JP2008277447A5 - - Google Patents

Description

本発明によれば、ドナー不純物とアクセプタ不純物とを含み、ドナー不純物よりもアクセプタ不純物の濃度が低い６Ｈ型ＳｉＣ結晶からなる蛍光基板と、前記蛍光基板上に形成され、複数の窒化物半導体層により構成され、ピーク波長が３７０ｎｍから４２０ｎｍの光を発する発光部と、を備え、前記蛍光基板は、前記発光部の光を励起光として、ドナー・アクセプタ・ペアにより発光する半導体発光装置が提供される。

また、本発明によれば、６Ｈ型ＳｉＣ結晶からなり、ドナー不純物とアクセプタ不純物とを含み、ドナー不純物よりもアクセプタ不純物の濃度が低い蛍光基板が提供される。

Claims (11)

1. ドナー不純物とアクセプタ不純物とを含み、ドナー不純物よりもアクセプタ不純物の濃度が低い６Ｈ型ＳｉＣ結晶からなる蛍光基板と、
   前記蛍光基板上に形成され、複数の窒化物半導体層により構成され、ピーク波長が３７０ｎｍから４２０ｎｍの光を発する発光部と、を備え、
   前記蛍光基板は、前記発光部の光を励起光として、ドナー・アクセプタ・ペアにより発光する半導体発光装置。
2. 前記ドナー不純物は窒素であり、
   前記アクセプタ不純物はホウ素である請求項１に記載の半導体発光装置。
3. 前記窒素の濃度が４×１０ ^１９ ｃｍ ^−３ 以下である請求項２に記載の半導体発光装置。
4. 前記窒素の濃度が、前記ホウ素の濃度の２倍に対して８×１０ ^１８ ｃｍ ^−３ 以上低い請求項３に記載の半導体発光装置。
5. 前記窒素の濃度と前記ホウ素の濃度の差が、２×１０ ^１８ ｃｍ ^−３ 以上である請求項４に記載の半導体発光装置。
6. 前記蛍光基板上に形成され、窒素とアルミニウムが添加された６Ｈ型ＳｉＣ層を含む請求項１から５のいずれか１項に記載の半導体発光装置。
7. ６Ｈ型ＳｉＣ結晶からなり、
   ドナー不純物とアクセプタ不純物とを含み、
   ドナー不純物よりもアクセプタ不純物の濃度が低い蛍光基板。
8. 前記ドナー不純物は窒素であり、
   前記アクセプタ不純物はホウ素である請求項７に記載の蛍光基板。
9. 前記窒素の濃度が４×１０ ^１９ ｃｍ ^−３ 以下である請求項８に記載の蛍光基板。
10. 前記窒素の濃度が、前記ホウ素の濃度の２倍に対して８×１０ ^１８ ｃｍ ^−３ 以上低い請求項９に記載の蛍光基板。
11. 前記窒素の濃度と前記ホウ素の濃度の差が、２×１０ ^１８ ｃｍ ^−３ 以上である請求項１０に記載の蛍光基板。