JP2006332365A5 - - Google Patents
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Claims (7)
- ＩｎＧａＮ層とｎ−ＧａＮ層とを交互に所定のペア数で積層して構成される歪緩和超格子層と、
ｐ型のＩＩＩ族窒化物系化合物半導体層と、
前記歪緩和超格子層および前記ｐ型のＩＩＩ族窒化物系化合物半導体層の間に設けられ、井戸層とＡｌを３〜６％含むバリア層からなるＭＱＷ層とを有することを特徴とするＩＩＩ族窒化物系化合物半導体発光素子。 - 前記ｐ型のＩＩＩ族窒化物系化合物半導体層は、ｐ−ＩｎＧａＮ層とｐ−ＡｌＧａＮ層とを交互に所定のペア数で積層して構成されるクラッド層であることを特徴とする請求項１に記載のＩＩＩ族窒化物系化合物半導体発光素子。
- ｐ−ＩｎＧａＮ層とｐ−ＡｌＧａＮ層とを交互に所定のペア数で積層して構成されるクラッド層と、
ｎ型のＩＩＩ族窒化物系化合物半導体層と、
前記クラッド層および前記ｎ型のＩＩＩ族窒化物系化合物半導体層の間に設けられ、井戸層とＡｌを３〜６％含むバリア層からなるＭＱＷ層とを有することを特徴とするＩＩＩ族窒化物系化合物半導体発光素子。 - 前記井戸層はＩｎＧａＮからなり、
前記バリア層はＡｌＧａＮからなることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項記載のＩＩＩ族窒化物系化合物半導体発光素子。 - 請求項１から４のいずれか１項に記載のＩＩＩ族窒化物系化合物半導体発光素子と、
前記ＩＩＩ族窒化物系化合物半導体発光素子と同等の熱膨張率を有して構成される素子搭載基板と、
前記ＩＩＩ族窒化物系化合物半導体発光素子および前記素子搭載基板を同等の熱膨張率を有して構成されて前記ＩＩＩ族窒化物系化合物半導体発光素子および前記素子搭載基板を封止する無機封止部とを有することを特徴とする発光装置。 - 前記無機封止部は、低融点ガラスからなる請求項５に記載の発光装置。
- 前記ＩＩＩ族窒化物系化合物半導体発光素子は、前記素子搭載基板にフリップ実装される構成の請求項５または６に記載の発光装置。
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| JP2006332365A JP2006332365A (ja) | 2006-12-07 |
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