TWI552381B - 垂直導通式發光二極體之製造方法 - Google Patents

Description

垂直導通式發光二極體之製造方法

本發明係有關於一種垂直導通式發光二極體之製造方法，尤其是指一種使用緩衝氧化矽蝕刻劑之濕式蝕刻法分離垂直導通式發光二極體元件基板之方法，有效以簡單之濕式蝕刻製程達到節省生產成本、維護元件結構，以及強化發光二極體之光萃取效率者。

按，一般以氮化物半導體層為基礎之發光二極體主要係形成於以藍寶石(Sapphire，Al₂O₃)結構所組成之基板上，主要的製程步驟還包括有發光結構層的磊晶，係由一n型氮化物半導體層、一具有多重量子井(Multi-Quantum Well，簡稱MQW)結構的主動發光層，以及一p型氮化物半導體層依序沉積於該藍寶石基板上接著利用電感偶合電漿(Inductive Coupled Plasma，簡稱ICP)之乾式蝕刻製程或結合光微影與蝕刻之分隔(Isolation)製程定義並分割發光二極體之單位元件，接續於每個分割的LED元件中形成 p型電極，後續再形成一結構支撐層於該p型電極上，由於傳統的藍寶石基板存在有不導電、不能製作背電極(單面電極係會提高元件的啟動電壓)、浪費元件面積，以及阻礙元件散熱等缺點，想要縮小發光二極體元件之尺寸勢必有所限制，尤其高功率的發光二極體必須使用高電流加以驅動，亦存在有散熱與絕緣等問題，因此，為了提升發光二極體之光萃取效率，傳統垂直導通式發光二極體製程於結構支撐層形成後，使用雷射剝離(Laser Lift-Off，簡稱LLO)或機械研磨等技術來移除藍寶石基板，將氮化鎵磊晶層轉移到一永久基板(Permanenet Substrate)上，亦即最後形成一n型電極於暴露之每一n型氮化物半導體上，形成一垂直導通式發光二極體結構。

然而，傳統使用雷射剝離基板技術的垂直導通式發光二極體常存在有雷射生產成本過高之問題；再者，由於氮化鎵具有相當強的化學鍵，光靠光子能量是不足以打斷其鍵結，因此採用熱分解的光熱蝕刻(Photothermal Etching)技術來引發斷鍵反應，在工作溫度高於1140℃之雷射誘發介面加熱製程後，只要將試片放到加熱板上加溫至40℃，便能順利把藍寶石基板從氮化鎵剝離，然而，此時應留意氮化鎵分解所產生的氮氣，因侷限於大小有限的區域中，常有高達六十億帕(6GPa)的氣壓產生，因而引起各式各樣的應力形變，產生大小不一的缺陷和裂紋等問題；再者，傳統使用機械研磨技術直接移除基板的垂直導通式發光二極體，亦存在有研磨之機械應力殘留而破壞後續發光結構層之疑慮存在，換句話說，由於 氮化鎵薄膜與藍寶石基板間的晶格常數差異過大，當氮化鎵磊晶在藍寶石基板時，在氮化鎵薄膜上會累積極大的應力，當藍寶石基板被剝離時，氮化鎵薄膜因失去藍寶石基板支撐，使氮化鎵遭受巨大的應力改變而發生晶格斷裂或差排等缺陷，導致垂直導通式發光二極體有較差的良率、抗靜電能力，以及元件可靠度等。

為了解決雷射與機械研磨對基板剝離所導致的晶格斷裂或差排等缺陷，因而出現以蝕刻方式進行藍寶石基板剝離之研究，在過往的專利中，如中華民國專利公告第I398022號之『光電元件之磊晶基板的分離方法』即是提供一種光電元件的製造方法，特別是指光電元件之磊晶基板的分離方法，主要藉由先成型具有間隔條狀膜體結構的犧牲膜(如氧化矽，SiO_x)，而能在後續蝕刻掉犧牲膜與分離磊晶基材(如藍寶石，sapphire)時，同時粗化得到的光電元件半成品出光面，不須進行切割過程而製得結構完整且發光亮度高的光電元件；然而，由於此發明在兩兩間隔的條狀犧牲膜之膜體結構中存在有磊晶基板與磊晶層之連結處，亦即所謂的C軸面，在此發明的較佳實施例中，需要先以氫氟酸(Hydrofluoric Acide，簡稱HF)之濕式蝕刻去除由氧化矽構成之犧牲膜，接續再以高溫260℃與強酸之磷酸與硫酸混合液(H₃PO₄：H₂SO₄=3：1)針對存在於C軸面上的磊晶基板分離，因此，此發明具有製程步驟複雜，以及由蝕刻粗化所造成的粗糙面不易控制等缺點；使得欲達到有效移除原磊晶基板，以簡單之製程方法節省過高的生產成本與達到有 效的發光二極體之良率與光萃取效率，仍是發光二極體之系統開發業者與研究人員需持續努力克服與解決之課題。

今，發明人即是鑑於上述之垂直導通式發光二極體元件因存在使用高能雷射或機械研磨等技術剝離磊晶基板而造成過高的製造成本與元件結構受損而影響發光效率，以及使用濕式蝕刻導致製程複雜等諸多缺失，於是乃一本孜孜不倦之精神，並藉由其豐富之專業知識及多年之實務經驗所輔佐，而加以改善，並據此研創出本發明。

本發明係有關於一種垂直導通式發光二極體之製造方法，尤其是指一種使用緩衝氧化矽蝕刻劑之濕式蝕刻法分離垂直導通式發光二極體元件基板之方法，有效以簡單之濕式蝕刻製程達到節省生產成本、維護元件結構，以及強化發光二極體之光萃取效率。

為了達到上述實施目的，本發明人提出一種垂直導通式發光二極體之製造方法，係至少包括下列步驟：首先，於一基板上沉積一透光層；接續，使用光微影與乾式蝕刻製程於該透光層表面形成複數個彼此間隔之透光錐；然後，以電子鎗真空蒸鍍法(Electron-Gun Evaporation)蒸鍍或濺鍍方式將一Ⅲ族氮化物薄膜對應被覆於透光錐上；再者，形成一發光結構層於Ⅲ族氮化物薄膜上，其中發光結構層係由一n型氮化物半導體層、一具有多重量子井結構之主動發光層，以及一p型氮化物半導體層依序堆疊於Ⅲ族 氮化物薄膜上所形成；接續，使用分隔製程將該基板以上之結構分隔成複數個單位發光二極體元件；之後，形成一p型電極於發光結構層之p型氮化物半導體層上；然後，形成一封裝基板(submount)於p型電極上；後續，使用緩衝氧化矽蝕刻劑(Buffer Oxide Etchant，簡稱BOE)結合超音波震盪製程移除透光錐與透光層，並連同移除基板；最後，形成一n型電極於各分隔之n型氮化物半導體層上，以完成垂直導通式發光二極體之製造方法。

如上所述的垂直導通式發光二極體之製造方法，其中基板係選自藍寶石、碳化矽、矽、砷化鎵、氧化鋅，以及具有六方體系結晶材料所構成群組中的一種材料而形成。

如上所述的垂直導通式發光二極體之製造方法，其中透光層係由透光性佳且折射率低於基板之材料所組成，該材料係選自氧化矽、氮氧化矽所構成之群組所構成群組中的一種材料而形成。

如上所述的垂直導通式發光二極體之製造方法，其中透光錐亦可具有一與基板表面連接之底面，以及一由底面至透光錐頂部的高度，其中高度與底面之最大寬度的比值係不小於0.6，透光錐係成週期性分佈，兩兩相鄰之透光錐具有相同之間距，且間距係不小於1微米，且透光錐之材料耐熱溫度係不小於1000℃。

如上所述的垂直導通式發光二極體之製造方法，其中電子鎗真空蒸鍍法係以氮氣電漿撞擊Ⅲ族元素之靶材，以不低於600℃之 溫度，使Ⅲ族氮化物粒子以濺射方式被覆於該透光錐上，厚度係介於100埃~1000埃。

藉此，本發明係藉由緩衝氧化矽蝕刻劑之濕式蝕刻製程進行透光錐、透光層，以及基板的剝離，達成排除外加應力之基板剝離方法，有效維護元件結構不受外力破壞，保護發光二極體主體之完整性；此外，本發明藉由緩衝氧化矽蝕刻劑之濕式蝕刻製程進行透光錐、透光層，以及基板的剝離，具有製程簡單、方便之優點，其中緩衝氧化矽蝕刻劑係半導體製程中常見之酸液，具有快速導入製程優點；再者，本發明之對應被覆於透光錐之Ⅲ族氮化物薄膜於基板剝離後對應凹陷形成透光錐形狀之粗糙面，其尺寸可經由人為控制達到最佳之結構狀態，當發光結構層之主動發光層發出的光可藉由該粗糙面有效降低全反射發生之機率，進而使產生的光有較大的機率向外發射，以提高該垂直導通式發光二極體之發光亮度與光之萃取效率。

此外，本發明另提供一種垂直導通式發光二極體，係以上述實施例之方法製備而成。

(1)‧‧‧基板

(2)‧‧‧透光層

(21)‧‧‧透光錐

(200)‧‧‧光罩

(3)‧‧‧光阻層

(4)‧‧‧Ⅲ族氮化物薄膜

(5)‧‧‧發光結構層

(51)‧‧‧n型氮化物半導體層

(52)‧‧‧主動發光層

(53)‧‧‧p型氮化物半導體層

(54)‧‧‧單位發光二極體元件

(6)‧‧‧p型電極

(7)‧‧‧封裝基板

(8)‧‧‧n型電極

(S1)‧‧‧步驟一

(S2)‧‧‧步驟二

(S3)‧‧‧步驟三

(S4)‧‧‧步驟四

(S5)‧‧‧步驟五

(S6)‧‧‧步驟六

(S7)‧‧‧步驟七

(S8)‧‧‧步驟八

(S9)‧‧‧步驟九

(W)‧‧‧寬度

(H1)‧‧‧高度

(H2)厚‧‧‧度

(S)‧‧‧間距

(P)‧‧‧節距

第一圖：本發明垂直導通式發光二極體製造方法之步驟流程圖

第二圖：本發明垂直導通式發光二極體製造方法其一較佳實施例之透光層堆疊示意圖

第三圖：本發明垂直導通式發光二極體製造方法其一較佳實施例之透光錐成形示意圖

第四圖：本發明垂直導通式發光二極體製造方法其一較佳實施例之透光錐放大示意圖

第五圖：本發明垂直導通式發光二極體製造方法其一較佳實施例之Ⅲ族氮化物薄膜成形示意圖

第六圖：本發明垂直導通式發光二極體製造方法其一較佳實施例之發光結構層堆疊示意圖

第七圖：本發明垂直導通式發光二極體製造方法其一較佳實施例之單位發光二極體元件分隔示意圖

第八圖：本發明垂直導通式發光二極體製造方法其一較佳實施例之p型電極成形示意圖

第九圖：本發明垂直導通式發光二極體製造方法其一較佳實施例之封裝基板成形示意圖

第十圖：本發明垂直導通式發光二極體製造方法其一較佳實施例之透光層與基板剝離示意圖

第十一圖：本發明垂直導通式發光二極體製造方法其一較佳實施例之n型電極成形示意圖

本發明之目的及其結構設計功能上的優點，將依據以下圖面所示之較佳實施例予以說明並清楚呈現，俾使審查委員能對本發明有更深入且具體之瞭解。

首先，在以下實施例的描述中，應當理解當指出一層(或膜)或一結構配置在另一個基板、另一層(或膜)、或另一結構「上」或「下」時，其可「直接」位於其他基板、層(或膜)、或另一結構，亦或者兩者間具有一個以上的中間層以「間接」方式配置，審查委員可參照附圖說明每一層所在位置。

請參閱第一圖所示，為本發明垂直導通式發光二極體製造方法之步驟流程圖，其製備方法主要包括有如下步驟：步驟一(S1)：於一基板(1)上沉積一透光層(2)；請參閱第二圖所示，為本發明垂直導通式發光二極體製造方法其一較佳實施例之透光層堆疊示意圖，其中基板(1)係選自藍寶石(Sapphire，Al₂O₃)、碳化矽(SiC)、矽(Si)、砷化鎵(GaAs)、氧化鋅(ZnO)，以及具有六方體系(Hexagonal)結晶材料所構成群組中的一種材料而形成，而透光層(2)係由透光性佳且折射率低於基板(1)之材料所組成，該材料係選自氧化矽(SiO_x)、氮氧化矽(SiON_x)所構成群組中的一種材料而形成，透光層(2)之材料耐熱溫度係不小於1000℃，以承受後續發光二極體成膜製程中的薄膜沉積之高溫；在本發明之較佳實施例中，其中基板(1)係由藍寶石材料所構成，透光層(2)係由二氧化矽(SiO₂)所組成； 步驟二(S2)：使用光微影與乾式蝕刻製程於透光層(2)表面形成複數個彼此間隔之透光錐(21)；如第三圖所示，為本發明垂直導通式發光二極體製造方法其一較佳實施例之透光錐成形示意圖，其中光微影製程係配合使用一具有預設圖案之光罩(200)，以微影製程方式將光阻層(3)預定部分移除，使殘餘的光阻層(3)形成一遮罩圖案，致使無光阻層(3)覆蓋的透光層(2)裸露，再以遮罩圖案為遮罩，使用乾式蝕刻製程於對應遮罩圖案之透光層(2表面形成複數個彼此間隔之透光錐(21)，其中該乾式蝕刻製程係為射頻功率介於200瓦~400瓦之間，以含氟的氣體，例如四氟化碳(CF₄)、六氟化硫(SF₆)，以及三氟甲烷(CHF₃)等，以非等向性蝕刻之特性於對應遮罩圖案之透光層(2)表面進行蝕刻，使其表面形成複數個呈圓錐狀的透光錐(21)；再者，請參閱第四圖所示，為本發明垂直導通式發光二極體製造方法其一較佳實施例之透光錐放大示意圖，其中透光錐(21)係具有一與基板(1)之表面連接之底面(211)，底面(211)係具有一寬度W，以及一由底面(211)至透光錐(21)頂部的高度(212)，係標示為H1，當透光錐(21)之高度(212)與底面(211)寬度比值過小時，即因透光錐(21)之高度(212)不足而使光線接觸透光錐(21)時的入射角過大而降低光之萃取效率，因此，本發明較佳實施例之設計為透光錐(21)之高度(212)與底面(211)之最大寬度的比值(H1/W)為不小於0.6，最佳的比值為介於0.61~0.65之間，因此，可藉由控制透光錐(21)呈圓錐狀的設計更容易改變光 線於接觸透光錐(21)後的行進路線，進而提升發光二極體之光萃取效率，其主要目的係讓來自發光二極體之主動發光層發出，朝向基板(1)行進的光，在接觸透光錐(21)及基板(1)後，可經由二次折射及反射後實質向外發出，有效提升發光二極體之光萃取效率，此與習知之經由蝕刻基板得到具粗化結構之磊晶基板製得的發光二極體的光萃取效率相較，本發明具有透光錐(21)結構之發光二極體之光萃取效率可提升約20%；再者，兩兩相鄰之透光錐(21)彼此不連接並成週期性分佈，藉由透光錐(21)彼此的間距調整，可使基板(1)於單位面積內具有較大的透光錐(21)密度，而達到更佳的反射與折射效果，本發明較佳實施例之兩相鄰的透光錐(21)間距S係不大於1微米，而兩兩透光錐(21)頂部之距離具有相同之節距P(Pitch)為3微米，然而必須注意的是，上述透光錐(21)之節距3微米是為說明方便起見之較佳實施例，而非以本例所舉為限，且熟此技藝者當知道本發明之透光錐(21)節距可以因太陽能電池之特性與製程條件不同而有不同的節距範圍，並不會影響本發明的實際實施；再者，蝕刻後殘留之透光層(2)厚度(213)，係標示H2，其值則為1.3微米，因此，透光層(2)之原始沉積厚度應為3微米，儘管本發明實施例之蝕刻後殘留之透光層(2)厚度1.3微米與二氧化矽透光層(2)之3微米厚度為一較佳實施例，但並不限定，本發明之二氧化矽透光層(2)係以經過乾式蝕刻後不形成基板(1)與後續發光二極體磊晶層接觸之C軸面為原 則，在閱讀及了解本發明的敎導後，相關之變化實施屬於業界之技能； 步驟三(S3)：以電子鎗真空蒸鍍法蒸鍍或濺鍍方式將一Ⅲ族氮化物薄膜(4)對應被覆於透光錐(21)上；請參閱第五圖所示，為本發明垂直導通式發光二極體製造方法其一較佳實施例之Ⅲ族氮化物薄膜成形示意圖，其中，Ⅲ族氮化物薄膜(4)係選自氮化鋁(AlN)，以及氮化鎵(GaN)所構成群組中的一種材料而形成，本發明Ⅲ族氮化物薄膜(4)之較佳實施例係為氮化鋁之薄膜，若氮化鋁之厚度小於100埃，則氮化鋁會呈顆粒狀而無法形成有效的薄膜，倘若氮化鋁之厚度大於1000埃，則在後續之發光二極體成膜製程中會造成爆裂(crack)情形產生，因此，在本發明之較佳實施例中，Ⅲ族氮化物薄膜(4)之最佳厚度係介於100埃~1000埃之間，本發明具有Ⅲ族氮化物薄膜(4)與透光錐(21)所組成之發光二極體，與僅具有透光錐(21)之發光二極體相較，其光之萃取效率約可提升至15%~20%； 步驟四(S4)：形成一發光結構層(5)於Ⅲ族氮化物薄膜(4)上，其中發光結構層(5)係由一n型氮化物半導體層(51)、一具有多重量子井結構之主動發光層(52)，以及一p型氮化物半導體層(53)依序堆疊於Ⅲ族氮化物薄膜(4)上所形成；請參閱第六圖所示，為本發明垂直導通式發光二極體製造方法其一較佳實施例之發光結構層堆疊示意圖，其中n型氮化物半導體層(51)、 主動發光層(52)，以及一p型氮化物半導體層(53)可以由一具有分子式Al_xIn_yGa_(1-x-y)N之氮化物半導體材料所組成，其中0x1,0y1及0x+y1，並且該等薄膜亦可藉由一已知之氮化物沉積製程，例如有機金屬化學沉積法(Metal Organic Chemical Vapor Deposition，簡稱MOCVD)或是本發明人同日申請之另一發明專利『適用於發光二極體之圖形化基板及其製造方法』中所闡述的氫化物氣相磊晶方式(Hydride Vapor Phase Epitaxy，簡稱HVPE)等方法所製備； 步驟五(S5)：使用分隔製程將基板(1)以上之結構分隔成複數個單位發光二極體元件(54)；請參閱第七圖所示，為本發明垂直導通式發光二極體製造方法其一較佳實施例之單位發光二極體元件分隔示意圖，其中該分隔製程係經由一具有預定圖案之光罩以光微影與蝕刻製程將基板(1)以上之結構定義成複數個單位發光二極體元件(54)； 步驟六(S6)：形成一p型電極(6)於該p型氮化物半導體層(53)上；請參閱第八圖所示，為本發明垂直導通式發光二極體製造方法其一較佳實施例之p型電極成形示意圖，其中p型電極(6)係可由習知高反射比(reglectance)之金屬物質所形成，可例如為鉑/金層、鎳/金層，以及鎳/銀/鉑層的堆疊層等，與p型氮化物半導體層(53)成歐姆接觸以做為一電極及一反射層； 步驟七(S7)：形成一封裝基板(7)於p型電極(6)上；請參閱第九圖所示，本發明垂直導通式發光二極體製造方法其一較佳實施例之封裝基板成形示意圖； 步驟八(S8)：使用緩衝氧化矽蝕刻劑(BOE)結合超音波震盪製程移除透光錐(21)與透光層(2)，並連同移除基板(1)；請參閱第十圖所示，本發明垂直導通式發光二極體製造方法其一較佳實施例之透光層與基板剝離示意圖；其中在本發明之較佳實施例中，透光錐(21)與透光層(2)係由二氧化矽(SiO₂)所組成，一般二氧化矽係以緩衝氧化矽蝕刻劑(BOE)，或稱氫氟酸(Buffered Hydrofluoric Acid，簡稱BHF)為去除之蝕刻劑，舉例而言，一般濃度為5：1之BOE對二氧化矽之蝕刻速率約為每分鐘1000埃，其中5：1係指40wt.%的氟化銨(NH₄F)和49wt.%的氫氟酸(HF)之重量百分比組合而成，由於本發明之透光層(2)的構成材料可以有多種類之變化，且可視後續的蝕刻剝離製程而變，其製程方法已為習知技藝中眾所皆知之知識，且並非本發明之重點，因此，不再本發明中加以贅述；由於本發明較佳實施例之垂直導通式發光二極體不具有基板(1)與發光結構層(5)之n型氮化物半導體層(51)接觸之C軸面，因此，當以BOE蝕刻劑蝕刻透光層(2)與透光錐(21)之二氧化矽時，連結於透光層(2)之基板(1)亦會一起被剝離，有效達成以簡單之濕式蝕刻製程排除外加應力之基板剝離方法；再者，對應被覆於透光錐(21)之Ⅲ族氮化物薄膜(4)於基板剝離後對應凹陷形成透光錐(21)形狀之粗糙面，當發光結 構層(5)之主動發光層(52)發出的光可藉由該粗糙面有效降低全反射發生之機率，進而使產生的光有較大的機率向外發射，以提高該垂直導通式發光二極體之發光亮度與光之萃取效率；以及 步驟九(S9)：形成一n型電極(8)於各分隔之Ⅲ族氮化物薄膜(4)上，以完成該垂直導通式發光二極體之製造方法；請參閱第十一圖所示，為本發明垂直導通式發光二極體製造方法其一較佳實施例之n型電極成形示意圖。

此外，本發明另提供一種垂直導通式發光二極體，係以上述實施例之方法製備而成。

由上述之實施說明可知，本發明之垂直導通式發光二極體之製造方法與現有技術相較之下，本發明具有以下優點：

1.本發明垂直導通式發光二極體之製造方法係藉由緩衝氧化矽蝕刻劑之濕式蝕刻製程進行透光錐、透光層，以及基板的剝離，達成排除外加應力之基板剝離方法，有效維護元件結構不受外力破壞，保護發光二極體主體之完整性。

2.本發明垂直導通式發光二極體之製造方法係藉由緩衝氧化矽蝕刻劑之濕式蝕刻製程進行透光錐、透光層，以及基板的剝離，具有製程簡單、方便之優點，其中緩衝氧化矽蝕刻劑係半導體製程中常見之酸液，具有快速導入製程優點。

3.本發明垂直導通式發光二極體之製造方法之對應被覆於透光錐之Ⅲ族氮化物薄膜於基板剝離後對應凹陷形成透光錐形狀之粗糙面，其尺寸可經由人為控制達到最佳之結構狀態，當發光結構層之主動發光層發出的光可藉由該粗糙面有效降低全反射發生之機率，進而使產生的光有較大的機率向外發射，以提高該垂直導通式發光二極體之發光亮度與光之萃取效率。

綜上所述，本發明之垂直導通式發光二極體之製造方法，的確能藉由上述所揭露之實施例，達到所預期之使用功效，且本發明亦未曾公開於申請前，誠已完全符合專利法之規定與要求。爰依法提出發明專利之申請，懇請惠予審查，並賜准專利，則實感德便。

惟，上述所揭之圖示及說明，僅為本發明之較佳實施例，非為限定本發明之保護範圍；大凡熟悉該項技藝之人士，其所依本發明之特徵範疇，所作之其它等效變化或修飾，皆應視為不脫離本發明之設計範疇。

(S1)‧‧‧步驟一

(S2)‧‧‧步驟二

(S3)‧‧‧步驟三

(S4)‧‧‧步驟四

(S5)‧‧‧步驟五

(S6)‧‧‧步驟六

(S7)‧‧‧步驟七

(S8)‧‧‧步驟八

(S9)‧‧‧步驟九

Claims (10)

1. 一種垂直導通式發光二極體之製造方法，其步驟包括有：步驟一：於一基板上沉積一透光層；步驟二：使用光微影與乾式蝕刻製程於該透光層表面形成複數個彼此間隔之透光錐；步驟三：以電子鎗真空蒸鍍法蒸鍍或濺鍍方式將一Ⅲ族氮化物薄膜對應被覆於該透光錐上；步驟四：形成一發光結構層於該Ⅲ族氮化物薄膜上，其中該發光結構層係由一n型氮化物半導體層、一具有多重量子井結構之主動發光層，以及一p型氮化物半導體層依序堆疊於該Ⅲ族氮化物薄膜上所形成；步驟五：使用分隔製程將該基板以上之結構分隔成複數個單位發光二極體元件；步驟六：形成一p型電極於該發光結構層之p型氮化物半導體層上；步驟七：形成一封裝基板於該p型電極上；步驟八：使用緩衝氧化矽蝕刻劑結合超音波震盪製程移除該透光錐與透光層，並連同移除該基板；以及 步驟九：形成一n型電極於各分隔之Ⅲ族氮化物薄膜上，以完成該垂直導通式發光二極體之製造方法。
2. 如申請專利範圍第1項所述之垂直導通式發光二極體之製造方法，其中該基板係選自藍寶石、碳化矽、矽、砷化鎵、氧化鋅，以及具有六方體系結晶材料所構成之群組。
3. 如申請專利範圍第1項所述之垂直導通式發光二極體之製造方法，其中該透光層係由透光性佳且折射率低於該基板之材料所組成，該材料係選自氧化矽、氮氧化矽所構成之群組。
4. 如申請專利範圍第1項所述之垂直導通式發光二極體之製造方法，其中該透光錐係具有一與該基板表面連接之底面，以及一由該底面至該透光錐頂部的高度，其中該高度與該底面之最大寬度的比值係不小於0.6。
5. 如申請專利範圍第1項所述之垂直導通式發光二極體之製造方法，其中該透光錐係成週期性分佈，兩兩相鄰之透光錐具有相同之間距，且該間距係不小於1微米。
6. 如申請專利範圍第1項所述之垂直導通式發光二極體之製造方法，其中該透光錐之材料耐熱溫度係不小於1000℃。
7. 如申請專利範圍第1項所述之垂直導通式發光二極體之製造方法，其中該電子鎗真空蒸鍍法係以氮氣電漿撞擊Ⅲ族元素 之靶材，以不低於600℃之溫度，使Ⅲ族氮化物粒子以濺射方式被覆於該透光錐上。
8. 申請專利範圍第1項所述之垂直導通式發光二極體之製造方法，其中該Ⅲ族氮化物薄膜係選自氮化鋁，以及氮化鎵所構成之群組。
9. 申請專利範圍第1項所述之垂直導通式發光二極體之製造方法，其中該Ⅲ族氮化物薄膜之厚度係介於100埃~1000埃。
10. 一種藉由如申請專利範圍第1至9項中任一項所述之方法製備之垂直導通式發光二極體，其中該垂直導通式發光二極體係具有一Ⅲ族氮化物薄膜，且該Ⅲ族氮化物薄膜之一側凹陷形成有彼此間隔之透光錐形狀的一粗糙面，該粗糙面設有一n型電極，該Ⅲ族氮化物薄膜之另一側依序設有一發光結構層、一p型電極以及一封裝基板。