JP2011258993A5 - - Google Patents
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上記課題を解決するため、本発明の第1の態様は、n型半導体層と、p型半導体層と、前記n型半導体層と前記p型半導体層との間に設けられた活性層と、前記n型半導体層に接して設けられたn電極と、前記p型半導体層に接して設けられたp電極とを具備する半導体発光素子において、前記p電極がドット状NiO層と、このドット状NiO層に接して形成されたAg層を含むことを特徴とする半導体発光素子を提供する。
本発明の第2の態様は、n型半導体層と、p型半導体層と、前記n型半導体層と前記p型半導体層との間に設けられた活性層と、前記n型半導体層に接して設けられたn電極と、前記p型半導体層に接して設けられたp電極とを具備する半導体発光素子の製造方法において、前記p電極は、ドット状Ni層を形成する工程、このドット状Ni層上にAg層を形成する工程、及び350℃以上、600℃未満の温度で、酸素を含む雰囲気中で熱処理して前記ドット状Ni層の一部をドット状NiOに変換する工程により形成されることを特徴とする半導体発光素子の製造方法を提供する。
Claims (4)
- n型半導体層と、
p型半導体層と、
前記n型半導体層と前記p型半導体層との間に設けられた活性層と、
前記n型半導体層に接して設けられたn電極と、
前記p型半導体層に接して設けられたp電極とを具備する半導体発光素子において、
前記p電極がドット状NiO層と、このドット状NiO層に接して形成されたAg層を含むことを特徴とする半導体発光素子。 - 前記ドット状NiO層は、1nm以上、3nm以下の膜厚を有することを特徴とする請求項1に記載の半導体発光素子。
- 前記ドット状NiO層は、前記p電極の全面積に対し、50%以上、85%以下の面積率を有することを特徴とする請求項1または2に記載の半導体発光素子。
- n型半導体層と、
p型半導体層と、
前記n型半導体層と前記p型半導体層との間に設けられた活性層と、
前記n型半導体層に接して設けられたn電極と、
前記p型半導体層に接して設けられたp電極とを具備する半導体発光素子の製造方法において、
前記p電極は、ドット状Ni層を形成する工程、このドット状Ni層上にAg層を形成する工程、及び350℃以上、600℃未満の温度で、酸素を含む雰囲気中で熱処理して前記ドット状Ni層の一部をドット状NiOに変換する工程により形成されることを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
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