JP2010010591A5 - - Google Patents
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- 基板上に設けられたn型半導体層と、前記n型半導体層上に設けられ、自然放出光を発光する活性層と、前記活性層上に設けられたp型半導体層と、前記半導体基板の裏面または前記n型半導体層上に設けられ、前記活性層及び前記p型半導体層と離隔して設けられたn電極と、前記p型半導体層上に設けられたp電極とを具備し、前記活性層からの発光を前記基板側から外部に取り出す半導体発光素子において、
前記ｐ電極がドット状ＮｉO層と、このドット状ＮｉO層上に形成された反射オーミックＡｇ層を含むことを特徴とする半導体発光素子。 - 前記ドット状ＮｉＯ層は、１ｎｍ以上、３ｎｍ以下の膜厚を有することを特徴とする請求項１に記載の半導体発光素子。
- 前記ドット状ＮｉＯ層は、ｐ電極の全面積に対し、５０％以上、８５％以下の面積率を有することを特徴とする請求項１または２に記載の半導体発光素子。
- 基板上に設けられたn型半導体層と、前記n型半導体層上に設けられ、自然放出光を発光する活性層と、前記活性層上に設けられたp型半導体層と、前記半導体基板の裏面または前記n型半導体層上に設けられ、前記活性層及び前記p型半導体層と離隔して設けられたn電極と、前記p型半導体層上に設けられたp電極とを具備し、前記活性層からの発光を前記基板側から外部に取り出す半導体発光素子の製造方法において、
前記ｐ電極は、ドット状Ｎｉ層を形成する工程、このドット状Ｎｉ層上に反射オーミックＡｇ層を形成する工程、及び３５０℃以上、６００℃未満の温度で、酸素を含む雰囲気中で熱処理する工程により形成されることを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
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