JP5834120B2 - 半導体発光素子 - Google Patents
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Description
本発明の実施形態によれば、第1導電形の第1半導体層と、前記第1半導体層の上に設けられた発光部と、前記発光部の上に設けられた第2導電形の第2半導体層と、前記第2半導体層の上に設けられ前記第2半導体層と接しAgを含む反射電極と、前記反射電極の上に設けられ導電性の酸化物層と、前記酸化物層の上に設けられ導電性の窒素含有層と、を含む半導体発光素子が提供される。前記発光部から射出された光は、前記反射電極で反射され前記第1半導体層側の面から外部に射出される。前記反射電極は、酸素を含む。
なお、図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。また、同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。
なお、本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
図1は、第1の実施形態に係る半導体発光素子の構成を例示する模式的断面図である。 図2は、第1の実施形態に係る半導体発光素子の構成を例示する模式的透過平面図である。
図1は、図2のA1−A2線断面図である。
図1及び図2に表したように、本実施形態に係る半導体発光素子110は、第1半導体層10と、発光部30と、第2半導体層20と、反射電極40と、酸化物層41と、窒素含有層42と、を含む。
図3に表したように、本実施形態に係る半導体発光素子110においては、発光部30は、複数の障壁層31と、複数の障壁層31の間に設けられた井戸層32と、を含む。この例では、2つの井戸層32が図示されているが、井戸層32の数は、1つでも3つ以上でも良い。すなわち、発光部30は、SQW(Single-Quantum Well)構造、または、MQW(Multi-Quantum Well)構造を有することができる。
図4は、第1の実施形態に係る半導体発光素子の製造方法を例示するフローチャート図である。
図5(a)〜図5(e)は、第1の実施形態に係る半導体発光素子の製造方法を例示する工程順模式的断面である。
図4に表したように、第1半導体層10、発光部30及び第2半導体層20を含む積層体15の第2半導体層20の上にAgを含む反射電極40を形成する(ステップS110)。
すなわち、図4及び図5(e)に表したように、酸化物層41及び窒素含有層42を加工する(ステップS150)。この加工においては、例えば、フォトリソグラフィとエッチングが用いられる。
上記の方法により、半導体発光素子110が形成できる。半導体発光素子110は、結晶成長用基板5が除去されたThin Film(TF)型の半導体発光素子である。
図6は、第2半導体層20(p形GaN層)の上に反射電極40(Ag層)を形成し、その後、窒素中で熱処理したとき、及び、酸素中で熱処理したときの、p形GaN層とAg層とのコンタクト抵抗の測定結果を例示している。図6の横軸は熱処理の温度T(℃)であり、図6の縦軸はコンタクト抵抗Rc(Ωcm2)である。図6中、三角印は窒素中の熱処理に対応し、丸印は酸素中の熱処理に対応する。
図8は、第1の実施形態に係る別の半導体発光素子の構成を例示する模式的透過平面図である。
図7は、図8のA1−A2線断面図である。
図1及び図2に表したように、本実施形態に係る別の半導体発光素子111も、第1半導体層10と、発光部30と、第2半導体層20と、反射電極40と、酸化物層41と、窒素含有層42と、を含む。第1半導体層10の一部の上に発光部30が設けられ、発光部30の上に第2半導体層20が設けられている。半導体発光素子111は、結晶成長用基板5と、バッファ層6と、をさらに含む。結晶成長用基板5には、例えば、サファイア、GaN、SiC、Si及びGaAsなどの各種の材料を用いることができる。バッファ層6には、窒化物半導体を用いることができる。結晶成長用基板5の上にバッファ層6が設けられ、バッファ層6の上に第1半導体層10、発光部30及び第2半導体層20が設けられる。
半導体発光素子111は、FC(Flip Chip)型の半導体発光素子である。
図9は、第2の実施形態に係る半導体発光素子の構成を例示する模式的断面図である。 図9に表したように、本実施形態に係る半導体発光素子120も、第1半導体層10と、発光部30と、第2半導体層20と、反射電極40と、酸化物層41と、窒素含有層42と、を含む。さらに、半導体発光素子120は、金属層50、支持基板60及び接合層61を含む。第1半導体層10、発光部30、第2半導体層20、反射電極40、金属層50、支持基板60及び接合層61に関しては、半導体発光素子110と同様とすることができるので説明を省略する。以下では、半導体発光素子120に関し、半導体発光素子110とは異なる部分について説明する。
図10に表したように、本実施形態に係る別の半導体発光素子121も、第1半導体層10と、発光部30と、第2半導体層20と、反射電極40と、酸化物層41と、窒素含有層42と、を含む。半導体発光素子121は、FC型の半導体発光素子である。半導体発光素子121においては、酸化物層41及び窒素含有層42が導電性である。これ以外は、半導体発光素子111と同様なので説明を省略する。半導体発光素子121においては、第1開口部41h及び第2開口部42hを設けても良く、設けなくても良い。半導体発光素子121においても、高性能で高信頼性の、銀を用いた電極が実現できる。
また、各具体例のいずれか2つ以上の要素を技術的に可能な範囲で組み合わせたものも、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に含まれる。
Claims (11)
- 第1導電形の第1半導体層と、
前記第1半導体層の上に設けられた発光部と、
前記発光部の上に設けられた第2導電形の第2半導体層と、
前記第2半導体層の上に設けられAgを含む反射電極と、
前記反射電極の上に設けられ開口部を有し絶縁性の酸化物層と、
前記酸化物層の上に設けられ前記開口部に繋がる開口部を有し絶縁性の窒素含有層と、
前記窒素含有層を覆い、前記酸化物層の前記開口部及び前記窒素含有層の前記開口部を介して前記反射電極と電気的に接続され前記酸化物層の前記開口部における側面及び前記窒素含有層の前記開口部における側面を覆う金属層と、
を備え、
前記反射電極のうちの、前記酸化物層の前記開口部及び前記窒素含有層の前記開口部において露出する部分の面積は、前記反射電極のうちの、前記酸化物層に覆われている部分の面積よりも小さく、
前記反射電極は、酸素を含む、半導体発光素子。 - 前記金属層は、前記酸化物層の端部及び前記窒素含有層の端部を覆う請求項1記載の半導体発光素子。
- 前記酸化物層は、Si、Ge、Ti、Zr、Hf、Ce、Y及びLaの少なくともいずれかの酸化物を含む請求項1または2に記載の半導体発光素子。
- 前記窒素含有層は、Si、Ge、Ti、Zr、Hf及びCeの少なくともいずれかの窒化物または酸窒化物を含む請求項1〜3のいずれか1つに記載の半導体発光素子。
- 前記酸化物層の厚さは、1ナノメートル以上100ナノメートル以下であり、
前記窒素含有層の厚さは、1ナノメートル以上10ナノメートル以下である請求項1〜4のいずれか1つに記載の半導体発光素子。 - 第1導電形の第1半導体層と、
前記第1半導体層の上に設けられた発光部と、
前記発光部の上に設けられた第2導電形の第2半導体層と、
前記第2半導体層の上に設けられ前記第2半導体層と接しAgを含む反射電極と、
前記反射電極の上に設けられ導電性の酸化物層と、
前記酸化物層の上に設けられ導電性の窒素含有層と、
を備え、
前記発光部から射出された光は、前記反射電極で反射され前記第1半導体層側の面から外部に射出され、
前記反射電極は、酸素を含む、半導体発光素子。 - 前記酸化物層の一部は、前記反射電極の端部を覆う請求項6記載の半導体発光素子。
- 前記窒素含有層の一部は、前記酸化物層の前記一部を覆う請求項7記載の半導体発光素子。
- 前記反射電極と電気的に接続された金属層を備え、
前記金属層は、前記窒素含有層の前記一部を覆う請求項8記載の半導体発光素子。 - 前記酸化物層は、In、Zn及びSnの少なくともいずれかの酸化物を含む請求項6〜9のいずれか1つに記載の半導体発光素子。
- 前記窒素含有層は、In、Zn及びSnの少なくともいずれかの酸窒化物を含む請求項6〜10のいずれか1つに記載の半導体発光素子。
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