JP2015084453A5 - - Google Patents

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（３）少なくとも表面部分がＡｌＮからなる基板上にアンドープＡｌＮ層を形成する工程と、該アンドープＡｌＮ層上にＳｉドープＡｌＮバッファ層を形成する工程と、該ＳｉドープＡｌＮバッファ層上に超格子積層体を形成する工程と、該超格子積層体上に該超格子積層体上に、アンドープの接続層、ｎ型コンタクト層、ｎ型クラッド層、活性層およびｐ型クラッド層とを順次形成する工程とを有するIII族窒化物半導体発光素子の製造方法において、
前記ＳｉドープＡｌＮバッファ層を形成する工程では、２．０×１０19／ｃｍ3以上のＳｉ濃度となるようにＳｉドープし、かつ、前記ＳｉドープＡｌＮバッファ層の厚みを４〜１０ｎｍとすることを特徴とするIII族窒化物半導体発光素子の製造方法。
（４）前記ＳｉドープＡｌＮバッファ層を形成する工程では、８．０×１０19／ｃｍ3以下のＳｉ濃度となるようにＳｉドープする、前記（３）に記載のIII族窒化物半導体発光素子の製造方法。

Claims (4)

  1. 少なくとも表面部分がＡｌＮからなる基板と、
    該基板上に形成されるアンドープＡｌＮ層と、
    該アンドープＡｌＮ層上に形成されるＳｉドープＡｌＮバッファ層と、
    該ＳｉドープＡｌＮバッファ層上に形成される超格子積層体と、
    を有するIII族窒化物半導体エピタキシャル基板上に、
    アンドープの接続層、ｎ型コンタクト層、ｎ型クラッド層、活性層およびｐ型クラッド層をこの順に有するIII族窒化物半導体発光素子において、
    前記ＳｉドープＡｌＮバッファ層は、２．０×１０19／ｃｍ3以上のＳｉ濃度を有し、かつ、厚みが４〜１０ｎｍであることを特徴とするIII族窒化物半導体発光素子。
  2. 前記ＳｉドープＡｌＮバッファ層は、８．０×１０19／ｃｍ3未満のＳｉ濃度を有する、請求項１に記載のIII族窒化物半導体発光素子。
  3. 少なくとも表面部分がＡｌＮからなる基板上にアンドープＡｌＮ層を形成する工程と、
    該アンドープＡｌＮ層上にＳｉドープＡｌＮバッファ層を形成する工程と、
    該ＳｉドープＡｌＮバッファ層上に超格子積層体を形成する工程と、
    該超格子積層体上に、アンドープの接続層、ｎ型コンタクト層、ｎ型クラッド層、活性層およびｐ型クラッド層を順次形成する工程とを有するIII族窒化物半導体発光素子の製造方法において、
    前記ＳｉドープＡｌＮバッファ層を形成する工程では、２．０×１０19／ｃｍ3以上のＳｉ濃度となるようにＳｉドープし、かつ、前記ＳｉドープＡｌＮバッファ層の厚みを４〜１０ｎｍとすることを特徴とするIII族窒化物半導体発光素子の製造方法。
  4. 前記ＳｉドープＡｌＮバッファ層を形成する工程では、８．０×１０19／ｃｍ3未満のＳｉ濃度となるようにＳｉドープする、請求項３に記載のIII族窒化物半導体発光素子の製造方法。
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