JP2012129518A5 - 光電変換装置の作製方法 - Google Patents
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Claims (6)
- 結晶性シリコン基板の一方の面に第１の溝部と、前記第１の溝部と交わる第２の溝部を形成し、
前記第１の溝部及び前記第２の溝部、並びに前記結晶性シリコン基板の一方の面に第１のシリコン半導体層を形成し、
前記第１のシリコン半導体層上に一導電型を有する第２のシリコン半導体層を形成し、
前記結晶性シリコン基板の他方の面に第３のシリコン半導体層を形成し、
前記第３のシリコン半導体層上に一導電型とは逆の導電型を有する第４のシリコン半導体層を形成し、
前記第２のシリコン半導体層上に透光性導電膜を形成し、
前記第４のシリコン半導体層上に裏面電極を形成し、
前記第１のシリコン半導体層、前記第２のシリコン半導体層、及び前記透光性導電膜が積層された前記第１の溝部に導電性樹脂を注入し、
毛細管現象を利用して前記第１の溝部から前記第２の溝部に前記導電性樹脂を注入し、
前記導電性樹脂を焼成することで埋め込み型のグリッド電極を形成することを特徴とする光電変換装置の作製方法。 - 結晶性シリコン基板の一方の面に第１の溝部と、前記第１の溝部と交わる第２の溝部を形成し、
前記第１の溝部及び前記第２の溝部、並びに前記結晶性シリコン基板の一方の面に第１のシリコン半導体層を形成し、
前記第１のシリコン半導体層上に一導電型を有する第２のシリコン半導体層を形成し、
前記結晶性シリコン基板の他方の面に第３のシリコン半導体層を形成し、
前記第３のシリコン半導体層上に一導電型とは逆の導電型を有する第４のシリコン半導体層を形成し、
前記第４のシリコン半導体層上に裏面電極を形成し、
前記第１のシリコン半導体層、及び前記第２のシリコン半導体層が積層された前記第１の溝部に導電性樹脂を注入し、
毛細管現象を利用して前記第１の溝部から前記第２の溝部に前記導電性樹脂を注入し、
前記導電性樹脂を焼成することで埋め込み型のグリッド電極を形成し、
前記第２のシリコン半導体層及び前記グリッド電極上に透光性導電膜を形成することを特徴とする光電変換装置の作製方法。 - 請求項１または２において、
前記第２の溝部は前記第１の溝部よりも幅が狭く形成されることを特徴とする光電変換装置の作製方法。 - 請求項１乃至３のいずれか一項において、
前記導電性樹脂の粘度は、１００ｍＰａ・ｓ以下であることを特徴とする光電変換装置の作製方法。 - 請求項１乃至４のいずれか一項において、
前記第１の溝部及び前記第２の溝部への導電性樹脂の注入及び焼成は、複数回行うことを特徴とする光電変換装置の作製方法。 - 請求項１乃至５のいずれか一項において、
前記第１及び前記第３のシリコン半導体層の導電型はｉ型、前記第２のシリコン半導体層の導電型はｐ型またはｎ型であることを特徴とする光電変換装置の作製方法。
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