CN115207186B - 一种Mini-LED芯片及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种Mini‑LED芯片及其制备方法，该方法包括：提供发光颜色不同的第一外延片、第二外延片与第三外延片，第一外延片、第二外延片与第三外延片分别设有第一芯粒、第二芯粒与第三芯粒；在第二外延片的表面沉积第一预设厚度的Al2O3，并将第二外延片的第二衬底减薄至第二预设厚度；将减薄后的第二外延片与第一外延片上下对置，在高温高压条件下两者接触位置的Al2O3键合、第二衬底破碎，以使第二芯粒键合于第一外延片的第一衬底上与第一芯粒相邻的位置；并采用以上相同方法将第三芯粒键合于第一衬底上与第二芯粒相邻且远离第一芯粒的一侧。以解决现有技术中三基色芯粒依次固定，在数量较大时，导致人力物力成本高的问题。
Description
技术领域
本发明涉及半导体器件技术领域，具体涉及一种Mini-LED芯片及其制备方法。
背景技术
Mini-LED是介于Micro-LED和传统LED之间的一种LED。一般被应用在手机、笔记本电脑、iPad、电视背光，以及LED显示屏、植物照明、汽车照明、通用照明等。Mini-LED显示产品包含R（Red）、G（Green）、B（Blue）三原色光。一组RGB芯片就是一个最小的显示单位。屏幕上的任何一个颜色都可以由一组RGB值记录和表达。
而现有技术中，制备1组RGB显示单元的方法：首先，要有3张外延片，分别为红光、绿光、蓝光；然后，分别进行芯片工艺前后段所有制程；最后得到3张方片；再从这三张方片上分别取芯粒，进行焊接。
因此，现有技术中制作Mini-LED芯片，普遍存在固定芯粒困难，芯粒数量大时生产效率较低，从而导致人力物力成本高。
发明内容
针对现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种Mini-LED芯片及其制备方法，以解决现有技术中三基色芯粒依次固定，在数量较大时，导致人力物力成本高的问题。
本发明的一方面在于提供一种Mini-LED芯片的制备方法，所述方法包括：
提供发光颜色不同的第一外延片、第二外延片与第三外延片，其中，所述发光颜色包括红、绿、蓝三基色，所述第一外延片、第二外延片与第三外延片分别设有第一芯粒、第二芯粒与第三芯粒；
在所述第二外延片的表面沉积第一预设厚度的Al2O3，并将所述第二外延片的第二衬底减薄至第二预设厚度；
将减薄后的所述第二外延片与所述第一外延片上下对置，在高温高压条件下两者接触位置的Al2O3键合、所述第二外延片的第二衬底破碎，将破碎后的所述第二衬底去除，以使所述第二芯粒键合于所述第一外延片的第一衬底上与所述第一芯粒相邻的位置；
在所述第三外延片的表面沉积与第一预设厚度相等的Al2O3，并将所述第三外延片的第三衬底减薄至与第二预设厚度相等的厚度；
将减薄后的所述第三外延片与首次键合得到的所述第一外延片上下对置，在高温高压条件下两者接触位置的Al2O3键合、所述第三外延片的第三衬底破碎，将破碎后的所述第三衬底去除，以使所述第三芯粒键合于所述第一衬底上与所述第二芯粒相邻且远离所述第一芯粒的一侧。
根据上述技术方案的一方面，在所述第二外延片的表面沉积第一预设厚度的Al2O3，并将所述第二外延片的第二衬底减薄至第二预设厚度的步骤，具体包括：
采用物理气相沉积工艺，在所述第二外延片的第二芯粒上远离第二衬底的一侧沉积第一预设厚度的Al2O3，所述第一预设厚度为0.2um；
对所述第二衬底远离所述第二芯粒的一侧表面进行研磨，以使所述第二衬底减薄至第二预设厚度。
根据上述技术方案的一方面，将减薄后的所述第二外延片与所述第一外延片上下对置，在高温高压条件下两者接触位置的Al2O3键合、所述第二外延片的第二衬底破碎，将破碎后的所述第二衬底去除，以使所述第二芯粒键合于所述第一外延片的第一衬底上与所述第一芯粒相邻的位置的步骤中：
所述高温高压条件为500℃与16000kg压力；
采用激光剥离工艺以将破碎后的所述第二衬底去除。
根据上述技术方案的一方面，在所述第三外延片的表面沉积与第一预设厚度相等的Al2O3，并将所述第三外延片的第三衬底减薄至与第二预设厚度相等的厚度的步骤，具体包括：
采用物理气相沉积工艺，在所述第三外延片的第三芯粒上远离第三衬底的一侧沉积与第一预设厚度相等的Al2O3；
对所述第三衬底远离所述第三芯粒的一侧表面进行研磨，以使所述第三衬底减薄至与第二预设厚度相等的厚度。
根据上述技术方案的一方面，将减薄后的所述第三外延片与首次键合得到的所述第一外延片上下对置，在高温高压条件下两者接触位置的Al2O3键合、所述第三外延片的第三衬底破碎，将破碎后的所述第三衬底去除，以使所述第三芯粒键合于所述第一衬底上与所述第二芯粒相邻且远离所述第一芯粒的一侧的步骤中：
所述高温高压条件为500℃与16000kg压力；
采用衬底去除液进行化学腐蚀以将破碎后的所述第三衬底去除。
根据上述技术方案的一方面，所述第一外延片上设有若干等距间隔设置的第一芯粒，所述第一衬底之上、任一所述第一芯粒的第一方向形成有能够用于容纳所述第二芯粒、所述第三芯粒的预留位；
所述第二外延片上设有若干等距间隔设置的第二芯粒，所述第二衬底之上、任一所述第二芯粒的第一方向与第二方向分别形成有能够用于容纳所述第一芯粒、所述第三芯粒的预留位；
所述第三外延片上设有若干等距间隔设置的第三芯粒，所述第三衬底之上、任一所述第三芯粒的第二方向形成有能够用于容纳所述第一芯粒、所述第三芯粒的预留位；
其中，所述第一方向与第二方向互为相反。
根据上述技术方案的一方面，在将所述第三芯粒键合于所述第一外延片上的步骤之后，所述方法还包括：
分别在所述第一芯粒、所述第二芯粒、所述第三芯粒上远离所述第一衬底的一侧制作第一电极、第二电极与第三电极。
根据上述技术方案的一方面，在分别在所述第一芯粒、所述第二芯粒、所述第三芯粒上远离所述第一衬底的一侧制作第一电极、第二电极与第三电极的步骤前或步骤后，所述方法还包括：
对所述第一衬底进行研磨以减薄至第三预设厚度。
根据上述技术方案的一方面，所述方法还包括：
对所述第一衬底进行切割，以分割得到多组Mini-LED芯片，每一所述Mini-LED芯片均包括一RGB显示单元。
本发明的另一方面还在于提供一种Mini-LED芯片，其特征在于，所述芯片包括衬底，及按照预设规则排布于所述衬底之上的第一芯粒、第二芯粒与第三芯粒，所述第一芯粒、所述第二芯粒与所述第三芯粒的发光颜色不同，以形成一RGB显示单元。
与现有技术相比，采用本发明所示的Mini-LED芯片的制备方法，有益效果在于：
在对三原色的Mini-LED芯片进行制作时，将第二外延片的第二芯粒键合于第一外延片的第一衬底上，再将第三外延片的第三芯粒键合于已完成首先键合的第一衬底上，通过双次键合的方式，能够快速将三原色的若干芯粒同时固定于一衬底之上，从而使三颗不同颜色的芯片最终在一片衬底上呈现。能够有效降低芯粒固定的难度，大大提升了芯粒的固定效率，从而能够有效提升生产效率与生产良率。
附图说明
本发明的上述与/或附加的方面与优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显与容易理解，其中：
图1为本发明第一实施例当中所示Mini-LED芯片及其制备方法的流程示意图；
图2为本发明第一实施例当中所示第一外延片在第一视角下的示意图；
图3为本发明第一实施例当中所示第二外延片在第一视角下的示意图；
图4为本发明第一实施例当中所示第三外延片在第一视角下的示意图；
图5为本发明第一实施例当中所示第一外延片在第二视角下的示意图；
图6为本发明第一实施例当中所示第二外延片在第二视角下的示意图；
图7为本发明第一实施例当中所示第三外延片在第二视角下的示意图；
图8为本发明第一实施例当中所示第二外延片沉积Al2O3后的示意图；
图9为本发明第一实施例当中所示第二外延片中第二衬底减薄后的示意图；
图10为本发明第一实施例当中所示第二外延片与第一外延片上下对置的示意图；
图11为本发明第一实施例当中所示第二芯粒与第一衬底相互键合后的示意图；
图12为本发明第一实施例当中所示第二芯粒与第一衬底相互键合去除第二衬底后的示意图；
图13为本发明第一实施例当中所示第三外延片沉积Al2O3后的示意图；
图14为本发明第一实施例当中所示第三外延片中第三衬底减薄后的示意图；
图15为本发明第一实施例当中所示第三外延片与第一外延片上下对置的示意图；
图16为本发明第一实施例当中所示第三芯粒与第一衬底相互键合后的示意图；
图17为本发明第一实施例当中所示第三芯粒与第一衬底相互键合去除第三衬底后的示意图；
图18为本发明第一实施例当中所示制作电极后的示意图；
图19为本发明第一实施例当中所示减薄第一衬底后的示意图；
图20为本发明一实施例当中所示将第一衬底切割后的示意图；
附图符号说明：
第一外延片10、第一衬底11、第一芯粒12、第一电极120、第二外延片20、第二衬底21、第二芯粒22、第二电极220、第三外延片30、第三衬底31、第三芯粒32、第三电极320。
具体实施方式
为使本发明的目的、特征与优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。附图中给出了本发明的若干实施例。但是，本发明可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本发明的公开内容更加透彻全面。
实施例一
请参阅图1，所示为本发明第一实施例提供的一种Mini-LED芯片的制备方法的流程示意图，所述方法包括步骤S10-S50：
步骤S10，提供发光颜色不同的第一外延片、第二外延片与第三外延片，其中，所述发光颜色包括红、绿、蓝三基色，所述第一外延片、第二外延片与第三外延片分别设有第一芯粒、第二芯粒与第三芯粒。
其中，请参阅图2-图7，第一外延片10、第二外延片20与第三外延片30的发光颜色分别对应红、绿、蓝中的任意一种；例如第一外延片10、第二外延片20与第三外延片30分别为红、绿、蓝光外延片，又或者是红、蓝、绿光外延片，再或者是蓝、绿、红光外延片；也就是说，三种外延片的排列方式可以有多种；而由于人眼对绿光较为敏感，通常将绿光芯片放置于红、蓝光芯片之间，因此优选的，第二外延片20为绿光外延片。进一步优选的，第一外延片10为蓝光外延片，而第三外延片30为红光外延片。
具体而言，第一外延片10包括了第一衬底11与若干个第一芯粒12，若干个第一芯粒12在第一衬底11上间隔排布，第一芯粒12设有发光结构，该发光结构在通电时能够发出蓝光；同样的，第二外延片20包括了第二衬底21与若干个第二芯粒22，若干个第二芯粒22在第二衬底21上间隔排布，第二芯粒22设有发光结构，该发光结构在通电时能够发出绿光；同样的，第三外延片30包括了第三衬底31与若干个第三芯粒32，若干个第三芯粒32在第三衬底31上间隔排布，第三芯粒32设有发光结构，该发光结构在通电时能够发出红光。
其中，所述第一外延片10上设有若干等距间隔设置的第一芯粒12，所述第一衬底11之上、任一所述第一芯粒12的第一方向形成有能够用于容纳所述第二芯粒22、所述第三芯粒32的预留位；
所述第二外延片20上设有若干等距间隔设置的第二芯粒22，所述第二衬底21之上、任一所述第二芯粒22的第一方向与第二方向分别形成有能够用于容纳所述第一芯粒12、所述第三芯粒32的预留位；
所述第三外延片30上设有若干等距间隔设置的第三芯粒32，所述第三衬底31之上、任一所述第三芯粒32的第二方向形成有能够用于容纳所述第一芯粒12、所述第三芯粒32的预留位；所述第一方向与第二方向互为相反。
步骤S20，在所述第二外延片的表面沉积第一预设厚度的Al2O3，并将所述第二外延片的第二衬底减薄至第二预设厚度。
在本实施例当中，首先需要将第二外延片20的第二芯粒22键合至第一衬底11上以使第二芯粒22与第一芯粒12相邻。
而要将第二芯粒22键合于第一衬底11之上，在第二芯粒22的表面沉积一键合层，如图8所示，本实施例当中采用物理气相沉积工艺进行沉积，本实施例当中键合层采用Al2O3，该Al2O3层的厚度为第一预设厚度，优选为0.2um。
而将第二外延片20的第二衬底21减薄至第二预设厚度可以采用研磨方式进行减薄，第二预设厚度例如为第二衬底21原厚度的15%左右，如图9所示；在一些实施例当中，第二衬底21的原厚度为650um，那么经过研磨减薄后的第二衬底21的厚度为100um左右，这样就能够使得第二衬底21厚度较薄，便于在将第二芯粒22键合于第一衬底11之后将其去除，且同时起到了对多个第二芯粒22进行预固定的作用。
步骤S30，将减薄后的所述第二外延片与所述第一外延片上下对置，在高温高压条件下两者接触位置的Al2O3键合、所述第二外延片的第二衬底破碎，将破碎后的所述第二衬底去除，以使所述第二芯粒键合于所述第一外延片的第一衬底上与所述第一芯粒相邻的位置。
具体而言，在将第二芯粒22键合于第一衬底11上的过程中，如图10所示，首先需要将第二外延片20与第一外延片10进行上下对置，也即第二外延片20在上，第一外延片10在下，此时，第二衬底21上的第二芯粒22将朝向于第一衬底11，如此将完成了将第二芯粒22与第一衬底11进行键合的准备工序。
其中，用于将两者进行键合的高温高压条件为，键合温度为500℃，键合压力为16000kg压力，如图11所示，在高温高压作用下，第二芯粒22与第一衬底11之间的键合层、即Al2O3将融化，从而能够将第二芯粒22键合固定于第一衬底11之上，且由于第二衬底21的厚度较薄，第二衬底21将发生破碎，从而便于去除第二衬底21，仅保留第二芯粒22固定于第一衬底11之上。
进一步的，如图12所示，在第二衬底21破碎之后，本实施例当中采用激光剥离工艺将破碎的第二衬底21进行去除，以避免第二芯粒22的表面残留第二衬底21的碎渣。
步骤S40，在所述第三外延片的表面沉积与第一预设厚度相等的Al2O3，并将所述第三外延片的第三衬底减薄至与第二预设厚度相等的厚度。
在本实施例当中，还需要将第三外延片30的第三芯粒32键合至已完成初次键合的第一衬底11上以使第三芯粒32与第二芯粒22相邻。
而要将第三芯粒32键合于第一衬底11之上，同样的，在第三芯粒32的表面沉积一键合层，如图13所示，本实施例当中采用物理气相沉积工艺进行沉积，本实施例当中键合层采用Al2O3，该Al2O3层的厚度为第一预设厚度，优选为0.2um。
而将第三外延片30的第三衬底31减薄至与第二衬底21相同的厚度可以采用研磨方式进行减薄，第二预设厚度例如为第二衬底21原厚度的15%左右，如图14所示；在一些实施例当中，第三衬底31的原厚度为650um，那么经过研磨减薄后的第三衬底31的厚度为100um左右，这样就能够使得第三衬底31厚度较薄，便于在将第三芯粒32键合于第一衬底11之后将其去除，且同时起到了对多个第三芯粒32进行预固定的作用。
步骤S50，将减薄后的所述第三外延片与首次键合得到的所述第一外延片上下对置，在高温高压条件下两者接触位置的Al2O3键合、所述第三外延片的第三衬底破碎，将破碎后的所述第三衬底去除，以使所述第三芯粒键合于所述第一衬底上与所述第二芯粒相邻且远离所述第一芯粒的一侧。
具体而言，在将第三芯粒32键合于第一衬底11上的过程中，如图15所示，首先需要将第三外延片30与第一外延片10进行上下对置，也即第三外延片30在上，第一外延片10在下，此时，第三衬底31上的第三芯粒32将朝向于第一衬底11，如此将完成了将第三芯粒32与第一衬底11进行键合的准备工序。
其中，用于将两者进行键合的高温高压条件为，键合温度为500℃，键合压力为16000kg压力，如图16所示，在高温高压作用下，第三芯粒32与第一衬底11之间的键合层、即Al2O3将融化，从而能够将第三芯粒32键合固定于第一衬底11之上，且由于第三衬底31的厚度较薄，第三衬底31将发生破碎，从而便于去除第三衬底31，仅保留第三芯粒32固定于第一衬底11之上。
进一步的，如图17所示，在第三衬底31破碎之后，本实施例当中采用衬底去除液以化学腐蚀破碎的第二衬底21进行去除，以避免第二芯粒22的表面残留第二衬底21的碎渣。其中，衬底去除液例如氨水+双氧水的混合液。
采用上述技术方案后，第一芯粒12、第二芯粒22与第三芯粒32将被同时固定于一衬底之上，即同时固定于第一衬底11之上。
在本实施例当中，该方法还包括步骤S60-步骤S80，而每一步骤对应的附图分别为图18、图19与图20。
步骤S60，分别在所述第一芯粒12、所述第二芯粒22、所述第三芯粒32上远离所述第一衬底11的一侧制作第一电极120、第二电极220与第三电极320。
步骤S70，对所述第一衬底11进行研磨以减薄至第三预设厚度；其中，第三预设厚度例如为100um，而在其它一些实施例当中，对第一衬底11进行掩膜减薄至第三预设厚度的步骤可以在芯粒的电极制作前。
以及，步骤S80，对所述第一衬底11进行切割，以分割得到多组Mini-LED芯片，每一所述Mini-LED芯片均包括一RGB显示单元。
具体而言，在将第一芯粒12、第二芯粒22与第三芯粒32同时固定于一衬底上，且分别对每一芯粒进行了电极制作之后，这样就能够使得在一衬底之上具有若干个RGB显示单元，而将衬底进行切割之后，即可获取多组Mini-LED芯片。
综上，采用本实施例当中所示的Mini-LED芯片的制备方法，有益效果在于：
在对三原色的Mini-LED芯片进行制作时，将第二外延片20的第二芯粒22键合于第一外延片10的第一衬底11上，再将第三外延片30的第三芯粒32键合于已完成首先键合的第一衬底11上，通过双次键合的方式，能够快速将三原色的若干芯粒同时固定于一衬底之上，从而使三颗不同颜色的芯片最终在一片衬底上呈现。能够有效降低芯粒固定的难度，大大提升了芯粒的固定效率，从而能够有效提升生产效率与生产良率。
实施例二
本发明的第二实施例提供了一种Mini-LED芯片，请再次参阅图20，其包括多组Mini-LED芯片，每一组所述芯片包括衬底，即上述第一实施例当中所示的第一衬底11，及按照预设规则排布于所述衬底之上的第一芯粒12、第二芯粒22与第三芯粒32，所述第一芯粒12、所述第二芯粒22与所述第三芯粒32的发光颜色不同，以形成一RGB显示单元。
而第一芯粒12、第二芯粒22、第三芯粒32上分别设有第一电极120、第二电极220与第三电极320，以分别通过第一电极120、第二电极220与第三电极320实现该芯片的电性连接。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体与详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形与改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (10)
1.一种Mini-LED芯片的制备方法，其特征在于，所述方法包括：
提供发光颜色不同的第一外延片、第二外延片与第三外延片，其中，所述发光颜色包括红、绿、蓝三基色，所述第一外延片、第二外延片与第三外延片分别设有第一芯粒、第二芯粒与第三芯粒；
在所述第二外延片的表面沉积第一预设厚度的Al2O3，并将所述第二外延片的第二衬底减薄至第二预设厚度；
将减薄后的所述第二外延片与所述第一外延片上下对置，在高温高压条件下两者接触位置的Al2O3键合、所述第二外延片的第二衬底破碎，将破碎后的所述第二衬底去除，以使所述第二芯粒键合于所述第一外延片的第一衬底上与所述第一芯粒相邻的位置；
在所述第三外延片的表面沉积与第一预设厚度相等的Al2O3，并将所述第三外延片的第三衬底减薄至与第二预设厚度相等的厚度；
将减薄后的所述第三外延片与首次键合得到的所述第一外延片上下对置，在高温高压条件下两者接触位置的Al2O3键合、所述第三外延片的第三衬底破碎，将破碎后的所述第三衬底去除，以使所述第三芯粒键合于所述第一衬底上与所述第二芯粒相邻且远离所述第一芯粒的一侧。
2.根据权利要求1所述的Mini-LED芯片的制备方法，其特征在于，在所述第二外延片的表面沉积第一预设厚度的Al2O3，并将所述第二外延片的第二衬底减薄至第二预设厚度的步骤，具体包括：
采用物理气相沉积工艺，在所述第二外延片的第二芯粒上远离第二衬底的一侧沉积第一预设厚度的Al2O3，所述第一预设厚度为0.2um；
对所述第二衬底远离所述第二芯粒的一侧表面进行研磨，以使所述第二衬底减薄至第二预设厚度。
3.根据权利要求2所述的Mini-LED芯片的制备方法，其特征在于，将减薄后的所述第二外延片与所述第一外延片上下对置，在高温高压条件下两者接触位置的Al2O3键合、所述第二外延片的第二衬底破碎，将破碎后的所述第二衬底去除，以使所述第二芯粒键合于所述第一外延片的第一衬底上与所述第一芯粒相邻的位置的步骤中：
所述高温高压条件为500℃与16000kg压力；
采用激光剥离工艺以将破碎后的所述第二衬底去除。
4.根据权利要求1所述的Mini-LED芯片的制备方法，其特征在于，在所述第三外延片的表面沉积与第一预设厚度相等的Al2O3，并将所述第三外延片的第三衬底减薄至与第二预设厚度相等的厚度的步骤，具体包括：
采用物理气相沉积工艺，在所述第三外延片的第三芯粒上远离第三衬底的一侧沉积与第一预设厚度相等的Al2O3；
对所述第三衬底远离所述第三芯粒的一侧表面进行研磨，以使所述第三衬底减薄至与第二预设厚度相等的厚度。
5.根据权利要求2所述的Mini-LED芯片的制备方法，其特征在于，将减薄后的所述第三外延片与首次键合得到的所述第一外延片上下对置，在高温高压条件下两者接触位置的Al2O3键合、所述第三外延片的第三衬底破碎，将破碎后的所述第三衬底去除，以使所述第三芯粒键合于所述第一衬底上与所述第二芯粒相邻且远离所述第一芯粒的一侧的步骤中：
所述高温高压条件为500℃与16000kg压力；
采用衬底去除液进行化学腐蚀以将破碎后的所述第三衬底去除。
6.根据权利要求1-5任一项所述的Mini-LED芯片的制备方法，其特征在于：
所述第一外延片上设有若干等距间隔设置的第一芯粒，所述第一衬底之上、任一所述第一芯粒的第一方向形成有能够用于容纳所述第二芯粒、所述第三芯粒的预留位；
所述第二外延片上设有若干等距间隔设置的第二芯粒，所述第二衬底之上、任一所述第二芯粒的第一方向与第二方向分别形成有能够用于容纳所述第三芯粒、所述第一芯粒的预留位；
所述第三外延片上设有若干等距间隔设置的第三芯粒，所述第三衬底之上、任一所述第三芯粒的第二方向形成有能够用于容纳所述第一芯粒、所述第二芯粒的预留位；
其中，所述第一方向与第二方向互为相反。
7.根据权利要求6所述的Mini-LED芯片的制备方法，其特征在于，在将所述第三芯粒键合于所述第一外延片上的步骤之后，所述方法还包括：
分别在所述第一芯粒、所述第二芯粒、所述第三芯粒上远离所述第一衬底的一侧制作第一电极、第二电极与第三电极。
8.根据权利要求7所述的Mini-LED芯片的制备方法，其特征在于，在分别在所述第一芯粒、所述第二芯粒、所述第三芯粒上远离所述第一衬底的一侧制作第一电极、第二电极与第三电极的步骤前或步骤后，所述方法还包括：
对所述第一衬底进行研磨以减薄至第三预设厚度。
9.根据权利要求8所述的Mini-LED芯片的制备方法，其特征在于，所述方法还包括：
对所述第一衬底进行切割，以分割得到多组Mini-LED芯片，每一所述Mini-LED芯片均包括一RGB显示单元。
10.一种Mini-LED芯片，其特征在于，所述芯片由权利要求1-9任一项所述的制备方法进行制备。
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