JP2011258993A5 - - Google Patents
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上記課題を解決するため、本発明の第１の態様は、ｎ型半導体層と、ｐ型半導体層と、前記ｎ型半導体層と前記ｐ型半導体層との間に設けられた活性層と、前記ｎ型半導体層に接して設けられたｎ電極と、前記ｐ型半導体層に接して設けられたｐ電極とを具備する半導体発光素子において、前記ｐ電極がドット状ＮｉＯ層と、このドット状ＮｉＯ層に接して形成されたＡｇ層を含むことを特徴とする半導体発光素子を提供する。
本発明の第２の態様は、ｎ型半導体層と、ｐ型半導体層と、前記ｎ型半導体層と前記ｐ型半導体層との間に設けられた活性層と、前記ｎ型半導体層に接して設けられたｎ電極と、前記ｐ型半導体層に接して設けられたｐ電極とを具備する半導体発光素子の製造方法において、前記ｐ電極は、ドット状Ｎｉ層を形成する工程、このドット状Ｎｉ層上にＡｇ層を形成する工程、及び３５０℃以上、６００℃未満の温度で、酸素を含む雰囲気中で熱処理して前記ドット状Ｎｉ層の一部をドット状ＮｉＯに変換する工程により形成されることを特徴とする半導体発光素子の製造方法を提供する。
Claims (4)
- ｎ型半導体層と、
ｐ型半導体層と、
前記ｎ型半導体層と前記ｐ型半導体層との間に設けられた活性層と、
前記ｎ型半導体層に接して設けられたｎ電極と、
前記ｐ型半導体層に接して設けられたｐ電極とを具備する半導体発光素子において、
前記ｐ電極がドット状ＮｉＯ層と、このドット状ＮｉＯ層に接して形成されたＡｇ層を含むことを特徴とする半導体発光素子。 - 前記ドット状ＮｉＯ層は、１ｎｍ以上、３ｎｍ以下の膜厚を有することを特徴とする請求項１に記載の半導体発光素子。
- 前記ドット状ＮｉＯ層は、前記ｐ電極の全面積に対し、５０％以上、８５％以下の面積率を有することを特徴とする請求項１または２に記載の半導体発光素子。
- ｎ型半導体層と、
ｐ型半導体層と、
前記ｎ型半導体層と前記ｐ型半導体層との間に設けられた活性層と、
前記ｎ型半導体層に接して設けられたｎ電極と、
前記ｐ型半導体層に接して設けられたｐ電極とを具備する半導体発光素子の製造方法において、
前記ｐ電極は、ドット状Ｎｉ層を形成する工程、このドット状Ｎｉ層上にＡｇ層を形成する工程、及び３５０℃以上、６００℃未満の温度で、酸素を含む雰囲気中で熱処理して前記ドット状Ｎｉ層の一部をドット状ＮｉＯに変換する工程により形成されることを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
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| JP2011209816A JP5646423B2 (ja) | 2011-09-26 | 2011-09-26 | 半導体発光装置及びその製造方法 |
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| JP2011209816A JP5646423B2 (ja) | 2011-09-26 | 2011-09-26 | 半導体発光装置及びその製造方法 |
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