JP5784176B2 - 半導体発光素子の製造方法 - Google Patents
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雰囲気:酸素:窒素=8:2、
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ピールテストは、基板上に1nm〜3nmの膜厚のドット状Ni膜を成膜した後、200nmのAg層を成膜してNi/Ag電極サンプルを作製し、スクライバー等で100箇所(1mm角)にケガキをいれて、Ni/Ag電極部のみを分割し、セロテープ(登録商標)(JIS Z1522)を貼り付け、はがした際に、100箇所中何箇所が剥がれたかをカウントすることにより行った。
ピールテストで用いたサンプルを用い、表面の反射率を測定した。測定はハロゲンランプ光源をφ5mmの円形領域に照射し、サンプルからの反射強度を測定することで行った。また、反射率はAg単層膜を蒸着成膜したときの反射強度を100として求めた。
以下に本願出願の当初の特許請求の範囲に記載された発明を付記する。
[1]n型半導体層と、
p型半導体層と、
前記n型半導体層と前記p型半導体層との間に設けられた活性層と、
前記n型半導体層に接して設けられたn電極と、
前記p型半導体層に接して設けられたp電極とを具備する半導体発光素子の製造方法において、
前記p電極は、1.0〜5.0A/秒の成膜速度で、1nm以上、3nm以下のNi領域を真空蒸着する工程、
このNi領域上にAg層を形成する工程、及び
350℃以上、600℃未満の温度で、酸素を含む雰囲気中で熱処理する工程を行い形成されること特徴とする半導体発光素子の製造方法。
[2]前記Ni領域は、前記p電極の全面積に対し、50%以上、85%以下の面積率形成されることを特徴とする[1]に記載の半導体発光素子。
[3]前記p電極が形成される際、Niが、Ag層に拡散してアロイ化することを特徴とする[1]または[2]に記載の半導体発光素子の製造方法。
[4]n型半導体層と、
p型半導体層と、
前記n型半導体層と前記p型半導体層との間に設けられた活性層と、
前記n型半導体層に接して設けられたn電極と、
前記p型半導体層に接して設けられたp電極とを具備する半導体発光素子において、
前記p電極が前記p型半導体層上にドット状に形成された、Ni領域及び酸素領域と、前記Ni領域に接して形成されたAg層とを含むことを特徴とする半導体発光素子。
[5]前記Ni領域は、1nm以上、3nm以下の膜厚を有することを特徴とする[4]に記載の半導体発光素子。
[6]前記Ni領域は、前記p電極の全面積に対し、50%以上、85%以下の面積率を有することを特徴とする[4]または[5]のいずれか1項に記載の半導体発光素子。
[7]前記p電極は、Niが前記Ag層に拡散し、アロイ化していることを特徴とする[4]乃至[6]のいずれか1項に記載の半導体発光素子。
Claims (2)
- n型半導体層と、
p型半導体層と、
前記n型半導体層と前記p型半導体層との間に設けられた活性層と、
前記n型半導体層に接して設けられたn電極と、
前記p型半導体層に接して設けられたp電極とを具備する半導体発光素子の製造方法において、
前記p電極は、1.0〜5.0A/秒の成膜速度で、1nm以上、3nm以下のNi領域を真空蒸着する工程、
このNi領域上にAg層を形成する工程、及び
350℃以上、600℃未満の温度で、酸素を含む雰囲気中で熱処理する工程を行い形成されること特徴とする半導体発光素子の製造方法。 - 前記p電極が形成される際、Niが、Ag層に拡散してアロイ化することを特徴とする請求項1に記載の半導体発光素子の製造方法。
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