JP2013098232A5 - - Google Patents
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- 窒化物半導体基板の上に、ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層、第１のＩｎＧａＮ光ガイド層、発光層、第２のＩｎＧａＮ光ガイド層、およびｐ型ＡｌＧａＮクラッド層がこの順に設けられ、
前記第１のＩｎＧａＮ光ガイド層および前記第２のＩｎＧａＮ光ガイド層のそれぞれにおけるＩｎ組成比は３．５％以上７％以下であり、
前記発光層は、２以上の井戸層と、１以上の障壁層とを有し、
前記障壁層の層厚は、１０ｎｍ以上２０ｎｍ以下であり、
前記第１のＩｎＧａＮ光ガイド層と前記井戸層との間に、層厚が１ｎｍ以上３ｎｍ以下であって、且つＩｎ組成比が２．０％未満であるＩｎＧａＮまたはＧａＮからなる第１の窒化物半導体層が、当該第１のＩｎＧａＮ光ガイド層および当該井戸層のそれぞれに接して設けられている窒化物半導体レーザ素子。 - 前記窒化物半導体基板は、（０００１）面を主面とするＧａＮからなる請求項１に記載の窒化物半導体レーザ素子。
- 前記井戸層と前記第２のＩｎＧａＮ光ガイド層との間に、層厚が１ｎｍ以上３ｎｍ以下であって、且つＩｎ組成比が２．０％未満であるＩｎＧａＮまたはＧａＮからなる第２の窒化物半導体層が、当該井戸層および当該第２のＩｎＧａＮ光ガイド層のそれぞれに接して設けられている請求項１または請求項２に記載の窒化物半導体レーザ素子。
- 前記第１のＩｎＧａＮ光ガイド層の層厚は、前記第２のＩｎＧａＮ光ガイド層の層厚よりも厚い請求項１〜３のいずれかに記載の窒化物半導体レーザ素子。
- 前記第２のＩｎＧａＮ光ガイド層の層厚が８０ｎｍ以下である請求項１〜４のいずれかに記載の窒化物半導体レーザ素子。
- 前記窒化物半導体レーザ素子は、４６０ｎｍ以上の発振波長を有し、
前記ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層におけるＡｌ組成比は、６．５％以上８％以下であり、
前記ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層の層厚は、０．９μｍ以上１．３μｍ以下であり、
前記第１のＩｎＧａＮ光ガイド層および前記第２のＩｎＧａＮ光ガイド層のそれぞれの層厚は、５０ｎｍ以上８０ｎｍ以下である請求項１〜４のいずれかに記載の窒化物半導体レーザ素子。 - 前記第１のＩｎＧａＮ光ガイド層におけるＳｉ濃度は、１×１０17ｃｍ-3以上５×１０18ｃｍ-3以下である請求項１〜６のいずれかに記載の窒化物半導体レーザ素子。
- 前記第２のＩｎＧａＮ光ガイド層におけるＭｇ濃度は、５×１０17ｃｍ-3以上３×１０18ｃｍ-3以下である請求項１〜７のいずれかに記載の窒化物半導体レーザ素子。
- 前記井戸層の層数は、３以下である請求項１〜８のいずれかに記載の窒化物半導体レーザ素子。
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