CN115775855B - 图形化复合衬底及发光元件 - Google Patents

Abstract

本发明涉及半导体技术领域，尤其是涉及一种图形化复合衬底及发光元件。图形化复合衬底，包括衬底本体和凸起于衬底本体上表面的周期性复合结构，所述复合结构包括堆叠设置的类多棱台和类多棱锥，所述复合结构的占空比F满足0.80＜F≤0.985。本发明的图形化复合衬底，通过图形化设置，增大图形的占空比，尤其是类多棱锥部分的侧面积大幅增加，可显著增加LED内部光的反射面积，进一步提高LED器件的出光效率等；并且兼顾保证可工艺性及降低间距区域，有利于实现更好的侧向外延效果，降低外延层如GaN材料的位错密度，提高晶体质量。

Description

图形化复合衬底及发光元件

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其是涉及一种图形化复合衬底及发光元件。

背景技术

氮化镓(GaN)作为第三代半导体，是国内外研究的热点，蓝宝石作为异质外延GaN的衬底材料，具有良好的物理性质和化学性质，且生产技术成熟，是目前异质外延GaN应用最广泛的材料之一。

然而，由于GaN与蓝宝石存在较大的晶格失配与热失配，使得蓝宝石衬底上生长的GaN位错与缺陷密度大，最终对LED芯片的发光效率与寿命造成不良影响。

有鉴于此，特提出本发明。

发明内容

本发明的第一目的在于提供图形化复合衬底，以解决现有技术中存在的出光效率低和外延晶体质量较差等的技术问题。

本发明的第二目的在于提供发光元件。

为了实现本发明的上述目的，特采用以下技术方案：

图形化复合衬底，包括衬底本体和凸起于衬底本体上表面的周期性复合结构，所述复合结构包括堆叠设置的类多棱台和类多棱锥；相邻所述复合结构的占空比F满足0.80＜F≤0.985。

在本发明的具体实施方式中，所述类多棱台与所述类多棱锥的材质不同；所述类多棱台的材质为蓝宝石、Si或SiC；所述类多棱锥的材质为SiO₂、TiO₂、Si₃N₄、SiC、ZnO、GaAs、Ga₂O₃和GaN材料中的任一种或多种。进一步的，所述衬底本体的材质与所述类多棱台材质相同。所述衬底本体与所述类多棱台为一体结构。

在本发明的具体实施方式中，所述周期性复合结构的周期P满足1.5μm＜P≤5.0μm。

在本发明的具体实施方式中，沿平行于所述衬底本体上表面方向的所述复合结构的横截面为类多边形。进一步的，所述类多边形为类正多边形。

在本发明的具体实施方式中，在沿俯视方向透视时，所述复合结构中，所述类多棱台的底面边缘和所述类多棱锥的底面边缘分别形成第一类多边形和第二类多边形。进一步的，所述第一类多边形和所述第二类多边形均为类正多边形。

在本发明的具体实施方式中，所述第一类多边形的每一条边包括第一弧部C1和第一连结部M1；所述第二类多边形的每一条边包括第二弧部C2和第二连结部M2；所述第一弧部C1和所述第二弧部C2均向远离中心的方向凸出。

在本发明的具体实施方式中，所述第一弧部C1的曲率半径ρ1和所述第二弧部C2的曲率半径ρ2满足ρ1＞ρ2＞0。

在本发明的具体实施方式中，所述第一弧部C1的曲率半径ρ1满足：(L1-R1)/2＜ρ1＜R1，其中，R1为所述第一类多边形的内切圆半径，L1为所述第一类多边形的外接圆半径。

在本发明的具体实施方式中，所述第二弧部C2的曲率半径ρ2满足：(L2-R2)/2＜ρ2＜R2，其中，R2为所述第二类多边形的内切圆半径，L2为所述第二类多边形的外接圆半径。

在本发明的具体实施方式中，一个复合结构的第一类多边形和第二类多边形中，相邻设置的所述第一连结部M1与所述第二连结部M2之间的距离小于相邻设置的所述第一弧部C1与所述第二弧部C2之间的最大距离。

在本发明的具体实施方式中，相邻的所述复合结构具有近似平行的底面边缘。

在本发明的具体实施方式中，所述类多棱台包括一顶部、一底部及一倾斜侧壁，所述倾斜侧壁与所述底部的夹角θ满足45°≤θ＜90°，所述类多棱台的高度h1满足0＜h1≤500nm；所述类多棱锥的高度h2满足500nm≤h2≤2500nm。

在本发明的具体实施方式中，所述类多棱锥包括一顶部、一底部及一倾斜侧壁，所述倾斜侧壁的剖面包含一向外凸起的弧部，且所述弧部具有一弦部，所述弧部与所述弦部之间的最大距离R为80nm～400nm。

本发明还提供了发光元件，其包括上述任意一种所述图形化复合衬底和在所述图形化复合衬底外延上的发光层，该发光层包含第一半导体层、多量子阱层以及第二半导体层。

与现有技术相比，本发明的有益效果为：

(1)本发明的图形化复合衬底，通过图形化设置，增大图形的占空比，尤其是类多棱锥部分的侧面积大幅增加，可显著增加LED内部光的反射面积，进一步提高LED器件的出光效率等；

(2)本发明的图形化复合衬底，兼顾保证可工艺性及降低间距区域，有利于实现更好的侧向外延效果，降低外延层如GaN材料的位错密度，提高晶体质量。

附图说明

为了更清楚地说明本发明具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明实施例1提供的图形化复合衬底的结构示意图；

图2为本发明实施例1提供的图形化复合衬底的俯视示意图；

图3为本发明实施例1提供的图形化复合衬底的第一类六边形和第二类六边形的结构示意图；

图4为本发明实施例1提供的图形化复合衬底的沿中心轴的垂直剖面的结构示意图；

图5为本发明实施例1提供的图形化复合衬底的实物SEM俯视图；

图6为本发明实施例1提供的图形化复合衬底的实物SEM侧视图；

图7为本发明实施例2提供的图形化复合衬底在沿俯视方向的结构示意图；

图8为本发明实施例2提供的图形化复合衬底的第一类正方形和第二类正方形的结构示意图；

图9为比较例1的图形化复合衬底的结构示意图；

图10为比较例1的图形化复合衬底的实物SEM俯视图(a)和侧视图(b)；

图11为本发明实施例提供的图形化复合衬底LED芯片与常规图形化复合衬底衬底LED芯片的光通量曲线比较。

附图标记：

1-衬底本体； 2-复合结构； 21-类多棱台；

22-类多棱锥； 23-第一类多边形； 24-第二类多边形；

25弧部； 26-弦部。

具体实施方式

下面将结合附图和具体实施方式对本发明的技术方案进行清楚、完整地描述，但是本领域技术人员将会理解，下列所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例，仅用于说明本发明，而不应视为限制本发明的范围。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。实施例中未注明具体条件者，按照常规条件或制造商建议的条件进行。所用试剂或仪器未注明生产厂商者，均为可以通过市售购买获得的常规产品。

在本发明的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。

本发明提供了一种发光元件，包括图形化复合衬底和在所述图形化复合衬底上的发光层。

在实际操作中，所述发光元件可以为采用现有外延生长技术得到的外延层。

如在一种实施方式中，所述外延层可以为GaN外延层，如可包括依次排列设置的图形化复合衬底、N型GaN层、量子阱层和P型GaN层。

图1为本发明实施例提供的图形化复合衬底的结构示意图；图2为本发明实施例提供的图形化复合衬底的俯视示意图；图3为本发明实施例提供的图形化复合衬底的第一类六边形和第二类六边形的结构示意图；图4为本发明实施例提供的图形化复合衬底的沿中心轴的垂直剖面的结构示意图。如图1～图4所示，本实施例的图形化复合衬底，包括衬底本体1和凸起于所述衬底本体1上表面的周期性复合结构2。所述复合结构2包括堆叠设置的类多棱台21和类多棱锥22，所述类多棱锥22设置于所述类多棱台21上。所述类多棱台21和所述类多棱锥22的材质不同。所述类多棱台的材质可以为蓝宝石、Si或SiC；所述类多棱锥的材质可以为SiO₂、TiO₂、Si₃N₄、SiC、ZnO、GaAs、Ga₂O₃和GaN材料中的任一种或多种。所述周期性复合结构2的周期P满足1.5μm＜P≤5.0μm，所述复合结构2的占空比F满足0.80＜F≤0.985。其中，占空比F是指周期性复合结构的投影面积与衬底本体的面积比，主要是表示图形覆盖率。

如在不同实施方式中，所述复合结构2的占空比F可以为0.81、0.83、0.85、0.88、0.90、0.91、0.92、0.93、0.94、0.95、0.96、0.97、0.98等等。

如在不同实施方式中，所述周期性复合结构2的周期P可以为1.55μm、1.6μm、1.8μm、2μm、2.5μm、3μm、3.5μm、4μm、4.5μm、5μm等等。

进一步的，所述类多棱台21的材质为蓝宝石，所述类多棱锥22的材质为SiO₂。所述衬底本体1的材质为蓝宝石。所述衬底本体1与所述类多棱台21为一体结构。

进一步的，所述复合结构2在所述衬底本体1的表面可按照二维正方格子方式、二维六角密堆方式周期性排列。

进一步的，所述类多棱台21可以为类四棱台、类六棱台、类八棱台等等；所述类多棱锥22可以为类四棱锥、类六棱锥、类八棱锥等等。

进一步的，所述类多棱台21的各个棱与所述类多棱锥22的各个棱分别共面。

进一步的，沿平行于所述衬底本体1上表面方向的所述复合结构2的横截面为类多边形，进一步为类正多边形。如可以为类正方形、类正六边形、类正八边形等等。进一步的，沿平行于所述衬底本体1上表面方向的所述复合结构2的横截面自所述复合结构2的底部向顶部方向逐渐减小。

进一步的，在沿俯视方向透视时，所述复合结构2中，所述类多棱台21和所述类多棱锥22的底面边缘分别形成第一类多边形23和第二类多边形24。进一步的，所述第一类多边形23和所述第二类多边形24均为类正多边形，如可以为类正方形、类正六边形、类正八边形等等。

进一步的，所述第一类多边形23的每一条边包括第一弧部C1和第一连结部M1；所述第二类多边形24的每一条边包括第二弧部C2和第二连结部M2；所述第一弧部C1和所述第二弧部C2均向远离中心的方向凸出。

以第一类多边形23为类六边形为例进行说明，第一类多边形23包括六条边，每条边包括第一弧部C1和第一连结部M1，六条边的各个第一弧部C1之间由各个第一连结部M1连接，进而使六条边之间相互连接围合形成类六边形。第二类多边形24及其余边数的类多边形同理。

进一步的，所述第一弧部C1的曲率半径ρ1和所述第二弧部C2的曲率半径ρ2满足ρ1＞ρ2＞0。

进一步的，所述第一弧部C1的曲率半径ρ1满足：(L1-R1)/2＜ρ1＜R1，其中，R1为所述第一类多边形的内切圆半径，L1为所述第一类多边形的外接圆半径。

进一步的，所述第二弧部C2的曲率半径ρ2满足：(L2-R2)/2＜ρ2＜R2，其中，R2为所述第二类多边形的内切圆半径，L2为所述第二类多边形的外接圆半径。

进一步的，所述R1和L1分别满足：0.45P≤R1≤0.49P；R1＜L1＜1.154R1，其中P为所述复合结构的周期。

进一步的，所述R2和L2分别满足：0.67R1＜R2＜R1；R2＜L2＜1.154R2。

进一步的，所述类多棱台21包括一顶部、一底部及一倾斜侧壁，所述倾斜侧壁与所述底部的夹角θ满足45°≤θ＜90°。所述类多棱台21的高度h1满足0＜h1≤500nm。如在不同实施方式中，所述夹角θ可以为45°、50°、55°、60°、65°、70°、75°、80°、85°、89°等等。

进一步的，所述类多棱锥22包括一顶部、一底部及一倾斜侧壁，所述倾斜侧壁的沿垂直方向的剖面包含一向外凸起的弧部25，且所述弧部具有一弦部26，所述弧部25与所述弦部26之间的最大距离R为80nm～400nm。所述类多棱锥22的高度h2满足500nm≤h2≤2500nm。

进一步的，所述图形化复合衬底的占空比F为0.85～0.98。

进一步的，一个复合结构的第一类多边形和第二类多边形中，相邻设置的所述第一连结部M1与所述第二连结部M2之间的距离小于相邻设置的所述第一弧部C1与所述第二弧部C2之间的最大距离。

相邻的所述复合结构具有近似平行的底面边缘。

在实际操作中，所述图形化复合衬底的各结构参数可采用常规工艺实现。

实施例1

本实施例提供了一种图形化复合衬底，其结构参考图1～图4。所述图形化复合衬底包括衬底本体1和凸起于所述衬底本体1上表面的周期性复合结构2。所述复合结构2包括堆叠设置的类多棱台21和类多棱锥22，所述类多棱锥22设置于所述类多棱台21上。所述衬底本体1为蓝宝石衬底，所述类多棱台21为蓝宝石材质，所述类多棱锥22为SiO₂材质。

在本实施例中，所述类多棱台21为类六棱台，所述类多棱锥22为类六棱锥。如图2所示，在沿俯视方向透视时，所述复合结构2在所述衬底本体1的表面按照二维六角密堆方式周期性排列。复合结构的周期P为3.00μm±0.05μm，所述复合结构2的占空比F为0.94±0.02。

所述复合结构2中，所述类六棱台的底面边缘和所述类六棱锥的底面边缘分别形成第一类六边形23和第二类六边形24。

具体地，如图3所示，所述第一类六边形23的每一条边包括第一弧部C1和第一连结部M1；所述第二类六边形24的每一条边包括第二弧部C2和第二连结部M2；所述第一弧部C1和所述第二弧部C2均向远离中心的方向凸出。

所述第一类六边形的内切圆半径R1为1.42μm±0.05μm，所述第一类六边形的外接圆半径L1为1.63μm±0.05μm；所述第二类六边形的内切圆半径R2为1.32μm±0.10μm，所述第二类六边形的外接圆半径L2为1.54μm±0.10μm。

所述第一弧部C1的曲率半径ρ1为1.35μm±0.05μm，满足：(L1-R1)/2＜ρ1＜R1；所述第二弧部C2的曲率半径ρ2为1.27μm±0.05μm，满足：(L2-R2)/2＜ρ2＜R2。

所述类多棱台21包括一顶部、一底部及一倾斜侧壁，所述倾斜侧壁与所述底部的夹角θ为62°±5°。所述类多棱锥22包括一顶部、一底部及一倾斜侧壁，所述倾斜侧壁的剖面包含一向外凸起的弧部，且该弧部具有一弦部，所述弧部与所述弦部之间的最大距离R为160nm±20nm。所述类多棱锥22的高度h2为1.80μm±0.05μm。

复合结构的宽度为类六棱台下表面的宽度，进一步的，如图3所示的复合衬底俯视图，复合结构的最大宽度为第一类六边形的对角线的宽度，即第一弧部C1’与C1”之间的最大宽度D1；复合结构的最小宽度为第一类六边形的对边的宽度，即相对设置的第一连结部M1’与M1”之间的最小宽度d1。其中，复合结构的最大宽度D1为2.8μm～3.1μm，最小宽度d1为2.7μm～2.9μm。复合结构的底宽可以根据实际需要适当的调整，如D1可以为2.8μm、2.9μm、3.0μm、3.1μm等等；d1可以为2.7μm、2.8μm、2.9μm等等。

由于类六棱台的上表面与类六棱锥的底表面重合，因此类六棱台上表面的宽度与位于其上的类六棱锥体的宽度相同，即为类六棱台上表面的和类六棱锥的最大宽度为第二类六边形的对角线宽度，即第二弧度C2’与C2”之间的最大宽度D2；类六棱台上表面的和类六棱锥的最小宽度为第二类六边形对边的宽度，即相对设置的第二连结部M2’与M2”之间的最小宽度d2。其中，D2为2.7μm～2.9μm，d2为2.4μm～2.85μm，进一步地，D2可以为2.7μm、2.8μm、2.9μm等等，d2可以为2.4μm、2.5μm、2.6μm、2.7μm、2.8μm等等。

一个复合结构2中相邻设置的所述第一连结部M1与所述第二连结部M2之间的距离小于相邻设置的所述第一弧部C1与所述第二弧部C2之间的最大距离。

本实施例还提供了上述图形化复合衬底的制备方法，包括如下步骤：

(a)提供一蓝宝石平片衬底；

(b)在所述蓝宝石基板上形成SiO₂薄膜层，SiO₂薄膜厚度为2.05μm±0.05μm；

(c)利用步进式光刻技术，在所述二氧化硅薄膜层上形成周期为3.00μm±0.05μm的掩膜图形结构；

(d)利用等离子体干法刻蚀技术，采用三氟甲烷气体，在衬底表面蚀刻出凸起状周期性复合结构。

图5和图6分别为本实施例制得的图形化复合衬底的实物SEM俯视图和侧视图。

在实施例1的变形实施方式中，部分结构参数不同，具体如下：

所述复合结构2的占空比F约为0.92；所述第一类六边形的内切圆半径R1为1.40μm±0.05μm，所述第一类六边形的外接圆半径L1为1.52μm±0.05μm；所述第二类六边形的内切圆半径R2为1.26μm±0.10μm，所述第二类六边形的外接圆半径L2为1.37μm±0.10μm。所述第一弧部C1的曲率半径ρ1为1.27μm±0.05μm，满足：(L1-R1)/2＜ρ1＜R1；所述第二弧部C2的曲率半径ρ2为1.15μm±0.05μm，满足：(L2-R2)/2＜ρ2＜R2。所述夹角θ为58°±5°。

实施例2

本实施例参考实施例1的第一种实施方式，区别在于：所述类多棱台21为类正四棱台，所述类多棱锥22为类正四棱锥。所述复合结构2在所述衬底本体1的表面按照二维正方格子方式周期性排列。所述复合结构2的周期P为3.00μm±0.05μm，所述复合结构2的占空比F为0.93±0.02。

图7为本实施例提供的图形化复合衬底在沿俯视方向的结构示意图。在沿俯视方向透视时，所述复合结构2中，所述类四棱台的底面边缘和所述类四棱锥的底面边缘分别形成第一类正方形和第二类正方形。结合图8所示，所述第一类正方形的每一条边包括第一弧部C1和第一连结部M1；所述第二类正方形的每一条边包括第二弧部C2和第二连结部M2；所述第一弧部C1和所述第二弧部C2均向远离中心的方向凸出。

所述第一类正方形的内切圆半径R1为1.42μm±0.05μm，所述第一类正方形的外接圆半径L1为2.00μm±0.05μm；所述第二类正方形的内切圆半径R2为1.33μm±0.10μm，所述第二类正方形的外接圆半径L2为1.85μm±0.10μm。

所述第一弧部C1的曲率半径ρ1为1.25μm±0.05μm，满足：(L1-R1)/2＜ρ1＜R1；所述第二弧部C2的曲率半径ρ2为1.21μm±0.05μm，满足：(L2-R2)/2＜ρ2＜R2。

实施例3

本实施例提供了LED外延片，由依次排列的图形化复合衬底、N型GaN层、量子阱层和P型GaN层组成。所述图形化复合衬底的结构参数参考实施例1中的第一种实施方式。

比较例1

比较例1提供了一种图形化复合衬底，参考实施例1的图形化复合衬底的第一种实施方式，区别在于：比较例1的复合结构与实施例1的复合结构不同，具体参考图9。

比较例1的复合结构包括堆叠设置的圆台和圆锥，所述圆锥设置于所述圆台上。在沿俯视方向透视时，所述复合结构中的圆台的底面边缘和圆锥的底面边缘分别形成第一圆形和第二圆形，第一圆形的半径与实施例1中的第一类多边形的内切圆半径一致，第二圆形的半径与实施例1中的第二类多边形的内切圆半径一致。

复合结构中，圆台的高度和圆锥的高度分别与实施例1中(第一种实施方式)的类多棱台高度和类多棱锥高度基本一致。

图10为比较例1的图形化复合衬底的实物SEM俯视图(a)和侧视图(b)。

实验例1

对实施例1(第一种实施方式)和比较例1的图形化复合衬底的图形占空比进行测算，本发明实施例1的图形化复合衬底的图形占空比相较于比较例1提高了10％以上，大大增加LED内部光的反射面积，从而进一步提高LED器件的出光效率。

为了进一步对比说明不同衬底的差别，将尺寸规格相同的比较例1的图形化复合衬底和本发明实施例1(第一种实施方式)的图形化复合衬底在完全相同的外延生长条件下，在MOCVD设备中共锅生长出完全相同的LED外延层结构(生长条件等采用现有常规技术)，进行XRD测试后，利用常规的半导体工艺，制作成结构完全相同的LED芯片，并对两个LED芯片在相同测试条件下进行光通量测试。

如图11所示，采用本发明实施例1(第一种实施方式)的图形化复合衬底得到的LED芯片的光功率相对于比较例1(常规)的图形化复合衬底得到的LED芯片有较大的提升。根据两种4英寸衬底上不同波段GaN基LED芯片的光功率数据对比，本实施例图形化复合衬底上LED芯片光通量相对常规复合衬底的LED芯片提升3％～8％。

最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。

Claims (7)

1.图形化复合衬底，其特征在于，包括衬底本体和凸起于衬底本体上表面的周期性复合结构，所述复合结构包括堆叠设置的类多棱台和类多棱锥；所述复合结构的占空比F满足0.80＜F≤0.985；

所述类多棱台与所述类多棱锥的材质不同；

在沿俯视方向透视时，所述复合结构中，所述类多棱台的底面边缘和所述类多棱锥的底面边缘分别形成第一类多边形和第二类多边形；

所述第一类多边形的每一条边包括第一弧部C1和第一连结部M1；所述第二类多边形的每一条边包括第二弧部C2和第二连结部M2；所述第一弧部C1和所述第二弧部C2均向远离中心的方向凸出；

所述第一弧部C1的曲率半径ρ1满足：（L1-R1）/2＜ρ1＜R1，其中，R1为所述第一类多边形的内切圆半径，L1为所述第一类多边形的外接圆半径；

所述第二弧部C2的曲率半径ρ2满足：（L2-R2）/2＜ρ2＜R2，其中，R2为所述第二类多边形的内切圆半径，L2为所述第二类多边形的外接圆半径。

2.根据权利要求1所述的图形化复合衬底，其特征在于，所述类多棱台的材质为蓝宝石、Si或SiC；所述类多棱锥的材质为SiO₂、TiO₂、Si₃N₄、SiC、ZnO、GaAs、Ga₂O₃和GaN材料中的任一种或多种。

3.根据权利要求1所述的图形化复合衬底，其特征在于，所述周期性复合结构的周期P满足1.5μm＜P≤5.0μm。

4.根据权利要求1所述的图形化复合衬底，其特征在于，所述第一弧部C1的曲率半径ρ1和所述第二弧部C2的曲率半径ρ2满足ρ1＞ρ2＞0。

5.根据权利要求1所述的图形化复合衬底，其特征在于，相邻设置的所述第一连结部M1与所述第二连结部M2之间的距离小于相邻设置的所述第一弧部C1与所述第二弧部C2之间的最大距离。

6.根据权利要求1所述的图形化复合衬底，其特征在于，所述类多棱锥包括一顶部、一底部及一倾斜侧壁，所述倾斜侧壁的剖面包含一向外凸起的弧部，且所述弧部具有一弦部，所述弧部与所述弦部之间的最大距离R为80nm~400nm。

7.一种发光元件，其特征在于，包括权利要求1-6任一项所述的图形化复合衬底和形成于所述图形化复合衬底上的发光层，所述发光层包含第一半导体层、多量子阱层以及第二半导体层。