JP2007095786A5 - - Google Patents

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請求項１に係る発明は、サファイア基板と、その上に形成されたバッファ層と、ドナーをドープされたIII族窒化物系化合物半導体から成り、ｎ電極が形成されたｎ型層とを有するIII族窒化物系化合物半導体発光素子において、バッファ層はスパッタリングにより形成されたＡｌＮ層であり、バッファ層とｎ型層との間に、アクセプタをドープされたIII族窒化物系化合物半導体層を有することを特徴とするIII族窒化物系化合物半導体発光素子である。

Claims (1)

  1. サファイア基板と、その上に形成されたバッファ層と、ドナーをドープされたIII族窒化物系化合物半導体から成り、ｎ電極が形成されたｎ型層とを有するIII族窒化物系化合物半導体発光素子において、
    前記バッファ層はスパッタリングにより形成されたＡｌＮ層であり、
    前記バッファ層と前記ｎ型層との間に、アクセプタをドープされたIII族窒化物系化合物半導体層を有することを特徴とするIII族窒化物系化合物半導体発光素子。
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