CN117832352A - 图形化衬底、外延片及制备方法、倒装发光二极管 - Google Patents
图形化衬底、外延片及制备方法、倒装发光二极管 Download PDFInfo
- Publication number
- CN117832352A CN117832352A CN202311866145.5A CN202311866145A CN117832352A CN 117832352 A CN117832352 A CN 117832352A CN 202311866145 A CN202311866145 A CN 202311866145A CN 117832352 A CN117832352 A CN 117832352A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- substrate
- patterned
- heterogeneous
- composite structure
- groove
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 152
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title abstract description 5
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims abstract description 76
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 113
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 48
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 23
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 claims description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 7
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910020177 SiOF Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 6
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 13
- 238000000059 patterning Methods 0.000 abstract description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 10
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 5
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 4
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 2
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 description 1
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 description 1
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
Abstract
本申请公开了图形化衬底、外延片及制备方法、倒装发光二极管，涉及半导体制造技术领域。图形化衬底包括衬底基板和异质复合结构，衬底基板设置有图形化凹槽，异质复合结构设置于图形化凹槽内并延伸至凸出于图形化凹槽外；其中，异质复合结构凸出于图形化凹槽外的表面形成第一坡面，第一坡面使自衬底基板设置有图形化凹槽的一侧表面向背离衬底基板的方向延伸。本申请能提高发光二极管的外量子效率。
Description
技术领域
本申请涉及半导体制造技术领域，具体而言涉及图形化衬底、外延片及制备方法、倒装发光二极管。
背景技术
图形化衬底，特别是纳米级图形化衬底(NPSS)，作为发光二极管的重要组成部分，其用于供外延层生长，因此图形化衬底的结构与外延层的晶体质量相关。传统的图形化衬底一般分为外凸型图形化衬底和凹坑型图形化衬底。
外凸型图形化衬底包括衬底基板和复合结构，该复合结构与衬底基板一体成型且凸出设置于衬底基板的表面。传统的外凸型图形化衬底在供外延层生长时，外延层中会形成较高密度的位错缺陷，如此导致发光二极管的内量子效应降低。
伴随着产业的发展，消费端对发光二极管的外量子效应的需求越来越高，发光二极管的外量子效应的提高需要依靠内量子效应的提高及光提取效率的提高而改善。因此，如何提高发光二极管的外量子效应仍是本领域技术人员急需解决的技术问题。
发明内容
有鉴于此，为解决上述技术问题，本申请提供图形化衬底、外延片及制备方法、倒装发光二极管。
为实现上述目的，本申请采用的其中一个技术方案提供了一种图形化衬底，该图形化衬底包括衬底基板和异质复合结构，衬底基板设置有图形化凹槽，异质复合结构设置于图形化凹槽内并延伸至凸出于图形化凹槽外；
其中，异质复合结构凸出于图形化凹槽外的表面形成第一坡面，第一坡面使自衬底基板设置有图形化凹槽的一侧表面向背离衬底基板的方向延伸。
为了解决上述技术问题，本申请采用的另一个技术方案是提供了一种外延片，该外延片包括图形化衬底和外延层；图形化衬底包括衬底基板和异质复合结构，衬底基板设置有图形化凹槽，异质复合结构包括设置于图形化凹槽内并延伸至凸出于图形化凹槽外；外延层形成于衬底基板上且覆盖第二异质部；
其中，异质复合结构凸出于图形化凹槽外的表面形成第一坡面，第一坡面使自衬底基板设置有图形化凹槽的一侧表面向背离衬底基板的方向延伸。
为了解决上述技术问题，本申请采用的另一个技术方案是提供了一种图形化衬底的制备方法，该制备方法包括：
在衬底基板上形成刻蚀保护层，刻蚀保护层设置有刻蚀定位孔；
通过刻蚀定位孔对衬底基板进行刻蚀，以形成图形化凹槽；
在图形化凹槽形成后进行第一步骤或第二步骤；
第一步骤包括：在保留刻蚀保护层的前提下通过沉积及刻蚀的方式形成异质复合结构设置于图形化凹槽内的部分；去除刻蚀保护层，并在衬底基板上生长外延层；生长外延层包括控制外延层的厚度方向生长速率与横向生长速率之比，以在外延层与衬底基板之间形成异质复合结构延伸至凸出于图形化凹槽外的空气腔部分；
第二步骤包括：在保留刻蚀保护层的前提下通过沉积及刻蚀的方式形成设置于图形化凹槽内并延伸至凸出于图形化凹槽外的异质复合结构；去除刻蚀保护层，并在衬底基板上形成覆盖异质复合结构的外延层。
为了解决上述技术问题，本申请采用的另一个技术方案是提供了一种倒装发光二极管，该倒装发光二极管包括上述的外延片。
有益效果：区别于现有技术，本申请中，利用异质复合结构凸出于图形化凹槽外的表面不会供外延层的材料成核的特性，使外延层的横向生长沿着异质复合结构凸出于图形化凹槽外的表面进行，进而使外延层在第二异质部的顶部合并。如此分布于异质复合结构凸出于图形化凹槽外的表面上且关于衬底基板的厚度方向对置的两侧的外延层，在异质复合结构的顶部合并时，晶格会更接近，由此能够抑制外延层中位错缺陷的产生，从而能够提高对应的发光二极管的内量子效率，进而实现对应的发光二极管的外量子效应的提高。
附图说明
图1是传统的外凸型图形化衬底的剖面结构示意图；
图2是传统的外凸型图形化衬底的俯视视角的结构示意图；
图3是传统的凹坑型图形化衬底的剖面结构示意图；
图4是传统的凹坑型图形化衬底的俯视视角的结构示意图；
图5是本申请的外延片的剖面结构示意图；
图6是本申请的外延片的图形化衬底的剖面结构示意图；
图7是本申请的外延片的图形化衬底的俯视视角的结构示意图；
图8是图6的尺寸标注示意图；
图9a是本申请的外延片的一实施方式中异质复合结构的结构示意图；
图9b是本申请的外延片的另一实施方式中异质复合结构的结构示意图；
图9c是本申请的外延片的再一实施方式中异质复合结构的结构示意图；
图10a是本申请的外延片的一实施方式中第二异质部的俯视示意图；
图10b是本申请的外延片的另一实施方式中第二异质部的俯视示意图；
图10c是本申请的外延片的再一实施方式中第二异质部的俯视示意图；
图11-图16是本申请的外延片在制造过程中各阶段的结构示意图；
图17是本申请的倒装发光二极管的结构示意图。
附图标记说明：
100-外凸型图形化衬底；110-衬底基板；120-复合结构；200-凹坑型图形化衬底；210-衬底基板；201-凹坑；
20-倒装发光二极管；10-外延片；300-图形化衬底；400-外延层；410-第一半导体层；420-发光层；430-第二半导体层；500-刻蚀保护层；510-刻蚀定位孔；600-绝缘反射层；710-第一接触电极；720-第二接触电极；810-第一焊盘电极；820-第二焊盘电极；H-厚度方向；X-横向；
310-衬底基板；311-图形化凹槽；312-图形化凹槽的底壁；320-异质复合结构；321-第一异质部；322-第二异质部；323-第一坡面；α-第一坡角；S1-第一面积；S2-第二面积。
具体实施方式
为使本领域的技术人员更好地理解本申请的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本申请做进一步详细描述。显然，所描述的实施方式仅仅是本申请的一部分实施方式，而不是全部的实施方式。基于本申请中的实施方式，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式，均属于本申请保护的范围。
参阅图1-图4，传统的图形化衬底一般分为外凸型图形化衬100和凹坑型图形化衬底200。
如图1和图2所示，外凸型图形化衬底100包括衬底基板110和复合结构120，该复合结构120与衬底基板110一体成型且凸出设置于衬底基板110的表面。传统的外凸型图形化衬底100在供外延层(图1未示出)生长时，外延层的材料容易在复合结构120凸出于衬底基板110表面部分的侧壁上成核和生长形成晶粒，如此会导致复合结构120凸出于衬底基板110表面部分的不同侧壁上晶格的匹配差异，从而成核岛之间难于合并，进而外延层中会形成较高密度的位错缺陷，导致发光二极管的内量子效应降低。
如图3和图4所示，凹坑型图形化衬底200包括衬底基板210及设置于衬底基板210上的凹坑201。凹坑型图形化衬底200在供外延层(图2未示出)生长时，虽然能够在一定程度上提高外延层的品质，但是外延层中容易形成空气腔。在采用倒装结构的发光二极管中，发光二极管原本向外出射的光容易在空气腔与外延层之间的分界面处发生全反射，如此导致发光二极管的光提取效率降低。且相邻的两个凹坑201之间的外延层在横向生长时会产生不规则的向上延伸位错。此外，凹坑201顶部的外延层在合并时由于两侧晶格的匹配差异，会导致新的位错产生，极大的影响了外延层的品质。
因此，如何提高发光二极管的外量子效应仍是本领域技术人员急需解决的技术问题。为了解决上述问题，本申请的发明人经过研究，提出了以下实施例。
参阅图5-图7，本申请的外延片10包括图形化衬底300和外延层400。图形化衬底300包括衬底基板310和异质复合结构320。衬底基板310设置有图形化凹槽311。异质复合结构320设置于图形化凹槽311内并延伸至凸出于图形化凹槽311外。
其中，异质复合结构320凸出于图形化凹槽311外的表面形成第一坡面323，第一坡面323使自衬底基板310设置有图形化凹槽311的一侧表面向背离衬底基板310的方向延伸。
应当理解的是本申请中的异质复合结构320是指采用异质材料制备而成的部分，其中，异质材料异于衬底基板310的材料且异于外延层400的材料。即图形化衬底300在供外延层400生长时，外延层400的材料不会在异质复合结构320凸出于图形化凹槽311外的表面成核。
通过上述方式，利用异质复合结构320凸出于图形化凹槽311外的表面不会供外延层400的材料成核的特性，使外延层400的横向X生长沿着异质复合结构320凸出于图形化凹槽311外的表面进行，进而使外延层400在第二异质部322的顶部合并。如此分布于异质复合结构320凸出于图形化凹槽311外的表面上且关于衬底基板310的厚度方向H对置的两侧的外延层400，在异质复合结构320的顶部合并时，晶格会更接近，由此能够抑制外延层400中位错缺陷的产生，从而能够提高对应的发光二极管的内量子效率，进而实现对应的发光二极管的外量子效应的提高。
进一步地，结合图5-图7参阅图8，第一坡面323相对于水平面的坡角为第一坡角α，第一坡角α为10度～60度(例如为10度、20度、30度、60度)。优选地，第一坡度角α为15度～45度(例如为15度、20度、30度、45度)。需要说明的是，本申请中的坡角是指，当图形化衬底300以衬底基板310设置有图形化凹槽311的一侧面平行于水平面的方式放置时的坡角。
通过上述方式，通过第一坡面323能够引导外延层400的横向X生长沿着异质复合结构320凸出于图形化凹槽311外的表面进行，进而使得关于衬底基板310的厚度方向H对置的两侧的外延层400在异质复合结构320凸出于图形化凹槽311的顶部合并时，晶格会更接近。
应当理解的是，第一坡面323的不同高度处所具有的坡角可以相同或不同。
例如，在一示例中，如图9a所示，第一坡面323在侧平面(图9a未示出)上的正投影的两条侧边为斜线，侧平面为位于图形化衬底300的外侧且平行于衬底基板310的厚度方向H的平面。
例如，在另一示例中，如图9b或9c所示，第一坡面323在侧平面(图9b及图9c未示出)上的正投影的两条侧边为曲线，侧平面为位于图形化衬底300的外侧且平行于衬底基板310的厚度方向H的平面。可选地，如图9b所示，该曲线例如为向异质复合结构320内侧凹陷的曲线。可选地，如图9c所示，该曲线例如为向异质复合结构320外侧凸起的曲线。
可选地，结合图7参阅图6所示，第一坡面323绕衬底基板310的厚度方向H分布。如此，分布于异质复合结构320凸出于图形化凹槽311外的表面上且关于衬底基板310的厚度方向H对置的两侧的外延层400在异质复合结构320的顶部合并时，晶格会更接近，能够抑制外延层400中缺陷的产生。较优地，第一坡面323绕衬底基板310的厚度方向H关于衬底基板310的厚度方向H上延伸的对称轴对称分布。
进一步地，结合图6参阅图7，异质复合结构320包括第一异质部321第二异质部322。第一异质部321至少部分位于图形化凹槽311内，第二异质部322层叠于第一异质部321上且至少部位凸出于图形化凹槽311外。第一坡面323至少分布于第二异质部322。
其中，第一异质部321的折射率小于衬底基板310的折射率，且第二异支部322折射率不大于第一异质部321的折射率且不小于空气的折射率。
通过上述方式，利用第一坡面323和异质复合结构320的折射率相互配合，能够使得自外延层400发出的光向异质复合结构320入射时，入射第一坡面323的光的入射角更多的小于第一临界角，该第一临界角为光在外延层400与异质复合结构320之间的界面处发生全反射的临界角，从而能够抑制全反射的发生。如此能够使外延层400发出的光更多的透过异质复合结构320过渡到衬底基板310出射，进而能够提高对应的发光二极管的光提取效率，以来实现对应的发光二极管的外量子效应的提高。
可选地，第一异质部321的折射率为1.2～1.6(例如为1.3、1.4、16)。第二异质部322的折射率为1.2～1.6。较优地，第一异质部321的折射率为1.3～1.4(例如为1.3、1.35、1.38、1.4)，第二异质部322的折射率为1.3～1.4(例如为1.3、1.35、1.38、1.4)。
在一示例中，结合凸5-图7参阅图10a，自外延层400背离衬底基板310的一侧朝图形化衬底300俯视，第二异质部322的形状包括但不限于为圆形。
在另一示例中，结合凸5-图7参阅图10b，自外延层400背离衬底基板310的一侧朝图形化衬底300俯视，第二异质部322的形状包括但不限于为多边形。
在另一示例中，结合凸5-图7参阅图10c，自外延层400背离衬底基板310的一侧朝图形化衬底300俯视，第二异质部322的形状包括但不限于为椭圆形。
当然，在其他示例中，自外延层400背离衬底基板310的一侧朝图形化衬底300俯视，第二异质部322的形状包括但不限于为其他规则或不规则的图形。
可选地，异质复合结构320凸出于图形化凹槽311外的立体形状包括但不限于为多边形椎体、圆椎体、椭圆椎体、圆台体或球缺体。
较优地，结合图6和图7参阅图8，异质复合结构320的水平投影的面积为第一面积S1。多个异质复合结构320分散分布于衬底基板310，衬底基板310的水平投影的面积为第二面积S2。其中，所有异质复合结构320的第一面积S1的总和为第二面积S2的60％～90％。
应当理解的是，本申请中所谓的水平投影是指，当外延片10以衬底基板310背离外延层400的一侧朝向水平面的方式正放于水平面上时，外延片10中的对应结构在水平面上的投影。
可选地，参阅图6，透过第一坡面323的光进一步在入射图形化凹槽311的底壁312的壁面时透过第一异质部321与衬底基板310之间的界面而进入衬底基板310以从衬底基板310出射。
可选地，在一示例中，第一异质部311的材料与第二异质部322的材料相同，且第一异质部321与第二异质部322为一体结构。可选地，在另一示例中，第一异质部321的材料与第二异质部322的材料不同。
可选地，衬底基板的材料为蓝宝石，第一异质部的材料为SiO2、SiN、SiOF、Ti3O5或Ti2O3，或者其他常用透光材料，第二异质部的材料为SiO2、SiN、SiOF、Ti3O5、Ti2O3或空气，或者其他常用透光材料，外延层为GaN外延层或AlGaN外延层。
参阅图11-图16对外延片10的制备方法进行说明。
实施例一
结合图5参阅图11-图14，实施例一的外延片10的制备方法包括步骤S11至步骤S14。
如图11所示，步骤S11包括在衬底基板310上形成刻蚀保护层500，刻蚀保护层500设置有刻蚀定位孔510。
其中，刻蚀保护层500可以由光刻胶通过曝光及显影而形成，显影时刻蚀定位孔510所在区域的光刻胶被去除而形成刻蚀定位孔510。
结合图11参阅图12，步骤S12包括通过刻蚀定位孔510对衬底基板310进行刻蚀，以形成图形化凹槽311。
结合图5、图12参阅图13，步骤S13包括在保留刻蚀保护层500的前提下通过沉积及刻蚀的方式形成异质复合结构320设置于图形化凹槽311内的部分。
其中，利用保留的刻蚀保护层500可以起到刻蚀阻挡层的功能，其能够在刻蚀沉积的用于形成异质复合结构320的材料时，避免或减少对衬底基板310造成的损伤。
结合图5、图13参阅图14，步骤S14包括去除刻蚀保护层500，并在衬底基板310上生长外延层400。
其中，生长外延层400包括控制外延层400的厚度方向H生长速率与横向生长速率之比，以在外延层400与衬底基板310之间形成异质复合结构320延伸至凸出于图形化凹槽311外的空气腔部分。
应当理解的是，厚度方向H生长是指外延层400沿垂直于衬底基板310设置有图形化凹槽311的一侧表面的方向上的生长。由于异质复合结构320设置于图形化凹槽311内的部分上外延层400的材料不会成核，所以能够在外延层400与衬底基板310之间形成异质复合结构320延伸至凸出于图形化凹槽311外的空气腔部分。通过调节外延层400的厚度方向H生长速率与横向X生长速率之比能够调节空气腔的大小。且相比于传统的凹坑型图形化衬底100，本申请形成于异质复合结构320设置于图形化凹槽311内的部分与外延层400之间的空气腔进一步小型化，从而能够向上延伸位错的产生。
实施例二
结合图5、图11、图12，参阅图15和图16，实施例二的外延片10的制备方法包括步骤S21至步骤S24。
如图11所示，步骤S21包括在衬底基板310上形成刻蚀保护层500，刻蚀保护层500设置有刻蚀定位孔510。
其中，刻蚀保护层500可以由光刻胶通过曝光及显影而形成，显影时刻蚀定位孔510所在区域的光刻胶被去除而形成刻蚀定位孔510。
结合图11参阅图12，步骤S22包括通过刻蚀定位孔510对衬底基板310进行刻蚀，以形成图形化凹槽311。
结合图5、图12参阅图15，步骤S23包括在保留刻蚀保护层500的前提下通过沉积及刻蚀的方式形成设置于图形化凹槽311内并延伸至凸出于图形化凹槽311外的异质复合结构320。
其中，利用保留的刻蚀保护层500可以起到刻蚀阻挡层的功能，其能够在刻蚀沉积的用于形成异质复合结构320的材料时，避免或减少对衬底基板310造成的损伤。
结合图5、图13参阅图16，步骤S24包括去除刻蚀保护层500，并在衬底基板310上形成覆盖异质复合结构320的外延层400。
参阅图17，本申请的倒装发光二极管20包括上述的外延片10，对于外延片10的上述已说明的结构，在此不再赘述。
进一步的外延层400包括依序叠置于图形化衬底300的第一半导体层410、发光层420和第二半导体层430。发光层420用于发出光。发光层420可以为量子阱层与量子势垒层以交替方式堆叠的多量子阱(MQW)结构，或者发光层420可以为单量子阱(SQW)结构。第一半导体层410可以为掺杂有N型杂志的半导体层，第二半导体层430可以为掺杂有P型杂志的半导体层。
进一步地，倒装发光二极管20包括第一接触电极710、第二接触电极720、绝缘反射层600、第一焊盘电极810和第二焊盘电极820。第一接触电极710和第二接触电极720彼此间隔开且均设置于外延层400背向图形化衬底300的一侧。第一接触电极710电连接于第一半导体层410，第二接触电极720电连接于第二半导体层430。绝缘反射层600覆盖第一接触电极710和第二接触电极720。第一焊盘电极810和第二焊盘电极820均设置于绝缘反射层600背向第二半导体层430的一侧，且第一焊盘电极810电连接于第一接触电极710，第二焊盘电极820电连接于第二接触电极720。
以上仅为本申请的实施方式，并非因此限制本申请的专利范围，凡是利用本申请说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本申请的专利保护范围。
Claims (15)
1.一种图形化衬底，其特征在于，所述图形化衬底包括衬底基板和异质复合结构，所述衬底基板设置有图形化凹槽，所述异质复合结构设置于所述图形化凹槽内并延伸至凸出于所述图形化凹槽外；
其中，所述异质复合结构凸出于所述图形化凹槽外的表面形成第一坡面，所述第一坡面使自所述所述衬底基板设置有所述图形化凹槽的一侧表面向背离所述衬底基板的方向延伸。
2.根据权利要求1所述的图形化衬底，其特征在于，所述第一坡面相对于水平面的坡角为第一坡角，所述第一坡角为10度～60度。
3.根据权利要求2所述的图形化衬底，其特征在于，所述第一坡角为15度～45度。
4.根据权利要求1所述的图形化衬底，其特征在于，
所述异质复合结构包括第一异质部第二异质部，所述第一异质部至少部分位于所述图形化凹槽内，所述第二异质部层叠于所述第一异质部上且至少部位凸出于所述图形化凹槽外；所述第一坡面至少分布于所述第二异质部；
其中，所述第一异质部的折射率小于所述衬底基板的折射率，且所述第二异支部折射率不大于第一异质部的折射率且不小于空气的折射率。
5.根据权利要求4所述的图形化衬底，其特征在于，所述第一异质部的折射率为1.2～1.6。
6.根据权利要求1所述的图形化衬底，其特征在于，所述第一坡面绕所述衬底基板的厚度方向分布。
7.根据权利要求6所述的图形化衬底，其特征在于，所述第一坡面绕所述衬底基板的厚度方向关于所述衬底基板的厚度方向上延伸的对称轴对称分布。
8.根据权利要求1所述的图形化衬底，其特征在于，所述异质复合结构的水平投影的面积为第一面积；多个所述异质复合结构分散分布于所述衬底基板，所述衬底基板的水平投影的面积为第二面积；其中，所有所述异质复合结构的所述第一面积的总和为所述第二面积的60％～90％。
9.根据权利要求1所述的图形化衬底，其特征在于，所述异质复合结构凸出于所述图形化凹槽外的立体形状为多边形椎体、圆椎体、椭圆椎体、圆台体或球缺体。
10.根据权利要求4所述的图形化衬底，其特征在于，所述第一异质部的材料为SiO2、SiN、SiOF、Ti3O5或Ti2O3，所述第二异质部的材料为SiO2、SiN、SiOF、Ti3O5或Ti2O3。
11.一种外延片，其特征在于，所述外延片包括图形化衬底和外延层；所述图形化衬底包括衬底基板和异质复合结构，所述衬底基板设置有图形化凹槽，所述异质复合结构包括设置于所述图形化凹槽内并延伸至凸出于所述图形化凹槽外；所述外延层形成于所述衬底基板上且覆盖所述第二异质部；
其中，所述异质复合结构凸出于所述图形化凹槽外的表面形成第一坡面，所述第一坡面使自所述所述衬底基板设置有所述图形化凹槽的一侧表面向背离所述衬底基板的方向延伸。
12.根据权利要求11所述的外延片，其特征在于，
所述异质复合结构包括第一异质部第二异质部，所述第一异质部至少部分位于所述图形化凹槽内，所述第二异质部层叠于所述第一异质部上且至少部位凸出于所述图形化凹槽外；所述第一坡面至少分布于所述第二异质部；
其中，所述第一异质部的折射率小于所述衬底基板的折射率，且所述第二异支部折射率不大于第一异质部的折射率且不小空气腔的折射率。
13.根据权利要求12所述的外延片，其特征在于，所述第一异质部的材料为SiO2、SiN、SiOF、Ti3O5或Ti2O3，所述第二异质部的材料为SiO2、SiN、SiOF、Ti3O5、Ti2O3或空气。
14.一种图形化衬底的制备方法，其特征在于，所述制备方法用于制备权利要求11-13任意一项所述的外延片，所述制备方法包括：
在衬底基板上形成刻蚀保护层，所述刻蚀保护层设置有刻蚀定位孔；
通过所述刻蚀定位孔对所述衬底基板进行刻蚀，以形成图形化凹槽；
在所述图形化凹槽形成后进行第一步骤或第二步骤；
所述第一步骤包括：在保留所述刻蚀保护层的前提下通过沉积及刻蚀的方式形成异质复合结构设置于所述图形化凹槽内的部分；去除所述刻蚀保护层，并在所述衬底基板上生长外延层；所述生长外延层包括控制外延层的厚度方向生长速率与横向生长速率之比，以在所述外延层与所述衬底基板之间形成异质复合结构延伸至凸出于所述图形化凹槽外的空气腔部分；
所述第二步骤包括：在保留所述刻蚀保护层的前提下通过沉积及刻蚀的方式形成设置于所述图形化凹槽内并延伸至凸出于所述图形化凹槽外的异质复合结构；去除所述刻蚀保护层，并在所述衬底基板上形成覆盖所述异质复合结构的外延层。
15.一种倒装发光二极管，其特征在于，所述倒装发光二极管包括权利要求11-13任意一项所述的外延片。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202311866145.5A CN117832352A (zh) | 2023-12-29 | 2023-12-29 | 图形化衬底、外延片及制备方法、倒装发光二极管 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202311866145.5A CN117832352A (zh) | 2023-12-29 | 2023-12-29 | 图形化衬底、外延片及制备方法、倒装发光二极管 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN117832352A true CN117832352A (zh) | 2024-04-05 |
Family
ID=90512966
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202311866145.5A Pending CN117832352A (zh) | 2023-12-29 | 2023-12-29 | 图形化衬底、外延片及制备方法、倒装发光二极管 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN117832352A (zh) |
-
2023
- 2023-12-29 CN CN202311866145.5A patent/CN117832352A/zh active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5270088B2 (ja) | 垂直型発光素子及びその製造方法 | |
| US9461204B2 (en) | Light-emitting devices on textured substrates | |
| KR20130102341A (ko) | 개선된 광 추출 효율을 갖는 발광 다이오드 및 그것을 제조하는 방법 | |
| US20140191243A1 (en) | Patterned articles and light emitting devices therefrom | |
| JP6024533B2 (ja) | サファイア基板及びその製造方法並びに窒化物半導体発光素子 | |
| US20110001147A1 (en) | Semiconductor light-emitting device | |
| US20130193448A1 (en) | Patterned substrate and stacked light emitting diode | |
| WO2007091762A1 (en) | Patterned substrate for light emitting diode and light emitting diode employing the same | |
| JP7436371B2 (ja) | 発光装置 | |
| KR102022659B1 (ko) | 고효율 발광 다이오드 및 그것을 제조하는 방법 | |
| TWI774759B (zh) | 發光元件及其製造方法 | |
| JP2005268734A (ja) | 発光ダイオードおよびその製造方法 | |
| US20130029440A1 (en) | Method for fabricating semiconductor light-emitting device | |
| CN102130252B (zh) | 发光二极管及其制造方法 | |
| KR20130098760A (ko) | 고효율 발광 다이오드 및 그것을 제조하는 방법 | |
| CN117832352A (zh) | 图形化衬底、外延片及制备方法、倒装发光二极管 | |
| CN102064253A (zh) | 发光二极管及其制造方法 | |
| JP2011159650A (ja) | 発光素子 | |
| KR100867499B1 (ko) | 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법 | |
| WO2022109991A1 (zh) | 基板结构及其制备方法、发光器件及其制备方法 | |
| JP2012109491A (ja) | 発光素子 | |
| CN217468469U (zh) | 一种图形化衬底及发光二极管 | |
| WO2023029295A1 (zh) | 图形化复合衬底及发光元件 | |
| TWI838792B (zh) | 發光元件 | |
| TWI425656B (zh) | 發光二極體晶片及其製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination |