JP5060732B2 - 発光素子及びこの発光素子の製造方法 - Google Patents
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Description
本発明は、第１窒化物半導体層と第２窒化物半導体層との間に活性層を有する発光素子及びこの発光素子の製造方法に関する。
従来、面方位が（０００１）であるＣ面を主面とする成長用基板（例えば、サファイア基板）上に窒化物半導体が形成された発光素子が広く知られている。
一方で、サファイア基板のＣ面上に窒化物半導体を形成した発光素子が発光ダイオード（ＬＥＤ）である場合には、微小電流から電流を増加させると、ＬＥＤの発光波長が短波長化するという影響が生じていた。
そこで、ＬＥＤの発光波長が短波長化するという影響を抑制するために、面方位が（１−１０２）であるＲ面又は面方位が（１−１００）であるＭ面を主面とするサファイア基板上に窒化物半導体が形成されたＬＥＤの研究がなされている（例えば、特許文献１）。
また、複数のＬＥＤチップが形成されたサファイア基板をＬＥＤ毎に切断する場合には、加工が容易であるという観点から、Ｒ面又はＭ面の劈開方向に沿ってサファイア基板をＬＥＤチップ毎に切断していた。
なお、Ｒ面又はＭ面の劈開方向とは、サファイア基板が割れやすい方向であり、Ｒ面又はＭ面におけるサファイア基板の各結晶の境界線が延びる方向である。
特開平8-64912号公報（請求項１、など）
しかしながら、上述したＲ面及びＭ面は、互いに直交する劈開方向を有している。従って、一方の劈開方向に沿ってサファイア基板を切断すると、他方の劈開方向は、一方の劈開方向に沿って形成された切断面に対して直交する方向となる。
ここで、一方の劈開方向に沿って形成された切断面に転位が生じている場合には、発光素子に電流を継続して流しているうちに、他方の劈開方向に沿って転位が成長してしまう。すなわち、ＬＥＤの中央部に向けて転位が成長しやすく、発光素子の寿命が短くなってしまう場合があった。
そこで、本発明は、上述した課題を解決するためになされたものであり、電流を継続して流しているうちに、発光素子の中央部に向けて転位が成長する可能性を軽減するとともに、発光素子の長寿命化を図ることが可能な発光素子及びこの発光素子の製造方法を提供することを目的とする。
本発明の第１の特徴は、互いに直交する劈開方向を有する面を主面とする成長用基板（サファイア基板１０）と、前記成長用基板の前記主面上に形成された第１窒化物半導体層（バッファ層２０及びｎ型クラッド層３０）と、前記第１窒化物半導体層上に形成された活性層（ＭＱＷ活性層４０）と、前記活性層上に形成された第２窒化物半導体層（ｐ型クラッド層５０及びｐ型コンタクト層６０）とを備えた発光素子において、前記主面における前記成長用基板の側辺（例えば、切断方向ｕ１）と前記劈開方向の一方（例えば、劈開方向ｔ１）とが形成する角度が、約３０〜６０°の範囲内であることを要旨とする。
かかる特徴によれば、主面における成長用基板の側辺と一方の劈開方向とが形成する角度が約３０〜６０°の範囲内であることにより、一方の劈開方向に直交する他方の劈開方向が、主面における成長用基板の側辺に対して直交しない。
従って、主面における成長用基板の側辺に沿って形成される切断面に転位が生じていた場合であっても、電流を継続して流しているうちに、発光素子の中央部に向けて転位が成長する可能性を軽減するとともに、発光素子の長寿命化を図ることができる。
本発明の第２の特徴は、本発明の第１の特徴において、前記主面が、面方位が（１−１０２）であるＲ面又は面方位が（１−１００）であるＭ面であることを要旨とする。
本発明の第３の特徴は、本発明の第１の特徴において、前記成長用基板が、サファイア基板、ＧａＮ基板又はＳｉＣ基板であることを要旨とする。
本発明の第４の特徴は、第１窒化物半導体層と第２窒化物半導体層との間に活性層を有する発光素子の製造方法が、互いに直交する劈開方向を有する前記成長用基板の面を主面として、前記成長用基板の前記主面上に前記第１窒化物半導体層を成長させるステップと、前記第１窒化物半導体層上に前記活性層を成長させるステップと、前記活性層上に前記第２窒化物半導体層を成長させるステップと、前記成長用基板及び前記第１窒化物半導体層を前記発光素子毎に切断するステップとを含み、前記成長用基板及び前記第１窒化物半導体層を切断する方向と前記劈開方向の一方とが形成する角度が、約３０〜６０°の範囲内であることを要旨とする。
本発明の第５の特徴は、本発明の第４の特徴において、前記主面が、面方位が（１−１０２）であるＲ面又は面方位が（１−１００）であるＭ面であることを要旨とする。
本発明の第６の特徴は、本発明の第４の特徴において、前記成長用基板が、サファイア基板、ＧａＮ基板又はＳｉＣ基板であることを要旨とする。
本発明によれば、電流を継続して流しているうちに、発光素子の中央部に向けて転位が成長する可能性を軽減するとともに、発光素子の長寿命化を図ることが可能な発光素子及びこの発光素子の製造方法を提供することができる。
以下において、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。なお、以下の図面の記載において、同一又は類似の部分には、同一又は類似の符号を付している。ただし、図面は模式的なものであることに留意すべきである。
（発光素子アレイの構成）
以下において、本発明の一実施形態に係る発光素子アレイについて、図面を参照しながら説明する。図１は、本発明の一実施形態に係る発光素子アレイ１００を示す図である。
以下において、本発明の一実施形態に係る発光素子アレイについて、図面を参照しながら説明する。図１は、本発明の一実施形態に係る発光素子アレイ１００を示す図である。
図１に示すように、発光素子アレイ１００では、複数の発光素子２００が配列されている。また、切断方向ｕ１及び切断方向ｕ２に沿って発光素子アレイ１００を切断することによって、各発光素子２００が切り出される。
発光素子アレイ１００は、後述するように、サファイア基板１０、バッファ層２０、ｎ型クラッド層３０、ＭＱＷ活性層４０、ｐ型クラッド層５０及びｐ型コンタクト層６０が順に積層された構造を有している。また、ｎ型クラッド層３０上には、ｎ電極７０が形成されており、ｐ型コンタクト層６０上には、ｐ電極８０が形成されている（図２を参照）。
ここで、発光素子２００としては、発光ダイオード（ＬＥＤ）、半導体レーザ、発光ダイオードや半導体レーザと蛍光体とを組み合わせた素子などが挙げられる。また、発光素子２００は、窒化物半導体層を有するＨＥＭＴ（High Electron Mobility Transistor）などの電子デバイス、ＳＡＷ（Surface Acoustic Wave）デバイス、受光素子などであってもよい。
サファイア基板１０は、劈開方向（劈開方向ｔ１及び劈開方向ｔ２）が互いに直交する面を主面として有しており、サファイア基板１０の主面上に各窒化物半導体層が積層されている。なお、劈開方向とは、サファイア基板１０が割れやすい方向であり、サファイア基板１０の主面における各結晶の境界線が伸びる方向である。なお、劈開方向の詳細については後述する（図４を参照）。
なお、劈開方向ｔ１と劈開方向ｔ２とが直交する面としては、例えば、面方位が（１−１００）であるＭ面、面方位が（１１−２０）であるＡ面、面方位が（１−１０２）であるＲ面などが挙げられる。
ここで、切断方向ｕ１と劈開方向ｔ１とが形成する角度θ１は、約３０〜６０°の範囲内である。同様に、切断方向ｕ２と劈開方向ｔ２とが形成する角度θ２は、約３０〜６０°の範囲内である。
また、主面におけるサファイア基板１０の側辺（切断方向ｕ１又は切断方向ｕ２に伸びる側辺）に沿って形成される切断面に転位が生じた場合を想定すると、その転位が成長しやすい方向は、劈開方向ｔ１又は劈開方向ｔ２である。
具体的には、切断方向ｕ１に伸びるサファイア基板１０の側辺に沿って形成される切断面に転位が生じた場合には、その転位は、劈開方向ｔ１（切断方向ｕ１に対してθ１傾いた方向）又は劈開方向ｔ２（切断方向ｕ１に対して９０−θ２傾いた方向）に成長しやすい。同様に、切断方向ｕ２に伸びるサファイア基板１０の側辺に沿って形成される切断面に転位が生じた場合には、その転位は、劈開方向ｔ１（切断方向ｕ２に対して９０−θ１傾いた方向）又は劈開方向ｔ２（切断方向ｕ２に対してθ２傾いた方向）に成長しやすい。
以下において、上述した発光素子アレイ１００の断面について、図面を参照しながら説明する。図２は、図１におけるＡ方向から見た発光素子アレイ１００の断面を示す図である。
図２に示すように、発光素子アレイ１００は、サファイア基板１０、バッファ層２０、ｎ型クラッド層３０、ＭＱＷ活性層４０、ｐ型クラッド層５０及びｐ型コンタクト層６０が順に積層された構造を有している。また、ｎ型クラッド層３０上には、ｎ電極７０が形成されており、ｐ型コンタクト層６０上には、ｐ電極８０が形成されている
サファイア基板１０は、単結晶のサファイアによって構成された成長用基板であり、上述したように、劈開方向ｔ１と劈開方向ｔ２とが直交する面を主面として有している。
サファイア基板１０は、単結晶のサファイアによって構成された成長用基板であり、上述したように、劈開方向ｔ１と劈開方向ｔ２とが直交する面を主面として有している。
バッファ層２０は、ＧａＮなどによって構成されており、ｎ型クラッド層３０とＭＱＷ活性層４０との格子定数の不整合を緩和する機能を有する。
ｎ型クラッド層３０は、ＭＱＷ活性層４０よりもバンドキャップエネルギーが大きい材料（例えば、ＧａＮ）によって構成される層であり、ＭＱＷ活性層４０にキャリアを閉じ込める機能を有する。
ＭＱＷ活性層４０は、ウェル層とバリア層とが交互に積層された構造を有する。ウェル層は、バリア層よりもＩｎの組成比率が大きい薄膜層（例えば、ＩｎＧａＮ）である。一方、バリア層は、ウェル層よりもＩｎの組成比率が小さい薄膜層（例えば、ＧａＮ）である。また、ウェル層及びバリア層は、多重量子井戸構造（ＭＱＷ構造）を形成する。
ｐ型クラッド層５０は、ＭＱＷ活性層４０よりもバンドキャップエネルギーが大きい材料（例えば、ＧａＮ）によって構成される層であり、ＭＱＷ活性層４０にキャリアを閉じ込める機能を有する。
ｐ型コンタクト層６０は、Ｍｇなどの不純物を含む層であり、ショットキーバリアが生じることを防止する機能を有する。
（サファイア基板の面方位）
以下において、本発明の一実施形態に係るサファイア基板の面方位について、図面を参照しながら説明する。図３（ａ）及び図３（ｂ）は、本発明の一実施形態に係るサファイア基板１０の面方位を示す図である。
以下において、本発明の一実施形態に係るサファイア基板の面方位について、図面を参照しながら説明する。図３（ａ）及び図３（ｂ）は、本発明の一実施形態に係るサファイア基板１０の面方位を示す図である。
サファイア基板１０の面方位は、軸ａ１、軸ａ２、軸ａ３及び軸ｃの座標によって表される。具体的には、対象面と各軸とが交わる点の座標をそれぞれａ１、ａ２、ａ３及びｃとした場合に、対称面の面方位は、（１／ａ１、１／ａ２、１／ａ３、１／ｃ）として表される。
従って、図３（ａ）に示すように、サファイア基板１０のＡ面の面方位は（１１−２０）として表され、サファイア基板１０のＭ面の面方位は（１−１００）として表される。同様に、図３（ｂ）に示すように、サファイア基板１０のＲ面の面方位は（１−１０２）として表される。
（主面の劈開方向）
以下において、本発明の一実施形態に係る成長用基板の主面の劈開方向について、図面を参照しながら説明する。図４（ａ）〜図４（ｃ）は、本発明の一実施形態に係るサファイア基板１０の主面の劈開方向の一例を示す図である。
以下において、本発明の一実施形態に係る成長用基板の主面の劈開方向について、図面を参照しながら説明する。図４（ａ）〜図４（ｃ）は、本発明の一実施形態に係るサファイア基板１０の主面の劈開方向の一例を示す図である。
図４（ａ）は、サファイア基板１０の主面がＭ面であり、Ｍ面の劈開方向を示す斜視図である。図４（ａ）に示すように、サファイア基板１０のＭ面が主面である場合には、サファイア基板１０の劈開方向、すなわち、サファイア基板１０が割れやすい方向は、Ｍ面における各結晶の境界線が伸びる方向である。すなわち、サファイア基板１０の劈開方向は、互いに直行する２方向（劈開方向ｔ１及び劈開方向ｔ２）である。
図４（ｂ）は、サファイア基板１０の主面がＡ面であり、Ａ面の劈開方向を示す斜視図である。図４（ｂ）に示すように、サファイア基板１０のＡ面が主面である場合には、サファイア基板１０の劈開方向、すなわち、サファイア基板１０が割れやすい方向は、Ａ面における各結晶の境界線が伸びる方向である。すなわち、サファイア基板１０の劈開方向は、互いに直行する２方向（劈開方向ｔ１及び劈開方向ｔ２）である。
図４（ｃ）は、サファイア基板１０の主面がＲ面であり、Ｒ面の劈開方向を示す斜視図である。図４（ｃ）に示すように、サファイア基板１０のＲ面が主面である場合には、サファイア基板１０の劈開方向、すなわち、サファイア基板１０が割れやすい方向は、Ｒ面における各結晶の境界線が伸びる方向である。すなわち、サファイア基板１０の劈開方向は、互いに直行する２方向（劈開方向ｔ１及び劈開方向ｔ２）である。
（発光素子の製造方法）
以下において、本発明の一実施形態に係る発光素子の製造方法について、図面を参照しながら説明する。図５は、本発明の一実施形態に係る発光素子２００の製造方法について、図面を参照しながら説明する。
以下において、本発明の一実施形態に係る発光素子の製造方法について、図面を参照しながら説明する。図５は、本発明の一実施形態に係る発光素子２００の製造方法について、図面を参照しながら説明する。
図５に示すように、ステップ１０において、サファイア基板１０を準備する。また、水素（Ｈ２）をガス室内に供給してサファイア基板１０のクリーニングを行う。
ステップ２０において、サファイア基板１０上にバッファ層２０を形成する。具体的には、サファイア基板１０の温度を約５００℃となるまで下降させるとともに、窒素（Ｎ２）及びトリメチルガリウム（ＴＭＧ）などをガス室内に供給し、個体結晶を気相成長させて、バッファ層２０を形成する。
なお、個体結晶を気相成長させる方法としては、有機金属気相成長（ＭＯＣＶＤ；Metal Organic Chemical Vapour Deposition）法などが挙げられる。
ステップ３０において、バッファ層２０上にｎ型クラッド層３０を形成する。具体的には、サファイア基板１０の温度を約１０６０℃となるまで上昇させるとともに、アンモニア（ＮＨ３）、水素（Ｈ２）、窒素（Ｎ２）、トリメチルガリウム（ＴＭＧ）及びモノシラン（ＳｉＨ４）などをガス室内に供給し、個体結晶を気相成長させて、ｎ型クラッド層３０を形成する。
ステップ４０において、ｎ型クラッド層３０上にＭＱＷ活性層４０を形成する。具体的には、サファイア基板１０の温度を約１０６０℃となるまで上昇させるとともに、アンモニア（ＮＨ３）、水素（Ｈ２）、窒素（Ｎ２）及びトリメチルガリウム（ＴＭＧ）などをガス室内に供給し、個体結晶を気相成長させて、バリア層を形成する。また、サファイア基板１０の温度を約７６０℃となるまで下降させるとともに、アンモニア（ＮＨ３）、窒素（Ｎ２）、トリエチルガリウム（ＴＥＧ）、トリメチルインジウム（ＴＭＩ）及びモノシラン（ＳｉＨ４）などをガス室内に供給し、個体結晶を気相成長させて、ウェル層を形成する。このように、バリア層及びウェル層を交互に積層することによって、量子井戸構造（ＭＱＷ構造）を有するＭＱＷ活性層４０を形成する。
ステップ５０において、ＭＱＷ活性層４０上にｐ型クラッド層５０を形成する。具体的には、図３に示すように、サファイア基板１０の温度を約１０６０℃となるまで上昇させるとともに、アンモニア（ＮＨ３）、水素（Ｈ２）、窒素（Ｎ２）、トリメチルガリウム（ＴＭＧ）及びトリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）などをガス室内に供給し、個体結晶を気相成長させて、ｐ型クラッド層５０を形成する。
ステップ６０において、ｐ型クラッド層５０上にｐ型コンタクト層６０を形成する。具体的には、Ｍｇなどの不純物を含む原料ガスをガス室内に供給するとともに、個体結晶を気相成長させて、ｐ型コンタクト層６０を形成する。
ステップ７０において、ｎ型クラッド層３０、ＭＱＷ活性層４０、ｐ型クラッド層５０及びｐ型コンタクト層６０の一部をエッチングすることによって、ｎ型クラッド層３０を露出させる。
ステップ８０において、ｎ型クラッド層３０の表面にｎ電極７０を蒸着させるとともに、ｐ型コンタクト層６０の表面にｐ電極８０を蒸着させる。例えば、ｎ電極７０及びｐ電極８０は、真空蒸着法などによってｎ型クラッド層３０及びｐ型コンタクト層６０の表面に蒸着される。
このように、ステップ１０〜ステップ８０の処理によって、複数の発光素子２００が配列された発光素子アレイ１００を形成する。
ステップ９０において、発光素子アレイ１００を切断することによって各発光素子２００を切り離す。具体的には、切断方向ｕ１及び切断方向ｕ２に沿って発光素子アレイ１００を切断することによって各発光素子２００を切り離す。
なお、上述したように、サファイア基板１０の主面の劈開方向ｔ１と切断方向ｕ１とが形成する角度θ１は、約３０〜６０°の範囲内である。同様に、サファイア基板１０の主面の劈開方向ｔ２と切断方向ｕ２とが形成する角度θ２は、約３０〜６０°の範囲内である。
また、発光素子アレイ１００を切断する方法としては、ブレードでダイシングする方法、切断方向に沿って傷をつけた上で衝撃を与えることによって割る方法、切断方向に沿ってレーザで溝をつけた上で割る方法などが挙げられる。
（作用及び効果）
本発明の一実施形態に係る発光素子２００及び発光素子２００の製造方法によれば、サファイア基板１０の主面の劈開方向ｔ１と切断方向ｕ１（すなわち、主面におけるサファイア基板１０の側辺）とが形成する角度θ１は、約３０〜６０°の範囲内である。
本発明の一実施形態に係る発光素子２００及び発光素子２００の製造方法によれば、サファイア基板１０の主面の劈開方向ｔ１と切断方向ｕ１（すなわち、主面におけるサファイア基板１０の側辺）とが形成する角度θ１は、約３０〜６０°の範囲内である。
従って、サファイア基板１０に転位が生じていた場合であっても、発光素子２００に電流を継続して流しているうちに、発光素子２００の中央部に向けて転位が成長する可能性を軽減することができる。
具体的には、従来技術のように、劈開方向ｔ１と切断方向ｕ１とが平行である場合には、劈開方向ｔ１と直交する劈開方向ｔ２が切断方向ｕ１（すなわち、主面におけるサファイア基板１０の側辺）と直交するため、発光素子２００の中央部に向けて転位が成長しやすかった。
これに対して、本発明の一実施形態のように、劈開方向ｔ１と切断方向ｕ１とが形成する角度が約３０〜６０°の範囲内である場合には、劈開方向ｔ１と直交する劈開方向ｔ２が切断方向ｕ１（すなわち、主面におけるサファイア基板１０の側辺）と直交しないため、発光素子２００の中央部に向けて転位が成長する可能性を軽減することができる。
同様に、本発明の一実施形態のように、劈開方向ｔ２と切断方向ｕ２とが形成する角度が約３０〜６０°の範囲内である場合には、劈開方向ｔ２と直交する劈開方向ｔ１が切断方向ｕ２（すなわち、主面におけるサファイア基板１０の側辺）と直交しないため、発光素子２００の中央部に向けて転位が成長する可能性を軽減することができる。
このように、発光素子２００の中央部に向けて転位が成長する可能性が軽減されるため、発光素子２００の長寿命化を図ることができる。
（その他の実施形態）
本発明は上述した実施形態によって説明したが、この開示の一部をなす論述及び図面は、この発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。
本発明は上述した実施形態によって説明したが、この開示の一部をなす論述及び図面は、この発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。
例えば、上述した実施形態では、ＭＯＣＶＤ法を用いて窒化物半導体層の結晶を生長させるものとして説明したが、これに限定されるものではなく、ＨＶＰＥ法やガスソースＭＢＥ法などを用いて、窒化物半導体層の結晶を生長させてもよい。また、窒化物半導体の結晶構造は、ウルツ鉱型構造であっても閃亜鉛鉱型構造であってもよい。
また、上述した実施形態では、窒化物半導体層は、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ及びＩｎＧａＮなどからなる層であるものとして説明したが、これに限定されるものではなく、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ及びＩｎＧａＮ以外の組成を有する窒化物半導体層であってもよい。
さらに、上述した実施形態では、窒化物半導体層の成長用基盤として、サファイア基板を用いたが、これに限定されるものではなく、窒化物半導体層の結晶を成長させることが可能な基板、例えば、Ｓｉ、ＳｉＣ、ＧａＡｓ、ＭｇＯ、ＺｎＯ、スピネル、そしてＧａＮ等を用いてもよい。
また、上述した実施形態では、ｎ型窒化物半導体層、超格子層、活性層及びｐ型半導体層が順にサファイア基板上に積層されているが、これに限定されるものではなく、ｐ型窒化物半導体層、活性層、超格子層及びｎ型半導体層が順にサファイア基板上に積層されていてもよい。
このように、本発明は、ここでは記載されていない様々な実施形態等を含むことは勿論である。従って、本発明の技術的範囲は上記の説明から妥当な特許請求の範囲に係る発明特定事項によってのみ定められるものである。
（実施例）
以下において、本発明の一実施例に係る発光素子アレイ１００及び発光素子２００について、図面を参照しながら説明する。図６は、本発明の一実施例に係る発光素子アレイ１００を示す図であり、図７は、本発明の一実施例に係る発光素子２００を示す図である。
以下において、本発明の一実施例に係る発光素子アレイ１００及び発光素子２００について、図面を参照しながら説明する。図６は、本発明の一実施例に係る発光素子アレイ１００を示す図であり、図７は、本発明の一実施例に係る発光素子２００を示す図である。
最初に、互いに直交する劈開方向ｔ１及び劈開方向ｔ２を有するサファイア基板１０の面を主面として、サファイア基板１０の主面上に各窒化物半導体層を積層することによって、図６に示す発光素子アレイ１００を形成した。
次に、劈開方向ｔ１に対してθ１（３０°≦θ１≦６０°）傾いた切断方向ｕ１に沿って発光素子アレイ１００を切断し、劈開方向ｔ２に対してθ２（３０°≦θ２≦６０°）傾いた切断方向ｕ２に沿って発光素子アレイ１００を切断することによって、図７に示す発光素子２００を発光素子アレイ１００から切り離した。
図７に示すように、発光素子アレイ１００が劈開方向ｔ１又は劈開方向ｔ２に沿って切断されていないため、主面における発光素子２００の側辺（切断方向ｕ１又は切断方向ｕ２に伸びる側辺）がきれいな直線とならないことが確認された。
一方で、発光素子２００の側辺がきれいな直線とならなくても、サファイア基板１０上に積層されたＭＱＷ活性層４０には悪影響がでないことが確認された。
また、劈開方向ｔ１と切断方向ｕ１とが形成する角度がθ１（３０°≦θ１≦６０°）であり、劈開方向ｔ２と切断方向ｕ２とが形成する角度がθ２（３０°≦θ１≦６０°）であるため、発光素子アレイ１００を切断した際に発光素子２００の側辺に転位が生じたとしても、転位が発光素子２００の中心部に向けて成長する可能性が軽減されることが推察された。
１０・・・サファイア基板、２０・・・バッファ層、３０・・・ｎ型クラッド層、４０・・・ＭＱＷ活性層、５０・・・ｐ型クラッド層、６０・・・ｐ型コンタクト層、７０・・・ｎ電極、８０・・・ｐ電極、１００・・・発光素子アレイ、２００・・・発光素子
Claims (4)
- 互いに直交する劈開方向を有する面を主面とする成長用基板と、前記成長用基板の前記主面上に形成された第１窒化物半導体層と、前記第１窒化物半導体層上に形成された活性層と、前記活性層上に形成された第２窒化物半導体層とを備えた発光素子であって、
前記主面は、面方位が（１−１０２）であるＲ面又は面方位が（１−１００）であるＭ面であり、
前記主面における前記成長用基板の側辺と前記劈開方向の一方とが形成する角度は、３０°〜６０°の範囲内であることを特徴とする発光素子。 - 前記成長用基板は、サファイア基板、ＧａＮ基板又はＳｉＣ基板であることを特徴とする請求項１に記載の発光素子。
- 第１窒化物半導体層と第２窒化物半導体層との間に活性層を有する発光素子の製造方法であって、
互いに直交する劈開方向を有する前記成長用基板の面を主面とし、前記主面は面方位が（１−１０２）であるＲ面又は面方位が（１−１００）であるＭ面であり、前記成長用基板の前記主面上に前記第１窒化物半導体層を成長させるステップと、
前記第１窒化物半導体層上に前記活性層を成長させるステップと、
前記活性層上に前記第２窒化物半導体層を成長させるステップと、
前記成長用基板及び前記第１窒化物半導体層を前記発光素子毎に切断するステップとを含み、
前記成長用基板及び前記第１窒化物半導体層を切断する方向と前記劈開方向の一方とが形成する角度は、３０°〜６０°の範囲内であることを特徴とする発光素子の製造方法。 - 前記成長用基板は、サファイア基板、ＧａＮ基板又はＳｉＣ基板であることを特徴とする請求項３に記載の発光素子の製造方法。
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