JPWO2018211355A1 - 表示装置およびその作製方法 - Google Patents

Abstract

低価格の表示装置を提供する。第１の基板上に、トランジスタと、第１の導電層と、を形成し、トランジスタおよび第１の導電層と重なる領域を有するように、第１の絶縁層を形成する。次に、第１の絶縁層に、トランジスタのソースまたはドレインの一方に達する第１の開口部と、第１の導電層に達する第２の開口部と、を形成し、第１の開口部に第２の導電層を、第２の開口部に第３の導電層をそれぞれ形成する。続いて、第２の導電層と重なる領域を有する発光層と、第３の導電層と重なる領域を有する有機層と、を同一の工程で形成し、第１の基板の、トランジスタが形成されている面と、第２の基板とを、接着層を用いて貼り合わせる。その後、第３の導電層と重なる領域に設けられた、第２の基板、接着層、および有機層を分離し、第３の導電層と電気的に接続されるように、外部入力端子を形成する。

Description

本発明の一態様は、表示装置およびその作製方法に関する。

なお、本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本発明の一態様の技術分野としては、半導体装置、表示装置、発光装置、電子機器、照明装置、入力装置（例えば、タッチセンサ等）、入出力装置（例えば、タッチパネル等）、それらの駆動方法、またはそれらの製造方法を一例として挙げることができる。

なお、本明細書等において、半導体装置とは、半導体特性を利用することで機能しうる装置全般を指す。トランジスタ、半導体回路、演算装置、記憶装置等は半導体装置の一態様である。また、撮像装置、電気光学装置、発電装置（薄膜太陽電池、有機薄膜太陽電池等を含む）、および電子機器は半導体装置を有している場合がある。

有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）素子が適用された表示装置、および液晶素子が適用された表示装置が知られている。そのほか、発光ダイオード（ＬＥＤ：Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）等の発光素子を備える発光装置、電気泳動方式等により表示を行う電子ペーパ等も、表示装置の一例として挙げることができる。

有機ＥＬ素子の基本的な構成は、一対の電極間に発光性の有機化合物を含む層を挟持したものである。この素子に電圧を印加することにより、発光性の有機化合物から発光を得ることができる。このような有機ＥＬ素子が適用された表示装置は、薄型、軽量、高コントラストで且つ低消費電力な表示装置を実現できる。例えば、有機ＥＬ素子を用いた表示装置の一例が、特許文献１に記載されている。

有機ＥＬ素子を有する表示装置は、作製基板に有機ＥＬ素子等を形成した後、封止基板を貼り合わせて封止することにより作製することができる。特許文献２では、作製基板上に有機ＥＬ素子を形成後、スペーサを当該有機ＥＬ素子の外周側に形成し、当該スペーサで囲まれた部分に封止樹脂を塗布することにより、封止基板を貼り合わせる。当該方法により作製した表示装置は、スペーサをダム材、封止樹脂をフィル材としたダムフィル構造をとる。

特開２００２−３２４６７３号公報 ＷＯ２０１４／１８１５１５号公報

有機ＥＬ素子を有する表示素子の構造をダムフィル構造とする場合、例えばダム材を設けずに封止を行う場合と比較して、表示装置の作製工程が複雑化する。

本発明の一態様は、表示装置の作製方法を簡略化することを課題の一つとする。または、本発明の一態様は、低コストで量産性の高い表示装置の作製方法を提供することを課題の一つとする。または、本発明の一態様は、大型の表示装置を作製することができる方法を提供することを課題の一つとする。または、本発明の一態様は、軽量化した表示装置の作製方法を提供することを課題の一つとする。または、本発明の一態様は、薄型化した表示装置の作製方法を提供することを課題の一つとする。または、本発明の一態様は、耐衝撃性に優れた表示装置の作製方法を提供することを課題の一つとする。または、本発明の一態様は、消費電力を低減した表示装置の作製方法を提供することを課題の一つとする。または、本発明の一態様は、動作速度が速い表示装置の作製方法を提供することを課題の一つとする。または、本発明の一態様は、信頼性の高い表示装置の作製方法を提供することを課題の一つとする。または、本発明の一態様は、高品質の画像を表示することができる表示装置の作製方法を提供することを課題の一つとする。または、本発明の一態様は、新規な表示装置の作製方法を提供することを課題の一つとする。

または、本発明の一態様は、低価格の表示装置を提供することを課題の一つとする。または、本発明の一態様は、大型の表示装置を提供することを課題の一つとする。または、本発明の一態様は、軽量化した表示装置を提供することを課題の一つとする。または、本発明の一態様は、薄型化した表示装置を提供することを課題の一つとする。または、本発明の一態様は、耐衝撃性に優れた表示装置を提供することを課題の一つとする。または、本発明の一態様は、消費電力を低減した表示装置を提供することを課題の一つとする。または、本発明の一態様は、動作速度が速い表示装置を提供することを課題の一つとする。または、本発明の一態様は、信頼性の高い表示装置を提供することを課題の一つとする。または、本発明の一態様は、高品質の画像を表示することができる表示装置を提供することを課題の一つとする。または、本発明の一態様は、新規な表示装置を提供することを課題の一つとする。

なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。本発明の一態様は、必ずしも、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。明細書、図面、請求項の記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。

本発明の一態様は、第１の基板と、第２の基板と、発光素子と、接着層と、有機層と、を有し、発光素子と、接着層と、有機層と、は、第１の基板と第２の基板の間に設けられ、有機層は、接着層と接する領域を有し、第１の基板上に、発光素子が設けられた第１の領域と、第２の基板と重ならない第２の領域と、が設けられ、発光素子は、発光層と、第１の導電層と、第２の導電層と、を有し、有機層は、発光層と同一の材料を有し、かつ第１の領域と、第２の領域との間に設けられる表示装置である。

または、上記態様において、接着層は、第２の領域と接するように設けられ、有機層は、接着層と、第２の領域と、の境界部と接するように設けられてもよい。

または、上記態様において、境界部と垂直方向かつ第２の領域から遠ざかる方向に向かって０．１ｍｍ離れた領域に、有機層が設けられてもよい。

または、上記態様において、外部入力端子を有し、外部入力端子は、第２の領域に設けられてもよい。

または、上記態様において、トランジスタを有し、トランジスタは、第１の領域に設けられ、第１の導電層は、トランジスタのソースまたはドレインの一方と電気的に接続されてもよい。

または、上記態様において、接着層は、硬化型接着剤を有してもよい。

または、上記態様において、第１の領域に、着色層が設けられてもよい。

または、上記態様において、第３の導電層を有し、第３の導電層は、第１の発光層と接する領域を有し、第３の導電層は、第２の導電層と同一の材料を有してもよい。

または、上記態様において、第１の導電層は、発光素子の画素電極としての機能を有し、第２の導電層は、発光素子の共通電極としての機能を有してもよい。

または、本発明の一態様は、第１の基板上に、トランジスタと、第１の導電層と、を形成する工程と、トランジスタおよび第１の導電層と重なる領域を有するように、第１の絶縁層を形成する工程と、第１の絶縁層に、トランジスタのソースまたはドレインの一方に達する第１の開口部と、第１の導電層に達する第２の開口部と、を形成する工程と、第１の開口部に第２の導電層を形成し、第２の開口部に第３の導電層を形成する工程と、第２の導電層と重なる領域を有するように発光層を形成し、第３の導電層と重なる領域を有するように有機層を形成する工程と、第１の基板の、トランジスタが形成されている面と、第２の基板とを、接着層を用いて貼り合わせる工程と、第３の導電層と重なる領域に設けられた、第２の基板、接着層、および有機層を分離する工程と、第３の導電層と電気的に接続されるように、外部入力端子を形成する工程と、を有する表示装置の作製方法である。

または、上記態様において、第２の基板の、第１の導電層および有機層と重なる部分に切れ込みを入れた後に、第３の導電層と重なる領域に設けられた、第２の基板、接着層、および有機層を分離してもよい。

または、上記態様において、第１の基板の、トランジスタが形成されている面と、第２の基板とを、硬化型接着剤を有する接着層を用いて貼り合わせてもよい。

または、上記態様において、第２の基板上に、着色層を形成した後、第１の基板の、トランジスタが形成されている面と、第２の基板の、着色層が形成されている面と、を貼り合わせてもよい。

本発明の一態様により、表示装置の作製方法を簡略化することができる。または、本発明の一態様により、低コストで量産性の高い表示装置の作製方法を提供することができる。または、本発明の一態様により、大型の表示装置を作製することができる方法を提供することができる。または、本発明の一態様により、軽量化した表示装置の作製方法を提供することができる。または、本発明の一態様により、薄型化した表示装置の作製方法を提供することができる。または、本発明の一態様により、耐衝撃性に優れた表示装置の作製方法を提供することができる。または、本発明の一態様により、消費電力を低減した表示装置の作製方法を提供することができる。または、本発明の一態様により、動作速度が速い表示装置の作製方法を提供することができる。または、本発明の一態様により、信頼性の高い表示装置の作製方法を提供することができる。または、本発明の一態様により、高品質の画像を表示することができる表示装置の作製方法を提供することができる。または、本発明の一態様により、新規な表示装置の作製方法を提供することができる。

または、本発明の一態様により、低価格の表示装置を提供することができる。または、本発明の一態様により、大型の表示装置を提供することができる。または、本発明の一態様により、軽量化した表示装置を提供することができる。または、本発明の一態様により、薄型化した表示装置を提供することができる。または、本発明の一態様により、耐衝撃性に優れた表示装置を提供することができる。または、本発明の一態様により、消費電力を低減した表示装置を提供することができる。または、本発明の一態様により、動作速度が速い表示装置を提供することができる。または、本発明の一態様により、信頼性の高い表示装置を提供することができる。または、本発明の一態様により、高品質の画像を表示することができる表示装置を提供することができる。または、本発明の一態様により、新規な表示装置を提供することができる。

なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではない。本発明の一態様は、必ずしも、これらの効果の全てを有する必要はない。明細書、図面、請求項の記載から、これら以外の効果を抽出することが可能である。

表示装置の構成例を示す上面図および断面図。 表示装置の構成例を示す断面図。 表示装置の作製方法例を示す断面図。 表示装置の作製方法例を示す断面図。 表示装置の作製方法例を示す断面図。 表示装置の作製方法例を示す断面図。 表示装置の構成例を示す断面図。 表示装置の構成例を示す断面図。 表示装置の構成例を示す断面図。 表示装置の作製方法例を示す断面図。 表示装置の作製方法例を示す断面図。 表示装置の作製方法例を示す断面図。 表示装置の作製方法例を示す断面図。 表示装置の作製方法例を示す断面図。 タッチパネルの構成例を示す斜視図。 タッチパネルの構成例を示す断面図。 電子機器の一例を示す図。 実施例１における表示装置の作製方法を示す図。 実施例１における表示装置により表示した画像。

実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨およびその範囲から逸脱することなくその形態および詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。

本明細書等では、本発明の一態様を表示装置に適用する場合について説明するが、表示装置に限られず、各種半導体装置に適用することができる。

なお、以下に説明する発明の構成において、同一部分または同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。また、同様の機能を指す場合には、ハッチパターンを同じくし、特に符号を付さない場合がある。

なお、本明細書で説明する各図において、各構成の大きさ、層の厚さ、または領域は、明瞭化のために誇張されている場合がある。よって、必ずしもそのスケールに限定されない。

なお、本明細書等における「第１」、「第２」等の序数詞は、構成要素の混同を避けるために付すものであり、数的に限定するものではない。

また、本明細書等において、「膜」という用語と、「層」という用語とは、互いに入れ替えることが可能である。例えば、「導電層」という用語を、「導電膜」という用語に変更することが可能な場合がある。または、例えば、「絶縁膜」という用語を、「絶縁層」という用語に変更することが可能な場合がある。

トランジスタは半導体素子の一種であり、電流や電圧の増幅や、導通または非導通を制御するスイッチング動作等を実現することができる。本明細書におけるトランジスタは、ＩＧＦＥＴ（Ｉｎｓｕｌａｔｅｄ Ｇａｔｅ Ｆｉｅｌｄ Ｅｆｆｅｃｔ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）や薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）を含む。

また、「ソース」や「ドレイン」の機能は、異なる極性のトランジスタを採用する場合や、回路動作において電流の方向が変化する場合等には入れ替わることがある。このため、本明細書においては、「ソース」や「ドレイン」の用語は、入れ替えて用いることができるものとする。

また、本明細書等において、「電気的に接続」には、「何らかの電気的作用を有するもの」を介して接続される場合が含まれる。ここで、「何らかの電気的作用を有するもの」は、接続対象間での電気信号の授受を可能とするものであれば、特に制限を受けない。例えば、「何らかの電気的作用を有するもの」には、電極や配線をはじめ、トランジスタ等のスイッチング素子、抵抗素子、コイル、容量素子、その他の各種機能を有する素子等が含まれる。

本明細書等において、表示装置は表示面に画像等を表示（出力）する機能を有するものである。したがって表示装置は出力装置の一態様である。

また、本明細書等において、タッチセンサは指やスタイラス等の被検知体が触れる、押圧する、または近づくこと等を検出する機能を有するものである。またその位置情報を検知する機能を有していてもよい。したがってタッチセンサは入力装置の一態様である。例えばタッチセンサは１以上のセンサ素子を有する構成とすることができる。

また、本明細書等では、タッチセンサを有する基板を、タッチセンサパネル、または単にタッチセンサ等と呼ぶ場合がある。また、本明細書等では、タッチセンサパネルの基板に、例えばＦＰＣもしくはＴＣＰ等のコネクターが取り付けられたもの、または基板にＣＯＧ方式等によりＩＣが実装されたものを、タッチセンサパネルモジュール、タッチセンサモジュール、センサモジュール、または単にタッチセンサ等と呼ぶ場合がある。

なお、本明細書等において、表示装置の一態様であるタッチパネルは表示面に画像等を表示（出力）する機能と、表示面に指やスタイラス等の被検知体が触れる、押圧する、または近づくこと等を検出するタッチセンサとしての機能と、を有する。したがってタッチパネルは入出力装置の一態様である。

タッチパネルは、表示装置とタッチセンサパネルとを有する構成とすることもできる。または、表示装置の内部または表面にタッチセンサとしての機能を有する構成とすることもできる。

（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置、および表示装置の作製方法について、図面を用いて説明する。

本発明の一態様の表示装置の作製方法では、作製基板にトランジスタおよび表示素子等を形成後、当該作製基板の、トランジスタおよび表示素子等が形成されている面の全面に接着層を塗布し、封止基板を貼り合わせる。つまり、封止基板の大きさは、作製基板の大きさと等しくすることができる。次に、封止基板に切れ込みを入れる等して、封止基板の一部と接着層の一部を分離する。その後、分離した部分に、ＦＰＣ等の外部入力端子を形成する。

上記作製方法では、作製基板の全面に接着層を塗布する。したがって、ダムフィル構造等として、作製基板の一部に接着層を塗布する場合と比べて、表示装置の作製工程を簡略化することができる。また、作製基板の一部に接着層を塗布する場合、当該作製基板上における、トランジスタ等の各種素子の配置等が変わると、接着層の塗布の際に用いるスクリーンマスク等を変える必要がある。一方、作製基板の全面に接着層を塗布する場合、作製基板の大きさが同じであれば、作製基板上におけるトランジスタ等の各種素子の配置等が変化しても、スクリーンマスク等を変えなくてよい。したがって、特に大型の表示装置を作製する場合において、低コストで量産性の高い表示装置の作製方法を提供することができる。

＜表示装置の構成例１＞
図１（Ａ）は、本発明の一態様の表示装置である表示装置１０の構成例を示す上面図である。図１（Ａ）に示すように、表示装置１０は、表示領域１１および駆動回路領域１２を有する。表示領域１１には、画素が設けられ、駆動回路領域１２には、ゲートドライバおよびソースドライバ等、表示装置１０を駆動するために必要な回路が設けられる。また、表示装置１０には、駆動回路領域１２に外部からの信号や電位を伝達する外部入力端子が設けられる。図１（Ａ）では、外部入力端子としてＦＰＣ１３を設ける例を示している。なお、以降の図においても、外部入力端子としてＦＰＣを設ける例を示す。

図１（Ｂ）は、表示装置１０の構成例を示す断面図である。図１（Ｂ）では、表示装置１０の構成例として、カラーフィルタ方式が適用されたトップエミッション構造を示している。図１（Ｂ）は、図１（Ａ）における一点鎖線Ａ１−Ａ２間の断面図に相当する。

表示装置１０は、基板２０１、絶縁層２０５、トランジスタ３０１、トランジスタ３０２、トランジスタ３０３、容量素子３０５、絶縁層３１２、絶縁層３１３、絶縁層３１４、絶縁層３１５、発光素子３０４、有機層３２２ａ、導電層３２３ａ、接続領域３０６、接着層３１７、着色層３２５、遮光層３２６、基板２１１、および絶縁層２１５を有する。トランジスタ３０１は駆動回路領域１２に設けられ、トランジスタ３０２、トランジスタ３０３、容量素子３０５、および発光素子３０４は表示領域１１に設けられる。なお、着色層とは、いわゆるカラーフィルタを意味する。

図１（Ｂ）に示す構成の表示装置１０は、基板２０１上に絶縁層２０５が設けられ、絶縁層２０５上にトランジスタ３０１、トランジスタ３０２、トランジスタ３０３、および容量素子３０５が設けられる。

トランジスタ３０１は、導電層４１１、絶縁層３１１、半導体層４１２、導電層４１３、および導電層４１４を有する。トランジスタ３０２は、導電層４２１、絶縁層３１１、半導体層４２２、導電層４２３、および導電層４２４を有する。トランジスタ３０３は、導電層４３１、絶縁層３１１、半導体層４３２、導電層４３３、および導電層４３４を有する。容量素子３０５は、導電層４２４、絶縁層３１１、および導電層４５１を有する。

導電層４１１は、トランジスタ３０１のゲートとしての機能を有する。導電層４２１は、トランジスタ３０２のゲートとしての機能を有する。導電層４３１は、トランジスタ３０３のゲートとしての機能を有する。導電層４５１は、容量素子３０５の一方の電極としての機能を有する。絶縁層３１１は、トランジスタ３０１、トランジスタ３０２、およびトランジスタ３０３のゲート絶縁層、ならびに容量素子３０５の誘電体層としての機能を有する。

導電層４１３は、トランジスタ３０１のソースまたはドレインの一方としての機能を有する。導電層４１４は、トランジスタ３０１のソースまたはドレインの他方としての機能を有する。導電層４２３は、トランジスタ３０２のソースまたはドレインの一方としての機能を有する。導電層４２４は、トランジスタ３０２のソースまたはドレインの他方、および容量素子３０５の他方の電極としての機能を有する。導電層４３３は、トランジスタ３０３のソースまたはドレインの一方としての機能を有する。導電層４３４は、トランジスタ３０３のソースまたはドレインの他方としての機能を有する。

導電層４１１と半導体層４１２、導電層４２１と半導体層４２２、導電層４３１と半導体層４３２、および導電層４５１と導電層４２４は、絶縁層３１１を介してそれぞれ重なる領域を有する。

トランジスタ３０１、トランジスタ３０２、トランジスタ３０３は、それぞれ構造が異なってもよい。例えば、駆動回路領域１２が有するトランジスタ３０１の構造は、表示領域１１が有するトランジスタ３０２およびトランジスタ３０３の構造と異なってもよい。

トランジスタ３０１、トランジスタ３０２、トランジスタ３０３、および容量素子３０５を覆うように、絶縁層３１２が設けられ、絶縁層３１２上に絶縁層３１３が設けられている。なお、絶縁層３１２または絶縁層３１３の一方を省略してもよい。また、絶縁層３１２および絶縁層３１３の他に、さらに絶縁層を形成してもよい。

絶縁層３１３上には、絶縁層３１４が設けられる。詳細は後述するが、絶縁層３１４は、トランジスタ３０１、トランジスタ３０２、トランジスタ３０３、および容量素子３０５が設けられた層と、発光素子３０４が設けられた層と、を分離する層間絶縁層としての機能を有する。図１（Ｂ）に示すように、絶縁層３１４は平坦化されていることが好ましいが、平坦化されていなくてもよい。

絶縁層３１４上に、発光素子３０４、絶縁層３１５、有機層３２２ａ、および導電層３２３ａが設けられる。ここで、絶縁層３１２、絶縁層３１３、および絶縁層３１４のうち、少なくとも一層には、水または水素等の不純物が拡散しにくい材料を用いることが好ましい。これにより、外部から不純物がトランジスタに拡散することを効果的に抑制することが可能となり、表示装置１０の信頼性を高めることができる。

発光素子３０４は、導電層３２１、発光層３２２、および導電層３２３を有する。また、発光素子３０４は、図１（Ｂ）に示すように光学調整層３２４を有していてもよい。発光素子３０４は、基板２１１側に光を射出する。なお、光学調整層は、いわゆるマイクロキャビティを意味する。

トランジスタおよび容量素子等と、発光素子３０４と、を積層させて設けることで、発光素子３０４をトランジスタおよび容量素子等と同一の層に設ける場合より、表示領域１１の開口率を高めることができる。

導電層３２１および導電層３２３のうち、一方は陽極としての機能を有し、他方は陰極としての機能を有する。導電層３２１および導電層３２３の間に、発光素子３０４の閾値電圧より高い電圧を印加すると、発光層３２２に陽極側から正孔が注入され、陰極側から電子が注入される。注入された電子と正孔は発光層３２２において再結合し、発光層３２２に含まれる発光物質が発光する。

導電層３２１は、導電層４３４と電気的に接続される。これらは、直接接続されるか、他の導電層を介して接続される。導電層３２１は、画素電極としての機能を有し、１つの発光素子３０４につき１つの導電層３２１が設けられる。隣り合う２つの導電層３２１は、絶縁層３１５によって電気的に絶縁されている。なお、図１（Ｂ）では、１つの発光素子３０４のみ示している。

発光層３２２は、発光材料を含む層である。発光素子３０４には、発光材料として有機化合物を用いた有機ＥＬ素子を好適に用いることができる。なお、発光素子３０４として、発光ダイオード（ＬＥＤ）、有機ＥＬ素子、無機ＥＬ素子等を用いてもよい。なお、発光素子３０４として、無機ＥＬ素子を用いる場合、有機層３２２ａは無機層となる。

発光層３２２は少なくとも１層の発光層を有する。

導電層３２３は、共通電極としての機能を有する。つまり、複数の発光素子３０４に共通して、１つの導電層３２３が設けられている。導電層３２３には、定電位を供給することができる。

なお、本発明の一態様は、カラーフィルタ方式に限られず、塗り分け方式、色変換方式、または量子ドット方式等を適用してもよい。

基板２１１上には、絶縁層２１５、ならびに着色層３２５および遮光層３２６が設けられており、基板２０１と基板２１１は接着層３１７によって貼り合わされている。つまり、図１（Ｂ）に示す構成の表示装置１０は、基板２０１と基板２１１の間にトランジスタ３０１、トランジスタ３０２、トランジスタ３０３、容量素子３０５、発光素子３０４、有機層３２２ａ、導電層３２３ａ等が設けられている。なお、有機層３２２ａおよび導電層３２３ａについての詳細は後述する。

絶縁層２０５および絶縁層２１５として、不純物を透過しにくい、つまりバリア性が高い絶縁膜を用いることが好ましい。特に、絶縁層２０５および絶縁層２１５として、防湿性が高い、つまり水蒸気透過量が低い絶縁膜を用いることが好ましい。これにより、絶縁層２０５と絶縁層２１５の間に設けられた各種素子に水等の不純物が浸入することを抑制でき、表示装置１０の信頼性を高めることができる。

防湿性の高い絶縁膜としては、窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜等の窒素と珪素を含む膜、および窒化アルミニウム膜等の窒素とアルミニウムを含む膜等の無機絶縁膜が挙げられる。また、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜等を用いてもよい。また、上述の絶縁膜を２以上積層して用いてもよい。例えば、窒化シリコン膜と、酸化シリコン膜との２層積層構造とすることができる。

例えば、防湿性の高い絶縁膜の水蒸気透過量は、１×１０^−５［ｇ／（ｍ^２・ｄａｙ）］以下、好ましくは１×１０^−６［ｇ／（ｍ^２・ｄａｙ）］以下、より好ましくは１×１０^−７［ｇ／（ｍ^２・ｄａｙ）］以下、さらに好ましくは１×１０^−８［ｇ／（ｍ^２・ｄａｙ）］以下とする。

また、接着層３１７には、紫外線硬化型等の光硬化型接着剤、反応硬化型接着剤、熱硬化型接着剤、嫌気型接着剤等の各種硬化型接着剤を用いることができる。接着層３１７として、硬化型接着剤を用いることで、発光素子３０４を構成する各層等がはがれることを抑制することができる。また、接着層３１７が表示装置１０の外部に漏れ出すことを抑制することができる。以上により、表示装置１０の信頼性を高めることができる。なお、接着層３１７として、接着シート等を用いてもよい。

また、接着層３１７には乾燥剤を含んでいてもよい。例えば、アルカリ土類金属の酸化物（酸化カルシウム、酸化バリウム等）のように、化学吸着によって水分を吸着する物質を用いることができる。または、ゼオライトまたはシリカゲル等のように、物理吸着によって水分を吸着する物質を用いてもよい。乾燥剤が含まれていると、水分等の不純物が機能素子に侵入することを抑制でき、表示装置１０の信頼性が向上するため好ましい。

また、接着層３１７に屈折率の高いフィラーまたは光散乱部材を含ませることで、発光素子からの光取り出し効率を向上させることができる。例えば、酸化チタン、酸化バリウム、ゼオライト、ジルコニウム等を用いることができる。

発光素子３０４の発光領域、つまり導電層３２１、発光層３２２、導電層３２３のいずれもが重なり発光層３２２が発光する領域と重なるように、着色層３２５が設けられている。発光層３２２から発せられた光は、着色層３２５を通って基板２１１側に取り出される。つまり、図１（Ｂ）に示す表示装置１０はトップエミッション構造である。

図１（Ｂ）に示すようなカラーフィルタ方式の表示装置において、発光層３２２は、白色光を発する発光層とすることができる。また、着色層３２５は、特定の波長帯の光を透過する有色層である。例えば、赤色、緑色、青色、または黄色等の波長帯の光を透過するカラーフィルタ等とすることができる。着色層３２５に用いることのできる材料としては、金属材料、樹脂材料、または、顔料もしくは染料が含まれた樹脂材料等が挙げられる。表示装置１０を当該構成とすることにより、発光層３２２を複数の発光素子３０４に共通で設けても、赤色、緑色、青色、または黄色等の各色の光を取り出すことができる。これにより、発光素子３０４を有する画素の精細度を高めることができる。

また、発光素子３０４に光学調整層３２４を設け、導電層３２１として可視光を反射する導電膜、導電層３２３として可視光を透過する導電膜を用いることにより、導電層３２１と導電層３２３との間の光学距離を取り出す光の色に応じて調整し、効率よく光を取り出すことができる。これにより、表示装置１０が表示可能な色域を広げることができ、さらに消費電力を低減することができる。

着色層３２５は、隣接する遮光層３２６の間に設けられている。遮光層３２６は隣接する画素に設けられた発光素子３０４からの光を遮り、隣接する発光素子３０４間における混色を抑制する。ここで、着色層３２５の端部を、遮光層３２６と重なるように設けることにより、光漏れを抑制することができる。遮光層３２６としては、発光素子３０４の光を遮る材料を用いることができ、例えば、金属材料、または、顔料もしくは染料を含む樹脂材料等を用いてブラックマトリクスを形成することができる。なお、遮光層３２６は、駆動回路領域１２等、表示領域１１以外の領域に設けると、導波光等による意図しない光漏れを抑制できるため好ましい。

表示装置１０は、オーバーコートを有していてもよい（図示せず）。オーバーコートは、着色層３２５に含有された不純物等の発光素子３０４への拡散を防止することができる。オーバーコートは、発光素子３０４の光を透過する材料から構成される。例えば、窒化シリコン膜、酸化シリコン膜等の無機絶縁膜、または、アクリル膜、ポリイミド膜等の有機絶縁膜を用いることができ、有機絶縁膜と無機絶縁膜との積層構造としてもよい。

接続領域３０６は、導電層３０７および導電層３５５を有する。導電層３０７と導電層３５５は、電気的に接続される。導電層３０７は、トランジスタのソースおよびドレインと同一の材料、および同一の工程で形成することができる。また、導電層３５５は、導電層３２１と同一の材料、および同一の工程で形成することができる。導電層３５５は、駆動回路領域１２に外部からの信号や電位を伝達するＦＰＣ１３と、接続体３１９を介して電気的に接続される。

接続体３１９としては、様々な異方性導電フィルム（ＡＣＦ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｆｉｌｍ）および異方性導電ペースト（ＡＣＰ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｐａｓｔｅ）等を用いることができる。

導電層３５５、接続体３１９、およびＦＰＣ１３は、基板２０１上の、基板２１１と重ならない領域に設けられる。基板２０１における、基板２１１と重ならない領域を領域４００とする。

有機層３２２ａおよび導電層３２３ａは、領域４００と、接着層３１７と、の境界部と接するように設けられる。また、前述のように、有機層３２２ａおよび導電層３２３ａは、基板２１１と重なるように設けられる。詳細は後述するが、有機層３２２ａは、発光層３２２と同一の材料および同一の工程で形成され、導電層３２３ａは、導電層３２３と同一の材料および同一の工程で形成される。

なお、領域４００と、接着層３１７と、の境界部から、当該境界部と垂直方向かつ領域４００から遠ざかる方向に向かって０．１ｍｍ離れた領域まで、有機層３２２ａを設ける構成とすることができる。つまり、図１（Ｂ）に示すｘの値を、０．１ｍｍとすることができる。なお、ｘの値は、０．１ｍｍ未満としてもよいし、０．１ｍｍより大きくてもよい。例えば、ｘの値を１μｍとしてもよいし、１０μｍとしてもよい。また、例えばｘの値を０．２ｍｍとしてもよいし、０．５ｍｍとしてもよいし、１ｍｍとしてもよい。なお、ｘの値は、２ｍｍ以下とすることが好ましい。

導電層３２３ａは、図１（Ｂ）に示すように、有機層３２２ａを覆うように設けることができる。また、導電層３２３ａは、有機層３２２ａの端部が露出するように設けることができる。また、図２に示すように、導電層３２３ａを省略した構成とすることができる。

次に、図１（Ｂ）に示した表示装置１０の各構成要素について説明する。

〔基板〕
基板２０１および基板２１１には、平坦面を有する材料を用いることができる。また、基板２０１および基板２１１には、可視光を透過する材料を用いることができる。例えば、ガラス、石英、セラミック、サファイヤ、有機樹脂等の材料を用いることができる。なお、基板２０１は、可視光を透過する材料を用いなくてもよい。

また、基板２０１および基板２１１として、厚さの薄い基板を用いてもよい。これにより、表示装置１０の軽量化および薄型化を図ることができる。

また、基板２０１および基板２１１として、靱性が高い材料を用いてもよい。これにより、耐衝撃性に優れ、破損しにくい表示装置を実現できる。例えば、樹脂基板、または、厚さの薄い金属基板もしくは合金基板を用いることで、ガラス基板を用いる場合に比べて、軽量であり、破損しにくい表示装置を実現できる。

金属材料および合金材料は熱伝導性が高く、基板全体に熱を容易に伝導できるため、表示装置１０の局所的な温度上昇を抑制することができ、好ましい。金属材料または合金材料を用いた基板の厚さは、１０μｍ以上２００μｍ以下が好ましく、２０μｍ以上５０μｍ以下であることがより好ましい。

金属基板または合金基板を構成する材料としては、特に限定はないが、例えば、アルミニウム、銅、ニッケル、または、アルミニウム合金もしくはステンレス等の金属の合金等を好適に用いることができる。半導体基板を構成する材料としては、シリコン等が挙げられる。

また、基板２０１および基板２１１に、熱放射率が高い材料を用いると表示パネルの表面温度が高くなることを抑制でき、表示装置１０の破壊、および信頼性の低下を抑制できる。例えば、基板２０１および基板２１１を、金属基板と熱放射率の高い層（例えば、金属酸化物またはセラミック材料を用いることができる）の積層構造としてもよい。

〔トランジスタ〕
表示装置１０が有するトランジスタの構造は特に限定されない。例えば、プレーナ型のトランジスタとしてもよいし、スタガ型のトランジスタとしてもよいし、逆スタガ型のトランジスタとしてもよい。また、トップゲート型またはボトムゲート型のいずれのトランジスタ構造としてもよい。または、チャネルの上下にゲート電極が設けられていてもよい。

トランジスタに用いる半導体材料の結晶性についても特に限定されず、非晶質半導体、結晶性を有する半導体（微結晶半導体、多結晶半導体、単結晶半導体、または一部に結晶領域を有する半導体）のいずれを用いてもよい。結晶性を有する半導体を用いると、トランジスタ特性の劣化を抑制できるため好ましい。

トランジスタに用いる半導体材料は特に限定されず、例えば、第１４族の元素、化合物半導体または金属酸化物を半導体層に用いることができる。代表的には、シリコンを含む半導体、ガリウムヒ素を含む半導体、またはインジウムを含む金属酸化物等を適用できる。

本明細書等において、金属酸化物（ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅ）とは、広い表現での金属の酸化物である。金属酸化物は、酸化物絶縁体、酸化物導電体（透明酸化物導電体を含む）、酸化物半導体（Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒまたは単にＯＳともいう）等に分類される。例えば、トランジスタの活性層に金属酸化物を用いた場合、当該金属酸化物を酸化物半導体と呼称する場合がある。つまり、金属酸化物が増幅作用、整流作用、およびスイッチング作用の少なくとも１つを有する場合、当該金属酸化物を、金属酸化物半導体（ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅ ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）、略してＯＳと呼ぶことができる。また、ＯＳ ＦＥＴと記載する場合においては、金属酸化物または酸化物半導体を有するトランジスタと換言することができる。

また、本明細書等において、窒素を有する金属酸化物も金属酸化物（ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅ）と総称する場合がある。また、窒素を有する金属酸化物を、金属酸窒化物（ｍｅｔａｌ ｏｘｙｎｉｔｒｉｄｅ）と呼称してもよい。

また、本明細書等において、ＣＡＡＣ（ｃ−ａｘｉｓ ａｌｉｇｎｅｄ ｃｒｙｓｔａｌ）、およびＣＡＣ（Ｃｌｏｕｄ−Ａｌｉｇｎｅｄ Ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ）と記載する場合がある。なお、ＣＡＡＣは結晶構造の一例を表し、ＣＡＣは機能、または材料の構成の一例を表す。

また、本明細書等において、ＣＡＣ−ＯＳまたはＣＡＣ−ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅとは、材料の一部では導電性の機能と、材料の一部では絶縁性の機能とを有し、材料の全体では半導体としての機能を有する。なお、ＣＡＣ−ＯＳまたはＣＡＣ−ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅを、トランジスタの活性層に用いる場合、導電性の機能は、キャリアとなる電子（またはホール）を流す機能であり、絶縁性の機能は、キャリアとなる電子を流さない機能である。導電性の機能と、絶縁性の機能とを、それぞれ相補的に作用させることで、スイッチングさせる機能（Ｏｎ／Ｏｆｆさせる機能）をＣＡＣ−ＯＳまたはＣＡＣ−ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅに付与することができる。ＣＡＣ−ＯＳまたはＣＡＣ−ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅにおいて、それぞれの機能を分離させることで、双方の機能を最大限に高めることができる。

また、本明細書等において、ＣＡＣ−ＯＳまたはＣＡＣ−ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅは、導電性領域、および絶縁性領域を有する。導電性領域は、上述の導電性の機能を有し、絶縁性領域は、上述の絶縁性の機能を有する。また、材料中において、導電性領域と、絶縁性領域とは、ナノ粒子レベルで分離している場合がある。また、導電性領域と、絶縁性領域とは、それぞれ材料中に偏在する場合がある。また、導電性領域は、周辺がぼけてクラウド状に連結して観察される場合がある。

また、ＣＡＣ−ＯＳまたはＣＡＣ−ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅにおいて、導電性領域と、絶縁性領域とは、それぞれ０．５ｎｍ以上１０ｎｍ以下、好ましくは０．５ｎｍ以上３ｎｍ以下のサイズで材料中に分散している場合がある。

また、ＣＡＣ−ＯＳまたはＣＡＣ−ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅは、異なるバンドギャップを有する成分により構成される。例えば、ＣＡＣ−ＯＳまたはＣＡＣ−ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅは、絶縁性領域に起因するワイドギャップを有する成分と、導電性領域に起因するナローギャップを有する成分と、により構成される。当該構成の場合、キャリアを流す際に、ナローギャップを有する成分において、主にキャリアが流れる。また、ナローギャップを有する成分が、ワイドギャップを有する成分に相補的に作用し、ナローギャップを有する成分に連動してワイドギャップを有する成分にもキャリアが流れる。このため、上記ＣＡＣ−ＯＳまたはＣＡＣ−ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅをトランジスタのチャネル領域に用いる場合、トランジスタのオン状態において高い電流駆動力、つまり大きなオン電流、および高い電界効果移動度を得ることができる。

すなわち、ＣＡＣ−ＯＳまたはＣＡＣ−ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅは、マトリックス複合材（ｍａｔｒｉｘ ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ）、または金属マトリックス複合材（ｍｅｔａｌ ｍａｔｒｉｘ ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ）と呼称することもできる。

特に、トランジスタのチャネルが形成される半導体に、金属酸化物を適用することが好ましい。特にシリコンよりもバンドギャップの大きな金属酸化物を適用することが好ましい。例えば、金属酸化物のエネルギーギャップは、２ｅＶ以上であると好ましく、２．５ｅＶ以上であるとより好ましく、３ｅＶ以上であるとさらに好ましい。金属酸化物のような、バンドギャップが広く、且つキャリア密度の小さい半導体材料を用いると、トランジスタのオフ状態における電流を低減できるため好ましい。

例えば、上記金属酸化物として、少なくともインジウム（Ｉｎ）もしくは亜鉛（Ｚｎ）を含むことが好ましい。より好ましくは、Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物（ＭはＡｌ、Ｔｉ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｙ、Ｚｒ、Ｓｎ、Ｌａ、Ｃｅ、ＨｆまたはＮｄ等の金属）で表記される酸化物を含む。

〔絶縁層〕
表示装置１０が有する絶縁層には、有機絶縁材料または無機絶縁材料を用いることができる。樹脂としては、例えば、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミドアミド樹脂、シロキサン樹脂、ベンゾシクロブテン系樹脂、フェノール樹脂等が挙げられる。無機絶縁膜としては、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、酸化ハフニウム膜、酸化イットリウム膜、酸化ジルコニウム膜、酸化ガリウム膜、酸化タンタル膜、酸化マグネシウム膜、酸化ランタン膜、酸化セリウム膜、および酸化ネオジム膜等が挙げられる。

〔導電層〕
表示装置１０が有する導電層には、それぞれ、アルミニウム、チタン、クロム、ニッケル、銅、イットリウム、ジルコニウム、モリブデン、銀、タンタル、もしくはタングステン等の金属、またはこれを主成分とする合金を単層構造または積層構造として用いることができる。または、酸化インジウム、ＩＴＯ、タングステンを含むインジウム酸化物、タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、チタンを含むインジウム酸化物、チタンを含むＩＴＯ、インジウム亜鉛酸化物、ＺｎＯ、ガリウムを添加したＺｎＯ、またはシリコンを含むインジウム錫酸化物等の透光性を有する導電性材料を用いてもよい。また、不純物元素を含有させる等して低抵抗化させた、多結晶シリコンもしくは酸化物半導体等の半導体、またはニッケルシリサイド等のシリサイドを用いてもよい。また、グラフェンを含む膜を用いることもできる。グラフェンを含む膜は、例えば酸化グラフェンを含む膜を還元して形成することができる。また、不純物元素を含有させた酸化物半導体等の半導体を用いてもよい。または、銀、カーボン、もしくは銅等の導電性ペースト、またはポリチオフェン等の導電性ポリマーを用いて形成してもよい。導電性ペーストは、安価であり、好ましい。導電性ポリマーは、塗布しやすく、好ましい。

＜表示装置の作製方法例１＞
次に、図１（Ａ）、（Ｂ）に示す構成の表示装置１０の作製方法例について、図３乃至図６を用いて説明する。

なお、表示装置を構成する薄膜（絶縁膜、半導体膜、導電膜等）は、スパッタリング法、化学気相堆積（ＣＶＤ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、真空蒸着法、パルスレーザー堆積（ＰＬＤ：Ｐｕｌｓｅｄ Ｌａｓｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、原子層成膜（ＡＬＤ：Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法等を用いて形成することができる。ＣＶＤ法としては、プラズマ化学気相堆積（ＰＥＣＶＤ：Ｐｌａｓｍａ Ｅｎｈａｎｃｅｄ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法や、熱ＣＶＤ法でもよい。熱ＣＶＤ法の例として、有機金属化学気相堆積（ＭＯＣＶＤ：Ｍｅｔａｌ Ｏｒｇａｎｉｃ ＣＶＤ）法を使ってもよい。

表示装置を構成する薄膜（絶縁膜、半導体膜、導電膜等）は、スピンコート、ディップ、スプレー塗布、インクジェット、ディスペンス、スクリーン印刷、オフセット印刷、スリットコート、ロールコート、カーテンコート、ナイフコート等の方法により形成することができる。

表示装置を構成する薄膜を加工する際には、リソグラフィ法等を用いて加工することができる。または、遮蔽マスクを用いた成膜方法により、島状の薄膜を形成してもよい。または、ナノインプリント法、サンドブラスト法、リフトオフ法等により薄膜を加工してもよい。フォトリソグラフィ法としては、加工したい薄膜上にレジストマスクを形成して、エッチング等により当該薄膜を加工し、レジストマスクを除去する方法と、感光性を有する薄膜を成膜した後に、露光、現像を行って、当該薄膜を所望の形状に加工する方法と、がある。

リソグラフィ法において光を用いる場合、露光に用いる光は、例えばｉ線（波長３６５ｎｍ）、ｇ線（波長４３６ｎｍ）、ｈ線（波長４０５ｎｍ）、またはこれらを混合させた光を用いることができる。そのほか、紫外線やＫｒＦレーザ光、またはＡｒＦレーザ光等を用いることもできる。また、液浸露光技術により露光を行ってもよい。また、露光に用いる光として、極端紫外光（ＥＵＶ：Ｅｘｔｒｅｍｅ Ｕｌｔｒａ−ｖｉｏｌｅｔ）やＸ線を用いてもよい。また、露光に用いる光に換えて、電子ビームを用いることもできる。極端紫外光、Ｘ線または電子ビームを用いると、極めて微細な加工が可能となるため好ましい。なお、電子ビーム等のビームを走査することにより露光を行う場合には、フォトマスクは不要である。

薄膜のエッチングには、ドライエッチング法、ウエットエッチング法、サンドブラスト法等を用いることができる。

表示装置１０の作製の際は、まず、基板２０１上に絶縁層２０５を形成する（図３（Ａ））。前述のように、絶縁層２０５はバリア性が高いことが好ましい。絶縁層２０５として無機絶縁膜を用いる場合、成膜温度が高いほど緻密でバリア性の高い膜となるため、高温で形成することが好ましい。例えば、成膜時の温度が、１００℃以上であることが好ましく、２５０℃以上であることがより好ましい。

次に、絶縁層２０５上に、トランジスタ３０１、トランジスタ３０２、トランジスタ３０３、および容量素子３０５を形成する（図３（Ａ））。

具体的には、まず、絶縁層２０５上に、導電層４１１、導電層４２１、導電層４３１、および導電層４５１を形成する。導電層４１１、導電層４２１、導電層４３１、および導電層４５１は、導電膜を成膜した後、レジストマスクを形成し、当該導電膜をエッチングした後にレジストマスクを除去することで形成できる。

続いて、絶縁層３１１を形成する。絶縁層３１１は、絶縁層２０５に用いることのできる絶縁膜を援用できる。

続いて、半導体層４１２、半導体層４２２、および半導体層４３２を形成する。半導体層４１２、半導体層４２２、および半導体層４３２は、半導体膜を成膜した後、レジストマスクを形成し、当該半導体膜をエッチングした後にレジストマスクを除去することで形成できる。半導体膜として、金属酸化物を用いることができる。

金属酸化物膜は、不活性ガスおよび酸素ガスのいずれか一方または双方を用いて成膜することができる。なお、金属酸化物膜の成膜時における酸素の流量比（酸素分圧）に、特に限定はない。ただし、電界効果移動度が高いトランジスタを得る場合においては、金属酸化物膜の成膜時における酸素の流量比（酸素分圧）は、０％以上３０％以下が好ましく、５％以上３０％以下がより好ましく、７％以上１５％以下がさらに好ましい。

金属酸化物膜は、スパッタリング法により形成することができる。そのほか、ＰＬＤ法、ＰＥＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、ＡＬＤ法、真空蒸着法等を用いてもよい。

続いて、導電層３０７、導電層４１３、導電層４１４、導電層４２３、導電層４２４、導電層４３３、および導電層４３４を形成する。導電層３０７、導電層４１３、導電層４１４、導電層４２３、導電層４２４、導電層４３３、および導電層４３４は、導電膜を成膜した後、レジストマスクを形成し、当該導電膜をエッチングした後にレジストマスクを除去することにより形成できる。導電層４１３および導電層４１４は、それぞれ半導体層４１２と接続され、導電層４２３および導電層４２４は、それぞれ半導体層４２２と接続され、導電層４３３および導電層４３４は、それぞれ半導体層４３２と接続される。

なお、図３（Ａ）では明示していないが、導電膜をエッチングする際に、レジストマスクに覆われていない半導体層４１２の一部、半導体層４２２の一部、および半導体層４３２の一部が薄膜化する場合がある。

以上のようにして、トランジスタ３０１、トランジスタ３０２、トランジスタ３０３、および容量素子３０５を形成できる。それとともに、ＦＰＣ１３と電気的に接続される導電層３０７を形成できる。

次に、トランジスタ３０１、トランジスタ３０２、トランジスタ３０３、および容量素子３０５を覆う絶縁層３１２を形成する。続いて、絶縁層３１３を形成する（図３（Ｂ））。絶縁層３１２および絶縁層３１３は、絶縁層２０５と同様の方法により形成することができる。

絶縁層３１２は、酸素を含む雰囲気下で成膜することが好ましい。絶縁層３１２は、例えば酸化シリコン膜または酸化窒化絶縁膜を用いることが好ましい。これにより、絶縁層３１２は、加熱により多くの酸素を放出しやすい絶縁層とすることができる。絶縁層３１３は、窒化シリコン膜等、酸素を拡散、透過しにくい絶縁膜を用いることが好ましい。

絶縁層３１２および絶縁層３１３の形成後に、加熱処理を行うことが好ましい。これにより、絶縁層３１２から、半導体層４１２、半導体層４２２、および半導体層４３２に酸素を供給することができる。これにより、半導体層４１２、半導体層４２２、および半導体層４３２が金属酸化物層である場合に、当該金属酸化物層に形成される酸素欠損を修復し、欠陥準位を低減することができる。これにより、表示装置１０の信頼性を高めることができる。

次に、絶縁層３１３上に絶縁層３１４を形成する（図３（Ｂ））。絶縁層３１４は、後に形成する表示素子の被形成面を有する層であるため、平坦化層として機能することが好ましい。平坦化は、例えば化学機械研磨（ＣＭＰ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）法を用いて行うことができる。絶縁層３１４は、絶縁層２０５に用いることのできる絶縁膜を援用できる。

次に、絶縁層３１４、絶縁層３１３、および絶縁層３１２に、導電層３０７に達する開口、および導電層４３４に達する開口を形成する。

その後、導電層３５５および導電層３２１を形成する（図３（Ｃ））。導電層３５５は、絶縁層３１４、絶縁層３１３、および絶縁層３１２に設けられた開口を介して、導電層３０７と接続される。導電層３２１は、絶縁層３１４、絶縁層３１３、および絶縁層３１２に設けられた開口を介して、導電層４３４と接続される。導電層３５５および導電層３２１は、導電膜を成膜した後、レジストマスクを形成し、当該導電膜をエッチングした後にレジストマスクを除去することにより形成できる。

次に、光学調整層３２４を形成する（図３（Ｃ））。光学調整層３２４は、例えば可視光を透過する導電膜を成膜した後、レジストマスクを形成し、当該導電膜をエッチングした後にレジストマスクを除去することにより形成できる。なお、図３（Ｃ）では、導電層３２１を覆うように光学調整層３２４を形成したが、導電層３２１の端部が露出するように光学調整層３２４を形成してもよい。

次に、光学調整層３２４の端部を覆う絶縁層３１５を形成する（図３（Ｃ））。絶縁層３１５は、絶縁膜を成膜した後、レジストマスクを形成し、当該絶縁膜をエッチングした後にレジストマスクを除去することにより形成できる。なお、絶縁層３１５は、絶縁層２０５に用いることのできる絶縁膜を援用できる。また、導電層３２１の端部が露出するように光学調整層３２４を形成した場合、絶縁層３１５は導電層３２１の端部を覆う。

次に、発光層３２２および有機層３２２ａを形成する（図４（Ａ））。発光層３２２および有機層３２２ａは、蒸着法、塗布法、印刷法、吐出法等の方法で形成することができる。なお、有機層３２２ａは、導電層３５５を覆うように設けられる。

次に、導電層３２３および導電層３２３ａを形成する（図４（Ａ））。導電層３２３および導電層３２３ａは、例えば導電膜を成膜した後、レジストマスクを形成し、当該導電膜をエッチングした後にレジストマスクを除去することにより形成できる。前述のように、導電層３２３ａは、有機層３２２ａを覆うように設けることができる。また、導電層３２３ａは、有機層３２２ａの端部が露出するように設けることができる。また、導電層３２３ａを省略することができる。図４（Ａ）等では、導電層３２３ａを、有機層３２２ａを覆うように設ける場合を示している。

次に、基板２１１上に絶縁層２１５を形成する（図４（Ｂ））。絶縁層２１５は、絶縁層２０５に用いることができる絶縁膜を援用できる。

次に、絶縁層２１５上に、着色層３２５および遮光層３２６を形成する（図４（Ｂ））。なお、基板２１１の大きさは、基板２０１の大きさと同一とすることができる。

次に、基板２０１の、発光素子３０４等が形成されている面の全面に、接着層３１７を塗布する。接着層３１７は、例えばスクリーン印刷を用いて形成することができる。または、インクジェット装置またはディスペンス装置を用いて形成することができる。その後、基板２０１の、発光素子３０４等が形成されている面と、基板２１１の、着色層３２５等が形成されている面と、を貼り合わせる（図４（Ｃ））。この場合、基板２０１を作製基板と呼ぶことができ、基板２１１を封止基板と呼ぶことができる。

次に、基板２１１上の、有機層３２２ａと重なる部分に分断ライン４０１を形成する（図５（Ａ））。例えば、先端の鋭利な刃を基板２１１に押し当てることにより、基板２１１に切れ込みを入れ、分断ライン４０１を形成することができる。これにより、分断ライン４０１より外側（Ａ１側）の基板２１１、有機層３２２ａ、導電層３２３ａ等が、表示装置１０から分離され、導電層３５５を露出させることができる（図５（Ｂ））。また、分断ライン４０１より内側（Ａ２側）の有機層３２２ａおよび導電層３２３ａが、分離されずに残る。

有機層３２２ａを設けない構成とする場合、分断ライン４０１より外側において、接着層３１７と絶縁層３１４が接する領域が形成される。当該領域では、接着層３１７と絶縁層３１４が密着しており、分離することが困難となる。有機層３２２ａを設けることにより、接着層３１７と絶縁層３１４が接する領域をなくすことができるため、分断ライン４０１より外側の基板２１１を分離しやすくなる。

なお、基板２１１等の分離を行った際、導電層３５５上に有機層３２２ａの一部が残存する場合がある。この場合、アセトン洗浄等を行うことにより、導電層３５５上の有機層３２２ａを完全に除去することができる。この際、分断ライン４０１より内側の有機層３２２ａも除去される場合がある。なお、導電層３５５上に有機層３２２ａの一部が残存した場合であっても、当該有機層３２２ａの除去を行わなくてもよい。

また、有機層３２２ａと絶縁層３１４の界面に、先端の鋭利な刃を押し当てる等して切れ込みを入れてもよい（図６）。これにより、分断ライン４０１より外側の基板２１１、有機層３２２ａ、導電層３２３ａ等を分離しやすくなる。なお、有機層３２２ａと絶縁層３１４の界面への切れ込みは、分断ライン４０１の形成と同時に入れてもよいし、分断ライン４０１の形成前に入れてもよいし、分断ライン４０１の形成後に入れてもよい。

次に、導電層３５５と接続されるように接続体３１９を形成し、接続体３１９と接続されるようにＦＰＣ１３を形成する。以上が図１（Ａ）、（Ｂ）に示す構成の表示装置１０の作製方法例である。

図３乃至図６に示す表示装置１０の作製方法では、基板２０１の全面に接着層３１７を塗布する。したがって、ダムフィル構造等として、基板２０１の一部に接着層３１７を塗布する場合と比べて、表示装置の作製工程を簡略化することができる。また、基板２０１の一部に接着層３１７を塗布する場合、基板２０１上におけるトランジスタ等の各種素子の配置等が変わると、接着層３１７の塗布の際に用いるスクリーンマスク等を変える必要がある。一方、基板２０１の全面に接着層３１７を塗布する場合、基板２０１の大きさが同じであれば、基板２０１上におけるトランジスタ等の各種素子の配置等が変化しても、スクリーンマスク等を変えなくてよい。したがって、特に大型の表示装置を作製する場合において、低コストで量産性の高い表示装置の作製方法を提供することができる。

＜表示装置の構成例２＞
図７（Ａ）に示す構成の表示装置１０は、トランジスタ３０１が導電層４１５を有し、トランジスタ３０２が導電層４２５を有し、トランジスタ３０３が導電層４３５を有する点が、図１（Ｂ）に示す表示装置１０の構成と異なる。導電層４１５、導電層４２５、および導電層４３５は、絶縁層３１３と接するように設けられている。導電層４１５、導電層４２５、および導電層４３５は、導電層４１１、導電層４２１、および導電層４３１に用いることができる導電膜を援用できる。

導電層４１５、導電層４２５、および導電層４３５は、それぞれトランジスタのバックゲートとしての機能を有する。つまり、トランジスタ３０１、トランジスタ３０２、およびトランジスタ３０３は、半導体層を２つのゲートで挟持する構成である。

トランジスタ３０１、トランジスタ３０２、およびトランジスタ３０３を図７（Ａ）に示す構成とすることにより、トランジスタの電界効果移動度を高めることができ、オン電流を増大させることができる。その結果、表示装置１０の動作速度を高めることができる。また、表示装置１０が大型化または高精細化し配線数が増大しても、各配線における信号遅延を低減することができ、画素間における表示の輝度のばらつきを低減することができる。これにより、表示装置１０が高品質の画像を表示することができる。

＜表示装置の構成例３＞
図７（Ｂ）に示す構成の表示装置１０は、着色層３２５および遮光層３２６が設けられていない点が、図１（Ｂ）に示す表示装置１０の構成と異なる。図７（Ｂ）に示す構成の表示装置１０では、発光層３２２を発光素子３０４ごとに塗り分けて形成する。発光層３２２は、赤色、緑色、青色、または黄色等の波長帯の光を発する発光層とすることができる。

図７（Ｂ）に示す構成の表示装置１０は、発光層３２２から発せられた光が着色層によって吸収されないため、発光層３２２から発せられた光の取り出し効率を高めることができる。これにより、表示装置１０が高輝度の画像を表示することができ、また表示装置１０の消費電力を低減することができる。

なお、有機層３２２ａは、いずれかの発光層３２２と同の一材料および同一の工程で形成することができる。また、図７（Ｂ）に示す構成の表示装置１０において、遮光層３２６を設けてもよい。

＜表示装置の構成例４＞
図８（Ａ）に示す構成の表示装置１０は、ボトムエミッション構造である点で、図１（Ｂ）に示す表示装置１０の構成と異なる。図８（Ａ）に示す構成の表示装置１０では、絶縁層３１３と接するように、つまり発光素子３０４の下側に着色層３２５が設けられる。発光層３２２から発せられた光は、着色層３２５を通って基板２０１側に取り出される。

図８（Ａ）に示す構成の表示装置１０では、導電層３２１として可視光を透過する導電膜を用い、導電層３２３として可視光を反射する導電膜を用いることが好ましい。また、基板２０１には、可視光を透過する材料を用いることが好ましい。これにより、発光層３２２から発せられた光を効率よく取り出すことができる。なお、基板２１１は、可視光を透過する材料を用いなくてもよい。

＜表示装置の構成例５＞
図８（Ｂ）に示す構成の表示装置１０は、トランジスタ３０１、トランジスタ３０２、トランジスタ３０３、および容量素子３０５の構成が異なる点で、図１（Ｂ）と異なる。

図８（Ｂ）に示す構成の表示装置１０において、トランジスタ３０１は、半導体層、絶縁層３１１、および導電層５１４を有する。また、トランジスタ３０２は、半導体層、絶縁層３１１、および導電層５２４を有する。また、トランジスタ３０３は、半導体層、絶縁層３１１、および導電層５３４を有する。また、容量素子３０５は、半導体層、絶縁層３１１、および導電層５５２を有する。なお、トランジスタ３０２が有する半導体層と、容量素子３０５が有する半導体層と、は接続される。

図８（Ｂ）に示す構成の表示装置１０に設けられた半導体層は、半導体層４１２、半導体層４２２、および半導体層４３２に用いることができる半導体膜を援用できる。

トランジスタ３０１に設けられた半導体層は、領域５１１、領域５１２、および領域５１３を有する。トランジスタ３０２に設けられた半導体層は、領域５２１、領域５２２、および領域５２３を有する。トランジスタ３０３に設けられた半導体層は、領域５３１、領域５３２、および領域５３３を有する。容量素子３０５に設けられた半導体層は、領域５５１を有する。

導電層５１４は、トランジスタ３０１のゲートとしての機能を有する。導電層５２４は、トランジスタ３０２のゲートとしての機能を有する。導電層５３４は、トランジスタ３０３のゲートとしての機能を有する。導電層５５２は、容量素子３０５の一方の電極としての機能を有する。

導電層５１４、導電層５２４、導電層５３４、および導電層５５２は、導電層４１１、導電層４２１、導電層４３１、および導電層４５１に用いることができる導電膜を援用できる。

導電層５１４、導電層５２４、導電層５３４、および導電層５５２は、絶縁層３１１を介して半導体層と重なる領域を有する。トランジスタ３０１が有する半導体層において、領域５１１は、導電層５１４と重なる領域に設けられ、トランジスタ３０１のチャネル形成領域としての機能を有する。トランジスタ３０２が有する半導体層において、領域５２１は、導電層５２４と重なる領域に設けられ、トランジスタ３０２のチャネル形成領域としての機能を有する。トランジスタ３０３が有する半導体層において、領域５３１は、導電層５３４と重なる領域に設けられ、トランジスタ３０３のチャネル形成領域としての機能を有する。容量素子３０５が有する半導体層において、領域５５１は、導電層５５２と重なる領域に設けられ、容量素子３０５の他方の電極としての機能を有する。

また、領域５１２は、トランジスタ３０１のソースまたはドレインの一方としての機能を有する。領域５１３は、トランジスタ３０１のソースまたはドレインの他方としての機能を有する。領域５２２は、トランジスタ３０２のソースまたはドレインの一方としての機能を有する。領域５２３は、トランジスタ３０２のソースまたはドレインの他方としての機能を有する。領域５３２は、トランジスタ３０３のソースまたはドレインの一方としての機能を有する。領域５３３は、トランジスタ３０３のソースまたはドレインの他方としての機能を有する。

領域５１２、領域５１３、領域５２２、領域５２３、領域５３２、領域５３３、および領域５５１は、低抵抗化されていることが好ましい。例えば、半導体層の形成後、領域５１２、領域５１３、領域５２２、領域５２３、領域５３２、領域５３３、および領域５５１に水素、ボロン、リン、ヒ素、または希ガス等の不純物を導入することにより、当該領域を低抵抗化することができる。不純物の導入は、イオン注入法、イオンドーピング法、プラズマイマージョンイオンインプランテーション法等を用いて行うことができる。

絶縁層３１２は、絶縁層３１１、導電層５１４、導電層５２４、導電層５３４、および導電層５５２と接するように設けられる。絶縁層３１３は、絶縁層３１２と接するように設けられている。絶縁層３１３、絶縁層３１２、および絶縁層３１１には、領域５１２に達する開口、領域５１３に達する開口、領域５２２に達する開口、領域５２３に達する開口、領域５３２に達する開口、および領域５３３に達する開口が設けられる。

絶縁層３１３上には、導電層３０７、導電層５１５、導電層５１６、導電層５２５、導電層５２６、導電層５３５、および導電層５３６が設けられる。これらの導電層は、引き回し配線としての機能を有する。

導電層５１５は、絶縁層３１３、絶縁層３１２、および絶縁層３１１に設けられた開口を介して、領域５１２と電気的に接続される。導電層５１６は、絶縁層３１３、絶縁層３１２、および絶縁層３１１に設けられた開口を介して、領域５１３と電気的に接続される。導電層５２５は、絶縁層３１３、絶縁層３１２、および絶縁層３１１に設けられた開口を介して、領域５２２と電気的に接続される。導電層５２６は、絶縁層３１３、絶縁層３１２、および絶縁層３１１に設けられた開口を介して、領域５２３と電気的に接続される。導電層５３５は、絶縁層３１３、絶縁層３１２、および絶縁層３１１に設けられた開口を介して、領域５３２と電気的に接続される。導電層５３６は、絶縁層３１３、絶縁層３１２、および絶縁層３１１に設けられた開口を介して、領域５３３と電気的に接続される。

導電層５１５、導電層５１６、導電層５２５、導電層５２６、導電層５３５、および導電層５３６は、導電層４１３、導電層４１４、導電層４２３、導電層４２４、導電層４３３、および導電層４３４に用いることができる導電膜を援用できる。

＜表示装置の構成例６＞
図９に示す構成の表示装置１０は、基板２０１の代わりに基板２０２および接着層２０３が設けられ、基板２１１の代わりに基板２１２および接着層２１３が設けられている点で、図１（Ｂ）に示す表示装置１０の構成と異なる。

図９に示す構成の表示装置１０では、絶縁層２０５と基板２０２は接着層２０３によって貼り合わされている。また、絶縁層２１５と基板２１２は接着層２１３によって貼り合わされている。

基板２０２および基板２１２として、可撓性を有する基板を用いることができる。例えば、可撓性を有する程度の厚さのガラス、石英、樹脂、金属、合金、半導体等の材料を用いることができる。発光素子３０４からの光を取り出す側の基板である基板２１２は、当該光を透過する材料を用いる。例えば、基板の厚さは、１μｍ以上２００μｍ以下が好ましく、１μｍ以上１００μｍ以下がより好ましく、１０μｍ以上５０μｍ以下がさらに好ましく、１０μｍ以上２５μｍ以下がさらに好ましい。可撓性を有する基板の厚さおよび硬さは、機械的強度および可撓性を両立できる範囲とする。可撓性を有する基板は単層構造であっても積層構造であってもよい。

ガラスに比べて樹脂は比重が小さいため、可撓性を有する基板として樹脂を用いると、ガラスを用いる場合に比べて表示装置１０を軽量化でき、好ましい。また、基板２０２および基板２１２として、基板２０１および基板２１１と同様に、靱性が高い材料、熱伝導性が高い材料、熱放射性が高い材料を用いることができる。

可撓性および透光性を有する材料としては、例えば、ＰＥＴ、ＰＥＮ等のポリエステル樹脂、ポリアクリロニトリル樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ＰＣ樹脂、ＰＥＳ樹脂、ポリアミド樹脂（ナイロン、アラミド等）、ポリシロキサン樹脂、シクロオレフィン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリ塩化ビニリデン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ＰＴＦＥ樹脂、ＡＢＳ樹脂等が挙げられる。特に、線膨張係数の低い材料を用いることが好ましく、例えば、ポリアミドイミド樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ＰＥＴ等を好適に用いることができる。また、繊維体に樹脂を含浸した基板、および、無機フィラーを樹脂に混ぜて線膨張係数を下げた基板等を使用することもできる。

可撓性を有する基板としては、上記材料を用いた層が、装置の表面を傷等から保護するハードコート層（例えば、窒化シリコン層等）、押圧を分散可能な材質の層等の少なくとも一と積層されて構成されていてもよい。

可撓性を有する基板は、ガラス層を有する構成とすると、水および酸素に対するバリア性を向上させ、表示装置１０の信頼性を高めることができる。

＜表示装置の作製方法例２＞
次に、図９に示す構成の表示装置１０の作製方法例について、図１０乃至図１４を用いて説明する。

まず、基板６０２上に、剥離層６０３を形成する（図１０（Ａ））。剥離層６０３は、各種樹脂材料（樹脂前駆体を含む）を用いて形成することができる。

次に、剥離層６０３上に、絶縁層２０５を形成する。その後、図３（Ａ）乃至図４（Ａ）に示す場合と同様の方法で、トランジスタ３０１、トランジスタ３０２、トランジスタ３０３、容量素子３０５、発光素子３０４、有機層３２２ａ、および導電層３２３ａ等を形成する（図１０（Ｂ））。

次に、基板６１２上に、剥離層６１３を形成する（図１０（Ｃ））。剥離層６１３は、剥離層６０３に用いることができる材料を援用できる。

次に、剥離層６１３上に、絶縁層２１５を形成する。続いて、図４（Ｂ）に示す場合と同様の方法で、着色層３２５および遮光層３２６を形成する。

次に、図４（Ｃ）に示す場合と同様の方法で、基板６０２の、発光素子３０４等が形成されている面と、基板６１２の、着色層３２５等が形成されている面とを、接着層３１７を用いて貼り合わせる（図１１（Ａ））。この場合、基板６０２を作製基板と呼ぶことができ、基板６１２を封止基板と呼ぶことができる。

次に、基板６０２を介して剥離層６０３にレーザ光６５を照射する（図１１（Ｂ））。これにより、剥離層６０３と絶縁層２０５の界面で剥離が生じる（図１２（Ａ））。なお、剥離層６０３中で剥離が生じる場合もあるし、基板６０２と剥離層６０３の界面で剥離が生じる場合もある。

図１１（Ｂ）の白抜き矢印は、レーザ光６５のスキャン方向を示す。なお、他の図においても、同様の記載をしている場合がある。

次に、絶縁層２０５と基板２０２とを接着層２０３を用いて貼り合わせる（図１２（Ｂ））。なお、接着層２０３は、接着層３１７に用いることができる接着層を援用できる。

次に、基板６１２を介して剥離層６１３にレーザ光６５を照射する（図１３（Ａ））。これにより、剥離層６１３と絶縁層２１５の界面で剥離が生じる（図１３（Ｂ））。なお、剥離層６１３中で剥離が生じる場合もあるし、基板６１２と剥離層６１３の界面で剥離が生じる場合もある。

次に、絶縁層２１５と基板２１２とを接着層２１３を用いて貼り合わせる（図１４（Ａ））。なお、接着層２１３は、接着層３１７に用いることができる接着層を援用できる。

次に、図５（Ａ）に示す場合と同様の方法で、基板２１２上の、有機層３２２ａと重なる部分に分断ライン４０１を形成する（図１４（Ｂ））。これにより、図５（Ｂ）に示す場合と同様に、分断ライン４０１より外側の基板２１２、有機層３２２ａ、導電層３２３ａ等が、表示装置１０から分離され、導電層３５５を露出させることができる。また、分断ライン４０１より内側の有機層３２２ａおよび導電層３２３ａが、分離されずに残る。

次に、導電層３５５と接続されるように接続体３１９を形成し、接続体３１９と接続されるようにＦＰＣ１３を形成する。以上が図９に示す構成の表示装置１０の作製方法例である。

なお、本作製方法例では、基板６０２を剥離して基板２０２を貼り合わせた後、基板６１２を剥離して基板２１２を貼り合わせる場合を示しているが、基板６１２を剥離して基板２１２を貼り合わせた後、基板６０２を剥離して基板２０２を貼り合わせてもよい。

また、本作製方法例では、基板６１２を剥離して基板２１２を貼り合わせた後、分断ライン４０１を形成し、分断ライン４０１より外側の基板２１２、有機層３２２ａ、導電層３２３ａ等を分離する場合を示している。しかしながら、本発明の一態様では、基板６１２を剥離する前に分断ライン４０１を形成し、分断ライン４０１より外側の基板６１２、有機層３２２ａ、導電層３２３ａ等を分離した後、基板６１２を剥離して基板２１２を貼り合わせてもよい。

＜タッチパネル＞
本発明の一態様では、表示装置１０に入出力装置（タッチセンサともいう）を搭載した、タッチパネルを作製することができる。

入出力装置が有する検知素子（センサ素子ともいう）に限定は無い。指もしくはスタイラス等の被検知体の近接または接触を検知することのできる様々なセンサを、検知素子として適用することができる。

例えばセンサの方式としては、静電容量方式、抵抗膜方式、表面弾性波方式、赤外線方式、光学方式、感圧方式等様々な方式を用いることができる。

本実施の形態では、静電容量方式の検知素子を有するタッチパネルを例に挙げて説明する。

静電容量方式としては、表面型静電容量方式、投影型静電容量方式等がある。また、投影型静電容量方式としては、自己容量方式、相互容量方式等がある。相互容量方式を用いると、同時多点検出が可能となるため好ましい。

本発明の一態様のタッチパネルは、別々に作製された表示装置１０と検知素子とを貼り合わせる構成、表示素子を支持する基板および対向基板の一方または双方に検知素子を構成する電極等を設ける構成等、様々な構成を適用することができる。

図１５（Ａ）は、タッチパネル３００の斜視概略図である。図１５（Ｂ）は、図１５（Ａ）を展開した斜視概略図である。なお明瞭化のため、代表的な構成要素のみを示している。図１５（Ｂ）では、一部の構成要素（基板２６１、基板２１１等）を破線で輪郭のみ明示している。

タッチパネル３００は、入力装置３１０と、表示装置１０とを有し、これらが重ねて設けられている。入力装置３１０は、基板２６１、電極３３１、電極３３２、複数の配線３４１、および複数の配線３４２を有する。ＦＰＣ３５０は、複数の配線３４１および複数の配線３４２の各々と電気的に接続される。ＦＰＣ３５０にはＩＣ３５１が設けられている。

表示装置１０は、対向して設けられた基板２０１と基板２１１とを有する。表示装置１０は、表示領域１１および駆動回路領域１２を有する。基板２０１上には、配線３８３等が設けられている。ＦＰＣ１３は、配線３８３と電気的に接続される。ＦＰＣ１３にはＩＣ３７４が設けられている。

配線３８３は、表示領域１１および駆動回路領域１２に信号および電力を供給する機能を有する。当該信号および電力は、それぞれ、外部またはＩＣ３７４から、ＦＰＣ１３を介して、配線３８３に入力される。

図１６に、タッチパネル３００の断面図の一例を示す。図１６では、表示領域１１、駆動回路領域１２、ＦＰＣ１３を含む領域、およびＦＰＣ３５０を含む領域等の断面構造を示す。さらに、図１６では、トランジスタのゲートと同一の導電層を加工して形成された配線と、トランジスタのソースおよびドレインと同一の導電層を加工して形成された配線とが交差する交差部３８７の断面構造を示している。

基板２０１と基板２１１とは、接着層３１７によって貼り合わされている。基板２１１と基板２６１とは、接着層３９６によって貼り合わされている。ここで、図１６に示すように、基板２０１から基板２１１までの各層が、表示装置１０に相当する。また、基板２６１から電極３３４までの各層が入力装置３１０に相当する。つまり、接着層３９６は、表示装置１０と入力装置３１０を貼り合わせているといえる。または、基板２０１から絶縁層２１５までの各層が、表示装置１０に相当する。そして、基板２６１から基板２１１までの各層が入力装置３１０に相当する。つまり、接着層３１７が、表示装置１０と入力装置３１０を貼り合わせているともいえる。

基板２６１の基板２１１側には、絶縁層３９３、電極３３１、および電極３３２が設けられている。ここでは、電極３３１が、電極３３３および電極３３４を有する場合の例を示している。図１６中の交差部３８７に示すように、電極３３２と電極３３３は同一平面上に形成されている。絶縁層３９５は、電極３３２および電極３３３を覆うように設けられている。電極３３４は、絶縁層３９５に設けられた開口を介して、電極３３２を挟むように設けられる２つの電極３３３と電気的に接続している。

基板２６１の端部に近い領域には、接続領域３０８が設けられている。接続領域３０８は、配線３４２と、電極３３４と同一の導電層を加工して得られた導電層とを積層して有する。接続領域３０８は、接続体３０９を介してＦＰＣ３５０が電気的に接続される。

図１、図２、図７乃至図９、図１５、および図１６に示す構成は、必要に応じて、または適宜組み合わせることができる。また、図３乃至図６、および図１０乃至図１４に示す表示装置１０の作製方法は、必要に応じて、または適宜組み合わせることができる。

本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。

（実施の形態２）
＜ＣＡＣ−ＯＳの構成＞
本実施の形態では、本発明の一態様で開示されるトランジスタに用いることができるＣＡＣ−ＯＳの構成について説明する。

ＣＡＣ−ＯＳとは、例えば、酸化物半導体を構成する元素が、０．５ｎｍ以上１０ｎｍ以下、好ましくは、１ｎｍ以上２ｎｍ以下、またはその近傍のサイズで偏在した材料の一構成である。なお、以下では、酸化物半導体において、一つあるいはそれ以上の金属元素が偏在し、該金属元素を有する領域が、０．５ｎｍ以上１０ｎｍ以下、好ましくは、１ｎｍ以上２ｎｍ以下、またはその近傍のサイズで混合した状態をモザイク状、またはパッチ状ともいう。

なお、酸化物半導体は、少なくともインジウムを含むことが好ましい。特にインジウムおよび亜鉛を含むことが好ましい。また、それらに加えて、アルミニウム、ガリウム、イットリウム、銅、バナジウム、ベリリウム、ホウ素、シリコン、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、またはマグネシウム等から選ばれた一種、または複数種が含まれていてもよい。

例えば、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物におけるＣＡＣ−ＯＳ（ＣＡＣ−ＯＳの中でもＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物を、特にＣＡＣ−ＩＧＺＯと呼称してもよい。）とは、インジウム酸化物（以下、ＩｎＯ_Ｘ１（Ｘ１は０よりも大きい実数）とする。）、またはインジウム亜鉛酸化物（以下、Ｉｎ_Ｘ２Ｚｎ_Ｙ２Ｏ_Ｚ２（Ｘ２、Ｙ２、およびＺ２は０よりも大きい実数）とする。）等と、ガリウム酸化物（以下、ＧａＯ_Ｘ３（Ｘ３は０よりも大きい実数）とする。）、またはガリウム亜鉛酸化物（以下、Ｇａ_Ｘ４Ｚｎ_Ｙ４Ｏ_Ｚ４（Ｘ４、Ｙ４、およびＺ４は０よりも大きい実数）とする。）等と、に材料が分離することでモザイク状となり、モザイク状のＩｎＯ_Ｘ１、またはＩｎ_Ｘ２Ｚｎ_Ｙ２Ｏ_Ｚ２が、膜中に均一に分布した構成（以下、クラウド状ともいう。）である。

つまり、ＣＡＣ−ＯＳは、ＧａＯ_Ｘ３が主成分である領域と、Ｉｎ_Ｘ２Ｚｎ_Ｙ２Ｏ_Ｚ２、またはＩｎＯ_Ｘ１が主成分である領域とが、混合している構成を有する複合酸化物半導体である。なお、本明細書において、例えば、第１の領域の元素Ｍに対するＩｎの原子数比が、第２の領域の元素Ｍに対するＩｎの原子数比よりも大きいことを、第１の領域は、第２の領域と比較して、Ｉｎの濃度が高いとする。

なお、ＩＧＺＯは通称であり、Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎ、およびＯによる１つの化合物をいう場合がある。代表例として、ＩｎＧａＯ_３（ＺｎＯ）_ｍ１（ｍ１は自然数）、またはＩｎ_{（１＋ｘ０）}Ｇａ_{（１−ｘ０）}Ｏ_３（ＺｎＯ）_ｍ０（−１≦ｘ０≦１、ｍ０は任意数）で表される結晶性の化合物が挙げられる。

上記結晶性の化合物は、単結晶構造、多結晶構造、またはＣＡＡＣ構造を有する。なお、ＣＡＡＣ構造とは、複数のＩＧＺＯのナノ結晶がｃ軸配向を有し、かつａ−ｂ面においては配向せずに連結した結晶構造である。

一方、ＣＡＣ−ＯＳは、酸化物半導体の材料構成に関する。ＣＡＣ−ＯＳとは、Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎ、およびＯを含む材料構成において、一部にＧａを主成分とするナノ粒子状に観察される領域と、一部にＩｎを主成分とするナノ粒子状に観察される領域とが、それぞれモザイク状にランダムに分散している構成をいう。従って、ＣＡＣ−ＯＳにおいて、結晶構造は副次的な要素である。

なお、ＣＡＣ−ＯＳは、組成の異なる二種類以上の膜の積層構造は含まないものとする。例えば、Ｉｎを主成分とする膜と、Ｇａを主成分とする膜との２層からなる構造は、含まない。

なお、ＧａＯ_Ｘ３が主成分である領域と、Ｉｎ_Ｘ２Ｚｎ_Ｙ２Ｏ_Ｚ２、またはＩｎＯ_Ｘ１が主成分である領域とは、明確な境界が観察できない場合がある。

なお、ガリウムの代わりに、アルミニウム、イットリウム、銅、バナジウム、ベリリウム、ホウ素、シリコン、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、またはマグネシウム等から選ばれた一種、または複数種が含まれている場合、ＣＡＣ−ＯＳは、一部に該金属元素を主成分とするナノ粒子状に観察される領域と、一部にＩｎを主成分とするナノ粒子状に観察される領域とが、それぞれモザイク状にランダムに分散している構成をいう。

ＣＡＣ−ＯＳは、例えば基板を意図的に加熱しない条件で、スパッタリング法により形成することができる。また、ＣＡＣ−ＯＳをスパッタリング法で形成する場合、成膜ガスとして、不活性ガス（代表的にはアルゴン）、酸素ガス、および窒素ガスの中から選ばれたいずれか一つまたは複数を用いればよい。また、成膜時の成膜ガスの総流量に対する酸素ガスの流量比は低いほど好ましく、例えば酸素ガスの流量比を０％以上３０％未満、好ましくは０％以上１０％以下とすることが好ましい。

ＣＡＣ−ＯＳは、Ｘ線回折（ＸＲＤ：Ｘ−ｒａｙ ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ）測定法のひとつであるＯｕｔ−ｏｆ−ｐｌａｎｅ法によるθ／２θスキャンを用いて測定したときに、明確なピークが観察されないという特徴を有する。すなわち、Ｘ線回折から、測定領域のａ−ｂ面方向、およびｃ軸方向の配向は見られないことが分かる。

またＣＡＣ−ＯＳは、プローブ径が１ｎｍの電子線（ナノビーム電子線ともいう。）を照射することで得られる電子線回折パターンにおいて、リング状に輝度の高い領域と、該リング領域に複数の輝点が観測される。従って、電子線回折パターンから、ＣＡＣ−ＯＳの結晶構造が、平面方向、および断面方向において、配向性を有さないｎｃ（ｎａｎｏ−ｃｒｙｓｔａｌ）構造を有することがわかる。

また例えば、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物におけるＣＡＣ−ＯＳでは、エネルギー分散型Ｘ線分光法（ＥＤＸ：Ｅｎｅｒｇｙ Ｄｉｓｐｅｒｓｉｖｅ Ｘ−ｒａｙ ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）を用いて取得したＥＤＸマッピングにより、ＧａＯ_Ｘ３が主成分である領域と、Ｉｎ_Ｘ２Ｚｎ_Ｙ２Ｏ_Ｚ２、またはＩｎＯ_Ｘ１が主成分である領域とが、偏在し、混合している構造を有することが確認できる。

ＣＡＣ−ＯＳは、金属元素が均一に分布したＩＧＺＯ化合物とは異なる構造であり、ＩＧＺＯ化合物と異なる性質を有する。つまり、ＣＡＣ−ＯＳは、ＧａＯ_Ｘ３等が主成分である領域と、Ｉｎ_Ｘ２Ｚｎ_Ｙ２Ｏ_Ｚ２、またはＩｎＯ_Ｘ１が主成分である領域と、に互いに相分離し、各元素を主成分とする領域がモザイク状である構造を有する。

ここで、Ｉｎ_Ｘ２Ｚｎ_Ｙ２Ｏ_Ｚ２、またはＩｎＯ_Ｘ１が主成分である領域は、ＧａＯ_Ｘ３等が主成分である領域と比較して、導電性が高い領域である。つまり、Ｉｎ_Ｘ２Ｚｎ_Ｙ２Ｏ_Ｚ２、またはＩｎＯ_Ｘ１が主成分である領域を、キャリアが流れることにより、酸化物半導体としての導電性が発現する。従って、Ｉｎ_Ｘ２Ｚｎ_Ｙ２Ｏ_Ｚ２、またはＩｎＯ_Ｘ１が主成分である領域が、酸化物半導体中にクラウド状に分布することで、高い電界効果移動度（μ）が実現できる。

一方、ＧａＯ_Ｘ３等が主成分である領域は、Ｉｎ_Ｘ２Ｚｎ_Ｙ２Ｏ_Ｚ２、またはＩｎＯ_Ｘ１が主成分である領域と比較して、絶縁性が高い領域である。つまり、ＧａＯ_Ｘ３等が主成分である領域が、酸化物半導体中に分布することで、リーク電流を抑制し、良好なスイッチング動作を実現できる。

従って、ＣＡＣ−ＯＳを半導体素子に用いた場合、ＧａＯ_Ｘ３等に起因する絶縁性と、Ｉｎ_Ｘ２Ｚｎ_Ｙ２Ｏ_Ｚ２、またはＩｎＯ_Ｘ１に起因する導電性とが、相補的に作用することにより、高いオン電流（Ｉ_ｏｎ）、および高い電界効果移動度（μ）を実現することができる。

また、ＣＡＣ−ＯＳを用いた半導体素子は、信頼性が高い。従って、ＣＡＣ−ＯＳは、ディスプレイをはじめとするさまざまな半導体装置に最適である。

本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。

（実施の形態３）
本実施の形態では、本発明の一態様の電子機器について、図面を参照して説明する。

以下で例示する電子機器は、表示領域に本発明の一態様の表示装置を有するものである。したがって、高い解像度が実現された電子機器である。また高い解像度と、大きな画面が両立された電子機器とすることができる。

本発明の一態様の電子機器の表示領域には、例えばフルハイビジョン、４Ｋ２Ｋ、８Ｋ４Ｋ、１６Ｋ８Ｋ、またはそれ以上の解像度を有する映像を表示させることができる。また、表示領域の画面サイズとしては、対角２０インチ以上、または対角３０インチ以上、または対角５０インチ以上、対角６０インチ以上、または対角７０インチ以上とすることもできる。

電子機器としては、例えば、テレビジョン装置、デスクトップ型もしくはノート型のパーソナルコンピュータ、コンピュータ用等のモニタ、デジタルサイネージ（Ｄｉｇｉｔａｌ Ｓｉｇｎａｇｅ：電子看板）、パチンコ機等の大型ゲーム機等の比較的大きな画面を有する電子機器の他、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置等が挙げられる。

本発明の一態様の電子機器または照明装置は、家屋もしくはビルの内壁もしくは外壁、または、自動車の内装もしくは外装の曲面に沿って組み込むことができる。

本発明の一態様の電子機器は、アンテナを有していてもよい。アンテナで信号を受信することで、表示領域で映像や情報等の表示を行うことができる。また、電子機器がアンテナおよび二次電池を有する場合、アンテナを、非接触電力伝送に用いてもよい。

本発明の一態様の電子機器は、センサ（力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、においまたは赤外線を測定する機能を含むもの）を有していてもよい。

本発明の一態様の電子機器は、様々な機能を有することができる。例えば、様々な情報（静止画、動画、テキスト画像等）を表示領域に表示する機能、タッチパネル機能、カレンダー、日付または時刻等を表示する機能、様々なソフトウェア（プログラム）を実行する機能、無線通信機能、記録媒体に記録されているプログラムまたはデータを読み出す機能等を有することができる。

図１７（Ａ）にテレビジョン装置の一例を示す。テレビジョン装置７１００は、筐体７１０１に表示領域７０００が組み込まれている。ここでは、スタンド７１０３により筐体７１０１を支持した構成を示している。

表示領域７０００に、本発明の一態様の作製方法により作製された表示装置を適用することができる。これにより、テレビジョン装置７１００の価格を低下させることができる。

図１７（Ａ）に示すテレビジョン装置７１００の操作は、筐体７１０１が有する操作スイッチや、別体のリモコン操作機７１１１により行うことができる。または、表示領域７０００にタッチセンサを備えていてもよく、指等で表示領域７０００に触れることで操作してもよい。リモコン操作機７１１１は、当該リモコン操作機７１１１から出力する情報を表示する表示領域を有していてもよい。リモコン操作機７１１１が有する操作キーまたはタッチパネルにより、チャンネルおよび音量の操作を行うことができ、表示領域７０００に表示される映像を操作することができる。

なお、テレビジョン装置７１００は、受信機およびモデム等を備えた構成とする。受信機により一般のテレビ放送の受信を行うことができる。また、モデムを介して有線または無線による通信ネットワークに接続することにより、一方向（送信者から受信者）または双方向（送信者と受信者間、あるいは受信者間同士等）の情報通信を行うことも可能である。

図１７（Ｂ）に、ノート型パーソナルコンピュータ７２００を示す。ノート型パーソナルコンピュータ７２００は、筐体７２１１、キーボード７２１２、ポインティングデバイス７２１３、外部接続ポート７２１４等を有する。筐体７２１１に、表示領域７０００が組み込まれている。

表示領域７０００に、本発明の一態様の作製方法により作製された表示装置を適用することができる。これにより、ノート型パーソナルコンピュータ７２００の価格を低下させることができる。

図１７（Ｃ）、（Ｄ）に、デジタルサイネージ（Ｄｉｇｉｔａｌ Ｓｉｇｎａｇｅ：電子看板）の一例を示す。

図１７（Ｃ）に示すデジタルサイネージ７３００は、筐体７３０１、表示領域７０００、およびスピーカ７３０３等を有する。さらに、ＬＥＤランプ、操作キー（電源スイッチ、または操作スイッチを含む）、接続端子、各種センサ、マイクロフォン等を有することができる。

また、図１７（Ｄ）は円柱状の柱７４０１に取り付けられたデジタルサイネージ７４００である。デジタルサイネージ７４００は、柱７４０１の曲面に沿って設けられた表示領域７０００を有する。

図１７（Ｃ）、（Ｄ）において、表示領域７０００に、本発明の一態様の作製方法により作製された表示装置を適用することができる。これにより、デジタルサイネージ７３００およびデジタルサイネージ７４００の価格を低下させることができる。

表示領域７０００が広いほど、一度に提供できる情報量を増やすことができる。また、表示領域７０００が広いほど、人の目につきやすく、例えば、広告の宣伝効果を高めることができる。

表示領域７０００にタッチパネルを適用することで、表示領域７０００に画像または動画を表示するだけでなく、使用者が直感的に操作することができ、好ましい。また、路線情報もしくは交通情報等の情報を提供するための用途に用いる場合には、直感的な操作によりユーザビリティを高めることができる。

また、図１７（Ｃ）、（Ｄ）に示すように、デジタルサイネージ７３００またはデジタルサイネージ７４００は、ユーザが所持するスマートフォン等の情報端末機７３１１または情報端末機７４１１と無線通信により連携可能であることが好ましい。例えば、表示領域７０００に表示される広告の情報を、情報端末機７３１１または情報端末機７４１１の画面に表示させることができる。また、情報端末機７３１１または情報端末機７４１１を操作することで、表示領域７０００の表示を切り替えることができる。

また、デジタルサイネージ７３００またはデジタルサイネージ７４００に、情報端末機７３１１または情報端末機７４１１の画面を操作手段（コントローラ）としたゲームを実行させることもできる。これにより、不特定多数のユーザが同時にゲームに参加し、楽しむことができる。

本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。

本実施例では、本発明の一態様の表示装置により画像を表示した場合について説明する。

本実施例で画像を表示した表示装置の作製方法を、図１８（Ａ）乃至（Ｆ）を用いて説明する。なお、当該表示装置は、赤色表示を行う副画素、緑色表示を行う副画素、および青色表示を行う副画素を有する画素が設けられた構成とした。

まず、ガラス基板７０１上に剥離層７０２を形成した。剥離層７０２は、膜厚３０ｎｍのタングステンとした。次に、剥離層７０２上に絶縁層７０３を形成した。絶縁層７０３は、下側から、膜厚１００ｎｍの酸化窒化シリコン、膜厚１００ｎｍの窒化シリコン、膜厚２００ｎｍの酸化窒化シリコン、膜厚２００ｎｍの窒化シリコン、膜厚６００ｎｍの酸化窒化シリコンの積層構造とした。その後、絶縁層７０３上に、画素が有するトランジスタおよび容量素子、ならびに駆動回路等を有する回路７０４を形成した。

次に、回路７０４上に画素電極７０５を形成した。画素電極７０５は、下側から、膜厚５ｎｍのチタン、膜厚２００ｎｍのアルミニウム、膜厚５０ｎｍのアルミニウムの積層構造とした。次に、画素電極７０５上に、光学調整層７２０を形成した。光学調整層７２０として、ＩＴＯを用いた。光学調整層の膜厚は、赤色表示を行う副画素では９５ｎｍ、緑色表示を行う副画素では４５ｎｍ、青色表示を行う副画素では５ｎｍとした。

次に、光学調整層７２０上に有機ＥＬ層７０６を形成し、有機ＥＬ層７０６と同一の材料かつ同一の工程で、回路７０４上に有機ＥＬ層７０６ａを形成した。有機ＥＬ層７０６として、白色光を発する発光層を用いた。その後、有機ＥＬ層７０６上に共通電極７０７を形成し、共通電極７０７と同一の材料かつ同一の工程で、有機ＥＬ層７０６ａ上に導電層７０７ａを形成した。共通電極７０７および導電層７０７ａは、膜厚７０ｎｍのＩＴＯとした。以上により、画素電極７０５、光学調整層７２０、有機ＥＬ層７０６、および共通電極７０７を有する有機ＥＬ素子７０８を形成した（図１８（Ａ））。

次に、ガラス基板７０９上に着色層７１０を形成した。着色層７１０の膜厚は、赤色表示を行う副画素では２．０μｍ、緑色表示を行う副画素では２．０μｍ、青色表示を行う副画素では１．０μｍとした。

続いて、ガラス基板７０１の、回路７０４および有機ＥＬ素子７０８が形成されている面と、ガラス基板７０９の、着色層７１０が形成されている面とを、接着層７１１を用いて貼り合わせた（図１８（Ｂ））。接着層７１１としてＣＥＰ−５樹脂を用い、スクリーン印刷法により塗布した。

次に、剥離層７０２と絶縁層７０３との間で剥離を生じさせ、ガラス基板７０１を分離した（図１８（Ｃ））。続いて、ガラス基板７１２と絶縁層７０３とを、接着層７１３を用いて貼り合わせた（図１８（Ｄ））。接着層７１３は、接着層７１１と同一の材料および同一の方法を用いて形成した。

次に、ガラス基板７０９上の、有機ＥＬ層７０６ａと重なる部分に、先端の鋭利な刃を押し当てた。これにより、ガラス基板７０９に切れ込みを入れ、分断ライン７１４を形成した（図１８（Ｅ））。続いて、分断ライン７１４より外側の有機ＥＬ層７０６ａ、導電層７０７ａ、ガラス基板７０９、および接着層７１１を分離することにより、回路７０４を露出させた（図１８（Ｆ））。その後、露出させた回路７０４に対して端子出しを行った。

以上の手順により表示装置を作製し、画像を表示させた。なお、当該表示装置において、表示領域の対角線長さは２．７８インチ、駆動方式はアクティブマトリックス方式、解像度は２５６０×１４４０（ＷＱＨＤ）、色の表現法はＲＧＢ方式、画素密度は１０５８ｐｐｉ、開口率は１０．８０％とした。また、赤色の光を取り出す画素、緑色の光を取り出す画素、および緑色の光を取り出す画素をジグザグに配置した。１つの画素は、有機ＥＬ素子７０８の他、２個のトランジスタおよび１個の容量素子を有する構成とした。ソースドライバは、デマルチプレクサを用い、ＣＯＦ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｆｉｌｍ）方式により実装した。ゲートドライバは、基板上に集積して設けた。

図１９に表示結果を示す。本発明の一態様の表示装置が正常に動作し、画像を表示できることが確認された。

１０：表示装置、１１：表示領域、１２：駆動回路領域、１３：ＦＰＣ、６５：レーザ光、２０１：基板、２０２：基板、２０３：接着層、２０５：絶縁層、２１１：基板、２１２：基板、２１３：接着層、２１５：絶縁層、２６１：基板、３００：タッチパネル、３０１：トランジスタ、３０２：トランジスタ、３０３：トランジスタ、３０４：発光素子、３０５：容量素子、３０６：接続領域、３０７：導電層、３０８：接続領域、３０９：接続体、３１０：入力装置、３１１：絶縁層、３１２：絶縁層、３１３：絶縁層、３１４：絶縁層、３１５：絶縁層、３１７：接着層、３１９：接続体、３２１：導電層、３２２：発光層、３２２ａ：有機層、３２３：導電層、３２３ａ：導電層、３２４：光学調整層、３２５：着色層、３２６：遮光層、３３１：電極、３３２：電極、３３３：電極、３３４：電極、３４１：配線、３４２：配線、３５０：ＦＰＣ、３５１：ＩＣ、３５５：導電層、３７４：ＩＣ、３８３：配線、３８７：交差部、３９３：絶縁層、３９５：絶縁層、３９６：接着層、４００：領域、４０１：分断ライン、４１１：導電層、４１２：半導体層、４１３：導電層、４１４：導電層、４１５：導電層、４２１：導電層、４２２：半導体層、４２３：導電層、４２４：導電層、４２５：導電層、４３１：導電層、４３２：半導体層、４３３：導電層、４３４：導電層、４３５：導電層、４５１：導電層、５１１：領域、５１２：領域、５１３：領域、５１４：導電層、５１５：導電層、５１６：導電層、５２１：領域、５２２：領域、５２３：領域、５２４：導電層、５２５：導電層、５２６：導電層、５３１：領域、５３２：領域、５３３：領域、５３４：導電層、５３５：導電層、５３６：導電層、５５１：領域、５５２：導電層、６０２：基板、６０３：剥離層、６１２：基板、６１３：剥離層、７０１：ガラス基板、７０２：剥離層、７０３：絶縁層、７０４：回路、７０５：画素電極、７０６：有機ＥＬ層、７０６ａ：有機ＥＬ層、７０７：共通電極、７０７ａ：導電層、７０８：有機ＥＬ素子、７０９：ガラス基板、７１０：着色層、７１１：接着層、７１２：ガラス基板、７１３：接着層、７１４：分断ライン、７２０：光学調整層、７０００：表示領域、７１００：テレビジョン装置、７１０１：筐体、７１０３：スタンド７１１１：リモコン操作機、７２００：ノート型パーソナルコンピュータ、７２１１：筐体、７２１２：キーボード、７２１３：ポインティングデバイス、７２１４：外部接続ポート、７３００：デジタルサイネージ、７３０１：筐体、７３０３：スピーカ、７３１１：情報端末機、７４００：デジタルサイネージ、７４０１：柱、７４１１：情報端末機、

Claims (13)

1. 第１の基板と、第２の基板と、発光素子と、接着層と、有機層と、を有し、
   前記発光素子と、前記接着層と、前記有機層と、は、前記第１の基板と前記第２の基板の間に設けられ、
   前記有機層は、前記接着層と接する領域を有し、
   前記第１の基板上に、前記発光素子が設けられた第１の領域と、前記第２の基板と重ならない第２の領域と、が設けられ、
   前記発光素子は、発光層と、第１の導電層と、第２の導電層と、を有し、
   前記有機層は、前記発光層と同一の材料を有し、かつ前記第１の領域と、前記第２の領域との間に設けられることを特徴とする表示装置。
2. 請求項１において、
   前記接着層は、前記第２の領域と接するように設けられ、
   前記有機層は、前記接着層と、前記第２の領域と、の境界部と接するように設けられることを特徴とする表示装置。
3. 請求項２において、
   前記境界部と垂直方向かつ前記第２の領域から遠ざかる方向に向かって０．１ｍｍ離れた領域に、前記有機層が設けられることを特徴とする表示装置。
4. 請求項１乃至３のいずれか一項において、
   外部入力端子を有し、
   前記外部入力端子は、前記第２の領域に設けられることを特徴とする表示装置。
5. 請求項１乃至３のいずれか一項において、
   トランジスタを有し、
   前記トランジスタは、前記第１の領域に設けられ、
   前記第１の導電層は、前記トランジスタのソースまたはドレインの一方と電気的に接続されることを特徴とする表示装置。
6. 請求項１乃至３のいずれか一項において、
   前記接着層は、硬化型接着剤を有することを特徴とする表示装置。
7. 請求項１乃至３のいずれか一項において、
   前記第１の領域に、着色層が設けられることを特徴とする表示装置。
8. 請求項１乃至３のいずれか一項において、
   第３の導電層を有し、
   前記第３の導電層は、前記第１の発光層と接する領域を有し、
   前記第３の導電層は、前記第２の導電層と同一の材料を有することを特徴とする表示装置。
9. 請求項１乃至３のいずれか一項において、
   前記第１の導電層は、前記発光素子の画素電極としての機能を有し、
   前記第２の導電層は、前記発光素子の共通電極としての機能を有することを特徴とする表示装置。
10. 第１の基板上に、トランジスタと、第１の導電層と、を形成する工程と、
    前記トランジスタおよび前記第１の導電層と重なる領域を有するように、第１の絶縁層を形成する工程と、
    前記第１の絶縁層に、前記トランジスタのソースまたはドレインの一方に達する第１の開口部と、前記第１の導電層に達する第２の開口部と、を形成する工程と、
    前記第１の開口部に第２の導電層を形成し、前記第２の開口部に第３の導電層を形成する工程と、
    前記第２の導電層と重なる領域を有するように発光層を形成し、前記第３の導電層と重なる領域を有するように有機層を形成する工程と、
    前記第１の基板の、前記トランジスタが形成されている面と、第２の基板とを、接着層を用いて貼り合わせる工程と、
    前記第３の導電層と重なる領域に設けられた、前記第２の基板、前記接着層、および前記有機層を分離する工程と、
    前記第３の導電層と電気的に接続されるように、外部入力端子を形成する工程と、を有することを特徴とする表示装置の作製方法。
11. 請求項１０において、
    前記第２の基板の、前記第１の導電層および前記有機層と重なる部分に切れ込みを入れた後に、前記第３の導電層と重なる領域に設けられた、前記第２の基板、前記接着層、および前記有機層を分離することを特徴とする表示装置の作製方法。
12. 請求項１０または１１において、
    前記第１の基板の、前記トランジスタが形成されている面と、前記第２の基板とを、硬型接着剤を有する接着層を用いて貼り合わせることを特徴とする表示装置の作製方法。
13. 請求項１０乃至１１のいずれか一項において、
    前記第２の基板上に、着色層を形成した後、
    前記第１の基板の、前記トランジスタが形成されている面と、前記第２の基板の、前記着色層が形成されている面と、を貼り合わせることを特徴とする表示装置の作製方法。

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