JP2008277447A5 - - Google Patents
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Description
本発明によれば、ドナー不純物とアクセプタ不純物とを含み、ドナー不純物よりもアクセプタ不純物の濃度が低い6H型SiC結晶からなる蛍光基板と、前記蛍光基板上に形成され、複数の窒化物半導体層により構成され、ピーク波長が370nmから420nmの光を発する発光部と、を備え、前記蛍光基板は、前記発光部の光を励起光として、ドナー・アクセプタ・ペアにより発光する半導体発光装置が提供される。
また、本発明によれば、6H型SiC結晶からなり、ドナー不純物とアクセプタ不純物とを含み、ドナー不純物よりもアクセプタ不純物の濃度が低い蛍光基板が提供される。
Claims (11)
- ドナー不純物とアクセプタ不純物とを含み、ドナー不純物よりもアクセプタ不純物の濃度が低い6H型SiC結晶からなる蛍光基板と、
前記蛍光基板上に形成され、複数の窒化物半導体層により構成され、ピーク波長が370nmから420nmの光を発する発光部と、を備え、
前記蛍光基板は、前記発光部の光を励起光として、ドナー・アクセプタ・ペアにより発光する半導体発光装置。 - 前記ドナー不純物は窒素であり、
前記アクセプタ不純物はホウ素である請求項1に記載の半導体発光装置。 - 前記窒素の濃度が4×10 19 cm −3 以下である請求項2に記載の半導体発光装置。
- 前記窒素の濃度が、前記ホウ素の濃度の2倍に対して8×10 18 cm −3 以上低い請求項3に記載の半導体発光装置。
- 前記窒素の濃度と前記ホウ素の濃度の差が、2×10 18 cm −3 以上である請求項4に記載の半導体発光装置。
- 前記蛍光基板上に形成され、窒素とアルミニウムが添加された6H型SiC層を含む請求項1から5のいずれか1項に記載の半導体発光装置。
- 6H型SiC結晶からなり、
ドナー不純物とアクセプタ不純物とを含み、
ドナー不純物よりもアクセプタ不純物の濃度が低い蛍光基板。 - 前記ドナー不純物は窒素であり、
前記アクセプタ不純物はホウ素である請求項7に記載の蛍光基板。 - 前記窒素の濃度が4×10 19 cm −3 以下である請求項8に記載の蛍光基板。
- 前記窒素の濃度が、前記ホウ素の濃度の2倍に対して8×10 18 cm −3 以上低い請求項9に記載の蛍光基板。
- 前記窒素の濃度と前記ホウ素の濃度の差が、2×10 18 cm −3 以上である請求項10に記載の蛍光基板。
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