JP6229707B2 - 発光素子及びその製造方法 - Google Patents
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Description
本発明の実施形態は、このような問題点に鑑みてなされたものであり、光取出し効率を向上させることができる発光素子及び発光素子の製造方法を提供することを課題とする。
本開示の実施形態に係る発光素子の製造方法は、レジストの形状をエッチングのされやすさを考慮した形状に形成しているので、サファイア基板に底面形状が六角形に近い疑似六角錐の凸部を形成することができ、光取り出し効率が向上した発光素子を製造することができる。
第1実施形態に係る発光素子の構成の一例を、図1〜図6Dを参照しながら説明する。
図1に示すように、発光素子1は、サファイア基板10と、バッファ層20と、窒化物半導体からなる半導体積層体30とを備えている。なお、発光素子1は、一例として、n側電極40とp側電極50と、透光性電極60とを備える構成として説明する。
次に発光素子の製造方法について、図7〜図10Cを参照しながら説明する。
はじめに、発光素子の製造方法では、図7に示すように、サファイア基板10を準備してレジスト膜を設ける工程S1を行う。まずサファイア基板10の全面にレジスト膜を形成し、そして、マスクMa(図8参照)を介してレジスト膜を露光することで、サファイア基板10の主面(c面)側に形成する凸部11の数に対応した所定形状を有するレジストRaのレジストパターンを形成する露光工程S2を行う。ついで、露光工程S2で形成した所定形状を有するレジストRa(図8参照)を介してサファイア基板10をドライエッチングしてサファイア基板10のc面上に複数の凸部11を形成する工程S3を行う。さらに、凸部11が形成されたサファイア基板10上にバッファ層20を設ける工程S4を行う。その後、バッファ層20上に半導体層を成長させ半導体積層体30を形成する工程S5を行うことで発光素子1を製造している。
半導体積層体30を設ける工程S5において、サファイア基板10上に凸部11が形成されている場合、前記したように半導体積層体30の転位の数を減少させやすい。さらに、凸部11の側面12が結晶成長抑制面で構成されているため、意図しない結晶の発生を抑制し安定して半導体層を成長させることができる。従って、優れた結晶性を有する半導体積層体30を形成でき、光取り出し効率が向上された発光素子を製造することができる。なお、凸部11の形状及び配置を前記したように構成することで、従来に比較して短時間で転位を収束してサファイア基板10から近い位置において平坦な面となるように結晶成長することができる。また、隣り合う凸部11間に位置する結晶成長面の領域は、幅を一定にすることができるので、半導体層の成長速度を一定にして、良好な結晶性を有する半導体層を得ることが可能となる。
次に、第2実施形態について説明する。なお、第2実施形態は、第1実施形態に比較してマスクの形状、レジストの形状、及び凸部11の配置が異なるのみで、それ以外の既に説明した構成は同じであるため、適宜説明を省略する。なお、図11で示すSA1〜SA3で示す太線は仮想的にa面の方向を表すために記載された線である。
以上説明したような第2実施形態においても、前記した第1実施形態と同様の効果を奏することができる。
10 サファイア基板
11,11B,11C,11D 凸部
12,12B,12C,12D 側面
13,13B,13C,13D 頂点
14,14B,14C,14D 辺
15 頂部
16 中点
20 バッファ層
30 半導体積層体
31 n側半導体層
32 活性層
33 p側半導体層
40 n側電極
50 p側電極
60 透光性電極
C1、C3 外接円
C2、C4 内接円
Ha,Hb 貫通穴
Ma,Mb マスク
Rs 稜線
Ra,Rb レジスト
S1 レジスト膜を設ける工程
S2 露光工程
S3 ドライエッチングする工程
S4 バッファ層の形成工程
S5 半導体積層体の成長工程
SA1 第1のa面
SA2 第2のa面
SA3 第3のa面
SC サファイア結晶
Claims (12)
- c面を主面とするサファイア基板と、活性層を有する窒化物半導体からなり前記サファイア基板の主面側に設けられた半導体積層体と、を備え、
前記サファイア基板は、前記主面に、それぞれが6つの側面を有する疑似六角錐からなる複数の凸部を有し、
前記6つの側面それぞれは、内側に凹んだ湾曲面を有し、
前記凸部の上面視形状は、六角形の6つの頂点間を、当該六角形の中心に向かって湾曲させた曲線と、前記六角形の頂点を通過する曲線とを接続した形状の擬似六角形である発光素子。 - 前記擬似六角形の外接円の直径と内接円の直径との比が1.1以上1.8以下である請求項1に記載の発光素子。
- 前記凸部は、上面視において、前記六角形の辺が、前記サファイア基板のa面に対して平行に配置されている請求項1または請求項2に記載の発光素子。
- 前記複数の凸部は、上面視において、1つの前記凸部の前記六角形の辺と、前記1つの凸部に隣り合う他の前記凸部の前記六角形の辺とが平行に配置される請求項2または請求項3に記載の発光素子。
- 前記複数の凸部の中心は、上面視において、三角格子に配列される請求項1から請求項4のいずれか一項に記載の発光素子。
- 前記サファイア基板の主面上にAlNからなるバッファ層が設けられ、前記バッファ層上に前記半導体積層体が設けられる請求項1から請求項5のいずれか一項に記載の発光素子。
- c面を主面とするサファイア基板を準備し、前記主面上にレジストを設ける工程と、
前記レジストを介して前記サファイア基板をドライエッチングすることでレジストを除去しながら前記主面に複数の凸部を形成する工程と、
前記サファイア基板の主面側に窒化物半導体からなる半導体層を成長させ発光層を有する半導体積層体を設ける工程と、を含み、
前記レジストを設ける工程において、前記レジストの上面視形状を、六角形の6つの辺を前記六角形の中心に向かって湾曲させた曲線と、前記六角形の頂点を通過する曲線とを接続した形状である擬似六角形に形成する発光素子の製造方法。 - 前記レジストを設ける工程において、複数の前記擬似六角形の中心が三角格子に配置されるように形成する請求項7に記載の発光素子の製造方法。
- 前記レジストを設ける工程において、前記擬似六角形を、前記六角形の辺が前記サファイア基板のa面に対して平行になるように配置する請求項7または請求項8に記載の発光素子の製造方法。
- 前記レジストを設ける工程において、前記レジストを、1つの前記凸部の前記六角形の辺と、前記1つの凸部に隣り合う他の前記凸部の前記六角形の辺とが平行になるように配置する請求項7から請求項9のいずれか一項に記載の発光素子の製造方法。
- 前記凸部を形成する工程の後であって前記半導体積層体を設ける工程の前に、前記サファイア基板の主面上にAlNからなるバッファ層を設ける工程を備え、
前記バッファ層上に前記半導体層を成長させる請求項7から請求項10のいずれか一項に記載の発光素子の製造方法。 - 前記レジストを設ける工程において、前記レジストを、上面視において、前記擬似六角形の外接円の直径と内接円の直径との比が1.3以上2.0以下であるように設ける請求項7から請求項11のいずれか一項に記載の発光素子の製造方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015231118A JP6229707B2 (ja) | 2015-11-26 | 2015-11-26 | 発光素子及びその製造方法 |
US15/361,222 US9978903B2 (en) | 2015-11-26 | 2016-11-25 | Light-emitting element and method for producing the same |
US15/957,692 US10134944B2 (en) | 2015-11-26 | 2018-04-19 | Light-emitting element and method for producing the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015231118A JP6229707B2 (ja) | 2015-11-26 | 2015-11-26 | 発光素子及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017098467A JP2017098467A (ja) | 2017-06-01 |
JP6229707B2 true JP6229707B2 (ja) | 2017-11-15 |
Family
ID=58778169
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015231118A Active JP6229707B2 (ja) | 2015-11-26 | 2015-11-26 | 発光素子及びその製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US9978903B2 (ja) |
JP (1) | JP6229707B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102018004023A1 (de) | 2017-05-17 | 2018-11-22 | AGC Inc. | Verfahren zur herstellung eines mit einer gedruckten schicht versehenen basiselements und mit gedruckter schicht versehenes basiselement |
JP6863835B2 (ja) | 2017-06-26 | 2021-04-21 | 日機装株式会社 | 半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法 |
TWI757331B (zh) * | 2017-08-31 | 2022-03-11 | 晶元光電股份有限公司 | 半導體元件及其製造方法 |
CN112820806B (zh) * | 2020-12-25 | 2022-12-20 | 福建晶安光电有限公司 | 一种图形衬底及其制作方法以及led结构及其制作方法 |
CN115775855B (zh) * | 2021-09-06 | 2023-11-17 | 淮安澳洋顺昌光电技术有限公司 | 图形化复合衬底及发光元件 |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6015979A (en) * | 1997-08-29 | 2000-01-18 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Nitride-based semiconductor element and method for manufacturing the same |
WO2002103813A1 (fr) | 2001-06-15 | 2002-12-27 | Nichia Corporation | Element emetteur de lumiere a semi-conducteur au nitrure, et dispositif emetteur de lumiere utilisant cet element |
JP5800452B2 (ja) * | 2001-07-24 | 2015-10-28 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体発光素子 |
JP2003218395A (ja) * | 2002-01-18 | 2003-07-31 | Sony Corp | 半導体発光素子、半導体レーザ素子及びこれを用いた発光装置 |
JP2005064492A (ja) | 2003-07-28 | 2005-03-10 | Kyocera Corp | 単結晶サファイア基板とその製造方法及び半導体発光素子 |
EP3166152B1 (en) * | 2003-08-19 | 2020-04-15 | Nichia Corporation | Semiconductor light emitting diode and method of manufacturing its substrate |
US20080121903A1 (en) * | 2006-11-24 | 2008-05-29 | Sony Corporation | Method for manufacturing light-emitting diode, light-emitting diode, lightsource cell unit, light-emitting diode backlight, light-emitting diode illuminating device, light-emitting diode display, and electronic apparatus |
JP5082752B2 (ja) * | 2006-12-21 | 2012-11-28 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体発光素子用基板の製造方法及びそれを用いた半導体発光素子 |
CN101939820B (zh) * | 2008-02-15 | 2012-02-08 | 三菱化学株式会社 | 外延生长用基板、GaN类半导体膜的制造方法、GaN类半导体膜、GaN类半导体发光元件的制造方法以及GaN类半导体发光元件 |
JP5311408B2 (ja) | 2008-12-26 | 2013-10-09 | シャープ株式会社 | 窒化物半導体発光素子 |
WO2010150809A1 (ja) * | 2009-06-24 | 2010-12-29 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物半導体発光ダイオード |
JP2011009382A (ja) | 2009-06-24 | 2011-01-13 | Rohm Co Ltd | 半導体発光素子 |
JP2011129718A (ja) | 2009-12-17 | 2011-06-30 | Showa Denko Kk | 基板、テンプレート基板、半導体発光素子、半導体発光素子の製造方法、半導体発光素子を用いた照明装置および電子機器 |
TW201334218A (zh) * | 2012-02-14 | 2013-08-16 | Lextar Electronics Corp | 發光半導體之圖案化基材及其製造方法 |
KR101881064B1 (ko) * | 2012-03-05 | 2018-07-24 | 삼성전자주식회사 | 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
US9614136B2 (en) | 2012-04-02 | 2017-04-04 | Asahi Kasei Kabushiki Kaisha | Optical substrate, semiconductor light-emitting element and method of manufacturing semiconductor light-emitting element |
US9660141B2 (en) | 2013-05-31 | 2017-05-23 | Asahi Kasei E-Materials Corporation | Pattern wafer for LEDs, epitaxial wafer for LEDs and method of manufacturing the epitaxial wafer for LEDs |
-
2015
- 2015-11-26 JP JP2015231118A patent/JP6229707B2/ja active Active
-
2016
- 2016-11-25 US US15/361,222 patent/US9978903B2/en active Active
-
2018
- 2018-04-19 US US15/957,692 patent/US10134944B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20180240934A1 (en) | 2018-08-23 |
US20170155014A1 (en) | 2017-06-01 |
JP2017098467A (ja) | 2017-06-01 |
US10134944B2 (en) | 2018-11-20 |
US9978903B2 (en) | 2018-05-22 |
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Legal Events
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---|---|---|---|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20170913 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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