JP5646423B2 - 半導体発光装置及びその製造方法 - Google Patents
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Description
また、n側電極4としては、Ti/Al/Ni/Au等の積層金属膜を用いることが出来る。
雰囲気:酸素:窒素=8:2、
処理時間:1分。
ピールテストは、基板上に1nm〜3nmの膜厚のドット状Ni膜を成膜した後、200nmのAg層を成膜してNi/Ag電極サンプルを作製し、スクライバー等で100箇所(1mm角)にケガキをいれて、Ni/Ag電極部のみを分割し、セロテープ(登録商標)(JIS Z1522)を貼り付け、はがした際に、100箇所中何箇所が剥がれたかをカウントすることにより行った。
ピールテストで用いたサンプルを用い、表面の反射率を測定した。測定はハロゲンランプ光源をφ5mmの円形領域に照射し、サンプルからの反射強度を測定することで行った。また、反射率はAg単層膜を蒸着成膜したときの反射強度を100として求めた。
Claims (5)
- n型半導体層と、
p型半導体層と、
前記n型半導体層と前記p型半導体層との間に設けられた活性層と、
前記n型半導体層に接して設けられたn電極と、
前記p型半導体層に接して設けられたp電極とを具備する半導体発光素子において、
前記p電極が、前記p型半導体層に接するドット状NiO層と、このドット状NiO層に接して形成された反射電極としてのAg層を含み、前記Ag層にはNiが拡散してアロイ化していることを特徴とする半導体発光素子。 - 前記ドット状NiO層は、1nm以上、3nm以下の膜厚を有することを特徴とする請求項1に記載の半導体発光素子。
- 前記ドット状NiO層は、前記p電極の全面積に対し、50%以上、85%以下の面積率を有することを特徴とする請求項1または2に記載の半導体発光素子。
- 請求項1に記載の半導体発光素子の製造方法であって、
n型半導体層と、
p型半導体層と、
前記n型半導体層と前記p型半導体層との間に設けられた活性層と、
前記n型半導体層に接して設けられたn電極と、
前記p型半導体層に接して設けられたp電極とを具備する半導体発光素子の製造方法において、
前記p電極は、前記p型半導体層に接したドット状Ni層を形成する工程、このドット状Ni層上に反射電極としてのAg層を形成する工程、及び350℃以上、600℃未満の温度で、酸素を含む雰囲気中で熱処理して前記ドット状Ni層の一部をドット状NiOに変換する工程により形成されることを特徴とする半導体発光素子の製造方法。 - 前記ドット状Ni層は、1nm以上3nm以下の膜厚で形成することを特徴とする請求項4に記載の半導体発光素子の製造方法。
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