JP2014068042A5 - - Google Patents

Claims (5)

1. 基板主面に垂直方向に投影した形状が、直線の３辺で囲まれた三角形、又は、いずれか１以上の辺の一部若しくは全部に細やかな波形形状若しくは凹凸の形状を有する三角形である窒化物基板と、
   ピーク発光波長λの光を発する活性層構造を含み前記基板の主面上に形成された半導体層部と、を有し、
   下記式を満たす半導体発光素子であって、
   式 Ｌ_ｓｃ×ｔａｎ｛ｓｉｎ^−１（１／ｎ_ｓ（λ））｝≦ｔ_ｓ
   ≦ Ｌ_ｓｃ×ｔａｎ｛９０−ｓｉｎ^−１（１／ｎ_ｓ（λ））｝
   （但し、
   ｔ_ｓは、前記基板の最大物理厚みを表し、
   Ｌ_ｓｃは、前記基板主面の任意の２点の作る最も長い線分長を表し、
   ｎ_ｓ（λ）は、前記基板の波長λにおける屈折率を表す。）
   前記基板主面が略三角形であり、最短辺の長さＬ _ｓａ および前記Ｌ _ｓｃ が下記式を満たすことを特徴とする半導体発光素子。
   ４００（μｍ）≦Ｌ _ｓａ ≦Ｌ _ｓｃ ≦５０００（μｍ）
2. 請求項１に記載の半導体発光素子であって、
   前記基板主面に垂直方向に投影した半導体発光素子形状が、正三角形でない三角形であることを特徴とする半導体発光素子。
3. 請求項１又は２に記載の半導体発光素子であって、
   前記窒化物基板の主面が、（０００１）面あるいはこれらの面からのオフ角度が５度以内の面であることを特徴とする半導体発光素子。
4. 請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体発光素子であって、
   前記窒化物基板の主面が、（１−１０ｎ）面、（１１−２ｎ）面（但しｎは０、１、２、３）、あるいは、これらの面からのオフ角度が５度以内の面であることを特徴とする半導体発光素子。
5. 請求項１〜４のいずれか１項に記載の半導体発光素子であって、
   前記半導体層部が第二導電型半導体層をも有し、かつ、前記活性層構造が量子井戸層と
   障壁層を含んでおり、
   当該量子井戸層の数をＮＵＭ_ＱＷ、
   当該量子井戸層を構成する層の平均物理厚みをＴ_ＱＷ（ｎｍ）、
   当該量子井戸層を構成する層の波長λにおける平均屈折率をｎ_ＱＷ（λ）、
   当該障壁層の数をＮＵＭ_ＢＲ、
   当該障壁層を構成する層の平均物理厚みをＴ_ＢＲ（ｎｍ）、
   当該障壁層を構成する層の波長λにおける平均屈折率をｎ_ＢＲ（λ）、
   当該第二導電型半導体層の物理厚みをＴ_Ｐ（ｎｍ）、
   当該第二導電型半導体層の屈折率をｎ_Ｐ（λ）とする際に、
   以下の式を満たすことを特徴とする半導体発光素子。