JP4385741B2 - 発光装置 - Google Patents

発光装置 Download PDF

Info

Publication number
JP4385741B2
JP4385741B2 JP2003394230A JP2003394230A JP4385741B2 JP 4385741 B2 JP4385741 B2 JP 4385741B2 JP 2003394230 A JP2003394230 A JP 2003394230A JP 2003394230 A JP2003394230 A JP 2003394230A JP 4385741 B2 JP4385741 B2 JP 4385741B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
led chip
recess
light extraction
mounting substrate
light
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP2003394230A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2005158949A (ja
Inventor
浩二 西岡
勝 杉本
秀吉 木村
良二 横谷
裕 岩堀
拓磨 橋本
真也 石崎
哲 森
英二 塩濱
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Corp
Panasonic Electric Works Co Ltd
Original Assignee
Panasonic Corp
Matsushita Electric Works Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority to JP2003394230A priority Critical patent/JP4385741B2/ja
Application filed by Panasonic Corp, Matsushita Electric Works Ltd filed Critical Panasonic Corp
Priority to EP04819421A priority patent/EP1691425B1/en
Priority to CNB2004800348137A priority patent/CN100416874C/zh
Priority to TW093136374A priority patent/TWI303110B/zh
Priority to PCT/JP2004/017509 priority patent/WO2005053041A1/ja
Priority to DE602004028648T priority patent/DE602004028648D1/de
Priority to US10/596,019 priority patent/US7717589B2/en
Publication of JP2005158949A publication Critical patent/JP2005158949A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4385741B2 publication Critical patent/JP4385741B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/161—Cap
    • H01L2924/1615—Shape
    • H01L2924/16195—Flat cap [not enclosing an internal cavity]

Landscapes

  • Led Device Packages (AREA)

Description

本発明は、照明や表示等に用いられ、ＬＥＤチップの実装基板側の表面を樹脂により封止してなる発光装置に関する。
図６に従来の発光装置の構成を示す。この発光装置では、実装基板１に、ＬＥＤチップと空気層の屈折率差を小さくし、かつ空気層との界面での全反射を極力少なくする機能を持つ光取り出し増大部５を完全に入れることができる深い凹部３を形成し、この凹部３内にＬＥＤチップ２を実装して、その上にガラスやシリコーン樹脂のような透光性樹脂で成る光取り出し増大部５を配置して、ＬＥＤチップ２の光取り出し面から放射される光の取り出し効率を向上させていた。また、ＬＥＤチップ２と光取り出し増大部５の周囲をシリコーン樹脂のような透光性の樹脂４により封止して、ＬＥＤチップ２の特に活性層や電極部を保護し、光取り出し増大部５を固定していた（例えば、特許文献１参照）。
特開２００３−３１８４４８号公報
上記の従来技術では、ＬＥＤチップ２と光取り出し増大部５を封止するために、実装基板１に形成された凹部３に少量の封止樹脂４を滴下充填し硬化させているので、封止樹脂４の滴下量を制御することが困難であった。このため、光取り出し増大部５の裾部分を覆う封止樹脂４の高さが一定にならず、その結果、光取り出し増大部５の光取り出し増大機能にバラツキが生じ、発光装置ごとの光出力にバラツキを生じるという問題があった。
本発明は、上記課題に鑑みて成されたものであり、封止樹脂の高さを実装基板に設けられた凹部上端付近にすることで、光取り出し増大部の機能のバラツキを低減し、もって、発光装置ごとの光出力のバラツキを低減できる発光装置を提供することを目的とする。
上記課題を解決するために請求項１の発明は、ＬＥＤチップと、凹部を有し、その底面に前記ＬＥＤチップを実装する実装基板と、少なくともＬＥＤチップの実装基板側の表面を封止する封止樹脂とからなる発光装置において、前記ＬＥＤチップは、光取り出し面側に、ＬＥＤチップと一体になりＬＥＤチップからの光の取り出し率を増大させる光取り出し増大部が設けられ、前記封止樹脂は、前記凹部壁面の頂部の高さに略等しくなるように充填され、前記光取り出し増大部は、その頂部が前記凹部壁面の頂部よりも高くなるように設けられ、前記実装基板の凹部の周囲に樹脂材料が流れ込む第２の凹部が設けられ、前記ＬＥＤチップから放射される電磁波を吸収してＬＥＤチップの電磁波とは異なる波長の電磁波を放射する波長変換材料を含む波長変換部材を有し、前記波長変換部材は、開口部を凹部に対向させて前記凹部とその周囲とを覆うように、実装基板上に設置され、かつ、前記開口部の端部が前記第２の凹部に嵌合するものである。
請求項１の発明によれば、封止樹脂を凹部の容積以上に注入した場合には、余分な量の封止樹脂は凹部の周囲に広がるために、封止樹脂の高さ制御を実装基板側に持たせることができ、封止樹脂の表面高さが実装基板凹部の頂部高さを大きく超えることはなくなる。これにより、発光部ごとの封止樹脂の表面高さの均一性を高めることができ、また、この高さは光取り出し増大部の高さより低いために、光取り出し増大部の機能を損なうことがなくなる。その結果、光取り出し増大部の効果による大きい光取り出し率を保ちつつ、発光装置ごとの光出力ばらつきを低減することができる。
同発明によれば、封止樹脂を凹部内に充填する際に、凹部の容積以上に注入した場合には、余分な量の封止樹脂は凹部周囲の第２の凹部に流れ込むために、その周囲には広がらない。従って、実装基板上の他の部品が封止樹脂の汚染により悪影響を受けることを防止でき、発光装置の信頼性を高めることができる。
同発明によれば、波長変換部材の効果により、ＬＥＤチップとは異なる波長の電磁波を放射する発光装置となる上、第２の凹部に流れ込んだ樹脂が、波長変換部材を実装基板に固定する接着剤を兼ねることができ、材料費の低減と、量産性の向上が期待できる。
（実施例１−１）
図１は、本発明に係る発光装置の実施形態の一例を示す。この発光装置は、実装基板１と、ＬＥＤチップ２とを備える。実装基板1は、セラミックスで形成されたものであり、この実装基板１には凹部３が形成され、この凹部３の底面の配線（図示略）に金等でバンプ９を設け、ＬＥＤチップ２をバンプ９上にフリップチップ実装し電気的に接続している。また、ＬＥＤチップ２の光取り出し面側には、シリコーン樹脂製半球状の光取り出し率を増大させる光取り出し増大部５が設置され、凹部３はシリコーン樹脂などの封止樹脂４で充填され、光取り出し増大部５の一部を覆った状態になっている。ここに、凹部３の上端位置（壁面の頂部）はＬＥＤチップ２の光取り出し面より高く、光取り出し増大部５の頂部よりは低くなっている。
この構成により、凹部３に充填する封止樹脂４の内、余分な樹脂は凹部３外に流れ出し、封止樹脂４は、凹部３壁面の頂部の高さに略等しくなるように充填され、封止樹脂４の高さはバラツキなく、常に光取り出し増大部５の一定の高さまでを覆っている状態になる。このため、光取り出し増大部５の光取り出しの効果は一定となり、発光装置ごとの光出力のバラツキは低減される。
上記実装基板１は、セラミックスを用いたが、セラミックスに限定されるものではなく、プリント基板や金属基板等も使用することができる。また、光取り出し増大部５はシリコーン樹脂に限定されるものではなく、ガラス、アクリル樹脂などの透明樹脂でも同様の効果が得られる。また、光取り出し増大部５の形状は半球に限定されるものではなく、光取り出し増大部５と外側の媒質との界面での全反射を少なくする構造なら同様の効果が得られる。また、凹部３に充填される封止樹脂４は、シリコーンに限定されるものではなく、透明な高屈折率接着剤でも同様の効果が得られる。
（実施例１−２）
図２は、本発明に係る発光装置の実施形態の他の例を示す。この発光装置は、ＬＥＤチップ２の光取り出し面と光取り出し増大部６の構成が上記実施形態とは異なり、光取り出し面は、該面と外部との屈折率の違いによる全反射を低減するためにテーパ構造になり、それでもって光取り出し増大部６を形成している。その他の構成は上記と同等であり、凹部３に充填された封止樹脂４の高さはバラツキなく、常にＬＥＤチップ２の一定の高さまでを覆い、また、凹部３の上端位置はＬＥＤチップ２の光取り出し面である光取り出し増大部６より低くなっている。従って、この光取り出し増大部６により、上記と同等の光取り出し効果が得られる。
ＬＥＤチップ２の光取り出し面に形成された光増大部６はテーパ構造であるが、これに限定されるものではなく、ＬＥＤチップ２の光取り出し面での全反射を低減する構造であれば同様の効果が得られる。
（実施例２）
図３は、本発明に係る発光装置の実施形態の一例を示す。この発光装置において、上記実施例１と相違する点は、実装基板１に凹部３と、その周囲に第２の凹部７が形成されていることであり、凹部３に封止樹脂４を充填したときに、余分な樹脂が、その周囲の第２の凹部７に流れ込み、実装基板１の外に漏れ出すことを防止できるようにした。これにより、実装基板１の外側に配置される部品や電気配線などを充填樹脂で汚染することがなくなる。その他の構成は、上記実施例１と同様であり、凹部３に充填された封止樹脂４の高さはバラツキなく、光取り出し増大部５の一定の高さまでを覆っているので、光取り出し効果は一定となり、発光装置ごとの光出力のバラツキが低減できる。
（実施例３−１）
図４は、本発明に係る発光装置の実施形態の一例を示す。この発光装置において、上記実施例２と相違する点は、実装基板１の第２の凹部７に、ドーム状の波長変換部材８が凹部３及び光取り出し増大部５を覆うように配置され、凹部３を充填して溢れてきたシリコーン樹脂などの封止樹脂４で固定されるようにしたことである。これにより、ＬＥＤチップ２から放射される電磁波を吸収してＬＥＤチップ２の電磁波とは異なる波長の電磁波を放射する機能を持たせることができる。その他の効果は、上記と同等である。
なお、波長変換部材８はドーム状になっているが、この形状に限定されるものではなく、同等の機能を備え、内部に光取り出し増大部５を納める空間を有していれば、直方体や砲弾型のような形状でもよい。
（実施例３−２）
図５は、本発明に係る発光装置の実施形態の一例を示す。この発光装置において、上記実施例３−１と相違する点は、実装基板１の第２の凹部７に、筒状の波長変換部材８が凹部３及び光取り出し増大部５を覆うように配置され、凹部３を充填して溢れてきた封止樹脂４で固定されるようにしたことである。ここに、波長変換部材８は、枠部８ｂと、その上部を覆うように配置された波長変換材料８aとで形成されている。この形態においても、上記実施形態３−１と同等の効果が得られる。
なお、本発明は、上記実施形態の構成に限られず、種々の変形が可能であり、実装基板に設けられた凹部の上端位置を光取り出し増大部の頂部より低くし、封止樹脂の高さ制御を実装基板側に持たせることにより、封止樹脂の高さを実装基板に設けられた凹部上端位置にするものであれば、どのような構成であっても構わない。
本発明の実施例の一例を示す断面図。 本発明の実施例の一例を示す断面図。 （ａ）（ｂ）は本発明の実施例の一例を示す上面図及び断面図。 本発明の実施例の一例を示す断面図。 本発明の実施例の一例を示す断面図。 従来例を示す断面図。
符号の説明
１ 実装基板
２ ＬＥＤチップ
３ 凹部
４ 封止樹脂
５ 光取り出し増大部
６ ＬＥＤチップ上の光取り出し増大部
７ 第２の凹部
８ 波長変換部材

Claims (1)

  1. ＬＥＤチップと、凹部を有し、その底面に前記ＬＥＤチップを実装する実装基板と、少なくともＬＥＤチップの実装基板側の表面を封止する封止樹脂とからなる発光装置において、
    前記ＬＥＤチップは、光取り出し面側に、ＬＥＤチップと一体になりＬＥＤチップからの光の取り出し率を増大させる光取り出し増大部が設けられ、
    前記封止樹脂は、前記凹部壁面の頂部の高さに略等しくなるように充填され、
    前記光取り出し増大部は、その頂部が前記凹部壁面の頂部よりも高くなるように設けられ、
    前記実装基板の凹部の周囲に樹脂材料が流れ込む第２の凹部が設けられ、
    前記ＬＥＤチップから放射される電磁波を吸収してＬＥＤチップの電磁波とは異なる波長の電磁波を放射する波長変換材料を含む波長変換部材を有し、
    前記波長変換部材は、開口部を凹部に対向させて前記凹部とその周囲とを覆うように、実装基板上に設置され、かつ、前記開口部の端部が前記第２の凹部に嵌合することを特徴とする発光装置。
JP2003394230A 2003-11-25 2003-11-25 発光装置 Expired - Lifetime JP4385741B2 (ja)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003394230A JP4385741B2 (ja) 2003-11-25 2003-11-25 発光装置
CNB2004800348137A CN100416874C (zh) 2003-11-25 2004-11-25 采用发光二极管芯片的发光器件
TW093136374A TWI303110B (en) 2003-11-25 2004-11-25 Light-emitting device using light-emitting diode chip
PCT/JP2004/017509 WO2005053041A1 (ja) 2003-11-25 2004-11-25 発光ダイオードチップを用いた発光装置
EP04819421A EP1691425B1 (en) 2003-11-25 2004-11-25 Light emitting device using light emitting diode chip
DE602004028648T DE602004028648D1 (de) 2003-11-25 2004-11-25 Lichtemittierendes bauelement mit einem leuchtdiodenchip
US10/596,019 US7717589B2 (en) 2003-11-25 2004-11-25 Light emitting device using light emitting diode chip

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003394230A JP4385741B2 (ja) 2003-11-25 2003-11-25 発光装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2005158949A JP2005158949A (ja) 2005-06-16
JP4385741B2 true JP4385741B2 (ja) 2009-12-16

Family

ID=34720363

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2003394230A Expired - Lifetime JP4385741B2 (ja) 2003-11-25 2003-11-25 発光装置

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JP4385741B2 (ja)
CN (1) CN100416874C (ja)

Families Citing this family (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1840977A4 (en) * 2004-12-24 2009-07-29 Kyocera Corp LIGHT SOURCE AND LIGHTING DEVICE
KR101161383B1 (ko) * 2005-07-04 2012-07-02 서울반도체 주식회사 발광 다이오드 및 이를 제조하기 위한 방법
JP4820133B2 (ja) * 2005-07-25 2011-11-24 パナソニック電工株式会社 発光装置
JP4925346B2 (ja) * 2005-07-25 2012-04-25 パナソニック株式会社 発光装置
JP4742761B2 (ja) * 2005-09-09 2011-08-10 パナソニック電工株式会社 発光装置
JP4886253B2 (ja) * 2005-09-09 2012-02-29 パナソニック電工株式会社 発光装置
JP2007080870A (ja) * 2005-09-09 2007-03-29 Matsushita Electric Works Ltd 発光装置
JP4820135B2 (ja) * 2005-09-20 2011-11-24 パナソニック電工株式会社 発光装置
JP2007088078A (ja) * 2005-09-20 2007-04-05 Matsushita Electric Works Ltd 発光装置
CN100594623C (zh) * 2005-09-20 2010-03-17 松下电工株式会社 发光二极管照明器具
JP4556815B2 (ja) * 2005-09-20 2010-10-06 パナソニック電工株式会社 発光装置
JP4742772B2 (ja) * 2005-09-20 2011-08-10 パナソニック電工株式会社 発光装置
JP4765507B2 (ja) * 2005-09-20 2011-09-07 パナソニック電工株式会社 発光装置
JP5025636B2 (ja) * 2006-03-28 2012-09-12 京セラ株式会社 発光装置
JP4847793B2 (ja) * 2006-06-01 2011-12-28 京セラ株式会社 発光装置
JP5036222B2 (ja) * 2006-06-01 2012-09-26 京セラ株式会社 発光装置
JP4960657B2 (ja) * 2006-06-30 2012-06-27 パナソニック株式会社 発光装置
US7503676B2 (en) * 2006-07-26 2009-03-17 Kyocera Corporation Light-emitting device and illuminating apparatus
JP2008159705A (ja) * 2006-12-21 2008-07-10 Matsushita Electric Works Ltd 発光装置
JP2007194675A (ja) * 2007-04-26 2007-08-02 Kyocera Corp 発光装置
JP2007214592A (ja) * 2007-04-26 2007-08-23 Kyocera Corp 発光装置
JP4888280B2 (ja) 2007-08-28 2012-02-29 パナソニック電工株式会社 発光装置
EP2235428A2 (en) * 2008-01-22 2010-10-06 Koninklijke Philips Electronics N.V. Illumination device with led and a transmissive support comprising a luminescent material
US8188486B2 (en) * 2008-09-16 2012-05-29 Osram Sylvania Inc. Optical disk for lighting module
US7994529B2 (en) * 2008-11-05 2011-08-09 Koninklijke Philips Electronics N.V. LED with molded bi-directional optics
DE102009017495B4 (de) 2009-02-11 2020-07-09 Osram Opto Semiconductors Gmbh Beleuchtungseinrichtung
CN102980072A (zh) * 2010-03-01 2013-03-20 亿光电子工业股份有限公司 光源模块与灯具
CN102486265B (zh) * 2010-12-03 2014-04-23 安德瑞国际有限公司 Led模块及灯具结构
TWI436507B (zh) * 2011-08-05 2014-05-01 Au Optronics Corp 發光裝置以及光源模組
JP2014146661A (ja) 2013-01-28 2014-08-14 Panasonic Corp 発光モジュール、照明装置および照明器具
JP6107475B2 (ja) * 2013-06-28 2017-04-05 日亜化学工業株式会社 発光装置
KR102140226B1 (ko) * 2014-02-05 2020-07-31 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지 및 이를 포함하는 조명 장치
JP2016006815A (ja) * 2014-06-20 2016-01-14 船井電機株式会社 基台、及び接着構造の製造方法
US10256378B2 (en) 2015-05-28 2019-04-09 Sumitomo Chemical Company, Limited LED device, LED module and ultraviolet light emitting device
CN104879665B (zh) * 2015-06-05 2018-06-19 北京安达维尔民用航空技术有限公司 一种去除杂光的照明灯具
JP6852066B2 (ja) 2015-10-19 2021-03-31 ルミレッズ ホールディング ベーフェー テクスチャ基板を有する波長変換式発光デバイス
CN107403791B (zh) * 2016-05-18 2020-04-10 光宝光电(常州)有限公司 发光显示器以及形成发光显示器的方法
WO2018008064A1 (ja) * 2016-07-04 2018-01-11 堺ディスプレイプロダクト株式会社 光源装置及び表示装置
CN110881243A (zh) * 2019-09-04 2020-03-13 广东华辉煌光电科技有限公司 一种带倒装芯片的线路板结构

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2593930B1 (fr) * 1986-01-24 1989-11-24 Radiotechnique Compelec Dispositif opto-electronique pour montage en surface
JPH0832120A (ja) * 1994-07-19 1996-02-02 Rohm Co Ltd 面発光表示器
JPH0927643A (ja) * 1995-07-13 1997-01-28 Stanley Electric Co Ltd 受光／発光素子
KR100643442B1 (ko) * 1996-06-26 2006-11-10 오스람 게젤샤프트 미트 베쉬랭크터 하프퉁 발광 변환 소자를 포함하는 발광 반도체 소자
JP3185977B2 (ja) * 1998-08-12 2001-07-11 スタンレー電気株式会社 Ｌｅｄランプ
US6504301B1 (en) * 1999-09-03 2003-01-07 Lumileds Lighting, U.S., Llc Non-incandescent lightbulb package using light emitting diodes
JP3627592B2 (ja) * 1999-10-08 2005-03-09 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
JP2001345482A (ja) * 2000-06-01 2001-12-14 Toshiba Corp 蛍光表示装置
JP3789747B2 (ja) * 2000-11-15 2006-06-28 三洋電機株式会社 発光装置の製造方法
JP3614776B2 (ja) * 2000-12-19 2005-01-26 シャープ株式会社 チップ部品型ｌｅｄとその製造方法
JP3991612B2 (ja) * 2001-04-09 2007-10-17 日亜化学工業株式会社 発光素子
JP4061869B2 (ja) * 2001-07-26 2008-03-19 松下電工株式会社 発光装置の製造方法
JP4122738B2 (ja) * 2001-07-26 2008-07-23 松下電工株式会社 発光装置の製造方法
JP2003110146A (ja) * 2001-07-26 2003-04-11 Matsushita Electric Works Ltd 発光装置
JP2003234511A (ja) * 2002-02-06 2003-08-22 Toshiba Corp 半導体発光素子およびその製造方法
JP2003243724A (ja) * 2002-02-14 2003-08-29 Matsushita Electric Works Ltd 発光装置
JP4269709B2 (ja) * 2002-02-19 2009-05-27 日亜化学工業株式会社 発光装置およびその製造方法
JP2003321675A (ja) * 2002-04-26 2003-11-14 Nichia Chem Ind Ltd 窒化物蛍光体及びその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN100416874C (zh) 2008-09-03
JP2005158949A (ja) 2005-06-16
CN1886841A (zh) 2006-12-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4385741B2 (ja) 発光装置
CN105990309B (zh) 封装基板及应用其的封装结构
CN100452450C (zh) 光学表面安装技术封装件
JP5596901B2 (ja) 反射レンズを備えたパワー発光ダイパッケージおよびその作製方法
US8115106B2 (en) Surface mount device
KR100757196B1 (ko) 실리콘 렌즈를 구비하는 발광소자
US8203164B2 (en) Light emitting diode package
JP4979896B2 (ja) 発光装置
KR101979825B1 (ko) 발광디바이스 및 이를 포함하는 전자장치
US20150129914A1 (en) Light-emitting diode package
JP2007311445A (ja) 半導体発光装置及びその製造方法
JP2005317661A (ja) 半導体発光装置およびその製造方法
KR200453847Y1 (ko) 균일한 수지표면을 형성한 발광다이오드 패키지
JP2006066786A (ja) 発光ダイオード
JP2014049764A (ja) 側面型発光ダイオードパッケージ及びその製造方法
JP2015015404A (ja) Ｌｅｄモジュール及びそれを備える照明装置
JP2005064111A (ja) 高輝度発光ダイオード
JP6261720B2 (ja) オプトエレクトロニクス素子およびオプトエレクトロニクス素子の製造方法
KR101091270B1 (ko) 발광 소자 패키지 및 이를 구비한 발광 장치
JP2008072043A (ja) 光半導体装置
JP2007005722A (ja) 光半導体素子用外囲器およびそれを用いた光半導体装置
US11024779B2 (en) LED device
KR20060104432A (ko) 고휘도 박형 플래시 장치
JP4884074B2 (ja) 半導体発光装置
JP2019087715A (ja) Ｌｅｄパッケージ

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20061107

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20080805

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20090303

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20090327

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20090507

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20090908

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20090921

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4385741

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121009

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131009

Year of fee payment: 4

EXPY Cancellation because of completion of term