WO2021218418A1 - 驱动基板及其制备方法和显示装置 - Google Patents
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Abstract
一种驱动基板，包括：柔性基底（1），包括：显示区（1a）和可弯折区（1b）；第一导电层，位于柔性基底（1）上，包括：位于显示区（1a）的第一导线（2）和至少部分位于可弯折区（1b）的连接导线（4）；可挠性绝缘层（5），包括：位于显示区（1a）的第一绝缘图形和位于可弯折区（1b）的第二绝缘图形，第一绝缘图形具有第一开口（501），第一导线（2）位于第一开口（501）内，第二绝缘图形位于连接导线（4）远离柔性基底（1）的一侧，第二绝缘图形覆盖连接导线（4）的部分的厚度（d2）等于柔性基底（1）的厚度（d3）；第二导电层（3），位于可挠性绝缘层（5）远离柔性基底（1）的一侧；平坦化层（9），位于第二导电层（3）远离柔性基底（1）的一侧，平坦化层（9）在可弯折区（1b）为镂空结构；其中，第二绝缘图形覆盖连接导线（4）的部分的厚度为d2，柔性基底（1）的厚度为d3，d2≥2um且|d2-d3|≤3um。
Description
本公开涉及显示技术领域，特别涉及一种驱动基板及其制备方法和显示装置。
微型/迷你发光二极管(Micro/Mini-LED)显示技术作为新一代显示技术，具有亮度高、发光效率好、功耗低等优点。通常通过转印技术将Micro/Mini-LED芯片转印至显示基板上，由于转印技术的限制，使得无法直接制备大尺寸LED显示基板；因此，现有技术中会通过拼接方式将多块小尺寸的LED显示基板拼接形成大尺寸LED显示基板。
小尺寸LED显示基板一般包括显示区和绑定(Bonding)区，显示区用于进行显示，Bonding区用于与柔性线路板进行绑定以使得外部信号可以通过柔性线路板写入至显示基板。在相关技术中，在小尺寸LED显示基板上的显示区和Bonding区之间还设置有可弯折区，以使得Bonding区部分能够弯折至显示基板的背面，在进行拼接时相邻小尺寸LED显示基板中的显示区域之间的间距能够大大减小，从而能够减小拼接缝隙。
然而在实际应用中发现，现有可弯折区内的膜层结构复杂且厚度较厚，不便于进行弯折；另外，可弯折区中存在将显示区内的信号线与Bonding区的信号线进行电连接的连接导线，在对可弯折区进行弯折时容易导致该连接导线受应力过大而发生断裂。
发明内容
本公开旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种驱动基板及其制备方法和显示装置。
第一方面，本公开实施例提供了一种驱动基板，包括：
柔性基底，包括：显示区和可弯折区；
第一导电层，位于所述柔性基底上，包括：位于所述显示区的第一导线和至少部分位于所述可弯折区的连接导线；
可挠性绝缘层，包括：位于所述显示区的第一绝缘图形和位于所述可弯折区的第二绝缘图形，所述第一绝缘图形具有第一开口，所述第一导线位于所述第一开口内，所述第二绝缘图形位于所述连接导线远离所述柔性基底的一侧；
第二导电层，位于所述可挠性绝缘层远离所述柔性基底的一侧；
平坦化层，位于第二导电层远离所述柔性基底的一侧，所述平坦化层在所述可弯折区为镂空结构；
其中，所述第二绝缘图形覆盖所述连接导线的部分的厚度为d2，所述柔性基底的厚度为d3，d2≥2um且|d2-d3|≤3um。
在一些实施例中，所述平坦化层远离所述柔性基底的一侧还设置有保护层，所述保护层在所述可弯折区为镂空结构。
在一些实施例中，所述保护层的硬度大于20GPa。
在一些实施例中，所述第一导线包括：种子图案和位于所述种子图案远离所述柔性基底一侧的生长线；
所述种子图案与所述连接导线同层设置。
在一些实施例中，所述第二导电层包括：第一连接端子；
所述平坦化层在所述第一连接端子所处区域形成有连通至所述第一连接端子的第二开口。
在一些实施例中，所述驱动基板还包括：
第一钝化层，位于所述可挠性绝缘层和所述柔性基底之间，且对应所述第一开口的位置形成有第四开口。
在一些实施例中，所述驱动基板还包括：
第二钝化层，位于所述可挠性绝缘层和所述第二导电层之间，所述第二钝化层在所述可弯折区为镂空结构。
在一些实施例中，所述柔性基底还包括：绑定区，所述绑定区位于所述可弯折区远离所述显示区的一侧；
所述第二钝化层在所述绑定区内形成有排气孔。
在一些实施例中，所述驱动基板还包括：
第三钝化层，位于所述第二导电层和所述平坦化层之间，所述第三钝化层在所述可弯折区为镂空结构。
第二方面，本公开实施例还提供了一种显示装置，包括：发光元件和如第一方面提供的驱动基板，所述发光元件位于所述平坦化层远离所述柔性基底的一侧；
所述发光元件具有第一极和第二极，所述第一极和所述第二极通过平坦化层上的过孔与所述第二导电层中的导电结构连接。
第三方面，本公开实施例还提供了一种驱动基板的制备方法，其中，包括：
提供柔性基底，所述柔性基底包括：显示区和可弯折区；
在柔性基底上形成第一导电层和可挠性绝缘层，所述第一导电层包括：位于所述显示区的第一导线和至少部分位于所述可弯折区的连接导线，所述可挠性绝缘层包括：位于所述显示区的第一绝缘图形和位于所述可弯折区的第二绝缘图形，所述第一绝缘图形具有第一开口，所述第一导线位于所述第一开口内，所述第二绝缘图形位于所述连接导线远离所述柔性基底的一侧，所述第二绝缘图形覆盖所述连接导线的部分的厚度为d2，所述柔性基底的厚度为d3，d2≥2um且|d2-d3|≤3um；
在所述可挠性绝缘层远离所述柔性基底的一侧形成第二导电层；
在所述第二导电层远离所述柔性基底的一侧形成平坦化层，所述平坦化层在所述可弯折区为镂空结构。
在一些实施例中，在形成平坦化层的步骤之后，还包括：
在所述平坦化层远离所述柔性基底的一侧形成保护层，所述保护层在所述可弯折区为镂空结构。
在一些实施例中，在形成第二导电层的步骤之前，还包括：在所述可挠性绝缘层远离所述柔性基底的一侧形成第二钝化层，所述第二钝化层在所述可弯折区为镂空结构；
和/或，在所述形成第二导电层的步骤之后，还包括：在所述第二导电层远离所述柔性基底的一侧形成第三钝化层，所述第三钝化层 在所述可弯折区为镂空结构；
在一些实施例中，所述在柔性基底上形成第一导电层和可挠性绝缘层的步骤包括：
在柔性基底上形成种子图案和连接导线；
在所述种子图案和所述连接导线远离所述衬底基板的一侧形成绝缘材料薄膜，所述绝缘材料薄膜的厚度大于所述柔性基底的厚度；
通过图案化工艺在所述绝缘材料薄膜上形成第一开口以暴露出所述种子图案，所述绝缘材料薄膜位于所述显示区的部分为所述第一绝缘图形，所述绝缘材料薄膜位于所述可弯折区的部分完全保留；
在所述第一开口中形成生长线，所述第一开口内层叠设置的所述种子图案和所述生长线构成所述第一导线；
对所述绝缘材料薄膜位于所述可弯折区的部分进行减薄处理，以使得绝缘材料薄膜覆盖所述连接导线的部分的厚度等于所述柔性基底的厚度，所述绝缘材料薄膜位于所述可弯折区的部分为所述第二绝缘图形。
在一些实施例中，所述可挠性绝缘层远离所述柔性基底的一侧形成有所述第二钝化层和/或所述第三钝化层；
所述对所述绝缘材料薄膜位于所述可弯折区的部分进行减薄处理的步骤，具体包括：
对第二钝化层和/或所述第三钝化层上的镂空结构所暴露出的绝缘材料薄膜进行灰化处理，且使得经过灰化处理后绝缘材料薄膜覆盖所述连接导线的部分的厚度等于所述柔性基底的厚度。
在一些实施例中，所述在柔性基底上形成第一导电层和可挠性绝缘层的步骤包括：
在柔性基底上形成种子图案和连接导线；
在所述种子图案和所述连接导线远离所述衬底基板的一侧形成绝缘材料薄膜，所述绝缘材料薄膜的厚度大于所述柔性基底的厚度，所述绝缘材料薄膜的材料包括光刻胶；
通过半色调掩膜工艺对所述绝缘材料薄膜进行图案化，所述绝缘材料薄膜在所述种子图案所处区域的部分被完全去除以形成第一 开口，所述绝缘材料薄膜在所述可弯折区的部分被部分去除且覆盖所述连接导线的部分的厚度等于所述柔性的厚度；
在所述第一开口中形成生长线，所述第一开口内层叠设置的所述种子图案和所述生长线构成所述第一导线。
图1为本公开实施例提供的一种驱动基板的俯视图；
图2为图1中A-A’向的一种截面示意图；
图3为本公开实施例中驱动基板的另一种截面示意图；
图4为本公开实施例中驱动基板的又一种截面示意图；
图5为本公开实施例提供的一种驱动基板的制备方法的流程图；
图6为本公开实施例提供的另一种驱动基板的制备方法的流程图；
图7为本公开实施例提供的又一种驱动基板的制备方法的流程图；
图8a～图8l为采用图7所示制备方法制备驱动基板的中间结构示意图；
图9为本公开实施例提供的再一种驱动基板的制备方法的流程图；
图10为本公开实施例中对绝缘材料薄膜采用半色调掩膜工艺进行图案化时的中间结构示意图；
图11为本公开实施例提供的一种显示装置的截面示意图。
为使本领域的技术人员更好地理解本公开的技术方案，下面结合附图对本公开提供的一种驱动基板及其制备方法和显示装置进行详细描述。
在本公开实施例中，“柔性基底”是指用于以层叠的方式在其上形成多层其它结构的“基础”，其具有类型于“显示基板”的形式。因此应当理解，本公开实施例中的驱动基板(基底和其上的结构)与 印刷电路板(PCB)是根本不同的两种产品。
在本公开实施例中，A结构位于B结构“远离基底一侧”，可以指在层叠关系上，A结构的层是后于B结构的层形成的，也可以表示A结构与B结构有投影重叠或A结构与B结构与基底间的距离满足特定关系。
在本公开实施例中，A结构位于B结构“靠近基底一侧”，可以指在层叠关系上，A结构的层是先于B结构的层形成的，也可以表示A结构与B结构有投影重叠或A结构与B结构与基底间的距离满足特定关系。
在本公开实施例中，两结构“同层设置”可以指二者是在同一次成膜工艺形成的，或者二者是在同一次构图工艺中形成，或者它们在层叠关系上处于相同层中，也可以代表它们与基底间的距离相等。
在本公开实施例中，“图案化工艺”也可以称为构图工艺，是指形成具有特定的图形的结构的步骤，其可为光刻工艺，光刻工艺包括在材料成膜后进行的光刻胶涂布、曝光、显影、刻蚀、光刻胶剥离等步骤中的一步或多步；当然，“构图工艺”也可为压印工艺、喷墨打印工艺等其它工艺。
图1为本公开实施例提供的一种驱动基板的俯视图，图2为图1中A-A’向的一种截面示意图，如图1所示，该驱动基板包括：柔性基底1、第一导电层、可挠性绝缘层5、第二导电层3和平坦化层9。
柔性基底1包括：显示区1a和可弯折区1b；其中，柔性基底1的材料可包括聚酰亚胺。在一些实施例中，柔性基底1的厚度d3取值范围大约在3um到10um之间。此外，柔性基底1还包括：绑定区1c，绑定区1c位于可弯折区1b远离显示区1a的一侧。
第一导电层位于柔性基底1上，第一导电层包括：位于显示区1a的第一导线2和至少部分位于可弯折区1b的连接导线4。其中，第一导线2是布置于显示区1a用于为其他电学结构提供导电通路的信号线；连接导线4的部分布置于可弯折区1b，连接导线的4的两端分别延伸至显示区1a和绑定区1c，连接导线4用于为显示区1a内导电结构和位于绑定区内的导电结构提供信号通道，以实现与绑定 区内的导电结构连接的柔性线路板或集成电路的电信号传递至显示区1a内的导电结构。
可挠性绝缘层5包括：位于显示区1a的第一绝缘图形和位于可弯折区1b的第二绝缘图形，第一绝缘图形具有第一开口501，第一导线2位于第一开口501内，第二绝缘图形位于连接导线4远离柔性基底1的一侧，第二绝缘图形覆盖连接导线的部分的厚度为d2，d2≥2um且|d2-d3|≤3um。
在一些实施例中，可挠性绝缘层5采用有机绝缘材料，例如聚酰胺、聚氨酯、酚醛树脂、聚硅氧烷等，此时可挠性绝缘层5不但具备较佳的绝缘性，同时还具备较佳的柔韧性。其中，第一绝缘图形的厚度d1范围包括：5um～10um。
第二导电层3位于可挠性绝缘层5远离柔性基底1的一侧；在一些实施例中，第二导电层3可包括第一连接端子(Bonding Pad，也称为焊盘)3a，第一连接端子3a远离柔性基底1的表面部分裸露，用于供发光元件5进行安装固定。第一连接端子3a的材料包括铜，第一连接端子3a的厚度范围包括：
在实际应用中，第一导电层中所包含的导电结构可以与第二导电层3中所包含的导电结构可以电连接，也可以绝缘设置，对于第一导电层和第二导电层3的具体结构可根据实际需要进行预先设计，本公开的技术方案不作限定，后面将结合具体实施例进行示例性描述。
平坦化层9，位于第二导电层3远离柔性基底1的一侧，平坦化层9在可弯折区1b为镂空结构。在一些实施例中，平坦化层9采用有机绝缘材料制备而成，例如聚酰胺、聚氨酯、酚醛树脂、聚硅氧烷等有机绝缘材料。平坦化层9可提供平整表面，便于后续发光元件5的安装、固定；其中，在发光元件5可以为Micro-LED、Mini-LED等发光器件。
参见图2所示，在可弯折区1b内，本公开实施例提供的驱动基板包括依次层叠至的柔性基底1、连接导线4和可挠性绝缘层5(第二绝缘图形)，其结构简单且整体厚度较薄，可便于进行弯折；与此同时，由于第二绝缘图形覆盖连接导线4的部分的厚度d2与柔性基 底1的厚度d3接近(两者厚度差的绝对值≤3um)，因此在对可弯折区1b进行弯折处理时，柔性基底1因弯折而产生的对连接导线4的作用力可以与第二绝缘图形因弯折而产生的对连接导线4的作用力完全抵消或部分抵消，即连接导线4处于弯折应力中性区或靠近弯折应力中性区，因而能有效避免连接导线4受弯折应力过大而发生断裂；而d2≥2um是为了考虑绑定LED芯片工艺时驱动基板整体尽量受力均匀的需要。
在一些实施例中，第一导线2包括：种子图案2a和位于种子图案2a远离柔性基底1一侧的生长线2b；种子图案2a与连接导线4同层设置。
在本公开实施例中，通过溅射(Sputter)成膜工艺和构图工艺形成种子图案2a，种子图案所在位置即限定了可以形成的第一导线2的区域；通过电镀工艺在种子图案2a上得到生长线2b，利用电镀工艺，可以获得厚度大于2微米的生长线2b，而种子图案2a和生长线2b共同构成第一导线2，可以使第一导线2的整体电阻降低、增强第一导线2的整体导电性，从而保证显示品质。
其中，种子图案2a和生长线2b的材料可以相同，也可以不同。种子图案2a可以为单层结构，也可以为多层结构(参见后面内容)。需要说明的是，生长线2b的形成位置由种子图案2a和第一绝缘图形上的第一开口501所限定，因此第一开口501应位于种子图案2a所处区域内。另外，为保证生长线2b始终是位于种子图案2a的正上方，应使得第一绝缘图形的厚度d1大于或等于生长线2b的厚度，即生长线2b形成在第一开口501内。
作为一种可选实施方式，种子图案2a为层叠结构，例如种子层包括具有一定韧性(使得种子图案2a可弯折)的第一子导电层和具有较佳导电性能的第二子导电层(未给出相应附图)，第一子导电层的材料包括：钼、钼合金、钛、钛合金、铟镓锌氧化物(IGZO)、氧化铟锌(IZO)、氧化镓锌(GZO)、氧化铟锡(ITO)等，第二子导电层的材料包括：金或铜。第一子导电层的厚度包括
例如
)；第二子导电层的厚度包括
例如
在一些实施例中，生长层的材料包括铜，生长层的厚度范围包括：5um～10um。当然，种子图案2a还可以为三层层叠结构或更多层的层叠结构。
在一些实施例中，平坦化层9在第一连接端子3a所处区域形成有露出第一连接端子3a至少部分表面的第二开口8；其中，第一连接端子3a用于供发光元件5进行安装固定。
需要说明的是，附图1中仅示例性给出了位于同一列的多个发光元件5与相同的两条信号线电连接以构成并联结构，且该两条信号线中一条为第一导电线2，另一条为位于第二导电层3中的第二导线3b，第二导线3b通过转接孔502(内部形成有导电转接图形6)与连接导线4电连接。图1中所示显示区1a的结构仅为本公开中的一种可选实施方案，在实际应用中可以根据实际需要来对显示区1a内第一导电层和第二导电层3所包含的导电结构进行设计。
此外，第一导电层还包括第二连接端子7，第二连接端子7位于绑定区1c，平坦化层9上对应第二连接端子的位置形成有露出第二连接端子7部分表面的第三开口16；其中，第二连接端子7用于与柔性线路板或集成电路的管脚进行绑定。
在实际应用中，驱动基板成品是基于对大尺寸母板进行切割而得到；其中，在对大尺寸母板进行切割时，需要将大尺寸母板的正面(柔性基底1上形成有第一导电层、可挠性绝缘层5、第二导电层3和平坦化层9等结构的一侧)放置于切割设备的工作台上，然后再进行切割(一般采用激光切割)。由于大尺寸母板的最外一层为平坦化层9，其一般为有机材料，耐磨性较差，在将大尺寸母板正面放置于工作台上或者从工作台上将切割后得到的驱动基板取下时，平坦化层9极其容易与工作台之间产生摩擦，从而导致平坦化层9出现磨损。
为解决上述技术问题，本公开实施例提供了一种新的驱动基板。图3为本公开实施例中驱动基板的另一种截面示意图，如图3所示，与图2所示驱动基板不同的是，图3所示驱动基板中还设置有保护层10，保护层10位于平坦化层9远离柔性基底1的一侧，且保护层10在可弯折区1b为镂空结构。
通过设置上述保护层10，可有效提升大尺寸母板/驱动基板的表面耐磨性，以避免在对大尺寸母板进行切割的工艺流程中平坦化层9被磨损。此外，由于保护层10在可弯折区1b为镂空结构，因此保护层10的设置不会对可弯折区1b的整体结构造成影响。
在一些实施例中，可挠性绝缘层5的硬度大约不超过1GPa，例如在0.4GPa左右，而保护层10的硬度大于20GPa；保护层10的材料采用硬质材料，例如硅的氧化物、硅的氮化物、硅的氮氧化物等无机硬质材料。以氮化硅为例，其硬度在30GPa左右。
图4为本公开实施例中驱动基板的又一种截面示意图，如图4所示，与前面实施例中不同的是，本实施例提供的驱动基板还包括：缓冲层11、第一钝化层12、第二钝化层13和第三钝化层14。
其中，缓冲层11位于柔性基底1和第一导线2之间，缓冲层11呈整层铺设。在一些实施例中，缓冲层11的材料包括：硅的氮化物、硅的氧化物或硅的氮氧化物，缓冲层11的厚度范围包括：
在本公开实施例中，通过设置缓冲层11，可以有效增大第一导电层中的导电结构在柔性基底1上的粘附力。
第一钝化层12位于可挠性绝缘层5和柔性基底1之间，第一钝化层12上对应第一开口的位置形成有第四开口。在实际应用中，种子层中一般包含具有较佳导电性的金属材料，例如铜，而这些导电性较佳的金属材料在高温环境(制备可挠性绝缘层5时存在高温环境)中容易出现氧化；为此，本公开实施例中通过设置第一钝化层12，可有效避免种子层中所包含的金属材料被氧化。
在一些实施例中，第一钝化层12的材料包括：硅的氮化物、硅的氧化物或硅的氮氧化物；第一钝化层12的厚度包括：
在实际生产制备第一钝化层12的过程中，第一钝化层12的图案化工艺可在可挠性绝缘层5的图案化工艺完成之后再进行。即，在制备可挠性绝缘层5时，整层铺设用于制备第一钝化层12的材料薄膜，该材料薄膜对种子层完全覆盖，从而对种子层进行较好的保护；待可挠性绝缘层5的图案化工艺完成之后，直接以可挠性绝缘层5 作为掩膜图形，然后对用于制备第一钝化层12的材料薄膜进行刻蚀，从而实现在第一开口501的下方形成第四开口，即得到第一钝化层12的图形。在本公开实施例中，第一钝化层12的图案化工艺无需额外配置掩膜板。
需要说明的是，由于可挠性绝缘层5在可弯折区1b部分未形成开口，因此在以可挠性绝缘层5作为掩膜图形来制备第一钝化层12时，第一钝化层12位于可弯折区1b的部分是保留的。但由于第一钝化层12往往是采用无机材料，因此其在被弯折后不会因弯折形变而对相邻结构产生作用力，所以即便可弯折区1b中存在第一钝化层12，连接导线4仍是处于弯折应力中性区或靠近弯折应力中性区。
第二钝化层13位于可挠性绝缘层5和第二导电层3之间，第二钝化层13在可弯折区1b为镂空结构。在实际应用中，若直接在可挠性绝缘层5的表面来制备第二导电层3，此时第二导电层3上的结构与可挠性绝缘层5会因粘合力不够而容易发生脱落。为此，本公开实施例中，通过在可挠性绝缘层5和第二导电层3之间设置第二钝化层13，第二钝化层13与可挠性绝缘层5和第二导电层3之间均具有较佳的粘合力，从而能提升第二导电层3与驱动基板上结构之间的牢固度。与此同时，由于第二钝化层13在可弯折区1b为镂空结构，因此第二钝化层13的设置不会对可弯折区1b的整体结构造成影响。
在一些实施例中，第二钝化层13的材料包括：硅的氮化物、硅的氧化物或硅的氮氧化物；第二钝化层13的厚度包括：
在一些实施例中，第二钝化层13在绑定区1c内形成有排气孔15。由于用于制备可挠性绝缘层5的有机绝缘材料本身会含有一定量的水，以及在制备可挠性绝缘层5的工艺过程中工艺环境中的气体会进入可挠性绝缘层5，会使得最终所得到的可挠性绝缘层5内部包含有气体。由于需要在高温环境中制备第二导电层3时，而高温环境会使得可挠性绝缘层5内的气体溢出，若该部分气体不能及时的排出，则容易导致第二钝化层13上出现鼓包。为此，本公开实施例中，通过在第二钝化层13上形成排气孔15，可保证可挠性绝缘层5内的气 体顺利排出；而排气孔15设置在绑定区1c，能够避免对显示区1a的结构造成影响。
第三钝化层14位于第二导电层3和平坦化层9之间，第三钝化层14在可弯折区1b为镂空结构。本公开实施例中，通过设置第三钝化层14可有效避免外部水汽的侵入，以提升驱动基板的使用寿命。此外，由于第三钝化层14在可弯折区1b为镂空结构，因此第三钝化层14的设置不会对可弯折区1b的整体结构造成影响。
在一些实施例中，第三钝化层14的材料包括：硅的氮化物、硅的氧化物或硅的氮氧化物；第三钝化层14的厚度包括：
需要说明的是，驱动基板同时包括上述缓冲层11、第一钝化层12、第二钝化层13和第三钝化层14的情况，仅为本公开中的一种可选实施方案，其不会对本公开的技术方案产生限制。在实际应用中，驱动基板也可以仅包括上述缓冲层11、第一钝化层12、第二钝化层13和第三钝化层14中的任意一者、两者或三者，这些情况也应属于本公开的保护范围。
图5为本公开实施例提供的一种驱动基板的制备方法的流程图，如图5所示，该方法可用于制备前面实施例提供的驱动基板，以制备图2所示驱动基板为例，该制备方法包括：
步骤S1、提供柔性基底。
柔性基底的材料包括聚酰亚胺，厚度范围包括：3um～10um；柔性基底可划分为显示区、可弯折区和绑定区。
在一些实施例中，柔性基底是位于刚性衬底(例如玻璃衬底)上，以防止在驱动基板制备工序中柔性基底发生形变。在完成驱动基板所有膜层制备后，可通过激光或者切割的方式去掉刚性衬底位于可弯折区的部分，或者是完全剥掉刚性衬底，以使得可弯折区能够进行弯折。
步骤S2、在柔性基底上形成第一导电层和可挠性绝缘层。
其中，第一导电层包括：位于显示区的第一导线和至少部分位于可弯折区的连接导线，可挠性绝缘层包括：位于显示区的第一绝缘 图形和位于可弯折区的第二绝缘图形，第一绝缘图形具有第一开口，第一导线位于第一开口内，第二绝缘图形位于连接导线远离柔性基底的一侧，第二绝缘图形覆盖连接导线的部分的厚度等于柔性基底的厚度。
步骤S3、在可挠性绝缘层远离柔性基底的一侧形成第二导电层。
步骤S4、在第二导电层远离柔性基底的一侧形成平坦化层，平坦化层在可弯折区为镂空结构。
图6为本公开实施例提供的另一种驱动基板的制备方法的流程图，如图6所示，该方法可用于制备图3所示驱动基板，该制备方法不但包括前面步骤S1～步骤S4，还在步骤S4之后包括步骤S5，下面仅对步骤S5进行详细描述：
步骤S5、在平坦化层远离柔性基底的一侧形成保护层，保护层在可弯折区为镂空结构。
在一些实施例中，步骤S5具体包括：步骤S501和步骤S502。
步骤S501、在平坦化层远离柔性基底的一侧形成保护材料薄膜；
步骤S502、对保护材料薄膜进行图案化工艺，以得到保护层的图形。
在步骤S502中，对保护材料薄膜进行图案化。
实际生产过程中，在步骤S501结束后可先对大尺寸母板进行切割，得到多个中型尺寸的基板(也称为Q基板，其一般包含2个驱动基板单元)；此后，对每一个Q基板进行步骤S502的处理；待步骤S502结束后，再对Q基板进行切割，以得到单个驱动基板单元。
其中，步骤S502中的图案化工艺可以为干法刻蚀工艺，或者为丝网印刷刻蚀工艺。由于干法刻蚀工艺的刻蚀设备主要匹配大尺寸母板进行大面积刻蚀，为实现对Q基板进行干法刻蚀，则需要对现有刻蚀设备进行一定的改进或者重新采购适用于中型尺寸基板的刻蚀设备，可能会增加生产成本。为此，可以采用丝网印刷刻蚀的方式来对Q基板上的保护材料薄膜进行图案化，丝网印刷刻蚀工艺对基板的尺寸没有限制。具体地，通过丝网印刷方式在保护材料薄膜待被去除的区域上印刷出刻蚀膏，刻蚀膏可对正下方的保护材料薄膜进行刻蚀， 从而得到保护层的图形。
图7为本公开实施例提供的又一种驱动基板的制备方法的流程图，图8a～图8l为采用图7所示制备方法制备驱动基板的中间结构示意图，如图7至图8l所示，该制备方法可用于制备图4所示驱动基板，该制备方法包括：
步骤S1、提供柔性基底。
步骤S1a、在柔性基地上形成缓冲层。
参见图8a所示，柔性基底1包括显示区1a、可弯折区1b和绑定区1c。缓冲层11呈整面铺设。其中，柔性基底1可位于刚性衬底(未示出)上，以防止在后续制备工序过程中柔性基底1产生形变。
步骤S201、在缓冲层上形成种子图案和连接导线。
参见图8b所示，在图8a所示基板的表面通过沉积工艺形成种子材料薄膜(可以为单层结构，也可以为多层结构)，然后对种子材料薄膜进行图案化工艺，以得到种子图案2a和连接导线4；连接导线4不但位于可弯折区1b域内，其两端还分别延伸至显示区1a和绑定区1c。
在一些实施例中，种子材料薄膜包括第一子导电材料薄膜和第二子导电材料薄膜，第二子导电材料薄膜位于第一子导电材料薄膜远离柔性基底1的一侧。第一子导电材料薄膜的材料包括：钼、钼合金、钛、钛合金、铟镓锌氧化物、氧化铟锌、氧化镓锌、氧化铟锡中的至少一种，厚度范围包括
第二子导电材料薄膜的材料包括：金或铜，厚度范围包括
步骤S2a、在种子图案和连接导线远离柔性基底的一侧形成第一钝化材料薄膜。
步骤S202、在第一钝化材料薄膜远离柔性基底的一侧形成绝缘材料薄膜。
参见图8c所示，第一钝化材料薄膜12a的材料包括：硅的氮化物、硅的氧化物或硅的氮氧化物，第一钝化材料薄膜12a可通过沉积工艺来形成，厚度范围包括：
绝缘材料薄膜5a的材料包括：聚酰胺、聚氨酯、酚醛树脂、聚 硅氧烷中的至少一种，绝缘材料薄膜5a可通过涂覆工艺来形成；绝缘材料薄膜5a的厚度大于柔性基底1的厚度，绝缘材料薄膜5a的厚度d1范围包括：5um～10um。
步骤S203a、对绝缘材料薄膜进行图案化工艺，绝缘材料薄膜位于显示区的部分为第一绝缘图形，绝缘材料薄膜位于可弯折区的部分完全保留。
参见图8d所示，可在显示区1a形成第一开口501和转接孔502，在绑定区1c形成第五开口503。其中，第一开口501与种子图案2a对应，用于容纳后续形成的生长线2b；转接孔502与连接导线4的一端对应，用于容纳后续形成的导电转接图形6；第五开口503与连接导线4的另一端对应，用于容纳后续形成的第二连接端子7。在步骤S203a中，绝缘材料薄膜5a位于可弯折区1b的部分完全保留。层叠设置的种子图案2a和生长线2b构成第一导线2。
步骤S2b、以经过图案化处理的绝缘材料薄膜作为掩膜图形，对第一钝化材料薄膜进行图案化处理，以得到第一钝化层的图形。
参见图8e所示，以经过图案化处理的绝缘材料薄膜5a作为掩膜图形，对钝化材料薄膜进行干法刻蚀，此时种子图案2a可通过第一开口501暴露处理，连接导线4的两端也分别通过转接孔502和第五开口503暴露出来。由于步骤S204是以经过图案化处理的绝缘材料薄膜5a作为掩膜图形，因此无需为第一钝化层12的图案化处理工序额外配置掩膜板，可以有效降低生产成本。
步骤S204、在第一开口、转接孔和第五开口内形成导电材料。
参见图8f所示，通过电镀工艺在第一开口501、转接孔502和第五开口503内形成导电材料，从而可得到生长线2b、导电转接图形6和第二连接端子7。
在一些实施例中，该导电材料包括铜，厚度范围包括：5um～10um。在步骤S2b中所形成的导电材料厚度应小于或等于步骤S202中绝缘材料薄膜5a的厚度。
步骤S2c、在绝缘材料薄膜远离柔性基底的一侧形成第二钝化材料薄膜，并对第二钝化材料薄膜进行图案化，以得到第二钝化层。
参见图8g所示，第二钝化材料薄膜的材料包括：硅的氮化物、硅的氧化物或硅的氮氧化物，第二钝化材料薄膜可通过沉积工艺来形成，厚度范围包括：
对第二钝化材料薄膜进行图案化处理，以使得第一导线2上的部分区域和导电转接图形6暴露且在绑定区1c形成有排气孔15，得到第二钝化层13的图形。在此过程中，第二钝化材料薄膜位于可弯折区1b的部分可暂时保留。
步骤S3、在第二钝化层远离柔性基底的一侧形成第二导电层。
参见图1和图8h，首先通沉积工艺形成第二导电材料薄膜，然后对第二导电材料薄膜进行图案化工艺，以得到第二导电层3的图形。其中，第二导电层3包括：第一连接端子3a和第二导线3b，其中部分第一连接端子3a通过第二钝化层13上的开口与第一导线2连接，部分第一连接端子3a与第二导线3b连接。
在一些实施例中，第二导电材料薄膜的材料包括铜，厚度范围包括：
步骤S3a、在第二导电层远离柔性基底的一侧形成第三钝化材料薄膜，并对第二钝化材料薄膜和第三钝化材料薄膜位于可弯折区的部分进行刻蚀。
参见图8i所示，第三钝化材料薄膜的材料包括：硅的氮化物、硅的氧化物或硅的氮氧化物，第三钝化材料薄膜可通过沉积工艺来形成，厚度范围包括：
通过干法刻蚀工艺对第二钝化材料薄膜和第三钝化材料薄膜位于可弯折区1b的部分进行刻蚀，以及对第三钝化层14位于排气孔15的部分进行刻蚀，使得可挠性绝缘层5位于可弯折区1b的部分以及排气孔15均暴露。
步骤S205、对可挠性绝缘层位于可弯折区的部分进行减薄处理。
参见图8j所示，通过高温灰化工艺来对柔性绝缘材料薄膜5a位于可弯折区1b的部分进行减薄处理，以使得第二绝缘图形覆盖连接导线4的部分的厚度d2与柔性基底1的厚度d3接近，且d2≥2um。由于第二导电层3(第一连接端子3a和第二导线3b)和第二结合图形7均被第三钝化材料薄膜所覆盖，因此在通过高温灰化工艺来对可挠性绝缘层5位于可弯折区1b的部分进行减薄处理时，第二导电层 3和第二结合图形7均不会被氧化；此外，可挠性绝缘层5中的溢出气体也可以通过排气孔15排出。
需要说明的是，绝缘材料薄膜5a被排气孔15所暴露的部分也会在灰化工艺中被减薄。
步骤S4、在第二导电层远离柔性基底的一侧形成平坦化层。
参见图8k所示，首先通过涂覆工艺形成平坦化材料薄膜，然后对平坦化材料薄膜进行图案化处理，以去除平坦化材料薄膜位于第一连接端子3a正上方的部分(形成第二开口8)、位于可弯折区1b的部分(形成镂空结构)、以及位于第二连接端子7正上方的部分(形成第三开口16)。
步骤S4a、以平坦化层作为掩膜图形，对第三钝化材料薄膜和第二钝化材料薄膜进行刻蚀，以得到第二钝化层和第三钝化层的最终图形。
参见图8l所示，以平坦化层9作为掩膜图形，通过干法刻蚀工艺来对第三钝化材料薄膜和第二钝化材料薄膜进行刻蚀，以使得第一连接端子3a和第二连接端子7暴露，并得到第二钝化层13和第三钝化层14的最终图形。
步骤S5、在平坦化层远离柔性基底的一侧形成保护层，保护层在可弯折区为镂空结构。
上述步骤S201、步骤S202、步骤S203a、步骤S204和步骤S205为实现图5和图6中步骤S2的一种可选实施方案。通过上述步骤S1～步骤S5可制备出图4所示驱动基板。
图9为本公开实施例提供的再一种驱动基板的制备方法的流程图，图10为本公开实施例中对绝缘材料薄膜采用半色调掩膜工艺进行图案化时的中间结构示意图，如图9和图10所示，与图7所示制备方法不同的是，本实施例中将图7所示制备方法中的步骤S203a替换为步骤S203b，且不存在步骤S205，下面仅对步骤S203b进行详细描述。
步骤S203b、通过半色调掩膜工艺对绝缘材料薄膜进行图案化，绝缘材料薄膜在种子图案所处区域的部分被完全去除以形成第一开 口，绝缘材料薄膜在可弯折区的部分被部分去除且覆盖连接导线的部分的厚度等于柔性的厚度。
参见图10所示，与前面实施例中通过灰化工艺来对绝缘材料薄膜5a位于可弯折区1b的部分进行减薄处理所不同，本公开实施例中，绝缘材料薄膜5a的材料选用光刻胶材料，通过半色调掩膜工艺，以在形成第一开口501的过程中同时来对绝缘材料薄膜5a位于可弯折区1b的部分的实现减薄处理，并使得第二绝缘图形覆盖连接导线4的部分的厚度d2与柔性基底1的厚度d3的厚度差的绝对值≤3um，且d2≥2um。
需要说明的是，在后续步骤S2b对第二钝化材料薄膜进行图案化处理的过程中，第二钝化材料薄膜位于可弯折区1b的部分可被一并去除。
图9中所示步骤S201、步骤S202、步骤S203b和步骤S204为实现图5和图6中步骤S2的一种可选实施方案。
图11为本公开实施例提供的一种显示装置的截面示意图，如图11所示，显示装置包括：发光元件17和驱动基板18，发光元件17位于平坦化层9远离柔性基底的一侧，发光元件17具有第一极17a和第二极17b，第一极17a和第二极17b通过平坦化层9上的过孔(即第二开口8)与第二导电层中的导电结构(第一连接端子3a)连接。
其中，第一极17a/第二极17b在与第一连接端子3a连接时，还可以采用辅助结构(如焊锡、导电胶等)进行更可靠的电气连接。
需要说明的是，附图11中仅示例性给出了驱动基板采用图2中所示驱动基板的情况。
在一些实施例中，发光元件17包括：Micro-LED或Mini-LED，发光元件的第一极17a和第二极17b分别是指Micro-LED/Mini-LED的阴极和阳极。
在本实施例中，发光元件17和驱动基板18可以与其他光学结构(例如导光板、散射片等)组成光源，来为显示装置中的显示面板提供光。或者，发光元件17和驱动基板18作为显示装置中的显示面板的一部分，可直接进行画面显示。
在一些实施例中，该显示装置可为手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本公开的原理而采用的示例性实施方式，然而本公开并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本公开的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本公开的保护范围。
Claims (16)
- 一种驱动基板，其中，包括：柔性基底，包括：显示区和可弯折区；第一导电层，位于所述柔性基底上，包括：位于所述显示区的第一导线和至少部分位于所述可弯折区的连接导线；可挠性绝缘层，包括：位于所述显示区的第一绝缘图形和位于所述可弯折区的第二绝缘图形，所述第一绝缘图形具有第一开口，所述第一导线位于所述第一开口内，所述第二绝缘图形位于所述连接导线远离所述柔性基底的一侧；第二导电层，位于所述可挠性绝缘层远离所述柔性基底的一侧；平坦化层，位于第二导电层远离所述柔性基底的一侧，所述平坦化层在所述可弯折区为镂空结构。其中，所述第二绝缘图形覆盖所述连接导线的部分的厚度为d2，所述柔性基底的厚度为d3，d2≥2um且|d2-d3|≤3um。
- 根据权利要求1所述的驱动基板，其中，所述平坦化层远离所述柔性基底的一侧还设置有保护层，所述保护层在所述可弯折区为镂空结构。
- 根据权利要求1所述的驱动基板，其中，所述保护层的硬度大于20GPa。
- 根据权利要求1所述的驱动基板，其中，所述第一导线包括：种子图案和位于所述种子图案远离所述柔性基底一侧的生长线；所述种子图案与所述连接导线同层设置。
- 根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二导电层包括：第一连接端子；所述平坦化层在所述第一连接端子所处区域形成有连通至所述 第一连接端子的第二开口。
- 根据权利要求1所述的驱动基板，其中，还包括：第一钝化层，位于所述可挠性绝缘层和所述柔性基底之间，且对应所述第一开口的位置形成有第四开口。
- 根据权利要求1所述的驱动基板，其中，还包括：第二钝化层，位于所述可挠性绝缘层和所述第二导电层之间，所述第二钝化层在所述可弯折区为镂空结构。
- 根据权利要求7所述的驱动基板，其中，所述柔性基底还包括：绑定区，所述绑定区位于所述可弯折区远离所述显示区的一侧；所述第二钝化层在所述绑定区内形成有排气孔。
- 根据权利要求1所述的驱动基板，其中，还包括：第三钝化层，位于所述第二导电层和所述平坦化层之间，所述第三钝化层在所述可弯折区为镂空结构。
- 一种显示装置，包括：发光元件和如上述权利要求1-8中任一所述的驱动基板，所述发光元件位于所述平坦化层远离所述柔性基底的一侧；所述发光元件具有第一极和第二极，所述第一极和所述第二极通过平坦化层上的过孔与所述第二导电层中的导电结构连接。
- 一种驱动基板的制备方法，其中，包括：提供柔性基底，所述柔性基底包括：显示区和可弯折区；在柔性基底上形成第一导电层和可挠性绝缘层，所述第一导电层包括：位于所述显示区的第一导线和至少部分位于所述可弯折区的连接导线，所述可挠性绝缘层包括：位于所述显示区的第一绝缘图形和位于所述可弯折区的第二绝缘图形，所述第一绝缘图形具有第一开 口，所述第一导线位于所述第一开口内，所述第二绝缘图形位于所述连接导线远离所述柔性基底的一侧，所述第二绝缘图形覆盖所述连接导线的部分的厚度为d2，所述柔性基底的厚度为d3，d2≥2um且|d2-d3|≤3um；在所述可挠性绝缘层远离所述柔性基底的一侧形成第二导电层；在所述第二导电层远离所述柔性基底的一侧形成平坦化层，所述平坦化层在所述可弯折区为镂空结构。
- 根据权利要求11所述的方法，其中，在形成平坦化层的步骤之后，还包括：在所述平坦化层远离所述柔性基底的一侧形成保护层，所述保护层在所述可弯折区为镂空结构。
- 根据权利要求11所述的方法，其中，在形成第二导电层的步骤之前，还包括：在所述可挠性绝缘层远离所述柔性基底的一侧形成第二钝化层，所述第二钝化层在所述可弯折区为镂空结构；和/或，在所述形成第二导电层的步骤之后，还包括：在所述第二导电层远离所述柔性基底的一侧形成第三钝化层，所述第三钝化层在所述可弯折区为镂空结构。
- 根据权利要求11-13中任一所述的方法，其中，所述在柔性基底上形成第一导电层和可挠性绝缘层的步骤包括：在柔性基底上形成种子图案和连接导线；在所述种子图案和所述连接导线远离所述衬底基板的一侧形成绝缘材料薄膜，所述绝缘材料薄膜的厚度大于所述柔性基底的厚度；通过图案化工艺在所述绝缘材料薄膜上形成第一开口以暴露出所述种子图案，所述绝缘材料薄膜位于所述显示区的部分为所述第一绝缘图形，所述绝缘材料薄膜位于所述可弯折区的部分完全保留；在所述第一开口中形成生长线，所述第一开口内层叠设置的所 述种子图案和所述生长线构成所述第一导线；对所述绝缘材料薄膜位于所述可弯折区的部分进行减薄处理，以使得绝缘材料薄膜覆盖所述连接导线的部分的厚度等于所述柔性基底的厚度，所述绝缘材料薄膜位于所述可弯折区的部分为所述第二绝缘图形。
- 根据权利要求14所述的方法，其中，所述可挠性绝缘层远离所述柔性基底的一侧形成有所述第二钝化层和/或所述第三钝化层；所述对所述绝缘材料薄膜位于所述可弯折区的部分进行减薄处理的步骤，具体包括：对第二钝化层和/或所述第三钝化层上的镂空结构所暴露出的绝缘材料薄膜进行灰化处理，且使得经过灰化处理后绝缘材料薄膜覆盖所述连接导线的部分的厚度等于所述柔性基底的厚度。
- 根据权利要求11-13中任一所述的方法，其中，所述在柔性基底上形成第一导电层和可挠性绝缘层的步骤包括：在柔性基底上形成种子图案和连接导线；在所述种子图案和所述连接导线远离所述衬底基板的一侧形成绝缘材料薄膜，所述绝缘材料薄膜的厚度大于所述柔性基底的厚度，所述绝缘材料薄膜的材料包括光刻胶；通过半色调掩膜工艺对所述绝缘材料薄膜进行图案化，所述绝缘材料薄膜在所述种子图案所处区域的部分被完全去除以形成第一开口，所述绝缘材料薄膜在所述可弯折区的部分被部分去除且覆盖所述连接导线的部分的厚度等于所述柔性的厚度；在所述第一开口中形成生长线，所述第一开口内层叠设置的所述种子图案和所述生长线构成所述第一导线。
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