JPH114042A - 半導体レーザおよびその製造方法 - Google Patents
半導体レーザおよびその製造方法Info
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- JPH114042A JPH114042A JP16798297A JP16798297A JPH114042A JP H114042 A JPH114042 A JP H114042A JP 16798297 A JP16798297 A JP 16798297A JP 16798297 A JP16798297 A JP 16798297A JP H114042 A JPH114042 A JP H114042A
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- semiconductor laser
- etching
- semiconductor
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 容易に高精度なリッジ構造が実現できる半導
体レーザと、レーザの端面近傍に堆積された絶縁膜から
発生する応力分布によって活性層内に転位欠陥が発生
し、ダークライン劣化などがおこる欠点のない信頼性の
高い半導体レーザの製造方法を提供する。 【解決手段】 本発明に係る半導体レーザは、ｎ+ - Ｇ
ａＡｓ基板１上に、順次ｎ -ＧａＡｓバッファ層２、ｎ
-Ａｌy Ｇａ1-y Ａｓクラッド層３、ｎ -ＡｌzＧａ
1-z Ａｓガイド層４、ｎ -ＡｌＧａＡｓＳＣＨ層５、Ｉ
ｎＧａＡｓ歪量子井戸活性層６、ｐ -ＡｌＧａＡｓＳＣ
Ｈ層７、ｐ -Ａｌz Ｇａ1-z Ａｓガイド層８、ｐ -Ａｌ
y Ｇａ1-y Ａｓ第１クラッド層９、ｐ -Ａｌx Ｇａ1-x
Ａｓエッチング停止層１０、ｐ -Ａｌy Ｇａ1-y Ａｓ第
２クラッド層１１、ｐ+ - ＧａＡｓコンタクト層１２、
Ａｌx Ｇａ1-x Ａｓサイドエッチング防止層１３を形成
してなるものである。
体レーザと、レーザの端面近傍に堆積された絶縁膜から
発生する応力分布によって活性層内に転位欠陥が発生
し、ダークライン劣化などがおこる欠点のない信頼性の
高い半導体レーザの製造方法を提供する。 【解決手段】 本発明に係る半導体レーザは、ｎ+ - Ｇ
ａＡｓ基板１上に、順次ｎ -ＧａＡｓバッファ層２、ｎ
-Ａｌy Ｇａ1-y Ａｓクラッド層３、ｎ -ＡｌzＧａ
1-z Ａｓガイド層４、ｎ -ＡｌＧａＡｓＳＣＨ層５、Ｉ
ｎＧａＡｓ歪量子井戸活性層６、ｐ -ＡｌＧａＡｓＳＣ
Ｈ層７、ｐ -Ａｌz Ｇａ1-z Ａｓガイド層８、ｐ -Ａｌ
y Ｇａ1-y Ａｓ第１クラッド層９、ｐ -Ａｌx Ｇａ1-x
Ａｓエッチング停止層１０、ｐ -Ａｌy Ｇａ1-y Ａｓ第
２クラッド層１１、ｐ+ - ＧａＡｓコンタクト層１２、
Ａｌx Ｇａ1-x Ａｓサイドエッチング防止層１３を形成
してなるものである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高出力半導体レー
ザおよび高出力半導体レーザの製造方法に関する。
ザおよび高出力半導体レーザの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＧａＡｓ基板上に積層された半導
体層を有する半導体レーザが種々提案されている。この
ような半導体レーザによれば、ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡ
ｓ、ＩｎＧａＰを活性層とした０．６〜０．８μｍ帯の
レーザは光情報記録、光情報記録再生に用いられてい
る。また近年、ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ歪量子井戸層を
活性層とした０．８〜１．１μｍまでの波長帯のレーザ
はＥＤＦＡやＰＤＦＡなどのファイバーアンプ用の励起
光源として用いられるようになっている。これらのレー
ザには高出力動作が求められていたが、高出力動作にお
いても十分な信頼性を有する半導体レーザが得にくいと
いう問題があった。
体層を有する半導体レーザが種々提案されている。この
ような半導体レーザによれば、ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡ
ｓ、ＩｎＧａＰを活性層とした０．６〜０．８μｍ帯の
レーザは光情報記録、光情報記録再生に用いられてい
る。また近年、ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ歪量子井戸層を
活性層とした０．８〜１．１μｍまでの波長帯のレーザ
はＥＤＦＡやＰＤＦＡなどのファイバーアンプ用の励起
光源として用いられるようになっている。これらのレー
ザには高出力動作が求められていたが、高出力動作にお
いても十分な信頼性を有する半導体レーザが得にくいと
いう問題があった。
【０００３】半導体レーザの劣化姿態については、これ
までいくつかの検討が行われてきている。これらは、共
振器端面の光学損傷破壊ＣＯＤ（Catastrophic Optical
Damage ）や表面の変質、結晶転位欠陥の増殖、および
その他のオーミック電極の破損や点欠陥の発生に起因す
るものに大別される。とりわけ、ＧａＡｓ基板上に積層
された半導体層を有する半導体レーザにおいては、共振
器端面のＣＯＤが高出力動作においてレーザの寿命を決
定づける重要な劣化姿態であることが指摘されている。
このＣＯＤは半導体レーザの共振器端面付近がレーザ光
に対して吸収領域になっていることによる。
までいくつかの検討が行われてきている。これらは、共
振器端面の光学損傷破壊ＣＯＤ（Catastrophic Optical
Damage ）や表面の変質、結晶転位欠陥の増殖、および
その他のオーミック電極の破損や点欠陥の発生に起因す
るものに大別される。とりわけ、ＧａＡｓ基板上に積層
された半導体層を有する半導体レーザにおいては、共振
器端面のＣＯＤが高出力動作においてレーザの寿命を決
定づける重要な劣化姿態であることが指摘されている。
このＣＯＤは半導体レーザの共振器端面付近がレーザ光
に対して吸収領域になっていることによる。
【０００４】これは、半導体結晶表面に存在する表面準
位を介した非発光再結合による温度上昇に起因したバン
ドギャップの減少に端を発している。このバンドギャッ
プの減少はさらに温度の上昇するフィードバックがかか
る。このため端面の溶融等が誘起され光出力が低下し、
非可逆的な破壊が起こるのである。
位を介した非発光再結合による温度上昇に起因したバン
ドギャップの減少に端を発している。このバンドギャッ
プの減少はさらに温度の上昇するフィードバックがかか
る。このため端面の溶融等が誘起され光出力が低下し、
非可逆的な破壊が起こるのである。
【０００５】このＣＯＤの臨界光出力を高くするために
共振器端面をバンドギャップの高い半導体材料で構成す
るいわゆるウインドウ構造がとられていた。また、非発
光再結合による温度上昇を抑えるために端面近傍への電
流注入を抑制する、端面非励起構造がとられていた。こ
の端面非励起構造を実現するために端面近傍の導波路部
分の表面をＳｉＯ2 などの絶縁膜で覆うことにより電流
注入を抑制する方法がとられていた（図６参照）。
共振器端面をバンドギャップの高い半導体材料で構成す
るいわゆるウインドウ構造がとられていた。また、非発
光再結合による温度上昇を抑えるために端面近傍への電
流注入を抑制する、端面非励起構造がとられていた。こ
の端面非励起構造を実現するために端面近傍の導波路部
分の表面をＳｉＯ2 などの絶縁膜で覆うことにより電流
注入を抑制する方法がとられていた（図６参照）。
【０００６】図６において、１はｎ+ - ＧａＡｓ基板、
２はｎ -ＧａＡｓバッファ層、３はｎ -Ａｌy Ｇａ1-y
Ａｓクラッド層、４はｎ -Ａｌz Ｇａ1-z Ａｓガイド
層、５はｎ -ＡｌＧａＡｓＳＣＨ層、６はＩｎＧａＡｓ
歪量子井戸活性層、７はｐ -ＡｌＧａＡｓＳＣＨ層、８
はｐ -Ａｌz Ｇａ1-z Ａｓガイド層、１７はｐ -Ａｌy
Ｇａ1-y Ａｓクラッド層、１２はｐ+ - ＧａＡｓコンタ
クト層、１４は絶縁膜、１５はｐ電極、１６はｎ電極を
示す。
２はｎ -ＧａＡｓバッファ層、３はｎ -Ａｌy Ｇａ1-y
Ａｓクラッド層、４はｎ -Ａｌz Ｇａ1-z Ａｓガイド
層、５はｎ -ＡｌＧａＡｓＳＣＨ層、６はＩｎＧａＡｓ
歪量子井戸活性層、７はｐ -ＡｌＧａＡｓＳＣＨ層、８
はｐ -Ａｌz Ｇａ1-z Ａｓガイド層、１７はｐ -Ａｌy
Ｇａ1-y Ａｓクラッド層、１２はｐ+ - ＧａＡｓコンタ
クト層、１４は絶縁膜、１５はｐ電極、１６はｎ電極を
示す。
【０００７】また、これらのレーザにとりもう一つ重要
な課題は基本横モードの安定性である。とりわけ高出力
励起レーザにおいては、シングルモードファイバーとの
結合においてのみ意味があるため基本横モード状態での
高出力化が最も重要な要求条件となっている。高出力励
起レーザの多くはリッジ形状における、屈折率分布と電
流狭窄または利得分布の制御により横モードの安定化を
図っているため、高精度なリッジ構造作製技術が要求さ
れている。通常リッジ構造は平坦な半導体の一部をエッ
チングにより除去することで形成されている。
な課題は基本横モードの安定性である。とりわけ高出力
励起レーザにおいては、シングルモードファイバーとの
結合においてのみ意味があるため基本横モード状態での
高出力化が最も重要な要求条件となっている。高出力励
起レーザの多くはリッジ形状における、屈折率分布と電
流狭窄または利得分布の制御により横モードの安定化を
図っているため、高精度なリッジ構造作製技術が要求さ
れている。通常リッジ構造は平坦な半導体の一部をエッ
チングにより除去することで形成されている。
【０００８】このため、エッチングの深さ、導波路幅の
制御が重要となっている。高精度にリッジ構造を形成す
る技術としてドライエッチング法が挙げられる。この方
法にはエッチングの均一性、制御性に優れ、マスクパタ
ンとの変換差が少ない等の特徴がある。またウエットエ
ッチング法で形成する場合には、エッチングストップ層
を用いてエッチング深さを制御する方法が用いられてい
る。
制御が重要となっている。高精度にリッジ構造を形成す
る技術としてドライエッチング法が挙げられる。この方
法にはエッチングの均一性、制御性に優れ、マスクパタ
ンとの変換差が少ない等の特徴がある。またウエットエ
ッチング法で形成する場合には、エッチングストップ層
を用いてエッチング深さを制御する方法が用いられてい
る。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の高出力
半導体レーザのうちでウインド構造の場合、不純物拡
散、並びに再成長により形成したものが提案されてい
た。不純物拡散によるウインド構造はＺｎ，Ｓｉ等の熱
拡散を利用し、活性層付近で結晶のディスオーダー化を
図り、実効屈折率を下げ発振波長に対して透明にするこ
とを利用している。再成長によるウインド構造は活性層
のバンドギャップより大きなバンドギャップの半導体材
料、例えば、Ａｌ組成の大きなＡｌＧａＡｓ、ＩｎＧａ
Ｐで共振器端面を構成することによって実現することが
できる。
半導体レーザのうちでウインド構造の場合、不純物拡
散、並びに再成長により形成したものが提案されてい
た。不純物拡散によるウインド構造はＺｎ，Ｓｉ等の熱
拡散を利用し、活性層付近で結晶のディスオーダー化を
図り、実効屈折率を下げ発振波長に対して透明にするこ
とを利用している。再成長によるウインド構造は活性層
のバンドギャップより大きなバンドギャップの半導体材
料、例えば、Ａｌ組成の大きなＡｌＧａＡｓ、ＩｎＧａ
Ｐで共振器端面を構成することによって実現することが
できる。
【００１０】しかし、これまでのウインド構造高出力半
導体レーザでは、不純物拡散の場合でも、再成長の場合
でも高温処理過程が必要であるため、レーザエピタキシ
ャル特性の劣化が懸念されていた。また、両者の場合と
もプロセス工程が複雑になるため再現性、歩留まり良く
良好な特性のレーザが得にくいという欠点を有してい
た。従来の高出力半導体レーザのうちで端面非励起構造
の場合、端面近傍の導波路部分の表面をＳｉＯ2 などの
絶縁膜で覆うことにより電流注入を抑制する方法が提案
されていた（図６参照）。
導体レーザでは、不純物拡散の場合でも、再成長の場合
でも高温処理過程が必要であるため、レーザエピタキシ
ャル特性の劣化が懸念されていた。また、両者の場合と
もプロセス工程が複雑になるため再現性、歩留まり良く
良好な特性のレーザが得にくいという欠点を有してい
た。従来の高出力半導体レーザのうちで端面非励起構造
の場合、端面近傍の導波路部分の表面をＳｉＯ2 などの
絶縁膜で覆うことにより電流注入を抑制する方法が提案
されていた（図６参照）。
【００１１】しかし、従来の端面非励起構造ではＣＯＤ
の臨界光出力を高くすることへの効果は確認されている
ものの、端面近傍にのみ堆積された絶縁膜から発生する
応力分布によって活性層内に転位欠陥が発生し、ダーク
ライン劣化が引き起こされるという欠点を有していた。
この転位は応力変化の大きな絶縁膜エッジ近傍から発生
しやすく、従来の端面非励起構造のように導波路部分の
一部をＳｉＯ2 などの絶縁膜で覆った場合には、この絶
縁膜エッジ近傍で発生したダークライン欠陥による劣化
がもたらされていた。
の臨界光出力を高くすることへの効果は確認されている
ものの、端面近傍にのみ堆積された絶縁膜から発生する
応力分布によって活性層内に転位欠陥が発生し、ダーク
ライン劣化が引き起こされるという欠点を有していた。
この転位は応力変化の大きな絶縁膜エッジ近傍から発生
しやすく、従来の端面非励起構造のように導波路部分の
一部をＳｉＯ2 などの絶縁膜で覆った場合には、この絶
縁膜エッジ近傍で発生したダークライン欠陥による劣化
がもたらされていた。
【００１２】従来の高精度にリッジ構造を形成する技術
としてドライエッチング法を用いた場合、プラズマを用
いることによる損傷層が半導体表面に形成されてしま
う。このため、この損傷層の欠陥が核になり転位欠陥が
発生し、ダークライン劣化が引き起こされるという欠点
を有していた。また従来の高精度にリッジ構造を形成す
る技術としてウエットエッチング法で形成する場合に
は、エッチングストップ層を用いてエッチング深さを制
御する方法等が用いられていた。
としてドライエッチング法を用いた場合、プラズマを用
いることによる損傷層が半導体表面に形成されてしま
う。このため、この損傷層の欠陥が核になり転位欠陥が
発生し、ダークライン劣化が引き起こされるという欠点
を有していた。また従来の高精度にリッジ構造を形成す
る技術としてウエットエッチング法で形成する場合に
は、エッチングストップ層を用いてエッチング深さを制
御する方法等が用いられていた。
【００１３】しかし、マスク１８としてレジストマス
ク、絶縁膜マスクを用いるが等方性エッチングであるが
ゆえ、必然的に生じるサイドエッチングによるマスクパ
タンとの変換差が大きく、導波路幅の制御性に欠け、ま
た均一性にも難があるという欠点を有していた〔図７
（ａ）参照〕。とりわけ、図７（ａ）に示すリッジ上部
Ｒ１のサイドエッチングによるリッジ幅の減少は電極と
のコンタクト面積の減少にもつながり、抵抗の上昇をも
たらしていた。
ク、絶縁膜マスクを用いるが等方性エッチングであるが
ゆえ、必然的に生じるサイドエッチングによるマスクパ
タンとの変換差が大きく、導波路幅の制御性に欠け、ま
た均一性にも難があるという欠点を有していた〔図７
（ａ）参照〕。とりわけ、図７（ａ）に示すリッジ上部
Ｒ１のサイドエッチングによるリッジ幅の減少は電極と
のコンタクト面積の減少にもつながり、抵抗の上昇をも
たらしていた。
【００１４】本発明は、上記のことに鑑み提案されたも
ので、その目的とするところは、上述した欠点のない、
新規な端面近傍に非励起領域を有する半導体レーザを実
現するための半導体レーザおよび半導体レーザの製造方
法を提案せんとするものである。
ので、その目的とするところは、上述した欠点のない、
新規な端面近傍に非励起領域を有する半導体レーザを実
現するための半導体レーザおよび半導体レーザの製造方
法を提案せんとするものである。
【００１５】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、 （１）本発明は、Ａｌy Ｇａ1-y Ａｓをクラッド層、Ａ
ｌz Ｇａ1-z Ａｓをガイド層とする半導体レーザにおい
て、クラッド層中またはガイド層中またはクラッド層と
ガイド層との間にエッチング停止層を有し、クラッド層
の外側に半導体サイドエッチング防止層を有することを
特徴としている。 （２）また、本発明は、前記（１）記載の発明であっ
て、エッチング停止層及び半導体サイドエッチング防止
層をＡｌx Ｇａ1-x Ａｓ（ただし、ｘは前記ｙ、ｚより
大きい）層あるいはＩｎＧａＰ層とすることを特徴とし
ている。 （３）また、本発明は、端面近傍に非励起領域を有する
半導体レーザの製造方法において、前記（１）または
（２）の半導体レーザの半導体サイドエッチング防止層
をエッチングで除去することにより電流注入領域を作製
する工程を含むことを特徴としている。
め、 （１）本発明は、Ａｌy Ｇａ1-y Ａｓをクラッド層、Ａ
ｌz Ｇａ1-z Ａｓをガイド層とする半導体レーザにおい
て、クラッド層中またはガイド層中またはクラッド層と
ガイド層との間にエッチング停止層を有し、クラッド層
の外側に半導体サイドエッチング防止層を有することを
特徴としている。 （２）また、本発明は、前記（１）記載の発明であっ
て、エッチング停止層及び半導体サイドエッチング防止
層をＡｌx Ｇａ1-x Ａｓ（ただし、ｘは前記ｙ、ｚより
大きい）層あるいはＩｎＧａＰ層とすることを特徴とし
ている。 （３）また、本発明は、端面近傍に非励起領域を有する
半導体レーザの製造方法において、前記（１）または
（２）の半導体レーザの半導体サイドエッチング防止層
をエッチングで除去することにより電流注入領域を作製
する工程を含むことを特徴としている。
【００１６】
【作用】本発明による半導体レーザの積層構造によれ
ば、従来の半導体レーザの積層構造ように、リッジ構造
作製時に用いるレジストやＳｉＯ2 などの絶縁層マスク
をサイドエッチング防止層として用いる必要がないた
め、サイドエッチングによる導波路幅の変換差を考慮し
たパタン設計が不要となり、導波路幅のばらつきも少な
く、歩留まりも向上する。とりわけ、本発明では、従来
のリッジ構造を示す図７（ａ）と対比して図示した図７
（ｂ）に示す如く、リッジ上部Ｒ２のサイドエッチング
によるリッジ幅の減少による電極とのコンタクト抵抗の
上昇の抑制に効果がある。また、ＳｉＯ2 などの絶縁層
マスクを新たに形成する工程を必要としないため、プロ
セス工程数が減少し、生産性を損なうことなく容易に高
精度なリッジ構造を形成することが可能となる。
ば、従来の半導体レーザの積層構造ように、リッジ構造
作製時に用いるレジストやＳｉＯ2 などの絶縁層マスク
をサイドエッチング防止層として用いる必要がないた
め、サイドエッチングによる導波路幅の変換差を考慮し
たパタン設計が不要となり、導波路幅のばらつきも少な
く、歩留まりも向上する。とりわけ、本発明では、従来
のリッジ構造を示す図７（ａ）と対比して図示した図７
（ｂ）に示す如く、リッジ上部Ｒ２のサイドエッチング
によるリッジ幅の減少による電極とのコンタクト抵抗の
上昇の抑制に効果がある。また、ＳｉＯ2 などの絶縁層
マスクを新たに形成する工程を必要としないため、プロ
セス工程数が減少し、生産性を損なうことなく容易に高
精度なリッジ構造を形成することが可能となる。
【００１７】本発明による端面近傍に非励起領域を有す
る半導体レーザの製造方法によれば、従来のウインド構
造高出力半導体レーザでの不純物拡散、再成長で用いら
れた高温処理過程が不要であるため、レーザエピタキシ
ャル特性の劣化や、プロセス工程が複雑になるための再
現性、歩留まりを低下させることなく容易に実現するこ
とができる。
る半導体レーザの製造方法によれば、従来のウインド構
造高出力半導体レーザでの不純物拡散、再成長で用いら
れた高温処理過程が不要であるため、レーザエピタキシ
ャル特性の劣化や、プロセス工程が複雑になるための再
現性、歩留まりを低下させることなく容易に実現するこ
とができる。
【００１８】また、従来の高出力半導体レーザのうちで
端面非励起構造の場合のように、端面近傍の導波路部分
の表面をＳｉＯ2 などの絶縁膜で覆うことなく実現する
ことができるので、端面近傍にのみ堆積された絶縁膜か
ら発生する応力分布によって活性層内に転位欠陥が発生
し、ダークライン劣化が引き起こされるという欠点のな
い、信頼性の高い高出力半導体レーザを提供する事がで
きる。
端面非励起構造の場合のように、端面近傍の導波路部分
の表面をＳｉＯ2 などの絶縁膜で覆うことなく実現する
ことができるので、端面近傍にのみ堆積された絶縁膜か
ら発生する応力分布によって活性層内に転位欠陥が発生
し、ダークライン劣化が引き起こされるという欠点のな
い、信頼性の高い高出力半導体レーザを提供する事がで
きる。
【００１９】
【発明の実施の形態】次に、図面を用いて、本発明の実
施例を説明する。実施例１ 図１は本発明の第１の実施例による半導体レーザの積層
構造の断面図であり、図２は本発明の第１の実施例によ
る端面に非励起領域を有する半導体レーザの共振器方向
の断面図である。図１において、１はｎ+ - ＧａＡｓ基
板、２はｎ -ＧａＡｓバッファ層、３はｎ -Ａｌy Ｇａ
1-y Ａｓクラッド層、４は、ｎ -Ａｌz Ｇａ1-z Ａｓガ
イド層、５はｎ -ＡｌＧａＡｓＳＨＣ層、６はＩｎＧａ
Ａｓ歪量子井戸活性層、７はｐ -ＡｌＧａＡｓＳＣＨ
層、８はｐ -Ａｌz Ｇａ1-z Ａｓガイド層である。な
お、ＳＣＨとは、Separated Confinement Heterostruct
ure の略である。また、９はｐ-Ａｌy Ｇａ1-y Ａｓ第
１クラッド層、１０はｐ -Ａｌx Ｇａ1-x Ａｓエッチン
グ停止層、１１はｐ -Ａｌy Ｇａ1-y Ａｓ第２クラッド
層、１２はｐ+ - ＧａＡｓコンタクト層、１３はＡｌx
Ｇａ1-x Ａｓサイドエッチング防止層である。
施例を説明する。実施例１ 図１は本発明の第１の実施例による半導体レーザの積層
構造の断面図であり、図２は本発明の第１の実施例によ
る端面に非励起領域を有する半導体レーザの共振器方向
の断面図である。図１において、１はｎ+ - ＧａＡｓ基
板、２はｎ -ＧａＡｓバッファ層、３はｎ -Ａｌy Ｇａ
1-y Ａｓクラッド層、４は、ｎ -Ａｌz Ｇａ1-z Ａｓガ
イド層、５はｎ -ＡｌＧａＡｓＳＨＣ層、６はＩｎＧａ
Ａｓ歪量子井戸活性層、７はｐ -ＡｌＧａＡｓＳＣＨ
層、８はｐ -Ａｌz Ｇａ1-z Ａｓガイド層である。な
お、ＳＣＨとは、Separated Confinement Heterostruct
ure の略である。また、９はｐ-Ａｌy Ｇａ1-y Ａｓ第
１クラッド層、１０はｐ -Ａｌx Ｇａ1-x Ａｓエッチン
グ停止層、１１はｐ -Ａｌy Ｇａ1-y Ａｓ第２クラッド
層、１２はｐ+ - ＧａＡｓコンタクト層、１３はＡｌx
Ｇａ1-x Ａｓサイドエッチング防止層である。
【００２０】この構造を実現するために、エピタキシャ
ル結晶成長装置（ＭＯＣＶＤ法：有機金属気相成長装置
あるいはＭＢＥ法：分子線エピタキシー法）により、ｎ
+ -ＧａＡｓ基板１上に、順次ｎ -ＧａＡｓバッファ層
２、ｎ -Ａｌy Ｇａ1-y Ａｓクラッド層、ｎ -Ａｌz Ｇ
ａ1-z Ａｓガイド層４、ｎ -ＡｌＧａＡｓＳＣＨ層５、
ＩｎＧａＡｓ歪量子井戸活性層６、ｐ -ＡｌＧａＡｓＳ
ＣＨ層７、ｐ -ＡｌzＧａ1-z Ａｓガイド層８、ｐ -Ａ
ｌy Ｇａ1-y Ａｓ第１クラッド層９、ｐ -Ａｌx Ｇａ
1-x Ａｓエッチング停止層１０、ｐ -Ａｌy Ｇａ1-y Ａ
ｓ第２クラッド層１１、ｐ+ - ＧａＡｓコンタクト層１
２、Ａｌx Ｇａ1-x Ａｓサイドエッチング防止層１３を
形成する。
ル結晶成長装置（ＭＯＣＶＤ法：有機金属気相成長装置
あるいはＭＢＥ法：分子線エピタキシー法）により、ｎ
+ -ＧａＡｓ基板１上に、順次ｎ -ＧａＡｓバッファ層
２、ｎ -Ａｌy Ｇａ1-y Ａｓクラッド層、ｎ -Ａｌz Ｇ
ａ1-z Ａｓガイド層４、ｎ -ＡｌＧａＡｓＳＣＨ層５、
ＩｎＧａＡｓ歪量子井戸活性層６、ｐ -ＡｌＧａＡｓＳ
ＣＨ層７、ｐ -ＡｌzＧａ1-z Ａｓガイド層８、ｐ -Ａ
ｌy Ｇａ1-y Ａｓ第１クラッド層９、ｐ -Ａｌx Ｇａ
1-x Ａｓエッチング停止層１０、ｐ -Ａｌy Ｇａ1-y Ａ
ｓ第２クラッド層１１、ｐ+ - ＧａＡｓコンタクト層１
２、Ａｌx Ｇａ1-x Ａｓサイドエッチング防止層１３を
形成する。
【００２１】ＭＯＶＰＥ法では、半導体薄膜成長用の原
料としてトリメチルインジウム（ＴＭＩ）、トリメチル
ガリウム（ＴＭＧ）、トリメチルアルミニウム（ＴＭ
Ａ）、アルシン（ＡｓＨ3 ）を、ｎ型ドーパントとして
硫化セレン（Ｈ2 Ｓｅ）、ｐ型ドーパントとしてジエチ
ルジンク（ＤＥＺｎ）を利用した。エピタキシャル成長
温度は約７００℃、成長圧力は約０．１気圧、キャリヤ
ガスは水素である。ＭＢＥ法では原料として金属ガリウ
ム（Ｇａ）、インジウム（Ｉｎ）、アルミニウム（Ａ
ｌ）、砒素（Ａｓ固体）を、ｎ型ドーパントとしてシリ
コン（Ｓｉ）、ｐ型ドーパントとして亜鉛（Ｚｎ）を利
用した。エピタキシャル成長温度は約６５０℃、成長圧
力は約１０-5Ｔｏｒｒとしている。
料としてトリメチルインジウム（ＴＭＩ）、トリメチル
ガリウム（ＴＭＧ）、トリメチルアルミニウム（ＴＭ
Ａ）、アルシン（ＡｓＨ3 ）を、ｎ型ドーパントとして
硫化セレン（Ｈ2 Ｓｅ）、ｐ型ドーパントとしてジエチ
ルジンク（ＤＥＺｎ）を利用した。エピタキシャル成長
温度は約７００℃、成長圧力は約０．１気圧、キャリヤ
ガスは水素である。ＭＢＥ法では原料として金属ガリウ
ム（Ｇａ）、インジウム（Ｉｎ）、アルミニウム（Ａ
ｌ）、砒素（Ａｓ固体）を、ｎ型ドーパントとしてシリ
コン（Ｓｉ）、ｐ型ドーパントとして亜鉛（Ｚｎ）を利
用した。エピタキシャル成長温度は約６５０℃、成長圧
力は約１０-5Ｔｏｒｒとしている。
【００２２】ここで、ｐ -Ａｌx Ｇａ1-x Ａｓエッチン
グ停止層１０、Ａｌx Ｇａ1-x Ａｓサイドエッチング防
止層１３のＡｌ組成ｘは０．５以上とし、レーザのｐ -
Ａｌz Ｇａ1-z Ａｓガイド層８、及びｐ -Ａｌy Ｇａ
1-y Ａｓ第１クラッド層９、ｐ-Ａｌy Ｇａ1-y Ａｓ第
２クラッド層１１のＡｌ組成ｙ、ｚ（０．３以下）より
も大きくしている。さらに、Ａｌx Ｇａ1-x Ａｓサイド
エッチング防止層１３は抵抗が大きくなるように故意に
ドーピングを行っていない。
グ停止層１０、Ａｌx Ｇａ1-x Ａｓサイドエッチング防
止層１３のＡｌ組成ｘは０．５以上とし、レーザのｐ -
Ａｌz Ｇａ1-z Ａｓガイド層８、及びｐ -Ａｌy Ｇａ
1-y Ａｓ第１クラッド層９、ｐ-Ａｌy Ｇａ1-y Ａｓ第
２クラッド層１１のＡｌ組成ｙ、ｚ（０．３以下）より
も大きくしている。さらに、Ａｌx Ｇａ1-x Ａｓサイド
エッチング防止層１３は抵抗が大きくなるように故意に
ドーピングを行っていない。
【００２３】成長後、Ａｌx Ｇａ1-x Ａｓサイドエッチ
ング防止層１３、ｐ+ - ＧａＡｓコンタクト層１２並び
にｐ -Ａｌy Ｇａ1-y Ａｓ第２クラッド層１１の一部を
加工して、幅１．５〜３μｍ程度のリッジを形成する
〔図５（ａ）参照〕。そのためにフォトリソグラフィー
でレジストパターニングし、これをマスクにウエットあ
るいはドライエッチングでＡｌx Ｇａ1-x Ａｓサイドエ
ッチング防止層１３、ｐ + - ＧａＡｓコンタクト層１
２、ｐ -Ａｌy Ｇａ1-y Ａｓ第２クラッド層１１をエッ
チングする。ここでは、Ａｌ組成による選択性のないエ
ッチングを行い、エッチングによる側壁の各層間の段差
の発生を防止する。次に、選択性の大きなエッチングに
よりｐ -Ａｌy Ｇａ1-y Ａｓ第２クラッド層１１の残り
の部分をエッチングする。ここでは、例えば、クエン酸
のようにＡｌ組成の小さい層のみエッチングし、Ａｌ組
成の大きなＡｌＧａＡｓ層のエッチングを行わないエッ
チング液を用いる。
ング防止層１３、ｐ+ - ＧａＡｓコンタクト層１２並び
にｐ -Ａｌy Ｇａ1-y Ａｓ第２クラッド層１１の一部を
加工して、幅１．５〜３μｍ程度のリッジを形成する
〔図５（ａ）参照〕。そのためにフォトリソグラフィー
でレジストパターニングし、これをマスクにウエットあ
るいはドライエッチングでＡｌx Ｇａ1-x Ａｓサイドエ
ッチング防止層１３、ｐ + - ＧａＡｓコンタクト層１
２、ｐ -Ａｌy Ｇａ1-y Ａｓ第２クラッド層１１をエッ
チングする。ここでは、Ａｌ組成による選択性のないエ
ッチングを行い、エッチングによる側壁の各層間の段差
の発生を防止する。次に、選択性の大きなエッチングに
よりｐ -Ａｌy Ｇａ1-y Ａｓ第２クラッド層１１の残り
の部分をエッチングする。ここでは、例えば、クエン酸
のようにＡｌ組成の小さい層のみエッチングし、Ａｌ組
成の大きなＡｌＧａＡｓ層のエッチングを行わないエッ
チング液を用いる。
【００２４】このため、エッチングはＡｌ組成の大きな
ｐ- ＡｌＧａＡｓエッチング停止層１０で停止し、精度
良くコントロールできる〔図５（ｂ）参照〕。また、Ａ
ｌx Ｇａ1-x Ａｓサイドエッチング防止層１３をマスク
としてエッチングを行うため、半導体とマスクの界面が
理想的な状態であることから、サイドエッチング、とり
わけ、リッジ上部でのサイドエッチングが大幅に低減で
き、エッチング中のパタン変換差の補正を必要とせず、
均一で高精度なリッジ構造の加工が可能となり、コンタ
クト抵抗の上昇も抑制される。
ｐ- ＡｌＧａＡｓエッチング停止層１０で停止し、精度
良くコントロールできる〔図５（ｂ）参照〕。また、Ａ
ｌx Ｇａ1-x Ａｓサイドエッチング防止層１３をマスク
としてエッチングを行うため、半導体とマスクの界面が
理想的な状態であることから、サイドエッチング、とり
わけ、リッジ上部でのサイドエッチングが大幅に低減で
き、エッチング中のパタン変換差の補正を必要とせず、
均一で高精度なリッジ構造の加工が可能となり、コンタ
クト抵抗の上昇も抑制される。
【００２５】次に、共振器端面近傍の非励起領域以外の
電流注入領域のリッジ上のＡｌx Ｇａ1-x Ａｓサイドエ
ッチング防止層１３をエッチングし、ＧａＡｓコンタク
ト層を表面に出す〔図５（ｃ）参照〕。リッジ形成後、
図３及び図４に示す如く、スパッタリング等で絶縁膜１
４（ＳｉＯ2 等）を表面全体に形成し、リッジ上部のＳ
ｉＯ2 をエッチオフした後、Ｃｒ／ＡｕあるいはＴｉ／
Ｐｔ／Ａｕ等のｐ電極１５、ＡｕＧｅＮｉ等のｎ電極１
６を形成する。その後、熱処理し、電極部を形成する。
なお、図３および図４はそれぞれ、電流注入領域および
非励起領域における共振器方向に垂直な断面を示す図で
ある。
電流注入領域のリッジ上のＡｌx Ｇａ1-x Ａｓサイドエ
ッチング防止層１３をエッチングし、ＧａＡｓコンタク
ト層を表面に出す〔図５（ｃ）参照〕。リッジ形成後、
図３及び図４に示す如く、スパッタリング等で絶縁膜１
４（ＳｉＯ2 等）を表面全体に形成し、リッジ上部のＳ
ｉＯ2 をエッチオフした後、Ｃｒ／ＡｕあるいはＴｉ／
Ｐｔ／Ａｕ等のｐ電極１５、ＡｕＧｅＮｉ等のｎ電極１
６を形成する。その後、熱処理し、電極部を形成する。
なお、図３および図４はそれぞれ、電流注入領域および
非励起領域における共振器方向に垂直な断面を示す図で
ある。
【００２６】実施例２ 実施例１と同様のレーザにおいてｐ -Ａｌx Ｇａ1-x Ａ
ｓエッチング停止層１０、Ａｌx Ｇａ1-x Ａｓサイドエ
ッチング防止層１３をＩｎＧａＰ層とした場合にも実現
することが可能である。ここで、ＩｎＧａＰ層の組成は
ＧａＡｓ基板に格子整合する組成Ｉｎ0.5 Ｇａ0.5 Ｐを
中心として、ｐ -ＩｎＧａＰエッチング停止層とＩｎＧ
ａＰサイドエッチング防止層の層厚に対応して格子不整
合による転位の発生の無い程度の範囲まで許容される。
エピ成長、作製工程は同様の手順で行うことができる。
ｓエッチング停止層１０、Ａｌx Ｇａ1-x Ａｓサイドエ
ッチング防止層１３をＩｎＧａＰ層とした場合にも実現
することが可能である。ここで、ＩｎＧａＰ層の組成は
ＧａＡｓ基板に格子整合する組成Ｉｎ0.5 Ｇａ0.5 Ｐを
中心として、ｐ -ＩｎＧａＰエッチング停止層とＩｎＧ
ａＰサイドエッチング防止層の層厚に対応して格子不整
合による転位の発生の無い程度の範囲まで許容される。
エピ成長、作製工程は同様の手順で行うことができる。
【００２７】この場合には、ｐ -Ａｌy Ｇａ1-y Ａｓ第
２クラッド層１１のエッチングをｐ-Ａｌx Ｇａ1-x Ａ
ｓエッチング停止層１０、Ａｌx Ｇａ1-x Ａｓサイドエ
ッチング防止層１３との選択エッチング、例えば、硫酸
系のエッチングにより実現することができる。上記実施
例では、クラッド層中、すなわち、ｐ -Ａｌy Ｇａ1-y
Ａｓ第１クラッド層９とｐ -Ａｌy Ｇａ1-y Ａｓ第２ク
ラッド層１１との間に、ｐ -Ａｌx Ｇａ1-x Ａｓエッチ
ング停止層１０を形成しているが、ｐ -Ａｌz Ｇａ1-z
Ａｓガイド層８中またはｐ -Ａｌy Ｇａ1-y Ａｓ第１ク
ラッド層９とｐ -Ａｌz Ｇａ1-z Ａｓガイド層８との間
に、ｐ- Ａｌx Ｇａ1-x Ａｓエッチング停止層１０を形
成してもよい。
２クラッド層１１のエッチングをｐ-Ａｌx Ｇａ1-x Ａ
ｓエッチング停止層１０、Ａｌx Ｇａ1-x Ａｓサイドエ
ッチング防止層１３との選択エッチング、例えば、硫酸
系のエッチングにより実現することができる。上記実施
例では、クラッド層中、すなわち、ｐ -Ａｌy Ｇａ1-y
Ａｓ第１クラッド層９とｐ -Ａｌy Ｇａ1-y Ａｓ第２ク
ラッド層１１との間に、ｐ -Ａｌx Ｇａ1-x Ａｓエッチ
ング停止層１０を形成しているが、ｐ -Ａｌz Ｇａ1-z
Ａｓガイド層８中またはｐ -Ａｌy Ｇａ1-y Ａｓ第１ク
ラッド層９とｐ -Ａｌz Ｇａ1-z Ａｓガイド層８との間
に、ｐ- Ａｌx Ｇａ1-x Ａｓエッチング停止層１０を形
成してもよい。
【００２８】
【発明の効果】本発明による半導体レーザ積層構造によ
れば、半導体とマスクとの界面が理想的な状態であるこ
とから、サイドエッチングが大幅に低減でき、サイドエ
ッチングによる導波路幅の変換差を考慮したパタン設計
が不要となり、導波路幅のばらつきも少なく、歩留まり
も向上した。とりわけ、リッジ上部のサイドエッチング
によるリッジ幅の減少に起因した電極とのコンタクト抵
抗の上昇を抑制していた。 また、ＳｉＯ2 などの絶縁
層マスクを新たに形成する工程を必要としないため、プ
ロセス工程数が減少し、生産性が向上し、容易に高精度
なリッジ構造を形成することが可能となった。本発明に
よる端面近傍に非励起領域を有する半導体レーザの製造
方法によれば、高出力時の光出力の突発的劣化は見られ
ず、可逆的な熱飽和特性が観察され、高電流での長期通
電試験でも、ＣＯＤによる故障劣化は解決された。ま
た、従来のウインド構造高出力半導体レーザの製造方法
での不純物拡散、再成長で用いられた高温処理過程が不
要であるため、レーザエピタキシャル特性の劣化や、プ
ロセス工程が複雑になるための再現性、歩留まりを劣化
させることなく容易に実現することができた。本発明に
よる端面近傍に非励起領域を有する半導体レーザの製造
方法によれば、従来の高出力半導体レーザの製造方法の
場合のように、端面近傍の導波路部分の表面をＳｉＯ2
などの絶縁膜で覆うことなく実現できるので、端面近傍
にのみ堆積された絶縁膜から発生する応力分布によって
活性層内に転位欠陥が発生し、ダークライン劣化が引き
起こされるという欠点のない、信頼性の高い高出力半導
体装置を提供する事ができる。上記実施例はＧａＡｓ基
板上に積層されたＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ歪量子井戸層
を活性層とした０．８から１μｍ以上の波長帯の半導体
レーザに関するものであるが、同様の効果はＧａＡｓ基
板上に積層されたＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ、ＡｌＧａＡ
ｓを活性層とした半導体レーザにおいても有効である。
れば、半導体とマスクとの界面が理想的な状態であるこ
とから、サイドエッチングが大幅に低減でき、サイドエ
ッチングによる導波路幅の変換差を考慮したパタン設計
が不要となり、導波路幅のばらつきも少なく、歩留まり
も向上した。とりわけ、リッジ上部のサイドエッチング
によるリッジ幅の減少に起因した電極とのコンタクト抵
抗の上昇を抑制していた。 また、ＳｉＯ2 などの絶縁
層マスクを新たに形成する工程を必要としないため、プ
ロセス工程数が減少し、生産性が向上し、容易に高精度
なリッジ構造を形成することが可能となった。本発明に
よる端面近傍に非励起領域を有する半導体レーザの製造
方法によれば、高出力時の光出力の突発的劣化は見られ
ず、可逆的な熱飽和特性が観察され、高電流での長期通
電試験でも、ＣＯＤによる故障劣化は解決された。ま
た、従来のウインド構造高出力半導体レーザの製造方法
での不純物拡散、再成長で用いられた高温処理過程が不
要であるため、レーザエピタキシャル特性の劣化や、プ
ロセス工程が複雑になるための再現性、歩留まりを劣化
させることなく容易に実現することができた。本発明に
よる端面近傍に非励起領域を有する半導体レーザの製造
方法によれば、従来の高出力半導体レーザの製造方法の
場合のように、端面近傍の導波路部分の表面をＳｉＯ2
などの絶縁膜で覆うことなく実現できるので、端面近傍
にのみ堆積された絶縁膜から発生する応力分布によって
活性層内に転位欠陥が発生し、ダークライン劣化が引き
起こされるという欠点のない、信頼性の高い高出力半導
体装置を提供する事ができる。上記実施例はＧａＡｓ基
板上に積層されたＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ歪量子井戸層
を活性層とした０．８から１μｍ以上の波長帯の半導体
レーザに関するものであるが、同様の効果はＧａＡｓ基
板上に積層されたＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ、ＡｌＧａＡ
ｓを活性層とした半導体レーザにおいても有効である。
【図１】本発明の第１の実施例による半導体レーザの積
層構造の断面を示す図である。
層構造の断面を示す図である。
【図２】本発明の第１の実施例による半導体装置の共振
器方向の断面図である。
器方向の断面図である。
【図３】図２のＡ−Ａ′線に沿う断面図であり、半導体
装置の電流注入領域の構造を示している。
装置の電流注入領域の構造を示している。
【図４】図２のＢ−Ｂ′線に沿う断面図であり、半導体
装置の非励起領域の構造を示している。
装置の非励起領域の構造を示している。
【図５】（ａ）ないし（ｃ）はＡｌx Ｇａ1-x Ａｓサイ
ドエッチング防止層を用いてエッチングが行われる過程
を示す工程図である。
ドエッチング防止層を用いてエッチングが行われる過程
を示す工程図である。
【図６】従来の非励起領域を有する半導体装置の共振器
方向の断面図である。
方向の断面図である。
【図７】（ａ）は従来方法によりエッチングを行った後
のリッジ構造を示す断面図であり、（ｂ）は本発明方法
によりエッチングを行った後のリッジ構造を示す断面図
である。
のリッジ構造を示す断面図であり、（ｂ）は本発明方法
によりエッチングを行った後のリッジ構造を示す断面図
である。
１ ｎ+ - ＧａＡｓ基板 ２ ｎ -ＧａＡｓバッファ層 ３ ｎ -Ａｌy Ｇａ1-y Ａｓクラッド層 ４ ｎ -Ａｌz Ｇａ1-z Ａｓガイド層 ５ ｎ -ＡｌＧａＡｓＳＣＨ層 ６ ＩｎＧａＡｓ歪量子井戸活性層 ７ ｐ -ＡｌＧａＡｓＳＣＨ層 ８ ｐ -Ａｌz Ｇａ1-z Ａｓガイド層 ９ ｐ -Ａｌy Ｇａ1-y Ａｓ第１クラッド層 １０ ｐ -Ａｌx Ｇａ1-x Ａｓエッチング停止層 １１ ｐ -Ａｌy Ｇａ1-y Ａｓ第２クラッド層 １２ ｐ+ - ＧａＡｓコンタクト層 １３ Ａｌx Ｇａ1-x Ａｓサイドエッチング防止層 １４ 絶縁膜 １５ ｐ電極 １６ ｎ電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 竹下 達也 東京都新宿区西新宿三丁目19番２号 日本 電信電話株式会社内
Claims (3)
- 【請求項１】 Ａｌy Ｇａ1-y Ａｓをクラッド層、Ａｌ
z Ｇａ1-z Ａｓをガイド層とする半導体レーザにおい
て、クラッド層中またはガイド層中またはクラッド層と
ガイド層との間にエッチング停止層を有し、クラッド層
の外側に半導体サイドエッチング防止層を有することを
特徴とする半導体レーザ。 - 【請求項２】 請求項１において、エッチング停止層及
び半導体サイドエッチング防止層をＡｌx Ｇａ1-x Ａｓ
（ただし、ｘは前記ｙ、ｚより大きい）層あるいはＩｎ
ＧａＰ層とすることを特徴とする半導体レーザ。 - 【請求項３】 端面近傍に非励起領域を有する半導体レ
ーザの製造方法において、請求項１または２の半導体レ
ーザの半導体サイドエッチング防止層をエッチングで除
去することにより電流注入領域を作製する工程を含むこ
とを特徴とする半導体レーザの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16798297A JPH114042A (ja) | 1997-06-10 | 1997-06-10 | 半導体レーザおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16798297A JPH114042A (ja) | 1997-06-10 | 1997-06-10 | 半導体レーザおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH114042A true JPH114042A (ja) | 1999-01-06 |
Family
ID=15859622
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16798297A Pending JPH114042A (ja) | 1997-06-10 | 1997-06-10 | 半導体レーザおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH114042A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006295072A (ja) * | 2005-04-14 | 2006-10-26 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザおよびその製造方法 |
| JPWO2006075759A1 (ja) * | 2005-01-17 | 2008-06-12 | アンリツ株式会社 | 広い光スペクトル発光特性を有する半導体光素子及びその製造方法並びにそれを用いる外部共振器型半導体レーザ |
| KR100872717B1 (ko) | 2007-06-22 | 2008-12-05 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 및 그 제조방법 |
-
1997
- 1997-06-10 JP JP16798297A patent/JPH114042A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2006075759A1 (ja) * | 2005-01-17 | 2008-06-12 | アンリツ株式会社 | 広い光スペクトル発光特性を有する半導体光素子及びその製造方法並びにそれを用いる外部共振器型半導体レーザ |
| JP4571635B2 (ja) * | 2005-01-17 | 2010-10-27 | アンリツ株式会社 | スーパールミネッセントダイオード |
| JP2006295072A (ja) * | 2005-04-14 | 2006-10-26 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザおよびその製造方法 |
| KR100872717B1 (ko) | 2007-06-22 | 2008-12-05 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 및 그 제조방법 |
| WO2009002040A3 (en) * | 2007-06-22 | 2009-02-26 | Lg Innotek Co Ltd | Semiconductor light emitting device and method of fabricating the same |
| US7989820B2 (en) | 2007-06-22 | 2011-08-02 | Lg Innotek Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device and method of fabricating the same |
| CN103151439A (zh) * | 2007-06-22 | 2013-06-12 | Lg伊诺特有限公司 | 半导体发光器件及其制造方法 |
| US8664682B2 (en) | 2007-06-22 | 2014-03-04 | Lg Innotek Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device and method of fabricating the same |
| US8994053B2 (en) | 2007-06-22 | 2015-03-31 | Lg Innotek Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device and method of fabricating the same |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Effective date: 20040330 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 |