旁的氧化物即可。
此外，例如，“In、Ga、Zn的原子數比為In：Ga：Zn=a：b：c(a+b+c=1)的氧化物的組成為原子數比為In：Ga：Zn=A：B：C(A+B+C=1)的氧化物的組成近旁”是指a、b、c滿足公式(1)。
(a-A)2+(b-B)2+(c-C)2 r2 (1)
r例如可以為0.05。其他氧化物也是同樣的。
但是，不侷限於上述材料，根據所需要的半導體特性(場效應遷移率、臨界電壓等)可以使用適當的組成的氧化物半導體。另外，較佳為採用適當的載流子濃度、雜質 濃度、缺陷密度、金屬元素及氧的原子數比、原子間距離以及密度等，以得到所需要的半導體特性。
在將氧化物半導體用於半導體層的電晶體中，藉由使氧化物半導體高度純化，可以充分降低關態電流(這裏是指，當在截止狀態下例如以源電位為基準的源電位與閘電位之間的電位差為臨界電壓以下時的汲極電流)。例如，氧化物半導體的高度純化可以藉由加熱成膜不使氧化物半導體中包含氫及羥基或者藉由在成膜後的加熱從膜中去除該氫及羥基而實現。藉由高度純化，在將In-Ga-Zn類氧化物用於通道形成區的電晶體中，將每通道寬度的關態電流降低到1×10-24A/μm(1yA/μm)至1×10-22A/μm(100yA/μm)左右。
可以用於半導體層的氧化物半導體膜例如可以處於非單晶狀態。非單晶狀態例如由CAAC(c-axis aligned crystal：c軸配向結晶)、多晶、微晶和非晶部中的至少任一個構成。非晶部的缺陷態密度高於微晶和CAAC的缺陷態密度。微晶的缺陷態密度高於CAAC的缺陷態密度。注意，將包括CAAC的氧化物半導體稱為CAAC-OS(c-axis aligned crystalline oxide semiconductor：c軸配向結晶氧化物半導體)。
較佳的是，氧化物半導體膜為CAAC-OS膜。在CAAC-OS中，例如c軸配向且a軸及/或b軸在宏觀上不一致。
例如，氧化物半導體膜可以包括微晶。注意，將包括 微晶的氧化物半導體稱為微晶氧化物半導體。微晶氧化物半導體膜例如包括1nm以上且小於10nm的尺寸的微晶(也稱為奈米晶)。
例如，氧化物半導體膜可以包括非晶部。注意，將包括非晶部的氧化物半導體稱為非晶氧化物半導體。非晶氧化物半導體膜例如具有無秩序的原子排列且不具有結晶成分。或者，非晶氧化物半導體膜例如是完全的非晶，並且不具有結晶部。
另外，氧化物半導體膜可以是包括CAAC-OS、微晶氧化物半導體和非晶氧化物半導體中的任一個的混合膜。混合膜例如包括非晶氧化物半導體的區域、微晶氧化物半導體的區域和CAAC-OS的區域。並且，混合膜例如可以具有包括非晶氧化物半導體的區域、微晶氧化物半導體的區域和CAAC-OS的區域的疊層結構。
另外，氧化物半導體膜例如可以處於單晶狀態。
氧化物半導體膜較佳為包括多個結晶部。在每個結晶部中，c軸較佳為在平行於形成有氧化物半導體膜的表面的法線向量或氧化物半導體膜的表面的法線向量的方向上一致。注意，在結晶部之間，一個結晶部的a軸和b軸的方向可以與另一個結晶部的a軸和b軸的方向不同。這種氧化物半導體膜的一個例子是CAAC-OS膜。
在大多情況下，包括在CAAC-OS膜中的結晶部的尺寸相當於一個邊長小於100nm的立方體。在利用透射電子顯微鏡(TEM：Transmission Electron Microscope)所 得到的影像中，不能明確地觀察到CAAC-OS膜中的結晶部與結晶部之間的邊界。另外，利用TEM，不能明確地觀察到CAAC-OS膜中的晶界(grain boundary)。因此，在CAAC-OS膜中，起因於晶界的電子遷移率的降低得到抑制。
在包括在CAAC-OS膜中的每個結晶部中，例如c軸在平行於形成有CAAC-OS膜的表面的法線向量或CAAC-OS膜的表面的法線向量的方向上一致。並且，在每個結晶部中，當從垂直於ab面的方向看時具有三角形或六角形的原子排列，且當從垂直於c軸的方向看時，金屬原子排列為層狀或者金屬原子和氧原子排列為層狀。注意，在結晶部之間，一個結晶部的a軸和b軸的方向可以與另一個結晶部的a軸和b軸的方向不同。在本說明書中，“垂直”的用語包括從80°到100°的範圍，較佳為包括從85°到95°的範圍。並且，“平行”的用語包括從-10°到10°的範圍，較佳為包括從-5°到5°的範圍。
在CAAC-OS膜中，結晶部的分佈不一定是均勻的。例如，在CAAC-OS膜的形成製程中，在從氧化物半導體膜的表面一側產生結晶生長的情況下，有時氧化物半導體膜的表面附近的結晶部的比例高於形成有氧化物半導體膜的表面附近的結晶部的比例。另外，當將雜質添加到CAAC-OS膜時，有時添加有雜質的區域中的結晶部的結晶性降低。
因為包括在CAAC-OS膜中的結晶部的c軸在平行於 形成有CAAC-OS膜的表面的法線向量或CAAC-OS膜的表面的法線向量的方向上一致，所以有時根據CAAC-OS膜的形狀(形成有CAAC-OS膜的表面的剖面形狀或CAAC-OS膜的表面的剖面形狀)c軸的方向可以彼此不同。另外，結晶部在成膜時或者在成膜之後藉由諸如加熱處理等晶化處理形成。因此，結晶部的c軸在平行於形成有CAAC-OS膜的表面的法線向量或CAAC-OS膜的表面的法線向量的方向上一致。
此外，CAAC-OS例如可以藉由降低缺陷態密度形成。在氧化物半導體中，例如，氧缺陷是缺陷態。氧缺陷有時稱為陷阱能階或因俘獲氫而成為載流子發生源。為了形成CAAC-OS，在氧化物半導體中不產生氧缺陷是重要的。因此，CAAC-OS是缺陷態密度低的氧化物半導體。或者，CAAC-OS是氧缺陷少的氧化物半導體。
將雜質濃度低且缺陷態密度低(氧缺陷的個數少)的狀態稱為“高純度本質”或“實際上高純度本質”。高純度本質或實際上高純度本質的氧化物半導體具有少載流子發生源，因此有時可以具有較低的載流子密度。因此，有時將該氧化物半導體用於通道形成區的電晶體很少具有負臨界電壓(也稱為常導通特性)。此外，高純度本質或實際上高純度本質的氧化物半導體具有較低的缺陷態密度，因此有時具有較低的陷阱態密度。因此，有時將該氧化物半導體用於通道形成區的電晶體的電特性變動小，因此該電晶體成為可靠性高的電晶體。此外，被氧化物半導體的 陷阱態俘獲的電荷到被釋放需要長時間，有時像固定電荷那樣動作。因此，有時將陷阱態密度高的氧化物半導體用於通道形成區的電晶體的電特性不穩定。
在使用高純度本質或實際上高純度本質的CAAC-OS的電晶體中，起因於可見光或紫外光的照射的電特性的變動小。因此，該電晶體具有高可靠性。
當使用濺射法形成CAAC-OS膜時，較佳為增高成膜時的基板溫度。例如，藉由將基板加熱溫度設定為100℃以上且600℃以下，較佳為200℃以上且500℃以下，更佳為150℃以上且450℃以下形成氧化物膜，來可以形成CAAC-OS膜。
此外，作為在濺射法中使用的電源，較佳為使用直流(DC)電源。此外，也可以使用高頻(RF)電源、交流(AC)電源。但是，RF電源難以應用於能夠在大面積的基板上進行成膜的濺射裝置。此外，從以下的觀點來看，與AC電源相比較佳為使用DC電源。
當作為濺射靶材使用In-Ga-Zn-O化合物靶材時，例如較佳為使用以2：2：1、8：4：3、3：1：1、1：1：1、4：2：3、3：1：2、3：1：4、1：6：4、1：6：9等的莫耳數比混合InOx粉末、GaOy粉末及ZnOz粉末而形成的In-Ga-Zn-O化合物靶材。x、y及z是任意的正數。此外，濺射靶材也可以是多晶。
此外，也可以使用磁控，由於磁場使濺射靶材附近的電漿空間高密度化。在磁控濺射裝置中，例如，在濺射靶 材的前方形成磁場，因此在濺射靶材的後方配置磁體組裝體(magnet assembly)。該磁場當濺射靶材的濺射時俘獲被電離的電子或因濺射而產生的二次電子。如此被俘獲的電子增高與成膜室內的稀有氣體等惰性氣體的碰撞概率，其結果是電漿密度得到增高。由此，例如可以不使元件形成層的溫度顯著上升而提高沈積速度。
當使用濺射法形成CAAC-OS膜時，例如較佳為降低存在於濺射裝置的成膜室內的雜質(氫、水、二氧化碳以及氮等)。此外，較佳為降低成膜氣體中的雜質。例如，藉由作為氧氣氣體或氬氣氣體的成膜氣體使用露點為-40℃以下，較佳為-80℃以下，更佳為-100℃以下的被高度純化的氣體，可以抑制雜質混入到CAAC-OS膜中。
當使用濺射法形成CAAC-OS膜時，較佳為增高成膜氣體中的氧比例並對電力進行最優化，減輕成膜時的電漿損傷。例如，將成膜氣體中的氧比率較佳為設定為30vol.%以上，更佳為100vol.%。
當使用濺射法形成CAAC-OS膜時，也可以進行成膜時的基板加熱以外的加熱處理。藉由加熱處理，例如可以降低氧化物膜中的雜質濃度。
例如，可以以350℃以上且小於基板的應變點的溫度或者350℃以上且450℃以下的溫度進行上述加熱處理。此外，也可以多次進行加熱處理。
作為可用於上述加熱處理的加熱處理裝置，也可以使用GRTA(Gas Rapid Thermal Annealing：氣體快速熱退 火)裝置或LRTA(Lamp Rapid Thermal Annealing：燈快速熱退火)裝置等RTA(Rapid Thermal Annealing：快速熱退火)裝置。注意，本發明不侷限於此，也可以使用電爐等其他加熱處理裝置。
如上述製程所示那樣，當進行成膜時，不使膜包含氫或水等，由此降低包含在氧化物半導體膜中的雜質濃度。此外，也可以在形成氧化物半導體膜之後進行加熱處理來去除包含在氧化物半導體膜中的氫或水等，由此降低雜質濃度。然後，藉由對氧化物半導體膜供應氧而填充氧缺陷，可以使氧化物半導體膜高度純化。此外，也可以對氧化物半導體膜添加氧。高度純化的氧化物半導體膜是i型(本質半導體)或無限趨近於i型。此外，無限趨近於i型的氧化物半導體膜的載流子密度小於1×1017/cm3、1×1015/cm3或1×1013/cm3。
以上是用於電晶體的半導體層的氧化物半導體的說明。
實施方式5
在本實施方式中，參照圖式說明應用本發明的一個方式的發光裝置的電子裝置或照明設備的例子。
作為應用具有撓性的發光裝置的電子裝置，例如可以舉出電視機(也稱為電視或電視接收機)、用於電腦等的顯示幕、數位相機、數位攝影機、數位相框、行動電話機(也稱為行動電話、行動電話裝置)、可攜式遊戲機、可 攜式資訊終端、音頻再現裝置、彈珠機等的大型遊戲機等。
此外，也可以將照明或顯示裝置沿著在房屋及高樓等的內壁或外壁、汽車的內部裝修或外部裝修的曲面組裝。
圖14A示出行動電話機的一個例子。行動電話機7400包括組裝在外殼7401中的顯示部7402、操作按鈕7403、外部連接埠7404、揚聲器7405、麥克風7406等。另外，藉由將發光裝置用於顯示部7402製造行動電話機7400。
圖14A所示的行動電話機7400藉由用手指等觸摸顯示部7402，可以輸入資訊。此外，藉由用手指等觸摸顯示部7402可以進行打電話或輸入文字等的所有操作。
此外，藉由操作按鈕7403的操作，可以切換電源的ON、OFF或顯示在顯示部7402的影像的種類。例如，可以將電子郵件的編寫畫面切換為主功能表畫面。
在此，在顯示部7402中組裝有本發明的一個方式的發光裝置。因此，可以提供一種具備彎曲的顯示部且可靠性高的行動電話機。
圖14B是腕帶型的可攜式顯示裝置的一個例子。可攜式顯示裝置7100包括外殼7101、顯示部7102、操作按鈕7103以及收發裝置7104。
可攜式顯示裝置7100能夠由收發裝置7104接收影像信號，且可以將所接收的影像顯示在顯示部7102。此外，也可以將聲音信號發送到其他接收設備。
此外，可以由操作按鈕7103進行電源的ON、OFF工作或所顯示的影像的切換或者音量調整等。
在此，顯示部7102組裝有本發明的一個方式的發光裝置。因此，可以提供一種具備彎曲的顯示部且可靠性高的可攜式顯示裝置。
圖14C至圖14E示出照明設備的一個例子。照明設備7200、照明設備7210、照明設備7220分別包括具備操作開關7203的底座7201、以及由底座7201支撐的發光部。
圖14C所示的照明設備7200具備具有波狀的發光面的發光部7202。因此，提供一種設計性高的照明設備。
圖14D所示的照明設備7210所具備的發光部7212採用對稱地配置彎曲為凸狀的兩個發光部的結構。因此，可以以照明設備7210為中心全方位地照射光。
圖14E所示的照明設備7220具備彎曲為凹狀的發光部7222。因此，因為將來自發光部7222的發光聚集到照明設備7220的前面，所以適合應用於照亮特定的範圍的情況。
此外，因為照明設備7200、照明設備7210、照明設備7220所具備的各發光部具有撓性，所以也可以採用使用可塑性構件或可動框架等構件固定該發光部，按照用途可以隨意彎曲發光部的發光面。
在此，在發光部7202、發光部7212以及發光部7222中組裝有本發明的一個方式的發光裝置。因此，可以提供 一種具備彎曲的發光部且可靠性高的照明設備。
圖15A示出可攜式顯示裝置的一個例子。顯示裝置7300具備外殼7301、顯示部7302、操作按鈕7303、顯示部取出構件7304以及控制部7305。
顯示裝置7300在筒狀的外殼7301中具備卷起來的具有撓性的顯示部7302。
此外，顯示裝置7300可以由控制部7305接收影像信號，而將所接收的影像顯示在顯示部7302。此外，控制部7305具備電池。此外，也可以採用控制部7305具備連接器，而直接供應影像信號或電力的結構。
此外，可以由操作按鈕7303進行電源的ON、OFF工作或所顯示的影像的切換等。
圖15B示出使用顯示部取出構件7304取出顯示部7302的狀態。在該狀態下，可以在顯示部7302上顯示影像。此外，藉由使用配置在外殼7301的表面上的操作按鈕7303可以以單手容易進行操作。
此外，也可以在顯示部7302的端部設置用來加強的框，以防止當取出顯示部7302時該顯示部7302彎曲。
此外，除了該結構以外，也可以採用在外殼中設置揚聲器而使用與影像信號同時接收的音聲信號輸出音聲的結構。
顯示部7302組裝有本發明的一個方式的發光裝置。因此，因為對顯示部7302應用具有撓性和高可靠性的發光裝置，所以作為顯示裝置7300可以實現輕量且可靠性 高的顯示裝置。
另外，不用說，如果具備本發明的一個方式的發光裝置，則並不侷限於如上所示的電子裝置或照明設備。
本實施方式可以與本說明書中所記載的其他實施方式適當地組合而實施。
100a‧‧‧第一基板
101b‧‧‧第二剝離層
118‧‧‧第一電極層
120‧‧‧包含有機化合物的層
122‧‧‧第二電極層
124‧‧‧隔壁
130‧‧‧發光元件
157‧‧‧電極端子
170‧‧‧黏合層
600‧‧‧導電層
901‧‧‧發光裝置

Claims (22)

  1. 一種發光裝置的製造方法，包括如下步驟：在基板上形成電極端子；形成電連接到該電極端子的第一電極層；形成覆蓋該第一電極層的端部的隔壁；在該電極端子上且與其接觸地形成島狀的包含有機化合物的層，以及在該第一電極層上且與其接觸地形成包含有機化合物的層；在該包含有機化合物的層上形成第二電極層；在該電極端子、該島狀的包含有機化合物的層、該第一電極層、該隔壁、該包含有機化合物的層和該第二電極層上形成樹脂層；藉由圍繞該樹脂層的與該電極端子重疊的部分形成切口並去除由該切口圍繞的該樹脂層的該部分和該島狀的包含有機化合物的層的與該電極端子重疊的至少一部分，來在該樹脂層中形成開口；以及在該開口中形成導電層，使該導電層與該電極端子接觸；以及使撓性印刷電路電連接到該導電層，其中該第一電極層、該包含有機化合物的層和該第二電極層形成發光元件，並且其中該島狀的包含有機化合物的層及該包含有機化合物的層的每一個包含發光物質。
  2. 一種發光裝置的製造方法，包括如下步驟： 在基板上形成剝離層；在該剝離層上形成電極端子；形成電連接到該電極端子的第一電極層；形成覆蓋該第一電極層的端部的隔壁；在該電極端子上且與其接觸地形成島狀的包含有機化合物的層，以及在該第一電極層上且與其接觸地形成包含有機化合物的層；在該包含有機化合物的層上形成第二電極層；在該電極端子、該島狀的包含有機化合物的層、該第一電極層、該隔壁、該包含有機化合物的層和該第二電極層上形成第一樹脂層；沿著該剝離層剝離該基板並隔著第二樹脂層使撓性基板附著到因該剝離而露出的表面；藉由圍繞該第一樹脂層的與該電極端子重疊的部分形成切口並去除由該切口圍繞的該第一樹脂層的該部分和該島狀的包含有機化合物的層的與該電極端子重疊的至少一部分，來在該樹脂層中形成開口；以及在該開口中形成導電層，使該導電層與該電極端子接觸；以及使撓性印刷電路電連接到該導電層，其中該第一電極層、該包含有機化合物的層和該第二電極層形成發光元件，並且其中該島狀的包含有機化合物的層及該包含有機化合物的層的每一個包含發光物質。
  3. 一種發光裝置的製造方法，包括如下步驟：在第一基板上形成第一剝離層；在該第一剝離層上形成電極端子；形成電連接到該電極端子的第一電極層；形成覆蓋該第一電極層的端部的隔壁；在該電極端子和該第一電極層上且與其接觸地形成包含有機化合物的層；在該包含有機化合物的層上形成第二電極層；在第二基板上形成第二剝離層；以該第二剝離層和該第二電極層彼此相對的方式隔著第一樹脂層黏合該第一基板和該第二基板；沿著該第一剝離層剝離該第一基板並隔著第二樹脂層使第一撓性基板附著到因該剝離而露出的表面；沿著該第二剝離層剝離該第二基板並隔著第三樹脂層使第二撓性基板附著到因該剝離而露出的表面；藉由圍繞該第二撓性基板和該第三樹脂層的與該電極端子重疊的部分形成切口並去除由該切口圍繞的該第二撓性基板和該第三樹脂層的該部分和第一樹脂層和該包含有機化合物的層的與該電極端子重疊的部分，來在該第二撓性基板、該樹脂層、該第一樹脂層及該包含有機化合物的層中形成開口；以及在該開口中形成導電層，使該導電層與該電極端子接觸；以及使撓性印刷電路電連接到該導電層，以及 其中該第一電極層、該包含有機化合物的層和該第二電極層形成發光元件。
  4. 一種發光裝置的製造方法，包括如下步驟：在基板上形成電極端子；在該基板上形成第一電極層；在該電極端子上且與其接觸地形成島狀的包含有機化合物的層，以及在該第一電極層上且與其接觸地形成包含有機化合物的層；在該包含有機化合物的層上形成第二電極層；在該第二電極層上形成樹脂層，其中該樹脂層與該電極端子重疊；在該樹脂層中形成與該電極端子重疊的切口；以及藉由去除與該切口相鄰的該樹脂層的部分和與該電極端子重疊的該島狀的包含有機化合物的層的至少一部分，來形成與該電極端子重疊的開口，其中該第一電極層、該包含有機化合物的層和該第二電極層形成發光元件，並且該島狀的包含有機化合物的層及該包含有機化合物的層的每一個包含發光物質。
  5. 一種發光裝置的製造方法，包括如下步驟：在第一基板上形成電極端子；在該第一基板上形成第一電極層；在該第一電極層上形成包含有機化合物的層以及形成與該電極端子重疊的島狀的包含有機化合物的層； 在該包含有機化合物的層上形成第二電極層；在該第二電極層上形成樹脂層，其中該樹脂層與該電極端子重疊；在該樹脂層上附著基板；以及藉由去除該樹脂層的部分，使該電極端子露出，其中該包含有機化合物的層及該島狀的包含有機化合物的層共同包含第一材料。
  6. 根據申請專利範圍第3項之發光裝置的製造方法，還包括：在形成該第二剝離層之後在該第二基板上的該第二剝離層上形成著色層的步驟，並且該第二電極層具有透光性。
  7. 根據申請專利範圍第3項之發光裝置的製造方法，還包括在該第一剝離層上形成電晶體的步驟，其中該電晶體電連接到該第一電極層，並且該電晶體包括氧化物半導體層。
  8. 根據申請專利範圍第1、2、4及5項中任一項之發光裝置的製造方法，還包括在該基板上形成電晶體的步驟，其中該電晶體電連接到該第一電極層，並且其中該電晶體包括氧化物半導體層。
  9. 根據申請專利範圍第1至5項中任一項之發光裝置的製造方法，其中該包含有機化合物的層發射白色光。
  10. 根據申請專利範圍第1至3項中任一項之發光裝 置的製造方法，其中藉由在該樹脂層的該部分附著黏著性的膠帶且然後拉該黏著性的膠帶，來去除由該切口圍繞的該樹脂層的該部分和與該電極端子重疊的該包含有機化合物的層的該部分。
  11. 根據申請專利範圍第4項之發光裝置的製造方法，還包括如下步驟：在形成該開口之後，以有機溶劑去除餘留在該電極端子上的該島狀的包含有機化合物的層的部分。
  12. 根據申請專利範圍第5項之發光裝置的製造方法，該露出步驟包括如下步驟：在該基板中形成開口，該開口與該電極端子重疊；以及藉由去除該樹脂層的區域在該樹脂層中形成開口，以露出該電極端子。
  13. 一種包括藉由根據申請專利範圍第1至5項中任一項之方法製造的發光裝置的電子裝置。
  14. 一種發光裝置，包括：基板；該基板上的發光元件，該發光元件包含；第一電極層；該第一電極層上的包含有機化合物的層；以及該包含有機化合物的層上的第二電極層；該基板上並電連接到該發光元件的電極端子； 該電極端子上並與其接觸的島狀的包含有機化合物的層；該發光元件和該電極端子上的第一樹脂層，該第一樹脂層包括到達該電極端子的開口；以及該第一樹脂層上並藉由該開口與該電極端子接觸的導電層，其中，該開口與該島狀的包含有機化合物的層彼此相鄰，其中，該島狀的包含有機化合物的層以及該包含有機化合物的層的每一個包含有機化合物，並且，該電極端子被供應來自外部電源的電力或外部信號。
  15. 一種發光裝置，包括：基板；該基板上的第一電極層；該第一電極層上的包含有機化合物的層；以及該包含有機化合物的層上的第二電極層；該基板上並電連接到該第一電極層或該第二電極層的電極端子；該電極端子上並與其接觸的島狀的包含有機化合物的層；該第二電極層和該電極端子上的第一樹脂層，該第一樹脂層包括到達該電極端子的開口；以及該第一樹脂層上並藉由該開口與該電極端子接觸的導 電層，其中，該開口與該島狀的包含有機化合物的層彼此相鄰，其中，該島狀的包含有機化合物的層以及該包含有機化合物的層的每一個包含有機化合物，並且，該電極端子被供應來自外部電源的電力或外部信號。
  16. 根據申請專利範圍第14或15項之發光裝置，其中該基板是撓性基板。
  17. 根據申請專利範圍第14或15項之發光裝置，其中該包含有機化合物的層與該電極端子的一部分接觸。
  18. 根據申請專利範圍第14或15項之發光裝置，還包括接觸於該導電層的含有與該包含有機化合物的層相同的材料的層。
  19. 根據申請專利範圍第14或15項之發光裝置，還包括該第一樹脂層上的第二樹脂層。
  20. 根據申請專利範圍第19項之發光裝置，還包括該第一樹脂層和該第二樹脂層之間的著色層。
  21. 根據申請專利範圍第14或15項之發光裝置，還包括電連接到該導電層的撓性印刷電路。
  22. 一種包括根據申請專利範圍第14或15項之發光裝置的電子裝置。
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Families Citing this family (50)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101879831B1 (ko) * 2012-03-21 2018-07-20 삼성디스플레이 주식회사 플렉시블 표시 장치, 유기 발광 표시 장치 및 플렉시블 표시 장치용 원장 기판
JP6532911B2 (ja) * 2012-05-04 2019-06-19 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置の作製方法
JP2013251255A (ja) 2012-05-04 2013-12-12 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置の作製方法
JP6064502B2 (ja) * 2012-10-05 2017-01-25 大日本印刷株式会社 積層体製造方法、積層体製造装置および積層体
JP6490901B2 (ja) * 2013-03-14 2019-03-27 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置の作製方法
US9356049B2 (en) 2013-07-26 2016-05-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device with a transistor on an outer side of a bent portion
JP6219659B2 (ja) * 2013-10-04 2017-10-25 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
KR102062353B1 (ko) * 2013-10-16 2020-01-06 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광소자 및 그 제조방법
CN103927041B (zh) * 2013-10-23 2017-01-04 上海天马微电子有限公司 触摸侦测结构、触摸显示装置及触摸侦测和制作方法
JP6209964B2 (ja) * 2013-12-17 2017-10-11 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
US9229481B2 (en) 2013-12-20 2016-01-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP2015143843A (ja) * 2013-12-24 2015-08-06 株式会社半導体エネルギー研究所 電子機器
JP6294670B2 (ja) * 2014-01-07 2018-03-14 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置及び表示装置の製造方法
JP2015156298A (ja) * 2014-02-20 2015-08-27 株式会社ジャパンディスプレイ 有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法
JPWO2015129891A1 (ja) * 2014-02-28 2017-03-30 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子とその製造方法および製造装置
TWI696023B (zh) * 2014-02-28 2020-06-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置的製造方法及電子裝置的製造方法
KR102292148B1 (ko) * 2014-03-13 2021-08-24 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치의 제작 방법, 및 전자 기기의 제작 방법
TWI679560B (zh) * 2014-03-13 2019-12-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 觸控面板
TWI687143B (zh) 2014-04-25 2020-03-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置及電子裝置
JP2015228367A (ja) 2014-05-02 2015-12-17 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、入出力装置、及び電子機器
CN106463082B (zh) 2014-06-23 2019-07-16 株式会社半导体能源研究所 显示装置及电子设备
KR102368997B1 (ko) * 2014-06-27 2022-02-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치, 모듈, 전자 기기, 발광 장치의 제작 방법
TWI755773B (zh) * 2014-06-30 2022-02-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 發光裝置，模組，及電子裝置
TWI790912B (zh) * 2014-07-03 2023-01-21 晶元光電股份有限公司 光電元件
JP2016018734A (ja) * 2014-07-10 2016-02-01 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置及びその製造方法
JP6636736B2 (ja) 2014-07-18 2020-01-29 株式会社半導体エネルギー研究所 回路基板の作製方法、発光装置の作製方法、電子機器の作製方法、及び発光装置
CN110176482B (zh) 2014-07-25 2023-08-08 株式会社半导体能源研究所 显示装置及电子设备
WO2016020808A1 (ja) 2014-08-07 2016-02-11 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置、および運転支援システム
US9843017B2 (en) * 2014-08-22 2017-12-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, manufacturing method thereof, and electronic device
CN107111970B (zh) 2014-10-28 2021-08-13 株式会社半导体能源研究所 显示装置、显示装置的制造方法及电子设备
JP6462325B2 (ja) * 2014-11-14 2019-01-30 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置の製造方法および表示装置の端子露出方法
KR20160064978A (ko) * 2014-11-28 2016-06-08 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치, 모듈, 표시 시스템, 및 전자 기기
TWI696108B (zh) * 2015-02-13 2020-06-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 功能面板、功能模組、發光模組、顯示模組、位置資料輸入模組、發光裝置、照明設備、顯示裝置、資料處理裝置、功能面板的製造方法
US20160299454A1 (en) * 2015-04-08 2016-10-13 Canon Kabushiki Kaisha Light emitter, image formation system, and exposure unit
JP2016201216A (ja) * 2015-04-08 2016-12-01 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置及び表示装置の製造方法
JP2016208020A (ja) * 2015-04-22 2016-12-08 株式会社半導体エネルギー研究所 回路基板の作製方法、発光装置の作製方法、及び発光装置
JP6761276B2 (ja) 2015-05-28 2020-09-23 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置の作製方法、および電子機器の作製方法
JP6708643B2 (ja) * 2015-06-19 2020-06-10 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置の作製方法
US20180224983A1 (en) * 2015-08-05 2018-08-09 Shenzhen Royole Techonolgies Co. Ltd. Touch film and method for preparing the same, oled display panel
JP6587511B2 (ja) * 2015-11-06 2019-10-09 株式会社ジャパンディスプレイ 有機ｅｌ表示装置の製造方法
US10522574B2 (en) * 2016-05-16 2019-12-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of display device and manufacturing method of electronic device
KR102378976B1 (ko) * 2016-05-18 2022-03-24 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 박리 방법, 표시 장치, 모듈, 및 전자 기기
KR102561329B1 (ko) 2016-06-10 2023-07-28 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR102608419B1 (ko) * 2016-07-12 2023-12-01 삼성디스플레이 주식회사 표시장치 및 표시장치의 제조방법
CN108206196A (zh) * 2016-12-16 2018-06-26 京东方科技集团股份有限公司 一种有机电致发光显示装置
JPWO2018211355A1 (ja) * 2017-05-19 2020-05-14 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置およびその作製方法
JP6992369B2 (ja) * 2017-09-27 2022-01-13 凸版印刷株式会社 カラーフィルタ及びそれを用いた表示装置
KR102406966B1 (ko) * 2017-11-28 2022-06-08 엘지디스플레이 주식회사 Oled 조명 장치
DE102017129524A1 (de) * 2017-12-12 2019-06-13 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zum Herstellen eines semitransparenten Displays sowie ein semitransparentes Display
JP2019105721A (ja) * 2017-12-12 2019-06-27 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW543338B (en) * 2001-04-23 2003-07-21 Semiconductor Energy Lab Display device and method of manufacturing the same
US20090114915A1 (en) * 2007-05-31 2009-05-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US20110316013A1 (en) * 2009-03-05 2011-12-29 Koninklijke Philips Electronics N.V. Oleds connected in series

Family Cites Families (61)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH073915B2 (ja) 1985-08-15 1995-01-18 株式会社東芝 放熱システム
JPH0524153Y2 (zh) * 1985-08-30 1993-06-18
JPH0780670A (ja) 1993-09-17 1995-03-28 Fujitsu Ltd レーザによる樹脂膜加工方法
US6343171B1 (en) 1998-10-09 2002-01-29 Fujitsu Limited Systems based on opto-electronic substrates with electrical and optical interconnections and methods for making
US6587086B1 (en) 1999-10-26 2003-07-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electro-optical device
JP2001148291A (ja) 1999-11-19 2001-05-29 Sony Corp 表示装置及びその製造方法
US6197663B1 (en) 1999-12-07 2001-03-06 Lucent Technologies Inc. Process for fabricating integrated circuit devices having thin film transistors
TW465122B (en) 1999-12-15 2001-11-21 Semiconductor Energy Lab Light-emitting device
JP2001176855A (ja) * 1999-12-16 2001-06-29 Tokyo Electron Ltd 基板処理方法および基板処理装置
US6747638B2 (en) 2000-01-31 2004-06-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Adhesion type area sensor and display device having adhesion type area sensor
US6738034B2 (en) 2000-06-27 2004-05-18 Hitachi, Ltd. Picture image display device and method of driving the same
TW466888B (en) 2000-09-29 2001-12-01 Ind Tech Res Inst Pixel device structure and process of organic light emitting diode display
US6515428B1 (en) 2000-11-24 2003-02-04 Industrial Technology Research Institute Pixel structure an organic light-emitting diode display device and its manufacturing method
SG143946A1 (en) 2001-02-19 2008-07-29 Semiconductor Energy Lab Light emitting device and method of manufacturing the same
JP2002373779A (ja) * 2001-06-13 2002-12-26 Sony Corp 電気的接続装置および電気的接続装置を有する電子機器
TW548860B (en) 2001-06-20 2003-08-21 Semiconductor Energy Lab Light emitting device and method of manufacturing the same
JP4027740B2 (ja) * 2001-07-16 2007-12-26 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US8415208B2 (en) 2001-07-16 2013-04-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and peeling off method and method of manufacturing semiconductor device
TW594947B (en) 2001-10-30 2004-06-21 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device and method of manufacturing the same
EP1343206B1 (en) 2002-03-07 2016-10-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting apparatus, electronic apparatus, illuminating device and method of fabricating the light emitting apparatus
WO2004040648A1 (ja) * 2002-10-30 2004-05-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. 半導体装置および半導体装置の作製方法
JP4623701B2 (ja) * 2003-08-29 2011-02-02 株式会社 日立ディスプレイズ カラーフィルター用着色組成物及びこの着色組成物で形成したカラーフィルターを用いた表示装置
TWI372462B (en) * 2003-10-28 2012-09-11 Semiconductor Energy Lab Method for manufacturing semiconductor device
KR100579184B1 (ko) 2003-11-24 2006-05-11 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광표시장치
JP2006155920A (ja) * 2004-11-25 2006-06-15 Denso Corp Ｅｌ素子の製造方法
JP4641417B2 (ja) * 2004-11-30 2011-03-02 トッキ株式会社 有機ｅｌ素子の製造装置並びに有機ｅｌ素子
US8059109B2 (en) 2005-05-20 2011-11-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic apparatus
JP2007026970A (ja) 2005-07-20 2007-02-01 Hitachi Displays Ltd 有機発光表示装置
EP1998375A3 (en) 2005-09-29 2012-01-18 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Semiconductor device having oxide semiconductor layer and manufacturing method
US7692610B2 (en) 2005-11-30 2010-04-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
JP2008098148A (ja) * 2006-09-14 2008-04-24 Canon Inc 有機発光装置
JP5408842B2 (ja) * 2007-04-27 2014-02-05 キヤノン株式会社 発光装置およびその製造方法
JP2009064590A (ja) 2007-09-04 2009-03-26 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd 有機ｅｌ表示パネルの製造方法
KR102267235B1 (ko) 2008-07-10 2021-06-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광장치 및 전자기기
US8928597B2 (en) * 2008-07-11 2015-01-06 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting display device
JP5216716B2 (ja) * 2008-08-20 2013-06-19 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置及びその作製方法
JP2010062232A (ja) * 2008-09-02 2010-03-18 Nec Electronics Corp 素子の機能部を露出させた半導体装置の製造方法
JP4775863B2 (ja) * 2008-09-26 2011-09-21 東芝モバイルディスプレイ株式会社 有機ｅｌ表示装置及びその製造方法
EP2178133B1 (en) 2008-10-16 2019-09-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Flexible Light-Emitting Device, Electronic Device, and Method for Manufacturing Flexible-Light Emitting Device
KR101824425B1 (ko) 2008-12-17 2018-02-02 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치 및 전자 기기
TWI476915B (zh) 2008-12-25 2015-03-11 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置及其製造方法
KR20120068772A (ko) 2009-09-16 2012-06-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치 및 이의 제조 방법
WO2011043175A1 (en) 2009-10-09 2011-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Logic circuit and display device having the same
KR101759504B1 (ko) 2009-10-09 2017-07-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 표시 장치 및 이를 포함한 전자 기기
US9000442B2 (en) 2010-01-20 2015-04-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device, flexible light-emitting device, electronic device, and method for manufacturing light-emitting device and flexible-light emitting device
JP5010698B2 (ja) * 2010-03-02 2012-08-29 株式会社東芝 照明装置及びその製造方法
JP2011192567A (ja) * 2010-03-16 2011-09-29 Rohm Co Ltd 有機ｅｌ装置
KR101182233B1 (ko) * 2010-06-11 2012-09-12 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
JP2012003988A (ja) * 2010-06-17 2012-01-05 Hitachi Displays Ltd 有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法
US8603841B2 (en) 2010-08-27 2013-12-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing methods of semiconductor device and light-emitting display device
US8766253B2 (en) 2010-09-10 2014-07-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9142568B2 (en) 2010-09-10 2015-09-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing light-emitting display device
KR101426515B1 (ko) * 2010-09-15 2014-08-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 표시 장치
US8772795B2 (en) 2011-02-14 2014-07-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and lighting device
JP2012178262A (ja) * 2011-02-25 2012-09-13 Canon Inc 発光装置の製造方法
KR102040242B1 (ko) * 2011-05-12 2019-11-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치 및 발광 장치를 이용한 전자 기기
JP6109489B2 (ja) 2011-05-13 2017-04-05 株式会社半導体エネルギー研究所 Ｅｌ表示装置
KR101960971B1 (ko) 2011-08-05 2019-03-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
KR101419810B1 (ko) * 2012-04-10 2014-07-15 서울대학교산학협력단 엑시플렉스를 형성하는 공동 호스트를 포함하는 유기 발광 소자
JP2013251255A (ja) 2012-05-04 2013-12-12 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置の作製方法
KR102250061B1 (ko) * 2013-04-15 2021-05-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW543338B (en) * 2001-04-23 2003-07-21 Semiconductor Energy Lab Display device and method of manufacturing the same
US20090114915A1 (en) * 2007-05-31 2009-05-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US20110316013A1 (en) * 2009-03-05 2011-12-29 Koninklijke Philips Electronics N.V. Oleds connected in series

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CN103383991A (zh) 2013-11-06
CN107256929A (zh) 2017-10-17

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