JP2012023343A5 - 光電変換装置 - Google Patents

Claims (10)

1. 電極上の第１の導電型を有する第１の結晶性半導体領域と、
   前記第１の結晶性半導体領域上の、第１の導電型とは逆の第２の導電型を有する第２の結晶性半導体領域と、を有し、
   前記第１の結晶性半導体領域は、第１の導電型を有する結晶性半導体で形成された複数のウィスカーを有することにより凹凸状の表面を有し、
   前記第２の結晶性半導体領域は、前記凹凸状の表面を被覆するように設けられていることを特徴とする光電変換装置。
2. 電極上の第１の導電型を有する第１の結晶性半導体領域と、
   前記第１の結晶性半導体領域上の、第１の導電型とは逆の第２の導電型を有する第２の結晶性半導体領域と、を有し、
   前記第２の結晶性半導体領域は、第２の導電型を有する結晶性半導体で形成された複数のウィスカーを有することにより凹凸状の表面を有することを特徴とする光電変換装置。
3. 電極上の第１の導電型を有する第１の結晶性半導体領域と、
   前記第１の結晶性半導体領域上の、第２の導電型を有する第２の結晶性半導体領域と、を有し、
   前記第１の結晶性半導体領域は、第１の導電型を有する第３の結晶性半導体領域と、前記第３の結晶性半導体領域上の、第１の導電型を有する結晶性半導体で形成された複数のウィスカーと、を有し、
   前記第２の結晶性半導体領域の表面は、凹凸状であることを特徴とする光電変換装置。
4. 電極上の、第１の導電型を有する第１の結晶性半導体領域と、
   前記第１の結晶性半導体領域上の、第２の導電型を有する第２の結晶性半導体領域と、を有し、
   前記第２の結晶性半導体領域は、第２の導電型を有する第３の結晶性半導体領域と、前記第３の結晶性半導体領域上の、第２の導電型を有する結晶性半導体で形成された複数のウィスカーと、を有し、
   前記第２の結晶性半導体領域は、凹凸状の表面を有することを特徴とする光電変換装置。
5. 請求項１乃至４のいずれか一項において、
   前記第１の結晶性半導体領域は、ｎ型半導体領域又はｐ型半導体領域の一方であり、
   前記第２の結晶性半導体領域は、ｎ型半導体領域又はｐ型半導体領域の他方であることを特徴とする光電変換装置。
6. 電極上の第１の導電型を有する第１の結晶性半導体領域と、
   前記第１の結晶性半導体領域上の、第２の導電型を有する第２の結晶性半導体領域と、
   前記第２の結晶性半導体領域上の、第３の導電型を有する第１の半導体領域と、
   前記第１の半導体領域上の、真性である第２の半導体領域と、
   前記第２の半導体領域上の、第４の導電型を有する第３の半導体領域と、を有し、
   前記第１の結晶性半導体領域は、第１の導電型を有する第３の結晶性半導体領域と、前記第３の結晶性半導体領域上の、第１の導電型を有する結晶性半導体で形成された複数のウィスカーと、を有し、
   前記第３の半導体領域は、凹凸状の表面を有することを特徴とする光電変換装置。
7. 電極上の第１の導電型を有する第１の結晶性半導体領域と、
   前記第１の結晶性半導体領域上の、第２の導電型を有する第２の結晶性半導体領域と、
   前記第２の結晶性半導体領域上の、第３の導電型を有する第１の半導体領域と、
   前記第１の半導体領域上の、真性である第２の半導体領域と、
   前記第２の半導体領域上の、第４の導電型を有する第３の半導体領域と、を有し、
   前記第２の結晶性半導体領域は、第２の導電型を有する第３の結晶性半導体領域と、前記第３の結晶性半導体領域上の、第２の導電型を有する結晶性半導体で形成された複数のウィスカーと、を有し、
   前記第３の半導体領域は、凹凸状の表面を有することを特徴とする光電変換装置。
8. 請求項６又は７において、
   前記第１の結晶性半導体領域及び前記第１の半導体領域は、ｎ型半導体領域又はｐ型半導体領域の一方であり、
   前記第２の結晶性半導体領域及び前記第３の半導体領域は、ｎ型半導体領域又はｐ型半導体領域の他方であることを特徴とする光電変換装置。
9. 請求項１乃至８のいずれか一項において、
   前記ウィスカーの軸の方向は、不揃いであることを特徴とする光電変換装置。
10. 請求項１乃至９のいずれか一項において、
    前記ウィスカーの軸の方向は、前記電極の法線方向であることを特徴とする光電変換装置。