JP4222992B2 - 光起電力装置 - Google Patents

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Description

この発明は、光起電力装置に係り、特に酸化物透明導電膜とこの酸化物透明導電膜上に集電極を設けた光起電力装置の耐環境信頼性を高くするものである。
最近、屋根に設置する太陽光発電システムの導入普及が急速に進んでおり、従来の民生用太陽電池に比べてより高い耐環境信頼性が要求されている。一般的には、耐環境性はモジュール構造等により十分に確保できるように設計されているものの、光電変換素子そのものに優れた耐環境信頼性があることがより望ましい。例えば、光入射側に酸化インジウム錫（ＩＴＯ）や酸化亜鉛（ＺｎＯ）等の酸化物透明導電膜と櫛形の金属電極を用いた光起電力装置においては、半導体層のみならず酸化物透明導電膜にもより高い耐湿性、耐アルカリ等の高信頼性が要求される。
高効率用の酸化物透明導電膜には高い光透過率と低い電気抵抗が同時に求められる。一般的に高い光透過率と低い電気抵抗を得るためには、より結晶性の高い透明導電膜が必要となる。しかし、多結晶体であるＩＴＯ膜やＺｎＯ膜では結晶粒が大きくなるとその分結晶粒界の影響も大きくなり、粒界をパスとしたガラスから溶出するアルカリの拡散が促され、耐環境信頼性低下が起こる可能性がある。
斯かる問題点を解決するために、結晶配向性の異なる２種類のＩＴＯ膜の積層により高信頼性を実現する方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。また、光起電力素子を形成後、受光面側を樹脂製の防湿膜で被覆した光電変換装置も提案されている（例えば、特許文献２参照）。
特開２００３−３４７５７１号公報 特開平１０−１０７３０８号公報
上記した特許文献に開示された光起電力装置においても高信頼性が実現されているが、集電極との密着性等に関しては言及されておらず、この部分の構成に更に改善が必要である。
この発明は、これら問題点を解決して、高信頼性かつ高効率の太陽電池を得ることを目的とする。
この発明は、光入射側に酸化物透明導電膜とこの酸化物透明導電膜上に集電極を設けた光起電力装置であって、少なくとも集電極が設けられていない領域の酸化物透明導電膜上に酸化シリコン絶縁膜が設けられ、前記酸化物透明導電膜の算術平均表面粗さ（Ｒａ）は、０．５ｎｍ以上２ｎｍ以下であり、前記酸化シリコン絶縁膜の膜厚が下地の酸化物透明導電膜の算術平均表面粗さ（Ｒａ）の約１倍以上１０倍以下であるとともに、前記酸化シリコン絶縁膜は、Ｘ線光電子分光法により評価したＳｉ−２ｐピークのシリコン半値幅が２．４５ｅＶ以下の膜で構成されていることを特徴とする。
また、前記酸化シリコン絶縁膜のＯ／Ｓｉ比が１．８５以上２．０以下にするとよい。
前記集電極はフィンガー部とバスバー部で構成され、前記集電極の無い有効発電領域は半導体層、酸化物透明導電膜、透光性保護膜の順に積層され、前記集電極電極の少なくともフィンガー部は、半導体層、酸化物透明導電膜、集電極、透光性保護膜の順に積層されていることを特徴とする。
前記集電極のバスバー部上には、透光性保護膜を設けず、このバスバー部上に接続タブが半田付けされることを特徴とする。
上記したこの発明は、酸化物透明導電膜の算術平均表面粗さ（Ｒａ）が０．５ｎｍ以上２ｎｍ以下であり、酸化シリコン絶縁膜の膜厚が下地の酸化物透明導電膜の算術平均表面粗さ(Ｒａ)の約１倍以上１０倍以下であり、酸化シリコン絶縁膜は、Ｘ線光電子分光法により評価したＳｉ−２ｐピークのシリコン半値幅が２．４５ｅＶ以下の膜で構成されることで、良好なアルカリバリア効果を有し、集電極と酸化物透明導電膜の密着性を低下することなく、高信頼性が得られる。
また、バスバー部と接続タブの接合部に透光性保護膜を存在させないことで、フラックスの染み出しや接合不良を防ぐことができる。
以下、この発明の実施形態につき、図面を参照して説明する。図１は、この発明の実施形態による光電変換装置の構成を示した概略斜視図、図２は、この発明の実施形態による光電変換装置の構成を示した概略断面図である。
この実施形態による光電変換装置１は、図１及び図２に示すように、約１Ω・ｃｍの抵抗率と約３００μｍの厚みとを有するとともに、（１００）面を有するｎ型単結晶シリコン基板２（以下、ｎ型単結晶シリコン基板２という）を備えている。ｎ型単結晶シリコン基板２の表面には、数μｍから数十μｍの高さを有する光閉じ込めのためのピラミッド状凹凸が形成されている。このｎ型単結晶シリコン基板２上には、ＲＦプラズマＣＶＤ法により約５ｎｍの厚みを有する実質的に真性のｉ型水素化非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）層３が形成されている。また、ｉ型水素化非晶質シリコン層３上には、約５ｎｍの厚みを有するｐ型水素化非晶質シリコン層４が形成されている。これらの各層の形成条件の一例を表１に示す。
そして、ｐ型水素化非晶質シリコン層４上には、約１００ｎｍの厚みを有する酸化物透明導電膜として、この実施形態ではＩＴＯ膜５がマグネトロンスパッタ法により形成されている。このＩＴＯ膜５は、ＳｎＯ2を添加したＩｎ2Ｏ3によって形成されている。そして、ＩＴＯ膜５は、０．５ｎｍ〜２ｎｍの算術平均表面粗さ（Ｒａ：ＪＩＳ Ｂ ０６０１−１９９４により規定）、更に望ましくは０．５ｎｍ〜１ｎｍの算術平均粗さ（Ｒａ）の表面ラフネスが小さい膜が用いられる。
更に、このＩＴＯ膜５の上面の所定領域にはペースト電極からなる櫛形状の集電極６が形成されている。この集電極６は、銀（Ａｇ）の微粉末と熱硬化性樹脂とによって構成される。集電極６は、例えば、エポキシ樹脂に銀（Ａｇ）の微粉末を練りこんだ硬化温度２５０℃以下の低温焼成型のＡｇペーストを用い、スクリーン印刷法により、フィンガー部６Ｆとバスバー部６Ｂとを高さ約１０μｍ〜３０μｍ、幅１００μｍ〜５００μｍに形成し、２００℃、８０分で焼成硬化して形成される。フィンガー部６Ｆは、複数のものが互いに平行に形成され、バスバー部６Ｂは、フィンガー部６Ｆに流れる電流を集合させる。
この実施形態においては、ＩＴＯ膜５上に、上記集電極６を覆うようにして、酸化シリ
コン（ＳｉＯｘ（１．５≦ｘ≦２））膜１０が形成されている。この実施形態においては、ＳｉＯ2ターゲットを用いたＲＦマグネトロンスパッタにより形成した酸化シリコン（ＳｉＯｘ（１．５≦ｘ≦２））膜１０が用いられる。
上記したように、光入射側においては、集電極６の無い有効発電領域は、ｐ型水素化非晶質シリコン層４、ＩＴＯ膜５、酸化シリコン絶縁膜１０の順に積層して形成されている。また、集電極６の箇所は、ｐ型水素化非晶質シリコン層４、ＩＴＯ膜５、集電極６、酸化シリコン絶縁膜１０の順に積層して形成されている。
尚、少なくとも集電極６のフィンガー部６Ｆの上に酸化シリコン絶縁膜１０が積層されていれば良く、この実施形態においては、バスバー部６Ｂの上にも酸化シリコン絶縁膜１０が積層されているが、後述するように、バスバー部６Ｂ上に酸化シリコン絶縁膜１０を設けなくてもよい。
また、ｎ型単結晶シリコン基板２の下面上には、約５ｎｍの厚みを有する実質的に真性のｉ型水素化非晶質シリコン層７が形成されている。ｉ型水素化非晶質シリコン層７上には、約２０ｎｍの厚みを有するｎ型水素化非晶質シリコン層８が形成されている。このようにｎ型単結晶シリコン基板２の下面上に、ｉ型水素化非晶質シリコン層７およびｎ型水素化非晶質シリコン層８が順番に形成されることにより、いわゆるＢＳＦ（Ｂａｃｋ Ｓｕｒｆａｃｅ Ｆｉｅｌｄ）構造が形成されている。更に、ｎ型水素化非晶質シリコン層８上には、約１００ｎｍの厚みを有する例えば、Ａｇからなる裏面電極９が形成されている。
尚、ｎ型単結晶シリコン基板２の下面上に形成されたｉ型水素化非晶質シリコン層７、ｎ型水素化非晶質シリコン層８の上記以外の構成は、それぞれ、ｎ型単結晶シリコン基板２の上面に形成されたｉ型水素化非晶質シリコン層３、ｐ型水素化非晶質シリコン層４の構成と同様である。これらの各層の形成条件の一例を表１に示す。
Figure 0004222992
上記の表１においては、ｐ型ドーパントして硼素（Ｂ）を、ｎ型ドーパントとして燐（Ｐ）を用いているが、これ以外に、ｐ型ドーパントとしては３族元素であるＡｌ、Ｇａ、Ｉｎ、ｎ型ドーパントとしては５族元素であるＮ、Ａｓ、Ｓｂが挙げられる。そして、シランガス（ＳｉＨ4）などのソースガスに、これらの少なくとも上記の１つを含む化合物ガスを混合することでｐ型またはｎ型に価電子制御できる。水素化非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）は、蒸着法、スパッタ法、ＲＦプラズマＣＶＤ法、マイクロ波プラズマＣＶＤ法、ＥＣＲ法、熱ＣＶＤ法、ＬＰＣＶＤ法等、公知手段を使用することができる。半導体は結晶質、または水素、フッ素の少なくとも一方を含む非晶質または微結晶Ｓｉ、ＳｉＧｅ、ＳｉＧｅＣ、ＳｉＣ、ＳｉＮ、ＳｉＧｅＮ、ＳｉＳｎ、ＳｉＳｎＯ、ＳｉＯ、Ｇｅ、ＧｅＣ、ＧｅＮのいずれかであってもよい。
図３は、この実施形態を示す図２の点線Ａで囲んだ領域を拡大して示す構造図である。酸化物透光性薄膜としてのＩＴＯ膜５は、０．５ｎｍ〜２ｎｍの算術平均表面粗さ（Ｒａ）、更に望ましくは０．５ｎｍ〜１ｎｍの表面ラフネスが小さい酸化物透明導電膜であり、その上の酸化シリコン絶縁膜１０の膜厚はＩＴＯ膜５表面の算術平均表面粗さ（Ｒａ）の１〜１０倍以下、好ましくは１〜５倍以下が望ましく、詳細は以下に記述する。
上記したように、この実施形態においては、ｐ型水素化非晶質シリコン層４上に透光性導電膜として錫をドープした酸化インジウム薄膜（ＩＴＯ）５が堆積されている。この発明に用いて好適な透光性導電膜は以下のような方法で形成できる。
この実施形態では、透光性導電膜として錫（Ｓｎ）をドープした酸化インジウム（以下ＩＴＯ）を用いた。この膜は、ＳｎＯ2粉末を５ｗｔ％としてＩｎ2Ｏ3粉末との焼結体をターゲットとしてカソードに設置した。ターゲットには、他にＳｉ、Ｇｅ、Ｔｉの少なくとも１つをドーパントとして用いてよい。これらの化合物粉末を適量、酸化インジウム粉末に混ぜて焼結し、ターゲットを作成すればよい。ＳｎＯ2の量を変える事でＩＴＯ中のＳｎ量を変化させることが可能であるが、Ｉｎに対するＳｎの量は１ａｔｏｍｉｃ％から１０ａｔｏｍｉｃ％が好ましく、更に２ａｔｏｍｉｃ％から７ａｔｏｍｉｃ％が好ましい。ターゲットの焼結密度は９０％以上が好ましい。
そして、成膜時のプラズマダメージ抑制のために、カソード表面に３００〜３０００Ｇａｕｓｓの強磁場をマグネットにより印加できる装置を使用し、素子をカソードと平行に対向設置してから、チャンバーを真空排気した。加熱ヒータにより基板温度を室温から２００℃になるまで加熱した。また、アルゴン（Ａｒ）と酸素（Ｏ2）の混合ガスを流して圧力を０．４〜１．３Ｐａに保ち、カソードにＤＣ電力を０．５〜２ｋＷ投入して放電開始した。基板をカソードに対し静止させた状態で成膜速度は約１０〜８０ｎｍ／ｍｉｎとなった。Ａｒの他にはＨｅ、Ｎｅ、Ｋｒ、Ｘｅの不活性ガスまたはこれらの混合気体を用いることもできる。気体放電はパルス変調ＤＣ放電やＲＦ、ＶＨＦ、マイクロ波放電でも可能である。
次に、ＩＴＯ膜５表面の算術平均粗さ（Ｒａ）が信頼性にどのように影響するか調べた。このために、上記した光電変換装置１において、膜厚は１００ｎｍとしたＩＴＯ膜５表面の算術平均粗さ（Ｒａ）が異なるものを複数個準備し、これら複数のサンプルを簡易モジュール化した。簡易モジュールは、各サンプルを３×３の９枚にて、互いに隣接する他の光電変換装置１と扁平形状の銅箔からなる接続タブを介して直列に接続する。そして、接続タブによって接続された複数の光電変換装置を、ＥＶＡ（Ｅｔｈｙｌｅｎｅ Ｖｉｎｙｌ Ａｃｅｔａｔｅ）からなる充填剤を用いて、ガラス基板からなる表面保護材とＰＥＴ（Ｐｏｌｙ Ｅｔｈｙｌｅｎｅ Ｔｅｒｅｐｈｔａｌａｔｅ）／アルミニウム箔／ＰＥＴの３層構造からなる裏面保護材の間に封止した。
各サンプルを用いた簡易モジュールを、湿度８５％、温度８５℃、１０００時間の恒温恒湿試験前後での出力を評価した。図４は、ＩＴＯ膜表面の算術平均表面粗さ（Ｒａ）と簡易モジュールの恒温恒湿試験後の出力を試験前の出力で規格化した規格化モジュール出力との関係を示す。
図４より、ＩＴＯ膜５の算術平均表面粗さ（Ｒａ）が大きくなるほど規格化モジュール出力は低下する傾向にあることが明らかとなった。太陽電池のＩＶ特性において開放電圧（Ｖｏｃ）の低下率が変化しており、これは、算術平均表面粗さ（Ｒａ）が大きい場合は、結晶配向性が小さく、さまざまな面方位を有するＩＴＯが存在し、それゆえに結晶粒界密度が大きいために、粒界をパスとしたガラスのアルカリ成分の光電変換装置（太陽電池）への進入が多いことと関係があると考えられる。
図５は、ＩＴＯ膜５表面の算術平均表面粗さ（Ｒａ）を０．５ｎｍ、１ｎｍ、２ｎｍと変化させたサンプルにおける酸化シリコン絶縁膜１０の膜厚を変化させたときの恒温恒湿試験後の出力を試験前の出力で規格化したモジュール出力との関係を測定した結果である。
サンプルは、ＩＴＯ膜５表面の算術平均表面粗さ（Ｒａ）を０．５ｎｍ、１ｎｍ、２ｎｍと変化させたものに対して、ＳｉＯ2ターゲットを用いて基板温度２００℃、Ａｒ２０
０ｓｃｃｍ、圧力１．３６ＰａにてＲＦマグネトロンスパッタにより成膜速度０．１２５ｎｍ／ｓで酸化シリコン絶縁膜１０を形成し、形成した膜厚が異なる複数のサンプルを用意した。
この成膜速度は、３２０秒で４０ｎｍの成膜ができたことを透過電子顕微鏡写真により確認し、成膜速度を計算により求めた。この条件で膜厚１〜４０ｎｍ、即ち、前記成膜速度から成膜時間で換算した値のサンプルを作成した。形成したサンプルＳｉＯｘ（１．５≦ｘ≦２）膜により、この発明の実施形態の構造を実現した場合のＳｉＯｘの厚みと上記と同様の簡易モジュールにおける恒温恒湿試験後の出力を試験前の出力で規格化したモジュール出力との関係を測定した結果を示す。
図５により、規格化モジュール出力を最大にする酸化物シリコン膜１０の厚みが存在することが明らかとなった。
図６は、図５の酸化シリコン絶縁膜１０の膜厚ｄをＩＴＯ膜５表面の算術平均表面粗さ（Ｒａ）で除去したｄ／Ｒａと簡易モジュールの恒温恒湿試験後の出力を試験前の出力で規格化した規格化モジュール出力との関係を示す。
図６より、規格化モジュール出力が０．９９以上の優れた信頼性を実現するためには、ｄ／Ｒａ＝１すなわち透光性保護膜の厚みがＩＴＯ表面の算術平均表面粗さ（Ｒａ）以上が必要であり、これは、表面全域を効果的に透光性保護膜にて覆うために必要な膜厚に起因していると考えられる。さらに、１≦ｄ／Ｒａ≦１０の範囲で規格化モジュール出力が０．９９以上が実現できているが、ｄ／Ｒａ＞１０では０．９９より小さくなる。これは、酸化シリコン絶縁膜１０としてのＳｉＯｘ膜の残留応力と金属ペーストからなる集電極６／ＩＴＯ膜５間の残留応力とを加えたものと集電極６／ＩＴＯ膜５間の密着力の関係で、ＩＴＯ膜５表面の算術平均表面粗さ（Ｒａ）が大きいほど応力の分散効果が大きいもしくは表面のＯＨ基が多いことによる金属ペースト／ＩＴＯ間の高密着強度を反映している可能性が考えられる。
さらに、いずれも規格化モジュール出力が０．９９以上となるためには１≦ｄ／Ｒａ≦１０であり、さらに規格化モジュール出力が０．９９５以上となるためには０．５ｎｍ≦Ｒａ≦１ｎｍかつ４≦ｄ／Ｒａ≦８であった。
今回、樹脂中のエポキシが７０ｗｔ．％、１００ｗｔ．％の２種類の２５０℃以下で硬化する低温焼成型Ａｇペーストを用いて評価を行った結果はいずれも同じ傾向を示した。
次に、酸素流量を０〜２５ｓｃｃｍ、基板温度を室温から２００℃の範囲でＩＴＯ膜５表面上にＳｉＯ2ターゲットを用いてＡｒ２００ｓｃｃｍ、圧力１．３６ＰａにてＲＦマグネトロンスパッタで酸化シリコン（ＳｉＯｘ）膜１０を形成し、Ｘ線光電子分光法（以下、単にＸＰＳという。）により膜評価を行った。サンプルはＩＴＯ膜５の算術平均表面粗さ（Ｒａ）が０．５ｎｍにそれぞれ酸化シリコン（ＳｉＯｘ）膜１０を形成した。
ここでは、ＳｉＯｘの膜質に関係のあるＯ／Ｓｉ比（ＳｉＯｘのｘに当たる）、Ｓｉ−２ｐピークの半値幅に着目し、モジュール信頼性の関係を考察した。
ここで、ＸＰＳ分析には、アルバックファイ社製のＥＳＣＡ５６００を用いて測定した。Ｘ源は、ＭｇのＫα線を用い、４００Ｗ／１４ｋＶとした。パスエネルギ（Ｐａｓｓ ｅｎｅｒｇｙ）は２３．５ｅＶである。測定はＳｉＯｘのスパッタ速度が１０ｎｍ／分となる条件で０．２分のスパッタ処理した後に行った。具体的なスパッタ処理条件は加速電圧４ｋＶでエミッション電流２５ｍＡ、圧力１５×１０−３Ｐａ、スパッタサイズ２×３ｍｍである。そして、ＸＰＳで複数のポイントを測定し、平均化して測定を行った。
Ｓｉの半値幅は１０２ｅＶ付近に現れるＳｉ−２ｐピークに着目し、バックグランド処理をＳｈｉｒｌｅｙ法で行った。この算出時におけるバックグラウンドはＳｉ−２ｐピークを１０２．０ｅＶにシフトさせた状態で、９６ｅＶおよび１０８ｅＶでの測定値を結んだ直線とした。図７に、ＸＰＳスペクトルの一例を示す。図７は、酸素流量５ｓｃｃｍ、基板温度１５０℃で作成した酸化シリコン（ＳｉＯｘ）膜１０のＸＰＳスペクトルである。
Ｏ／Ｓｉ比の算出には、上記Ｓｉ−２ｐピークと５３１．５ｅＶ付近に現れるＯ−１ｓピークを用いた。Ｓｉは半値幅を求めたエネルギー範囲（９６ｅＶ〜１０８ｅＶ）を用い、酸素は上記Ｏ−１ｓのピーク５３１．５ｅＶにシフトさせた状態で５２６．５ｅＶ〜５３６．５ｅＶの範囲を用い、それぞれの範囲内におけるピークカウント数と感度係数とを用いて各元素量を定量した。
表２にＳｉＯｘ膜の成膜条件を種々変更したときの各サンプルにおけるＳｉ−２ｐピークの半値幅、Ｏ／Ｓｉ比を算出した結果を示す。
Figure 0004222992
表２等から明らかなように、ＳｉＯｘ膜の成膜時の酸素流量を増加させると、膜中の酸素濃度は大きくなり、半値幅が狭くなる傾向があった。一方で、酸素流量過多となる条件では逆に膜中の酸素量が減少し、半値幅も低くなる傾向を示す。また、成膜温度を高くするにつれ、膜中の酸素量はほぼ一定で半値幅が狭くなる傾向があった。
このように、ＳｉＯｘ膜の成膜時の酸素流量と基板温度を制御することで膜中の酸素量と半値幅を制御することが可能である。
このようにして制御された種々のＳｉＯｘ膜１０を算術平均表面粗さ（Ｒａ）が０．５ｎｍのＩＴＯ膜５上に膜厚８Ｒａとなるように成膜し、上記と同様に作成した簡易モジュールの恒温恒湿試験後の出力を試験前の出力で規格化した規格化モジュール出力を測定した。図８にＳｉ−２ｐピークの半値幅と規格化モジュール出力との関係を示す。図８に示すように、半値幅が２．４５以下において、規格化モジュール出力が０．９９以上と良好な結果が得られている。なお、半値幅が２．４５以下において、規格化モジュール出力と半値幅には明確な相関が得られなかった。
そこで、半値幅２．４５以下のサンプルに着目し、Ｏ／Ｓｉ比と規格化モジュール出力の相関を検討した。その結果を図９に示す。図９に示すように、Ｏ／Ｓｉ比が１．９０〜１．９５の範囲にある場合には、規格化モジュール出力が０．９９５以上と非常に優れた値を示すことが分かった。これらの結果より、Ｓｉ−２ｐピークの半値幅が２．４５以下であり、Ｏ／Ｓｉ比が１．９〜２．０のときに、高い規格化モジュール出力が得られることが分かった。そして、Ｓｉ−２ｐピークの半値幅が２．４５以下、Ｏ／Ｓｉ比が１．９０〜１．９５の範囲になるようにＳｉＯｘ膜１０を成膜すると、規格化モジュールが０．９９５以上の非常に優れた耐久性のモジュールを提供できる。
上記したこの発明の光電変換装置を用いて、モジュール化すると、図１０に示すようになる。図１０に示すように、この太陽電池モジュールは、複数の光電変換装置１を備えている。この複数の光電変換装置１の各々は、互いに隣接する他の光電変換装置１と扁平形状の銅箔からなる接続タブ１２を介して直列に接続されている。また、接続タブ１２の一方端側は、所定の光電変換装置１の上面側の集電極６（図１参照）に接続されるとともに、他方端側は、その所定の光電変換装置１に隣接する別の光電変換装置１の裏面側電極９（図１参照）に接続されている。
そして、接続タブ１２によって接続された複数の光電変換装置１は、ＥＶＡからなる充填剤１３によって覆われている。また、充填剤１３の上面上には、ガラス基板からなる表面保護材１４が設けられている。また、充填材１３の下面上には、ＰＥＴ／アルミニウム箔／ＰＥＴの３層構造からなる裏面保護材１５が設けられている。
上記したこの発明の光電変換装置１同士をバスバー部６Ｂで銅箔などの接続タブ１２を用いて接続する際、下地の非晶質半導体層に悪影響を与えずに半田付けする必要がある。このため、フラックスを用いて半田付けされる場合が多い。しかし、バスバー部６Ｂまで図１に示すように、酸化シリコン絶縁膜１０が設けられている場合には、フラックスが酸化シリコン絶縁膜１０により染み出したり、接着不良が生じる場合がある。
そこで、図１１、図１２に示すこの発明の他の実施形態においては、接続タブ１２が接続されるバスバー部６Ｂには、酸化シリコン絶縁膜１０を設けず、即ち、透光性保護膜が存在しない領域１０ａが形成される。そして、他のフィンガー部６ＦとＩＴＯ膜５全面に、酸化シリコン絶縁膜１０を設けるように構成する。このように構成すると、バスバー部６Ｂの上には透光性保護膜が形成されていないので、フラックスを用いて接続タブ１２を半田付けする際、フラックスの染み出しも生じることなく、確実に接続タブ１２とバスバー部６Ｂとの接合が行える。
次に、上記した図１１、図１２に示す他の実施形態の効果を確認するために、（１）ＩＴＯ膜５の全面上に、上記集電極６を覆うようにして酸化シリコン絶縁膜（ＳｉＯｘ）１０膜を設けたもの、（２）接続タブが接続されるバスバー部６Ｂには、酸化シリコン絶縁膜膜（ＳｉＯｘ）１０を設けず他の集電極６とＩＴＯ膜上に透光性保護膜（ＳｉＯｘ）１０を設けたもの、（３）透光性保護膜を全く設けないものをそれぞれ用意し、特性を比較した。
表３に上記（１）〜（３）に示す光電変換装置の特性を比較した結果を示す。ここで、表３においては、上記（３）のサンプルを１として規格化している。
Figure 0004222992
いずれの条件においても曲線因子（Ｆ．Ｆ．）の低下は見られていない。これはバスバー６Ｂに酸化シリコン絶縁膜１０が存在しているにも関わらず、負荷接合時の直列抵抗の増加がないことを意味している。原因として、バスバー部６Ｂの凹凸に比べて酸化シリコン絶縁膜１０は非常に薄いために実質的には酸化シリコン絶縁膜１０で覆われていないバスバー部６Ｂが多く存在していることが考えられるからである。
次に、これらの光起電力装置のバスバー部６Ｂにフラックスを塗布し、接続タブを半田溶着した。その結果、（２）および（３）のサンプルはフラックスのにじみもなく、また問題なく接続タブが接合できた。一方、（１）のサンプルはフラックスがにじむだけでなく、半田溶着の強度が不十分であった。即ち、モジュール作成が困難であった。また、慎重にサンプルを取り扱いモジュールを作成したが、フラックスのにじみ部における外観不良やモジュール化後の特性低下、特にＦ．Ｆ．の低下があった。
表４に、（２）に示すサンプル（バスバー部の透光性保護膜はなし）を用いて恒温恒湿試験、湿度８５％、温度８５℃、１０００時間の恒温恒湿試験前後での出力を評価した。ここでは、透光性保護膜を設けていないサンプル（３）の特性を１として規格化している。
Figure 0004222992
表４より、バスバー部６に透光性保護膜を形成していないにも関わらず、耐湿性に優れた光電変換装置が得られることが分かった。
これらの結果から、特にフラックスを用いた半田溶着工程を用いる場合には、この発明の他の実施形態で示すように、バスバー部６に透光性保護膜を形成しない構造が耐環境性に優れた保護膜の働きとモジュール作成の容易さを両立できることが分かった。
ここで、上記実施形態では、非晶質シリコンと単結晶シリコンの接合を用いた光起電力素子につき説明したが、光起電力素子を保護膜で覆う工程を有する光起電力素子、特に光起電力素子の電極上に取り出し電極（接続タブ）をフラックスを用いて接合させる装置であれば、光起電力素子に制限はない。
この発明の実施形態による光電変換装置の構成を示した概略斜視図である。 この発明の実施形態による光電変換装置の構成を示した概略断面図である。 図２の点線Ａで囲んだ領域を拡大して示す構造図である。 ＩＴＯ膜表面の算術平均表面粗さ（Ｒａ）と簡易モジュールの恒温恒湿試験後の出力を試験前の出力で規格化した規格化モジュール出力との関係を示す特性図である。 ＩＴＯ膜表面の算術平均表面粗さ（Ｒａ）を０．５ｎｍ、１ｎｍ、２ｎｍと変化させたサンプルにおいて、透光性保護膜の膜厚を変化させたとき恒温恒湿試験後の出力を試験前の出力で規格化したモジュール出力との関係を測定した結果を示す特性図である。 図５の透光性保護膜の膜厚ｄをＩＴＯ膜表面の算術平均表面粗さ（Ｒａ）で除去したｄ／Ｒａと簡易モジュールの恒温恒湿試験後の出力を試験前の出力で規格化した規格化モジュール出力との関係を示す特性図である。 この発明に用いられるＳｉＯｘ膜のＸＰＳスペクトルの一例を示す測定図である。 Ｓｉ−２ｐピークの半値幅と規格化モジュール出力との関係を示す特性図である。 Ｏ／Ｓｉ比と規格化モジュール出力の相関を示す特性図である。 この発明の光起電力装置を用いた太陽電池モジュールを示す断面図である。 この発明の他の実施形態による光電変換装置の構成を示した概略平面図である。 この発明の他の実施形態による光電変換装置の構成を示した概略断面図である。
符号の説明
１ 光電変換装置
２ ｎ型単結晶シリコン基板
３ ｉ型水素化非晶質シリコン層
４ ｐ型水素化非晶質シリコン層
５ ＩＴＯ膜（酸化物透明導電膜）
６ 集電極
７ ｉ型水素化非晶質シリコン層
８ ｎ型水素化非晶質シリコン層
９ 裏面電極
１０ 酸化シリコン絶縁膜膜（ＳｉＯｘ（１．５≦ｘ≦２））

Claims (4)

  1. 光入射側に酸化物透明導電膜とこの酸化物透明導電膜上に集電極を設けた光起電力装置であって、少なくとも集電極が設けられていない領域の酸化物透明導電膜上に酸化シリコン絶縁膜が設けられ、前記酸化物透明導電膜の算術平均表面粗さ（Ｒａ）は、０．５ｎｍ以上２ｎｍ以下であり、前記酸化シリコン絶縁膜の膜厚が下地の酸化物透明導電膜の算術平均表面粗さ（Ｒａ）の約１倍以上１０倍以下であるとともに、前記酸化シリコン絶縁膜は、Ｘ線光電子分光法により評価したＳｉ−２ｐピークのシリコン半値幅が２．４５ｅＶ以下の膜で構成されていることを特徴とする光起電力装置。
  2. 前記酸化シリコン絶縁膜のＯ／Ｓｉ比が１．８５以上２．０以下であることを特徴とする請求項１に記載の光起電力装置。
  3. 前記集電極はフィンガー部とバスバー部で構成され、前記集電極の無い有効発電領域は半導体層、酸化物透明導電膜、透光性保護膜の順に積層され、前記集電極電極の少なくともフィンガー部は、半導体層、酸化物透明導電膜、集電極、透光性保護膜の順に積層されていることを特徴とする請求項１に記載の光起電力装置。
  4. 前記集電極のバスバー部上には、透光性保護膜を設けず、このバスバー部上に接続タブが半田付けされることを特徴とする請求項３に記載の光起電力装置。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7217000B2 (ja) 2019-01-31 2023-02-02 音羽電機工業株式会社 センシングシステム

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009135338A (ja) * 2007-11-30 2009-06-18 Sanyo Electric Co Ltd 太陽電池及び太陽電池の製造方法
TWI446555B (zh) * 2007-12-27 2014-07-21 Ind Tech Res Inst 太陽能電池之背電極模組
WO2010077622A1 (en) * 2008-12-08 2010-07-08 Arizona Board Of Regents, Acting For And On Behalf Of Arizona State University Electrical devices including dendritic metal electrodes
DE102009031302A1 (de) * 2009-06-30 2011-01-05 O-Flexx Technologies Gmbh Verfahren zur Herstellung von thermoelektrischen Schichten
WO2011047186A2 (en) * 2009-10-15 2011-04-21 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for improving photovoltaic efficiency
US9337361B2 (en) * 2010-11-26 2016-05-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Photoelectric conversion device and manufacturing method thereof
WO2013042242A1 (ja) * 2011-09-22 2013-03-28 三洋電機株式会社 太陽電池、太陽電池モジュール及びその製造方法
US20130125968A1 (en) * 2011-11-18 2013-05-23 Sunpreme, Ltd. Low-cost solar cell metallization over tco and methods of their fabrication
JP5710024B2 (ja) * 2011-12-21 2015-04-30 三菱電機株式会社 太陽電池の製造方法
WO2013183148A1 (ja) * 2012-06-07 2013-12-12 三洋電機株式会社 太陽電池、太陽電池モジュール、太陽電池の製造方法及び太陽電池モジュールの製造方法
KR101956734B1 (ko) * 2012-09-19 2019-03-11 엘지전자 주식회사 태양 전지 및 그의 제조 방법
JP2016082006A (ja) * 2014-10-14 2016-05-16 積水化学工業株式会社 太陽電池の製造方法
FR3042645B1 (fr) * 2015-10-16 2019-07-12 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Procede de fabrication d'une cellule photovoltaique a heterojonction
JP6626482B2 (ja) * 2017-08-10 2019-12-25 株式会社東芝 半導体素子およびその製造方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5947777A (ja) 1982-09-10 1984-03-17 Sanyo Electric Co Ltd 太陽エネルギ−変換装置
JPH0677510A (ja) * 1992-08-24 1994-03-18 Canon Inc 光起電力素子
JPH10107308A (ja) 1996-10-01 1998-04-24 Sekisui Chem Co Ltd 太陽電池セルおよび太陽電池モジュール
JP3913306B2 (ja) * 1997-01-21 2007-05-09 キヤノン株式会社 太陽電池モジュール
AU768057B2 (en) * 1999-02-25 2003-11-27 Kaneka Corporation Integrated thin-film solar battery
JP3247876B2 (ja) * 1999-03-09 2002-01-21 日本板硝子株式会社 透明導電膜付きガラス基板
JP4162447B2 (ja) 2001-09-28 2008-10-08 三洋電機株式会社 光起電力素子及び光起電力装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7217000B2 (ja) 2019-01-31 2023-02-02 音羽電機工業株式会社 センシングシステム

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