JP2011029626A5 - 半導体装置の作製方法、及び酸化物半導体層の作製方法 - Google Patents

Claims (4)

1. 絶縁層上に、酸化物半導体層を形成し、
   前記酸化物半導体層を、脱水化または脱水素化し、
   前記酸化物半導体層を、酸素を含む雰囲気で冷却し、
   前記酸化物半導体層上に、ソース電極層及びドレイン電極層を形成し、
   前記酸化物半導体層の一部と接する酸化物絶縁層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
2. 絶縁層上に、酸化物半導体層を形成し、
   前記酸化物半導体層を、窒素を有する雰囲気で加熱して、前記酸化物半導体層から酸素と水素とを放出させ、
   前記酸化物半導体層を、酸素を含む雰囲気で冷却し、
   前記酸化物半導体層上に、ソース電極層及びドレイン電極層を形成し、
   前記酸化物半導体層の一部と接する酸化物絶縁層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
3. 請求項１又は請求項２において、
   前記酸化物半導体層は、Ｉｎ、Ｇａ、及びＺｎを含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
4. 絶縁層上に、酸化物半導体層を形成し、
   前記酸化物半導体層を、窒素を有する雰囲気で加熱して、前記酸化物半導体層から酸素と水素とを放出させ、
   前記酸化物半導体層を、酸素を含む雰囲気で冷却することを特徴とする酸化物半導体層の作製方法。