JP3257662B2 - 半導体レーザ端面のパッシベーション方法及び治具 - Google Patents
半導体レーザ端面のパッシベーション方法及び治具Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高出力半導体レー
ザ端面のパッシベーション方法に関する。
ザ端面のパッシベーション方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＧａＡｓ基板上に積層された半導
体層を有する半導体レーザが種々提案されている。この
ような半導体レーザは、ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ（量子
井戸）又はＩｎＧａＰを活性層として０．６〜０．８μ
ｍ帯のレーザ光を発生し、光情報記録、光情報記録再生
に用いられている。また近年、ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ
歪量子井戸層を活性層とした０．８から１μｍの波長帯
のレーザがＧａＡｓ基板上に形成され、ファイバーアン
プ用の励起光源として用いられるようになっている。こ
れらのレーザには高出力動作が求められていたが、高出
力動作時の寿命が短いという問題があった。
体層を有する半導体レーザが種々提案されている。この
ような半導体レーザは、ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ（量子
井戸）又はＩｎＧａＰを活性層として０．６〜０．８μ
ｍ帯のレーザ光を発生し、光情報記録、光情報記録再生
に用いられている。また近年、ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ
歪量子井戸層を活性層とした０．８から１μｍの波長帯
のレーザがＧａＡｓ基板上に形成され、ファイバーアン
プ用の励起光源として用いられるようになっている。こ
れらのレーザには高出力動作が求められていたが、高出
力動作時の寿命が短いという問題があった。
【０００３】半導体レーザの劣化原因についてはこれま
でいくつかの検討が行われてきている。これらは共振器
端面の光学損傷破壊ＣＯＤ（Catastrophic Optical Dam
age)や表面の変質、結晶転位欠陥の増殖、およびその他
のオーミック電極の破損や点欠陥の発生に起因するもの
に大別される。とりわけ、ＧａＡｓ基板上に積層された
半導体層を有する半導体レーザにおいては、共振器端面
のＣＯＤが高出力動作においてレーザの寿命を決定づけ
る重要な劣化原因であることが指摘されている。このＣ
ＯＤは半導体レーザの共振器端面付近がレーザ光に対し
て吸収領域になっていることによる。すなわち、半導体
結晶表面に存在する表面準位を介した非発光再結合によ
る温度上昇に起因したバンドギャップの減少にこの種の
ＣＯＤは端を発する。このバンドギャップの減少はさら
に温度の上昇するフィードバックがかかる。このため端
面の溶融等が誘起され光出力が低下し、非可逆的な破壊
が起こるのである。高出力半導体レーザの端面に施され
る反射防止膜および高反射膜は、このＣＯＤを抑制する
効果がある。すなわち、反射防止膜及び高反射膜は端面
保護材料として機能する。しかし、この様な保護材料で
端面を被覆しても、ＣＯＤを完全に防止することはでき
ず、特に反射防止膜を形成している光出射側の端面で頻
繁に起こる。
でいくつかの検討が行われてきている。これらは共振器
端面の光学損傷破壊ＣＯＤ（Catastrophic Optical Dam
age)や表面の変質、結晶転位欠陥の増殖、およびその他
のオーミック電極の破損や点欠陥の発生に起因するもの
に大別される。とりわけ、ＧａＡｓ基板上に積層された
半導体層を有する半導体レーザにおいては、共振器端面
のＣＯＤが高出力動作においてレーザの寿命を決定づけ
る重要な劣化原因であることが指摘されている。このＣ
ＯＤは半導体レーザの共振器端面付近がレーザ光に対し
て吸収領域になっていることによる。すなわち、半導体
結晶表面に存在する表面準位を介した非発光再結合によ
る温度上昇に起因したバンドギャップの減少にこの種の
ＣＯＤは端を発する。このバンドギャップの減少はさら
に温度の上昇するフィードバックがかかる。このため端
面の溶融等が誘起され光出力が低下し、非可逆的な破壊
が起こるのである。高出力半導体レーザの端面に施され
る反射防止膜および高反射膜は、このＣＯＤを抑制する
効果がある。すなわち、反射防止膜及び高反射膜は端面
保護材料として機能する。しかし、この様な保護材料で
端面を被覆しても、ＣＯＤを完全に防止することはでき
ず、特に反射防止膜を形成している光出射側の端面で頻
繁に起こる。
【０００４】ＣＯＤの臨界光出力を高くするためには共
振器端面の酸素との反応により形成された表面準位の除
去が重要であることが指摘されていた。最近、（Ｎ
Ｈ４）２Ｓｘ、Ｐ２Ｓ５（ＮＨ４）２Ｓ、Ｎａ２Ｓ水溶
液処理によりＧａＡｓの表面特性の改善効果が多数報告
されている。この硫化物処理は表面の自然酸化物を除去
するとともに、表面原子の結合手が硫黄原子で覆われ、
その後の酸化過程、表面準位の増加を抑制できるという
ものである。
振器端面の酸素との反応により形成された表面準位の除
去が重要であることが指摘されていた。最近、（Ｎ
Ｈ４）２Ｓｘ、Ｐ２Ｓ５（ＮＨ４）２Ｓ、Ｎａ２Ｓ水溶
液処理によりＧａＡｓの表面特性の改善効果が多数報告
されている。この硫化物処理は表面の自然酸化物を除去
するとともに、表面原子の結合手が硫黄原子で覆われ、
その後の酸化過程、表面準位の増加を抑制できるという
ものである。
【０００５】ところで、この硫化物処理のデバイス応用
の検討はほとんどが電子デバイスに関するものであり、
光デバイスに関するものは少ない。そのうちのいくつか
を以下に示す。ペーター・レオ・プーフマン等の発明
「半導体レーザのエッチング・ミラー・ファセットを不
動態化する方法」（特開平６−３４２９６１）。この発
明ではエッチングにより形成されたレーザ端面をウェッ
トエッチングでダメージ層を除去し、（ＮＨ４）
２Ｓｘ、Ｎａ２Ｓ処理を施すことにより劈開端面の従来
のレーザと比して遜色のないものが得られるというもの
である。田中俊明等の発明「半導体発光素子」（特開平
６−２６８３２７）。この発明では半導体レーザをバー
状に劈開後（ＮＨ４）２Ｓｘ処理を施し、その後形成す
る端面保護材料により導入した応力を利用して端面近傍
のバンドギャップの増大、光吸収の抑制を図るというも
のである。この発明では硫化物処理と応力導入の２つに
よる効果の分離が明らかではなく硫化物処理の効果の程
度が不明である。太田啓之等の発明「半導体レーザの製
造方法」（特開平７−６６４８５）。この発明では硫化
物処理中にレーザと他電極間に電界を印加することによ
り硫化物処理を促進させようというものである。これま
での硫化物処理による半導体レーザ劈開端面のパッシベ
ーション方法では、空気中で劈開し形成したレーザバー
を硫化物処理する方法により行われるものばかりであっ
た。
の検討はほとんどが電子デバイスに関するものであり、
光デバイスに関するものは少ない。そのうちのいくつか
を以下に示す。ペーター・レオ・プーフマン等の発明
「半導体レーザのエッチング・ミラー・ファセットを不
動態化する方法」（特開平６−３４２９６１）。この発
明ではエッチングにより形成されたレーザ端面をウェッ
トエッチングでダメージ層を除去し、（ＮＨ４）
２Ｓｘ、Ｎａ２Ｓ処理を施すことにより劈開端面の従来
のレーザと比して遜色のないものが得られるというもの
である。田中俊明等の発明「半導体発光素子」（特開平
６−２６８３２７）。この発明では半導体レーザをバー
状に劈開後（ＮＨ４）２Ｓｘ処理を施し、その後形成す
る端面保護材料により導入した応力を利用して端面近傍
のバンドギャップの増大、光吸収の抑制を図るというも
のである。この発明では硫化物処理と応力導入の２つに
よる効果の分離が明らかではなく硫化物処理の効果の程
度が不明である。太田啓之等の発明「半導体レーザの製
造方法」（特開平７−６６４８５）。この発明では硫化
物処理中にレーザと他電極間に電界を印加することによ
り硫化物処理を促進させようというものである。これま
での硫化物処理による半導体レーザ劈開端面のパッシベ
ーション方法では、空気中で劈開し形成したレーザバー
を硫化物処理する方法により行われるものばかりであっ
た。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の硫化物
処理による半導体レーザ劈開端面のパッシベーション方
法では、空気中で劈開しレーザバーを形成する工程を含
むため、とりわけＡｌＧａＡｓ等のＡｌを構成元素とす
る層を含む半導体レーザでは劈開後直ちに酸化して形成
される酸化物が安定であり、その後の硫化物処理によっ
ては完全に除去されずに残留するという欠点を有してい
た。本発明の目的とするところは、この様な欠点のな
い、新規な半導体レーザ劈開端面のパッシベーション方
法を提供しようとするものである。
処理による半導体レーザ劈開端面のパッシベーション方
法では、空気中で劈開しレーザバーを形成する工程を含
むため、とりわけＡｌＧａＡｓ等のＡｌを構成元素とす
る層を含む半導体レーザでは劈開後直ちに酸化して形成
される酸化物が安定であり、その後の硫化物処理によっ
ては完全に除去されずに残留するという欠点を有してい
た。本発明の目的とするところは、この様な欠点のな
い、新規な半導体レーザ劈開端面のパッシベーション方
法を提供しようとするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、少なくとも一
方の端面が形成されていない製造途中の半導体レーザを
治具に固定し、該半導体レーザの表面準位の発生を抑制
する作用を有する処理液中で劈開する第１の工程と、該
第１の工程で形成された該端面を端面保護材料で被覆す
る第２の工程とを備え、該端面保護材料を被覆する工程
において、前記治具を装着したまま、前記端面保護材料
を被覆する構成とし、上記目的を達成している。
方の端面が形成されていない製造途中の半導体レーザを
治具に固定し、該半導体レーザの表面準位の発生を抑制
する作用を有する処理液中で劈開する第１の工程と、該
第１の工程で形成された該端面を端面保護材料で被覆す
る第２の工程とを備え、該端面保護材料を被覆する工程
において、前記治具を装着したまま、前記端面保護材料
を被覆する構成とし、上記目的を達成している。
【０００８】この場合に用いる治具は、少なくとも一方
の端面が形成されていない製造途中の前記半導体レーザ
を落とし込む窪みを形成する一対の固定板１７と、該固
定板１７に前記半導体レーザを圧着する一対の圧着板１
８と、該一対の固定板１７を、劈開に必要な間隔を開け
て、別々に納める溝を有する位置決め台１６とからなっ
ている。
の端面が形成されていない製造途中の前記半導体レーザ
を落とし込む窪みを形成する一対の固定板１７と、該固
定板１７に前記半導体レーザを圧着する一対の圧着板１
８と、該一対の固定板１７を、劈開に必要な間隔を開け
て、別々に納める溝を有する位置決め台１６とからなっ
ている。
【０００９】
【発明の実施の形態】本発明によれば、従来の半導体レ
ーザ端面のパッシベーション方法のように空気中で劈開
する工程を含まず、端面処理用液体中で劈開を行うた
め、酸化する前に硫化物処理を行うことができ、このた
め、酸化物の残留のない処理が可能となる。従って、表
面準位が低減しＣＯＤレベルの低下が抑制されるので信
頼性の高い高出力半導体レーザを実現することができ
る。
ーザ端面のパッシベーション方法のように空気中で劈開
する工程を含まず、端面処理用液体中で劈開を行うた
め、酸化する前に硫化物処理を行うことができ、このた
め、酸化物の残留のない処理が可能となる。従って、表
面準位が低減しＣＯＤレベルの低下が抑制されるので信
頼性の高い高出力半導体レーザを実現することができ
る。
【００１０】硫化物溶液中で劈開を行うに際し、先端の
鋭利なメス等を半導体レーザウエハ側面に当てると、溶
液中での摩擦力低下により半導体レーザウエハが移動す
るので所定の位置での劈開が困難である。さらには、硫
化物溶液中でのレーザバーの取り扱いは難しく、ピンセ
ット等での取り扱いにより半導体レーザへのダメージが
入りやすい。
鋭利なメス等を半導体レーザウエハ側面に当てると、溶
液中での摩擦力低下により半導体レーザウエハが移動す
るので所定の位置での劈開が困難である。さらには、硫
化物溶液中でのレーザバーの取り扱いは難しく、ピンセ
ット等での取り扱いにより半導体レーザへのダメージが
入りやすい。
【００１１】一方、本発明によると、端面処理用液体中
での半導体レーザの劈開をある程度の重さのある治具に
固定された状態で行えるため、半導体レーザウエハが溶
液中を移動することが無く所定の位置での劈開が可能と
なる。さらには劈開後もレーザバーが治具に固定されて
おり、そのまま端面保護材料を形成する装置に設置し、
端面保護材料を形成することも可能であり、硫化物溶液
中での取り扱いによるダメージが入るという欠点のない
半導体レーザ端面のパッシベーション方法を提供するこ
とができる。
での半導体レーザの劈開をある程度の重さのある治具に
固定された状態で行えるため、半導体レーザウエハが溶
液中を移動することが無く所定の位置での劈開が可能と
なる。さらには劈開後もレーザバーが治具に固定されて
おり、そのまま端面保護材料を形成する装置に設置し、
端面保護材料を形成することも可能であり、硫化物溶液
中での取り扱いによるダメージが入るという欠点のない
半導体レーザ端面のパッシベーション方法を提供するこ
とができる。
【００１２】
【実施例】次に、図を伴って、本発明の一実施例を述べ
る。図１は、本発明の実施例１によるレーザの断面を示
す図である。図において、１はｎ＋−ＧａＡｓ基板、２
はｎ−ＧａＡｓバッファ層、３はｎ−ＡｌＧａＡｓクラ
ッド層、４および８はＡｌＧａＡｓガイド層、５および
７はＡｌＧａＡｓＳＣＨ層、６はＩｎＧａＡｓ歪量子井
戸活性層、９はｐ−ＡｌＧａＡｓクラッド層、１０はｐ
＋ＧａＡｓコンタクト層、１１は絶縁層、１２はｐ電
極、１３はｎ電極である。
る。図１は、本発明の実施例１によるレーザの断面を示
す図である。図において、１はｎ＋−ＧａＡｓ基板、２
はｎ−ＧａＡｓバッファ層、３はｎ−ＡｌＧａＡｓクラ
ッド層、４および８はＡｌＧａＡｓガイド層、５および
７はＡｌＧａＡｓＳＣＨ層、６はＩｎＧａＡｓ歪量子井
戸活性層、９はｐ−ＡｌＧａＡｓクラッド層、１０はｐ
＋ＧａＡｓコンタクト層、１１は絶縁層、１２はｐ電
極、１３はｎ電極である。
【００１３】この構造を実現するために、エピタキシャ
ル結晶成長装置（ＭＯＣＶＤ法：有機金属気相成長装置
あるいはＭＢＥ法：分子線エピタキシー法）により、図
２に示すようにｎ＋−ＧａＡｓ基板１上にエピ層２から
１０まで成長する。ＭＯＶＰＥ法では、半導体薄膜成長
用の原料としてトリメチルインジウム（ＴＭＩ）、トリ
エチルガリウム（ＴＥＧ）、トリメチルアルミニウム
（ＴＭＡ）、アルシン（ＡｓＨ３）を、ｎ型ドーパント
としてセレン化水素（Ｈ２Ｓｅ）、ｐ型ドーパントとし
てジエチルジンク（ＤＥＺｎ）を利用した。エピタキシ
ャル成長温度は約７００℃、成長圧力は約０．１気圧、
キャリヤガスは水素である。ＭＢＥ法では原料として金
属ガリウム（Ｇａ）、インジウム（Ｉｎ）、アルミニウ
ム（Ａｌ）、砒素（Ａｓ固体）を、ｎ型ドーパントとし
てシリコン（Ｓｉ）、ｐ型ドーパントとして亜鉛（Ｚ
ｎ）を利用した。エピタキシャル成長温度は約６５０
℃、成長圧力は約１０−５Ｔｏｒｒとしている。
ル結晶成長装置（ＭＯＣＶＤ法：有機金属気相成長装置
あるいはＭＢＥ法：分子線エピタキシー法）により、図
２に示すようにｎ＋−ＧａＡｓ基板１上にエピ層２から
１０まで成長する。ＭＯＶＰＥ法では、半導体薄膜成長
用の原料としてトリメチルインジウム（ＴＭＩ）、トリ
エチルガリウム（ＴＥＧ）、トリメチルアルミニウム
（ＴＭＡ）、アルシン（ＡｓＨ３）を、ｎ型ドーパント
としてセレン化水素（Ｈ２Ｓｅ）、ｐ型ドーパントとし
てジエチルジンク（ＤＥＺｎ）を利用した。エピタキシ
ャル成長温度は約７００℃、成長圧力は約０．１気圧、
キャリヤガスは水素である。ＭＢＥ法では原料として金
属ガリウム（Ｇａ）、インジウム（Ｉｎ）、アルミニウ
ム（Ａｌ）、砒素（Ａｓ固体）を、ｎ型ドーパントとし
てシリコン（Ｓｉ）、ｐ型ドーパントとして亜鉛（Ｚ
ｎ）を利用した。エピタキシャル成長温度は約６５０
℃、成長圧力は約１０−５Ｔｏｒｒとしている。
【００１４】成長後、コンタクト層１０並びにクラッド
層９を加工して、幅１．５〜３μｍ程度のリッジを形成
する。そのためにフォトリソグラフィーでレジストパタ
ーニングし、これをマスクにウエットあるいはドライエ
ッチングで１０，９層をエッチングする。深さは横モー
ドを考慮して決定し、ガイド層８までエッチングする場
合もある。リッジ形成後、スパッタリング等で絶縁膜１
１（ＳｉＯ２）を表面全体に形成し、リッジ上部の電流
注入領域のＳｉＯ２をエッチオフした後、Ｃｒ／Ａｕあ
るいはＴｉ／Ｐｔ／Ａｕ等のｐ電極１２を形成する。そ
の後、１００μｍ厚まで裏面を研磨し、ＡｕＧｅＮｉ等
のｎ電極１３を形成する。その後、オーミックシンター
し電極部を形成する。この様に形成されたレーザウエハ
をストライプ方向と垂直方向に劈開して幅１．８ｍｍ、
長さ１０ｍｍのウエハ１４（図３参照）に分割する。こ
のウエハの幅は最終的なレーザの共振器長の２倍の長さ
である。またウエハ１４の幅方向の中心には１ｍｍ程度
のスクライブ１５が入れてある。
層９を加工して、幅１．５〜３μｍ程度のリッジを形成
する。そのためにフォトリソグラフィーでレジストパタ
ーニングし、これをマスクにウエットあるいはドライエ
ッチングで１０，９層をエッチングする。深さは横モー
ドを考慮して決定し、ガイド層８までエッチングする場
合もある。リッジ形成後、スパッタリング等で絶縁膜１
１（ＳｉＯ２）を表面全体に形成し、リッジ上部の電流
注入領域のＳｉＯ２をエッチオフした後、Ｃｒ／Ａｕあ
るいはＴｉ／Ｐｔ／Ａｕ等のｐ電極１２を形成する。そ
の後、１００μｍ厚まで裏面を研磨し、ＡｕＧｅＮｉ等
のｎ電極１３を形成する。その後、オーミックシンター
し電極部を形成する。この様に形成されたレーザウエハ
をストライプ方向と垂直方向に劈開して幅１．８ｍｍ、
長さ１０ｍｍのウエハ１４（図３参照）に分割する。こ
のウエハの幅は最終的なレーザの共振器長の２倍の長さ
である。またウエハ１４の幅方向の中心には１ｍｍ程度
のスクライブ１５が入れてある。
【００１５】このウエハを劈開用治具に固定する。この
治具は、図３に示すように、第一の治具１６（位置決め
台）によって第二の下部治具１７（固定板）の位置が決
められるガイド溝があり、第二の下部治具１７は２００
μｍの間隔を開けて置かれ、その上にウエハ１４を載せ
る。この第二の下部治具１７には深さ５０μｍのウエハ
用ガイド溝を備えており、ウエハ１４のスクライブ部を
含む劈開部が上記２００μｍの間隔の中心になるように
配置される。その後、第二の上部治具１８（圧着板）を
載せて、ネジで固定する。この第二の上部治具１８も２
００μｍの間隔が開けられており、固定後はウエハ１４
のスクライブ部を含む劈開部が露呈されるような配置と
なる。
治具は、図３に示すように、第一の治具１６（位置決め
台）によって第二の下部治具１７（固定板）の位置が決
められるガイド溝があり、第二の下部治具１７は２００
μｍの間隔を開けて置かれ、その上にウエハ１４を載せ
る。この第二の下部治具１７には深さ５０μｍのウエハ
用ガイド溝を備えており、ウエハ１４のスクライブ部を
含む劈開部が上記２００μｍの間隔の中心になるように
配置される。その後、第二の上部治具１８（圧着板）を
載せて、ネジで固定する。この第二の上部治具１８も２
００μｍの間隔が開けられており、固定後はウエハ１４
のスクライブ部を含む劈開部が露呈されるような配置と
なる。
【００１６】次に、第二の上部治具１８に固定されたウ
エハ１４を第一の治具１６から取り出し、シャーレに入
った（ＮＨ４）２Ｓｘ水溶液中に移し、ウエハ１４のス
クライブ部に劈開刃をあて劈開し、２個のレーザバーに
分離する。ここで新たに劈開で形成された端面は劈開後
直ちに硫化物処理が行われ、空気中の酸素にさらされる
ことがない。さらにレーザバーは劈開後も第二の上部治
具１８に固定された状態になっている。
エハ１４を第一の治具１６から取り出し、シャーレに入
った（ＮＨ４）２Ｓｘ水溶液中に移し、ウエハ１４のス
クライブ部に劈開刃をあて劈開し、２個のレーザバーに
分離する。ここで新たに劈開で形成された端面は劈開後
直ちに硫化物処理が行われ、空気中の酸素にさらされる
ことがない。さらにレーザバーは劈開後も第二の上部治
具１８に固定された状態になっている。
【００１７】硫化物処理終了後、レーザバーは第二の上
部治具１８に固定された状態でスパッタ装置等に装填
し、（ＮＨ４）２Ｓｘ水溶液中で劈開して形成した端面
にＡｌ２Ｏ３等の端面保護兼反射防止膜を形成する。こ
うしてＣＯＤによる端面劣化が起こりやすい光出射側の
端面のパッシベーションが完了する。さらに、治具から
レーザバーを取り外し、もう一方の端面にＡｌ２Ｏ３α
−Ｓｉ／Ａｌ２Ｏ３／α−Ｓｉ等の端面保護兼高反射膜
を形成する。その後、レーザバーから劈開により個々の
レーザに分割しレーザチップを得る。
部治具１８に固定された状態でスパッタ装置等に装填
し、（ＮＨ４）２Ｓｘ水溶液中で劈開して形成した端面
にＡｌ２Ｏ３等の端面保護兼反射防止膜を形成する。こ
うしてＣＯＤによる端面劣化が起こりやすい光出射側の
端面のパッシベーションが完了する。さらに、治具から
レーザバーを取り外し、もう一方の端面にＡｌ２Ｏ３α
−Ｓｉ／Ａｌ２Ｏ３／α−Ｓｉ等の端面保護兼高反射膜
を形成する。その後、レーザバーから劈開により個々の
レーザに分割しレーザチップを得る。
【００１８】本発明の半導体レーザ端面のパッシベーシ
ョン方法による半導体レーザは５００ｍＷ以上のＣＯＤ
レベルを示していた。これに対して、硫化物処理を行わ
ないものや空気中で劈開後硫化物処理を行う従来のパッ
シベーション方法による半導体レーザでは４００ｍＷ以
下のＣＯＤレベルを示しており、本発明によるパッシベ
ーション方法の効果が確認できる。なお、端面処理用液
体をＰ２Ｓ５／（ＮＨ４）２Ｓ、Ｎａ２Ｓ、Ｋ２Ｓｅ水
溶液とすることによっても同様の効果を得ることができ
る。
ョン方法による半導体レーザは５００ｍＷ以上のＣＯＤ
レベルを示していた。これに対して、硫化物処理を行わ
ないものや空気中で劈開後硫化物処理を行う従来のパッ
シベーション方法による半導体レーザでは４００ｍＷ以
下のＣＯＤレベルを示しており、本発明によるパッシベ
ーション方法の効果が確認できる。なお、端面処理用液
体をＰ２Ｓ５／（ＮＨ４）２Ｓ、Ｎａ２Ｓ、Ｋ２Ｓｅ水
溶液とすることによっても同様の効果を得ることができ
る。
【００１９】上記実施例はＧａＡｓ基板上に積層された
ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ歪量子井戸層を活性層とした
０．８から１μｍ以上の波長帯の半導体レーザに関する
ものであるが、同様の効果はＧａＡｓ基板上に積層され
たＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ、ＩｎＧａＰを活性層とした
半導体レーザにおいても有効である。
ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ歪量子井戸層を活性層とした
０．８から１μｍ以上の波長帯の半導体レーザに関する
ものであるが、同様の効果はＧａＡｓ基板上に積層され
たＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ、ＩｎＧａＰを活性層とした
半導体レーザにおいても有効である。
【００２０】
【発明の効果】本発明による半導体レーザ端面のパッシ
ベーション方法によれば、従来の半導体レーザ端面のパ
ッシベーション方法のように空気中で劈開する工程を含
まず、端面処理用液体中で劈開を行うため、酸化する前
に硫化物処理を行うことができるので、酸化物の残留の
ない処理が可能となり、表面準位の低減とＣＯＤレベル
の低下の抑制による信頼性の高い高出力半導体レーザを
実現することができる。
ベーション方法によれば、従来の半導体レーザ端面のパ
ッシベーション方法のように空気中で劈開する工程を含
まず、端面処理用液体中で劈開を行うため、酸化する前
に硫化物処理を行うことができるので、酸化物の残留の
ない処理が可能となり、表面準位の低減とＣＯＤレベル
の低下の抑制による信頼性の高い高出力半導体レーザを
実現することができる。
【００２１】また、本発明による半導体レーザ端面のパ
ッシベーション方法においては、端面処理用液体中での
半導体レーザの劈開をある程度の重さのある治具に固定
された状態で行えるため、半導体レーザウエハが溶液中
を移動することが無く所定の位置での劈開が可能とな
る。さらには劈開後もレーザバーが治具に固定されてお
り、そのまま端面保護材料を形成する装置に設置し、端
面保護材料を形成することも可能であり、硫化物溶液中
での取り扱いも容易である半導体レーザ端面のパッシベ
ーション方法を提供することができる。
ッシベーション方法においては、端面処理用液体中での
半導体レーザの劈開をある程度の重さのある治具に固定
された状態で行えるため、半導体レーザウエハが溶液中
を移動することが無く所定の位置での劈開が可能とな
る。さらには劈開後もレーザバーが治具に固定されてお
り、そのまま端面保護材料を形成する装置に設置し、端
面保護材料を形成することも可能であり、硫化物溶液中
での取り扱いも容易である半導体レーザ端面のパッシベ
ーション方法を提供することができる。
【００２４】
【図１】本発明の一実施例による半導体レーザの断面を
示す図である。
示す図である。
【図２】本発明の一実施例による半導体レーザのエピ構
造の断面図である。
造の断面図である。
【図３】本発明の一実施例による半導体レーザ端面のパ
ッシベーションのための治具を示す図である。
ッシベーションのための治具を示す図である。
１ ｎ＋−ＧａＡｓ基板 ２ ｎ−ＧａＡｓバッファ層 ３ ｎ−ＡｌＧａＡｓクラッド層 ４ ＡｌＧａＡｓガイド層 ５ ＡｌＧａＡｓＳＣＨ層 ６ ＩｎＧａＡｓ歪量子井戸活性層 ７ ＡｌＧａＡｓＳＣＨ層 ８ ＡｌＧａＡｓガイド層 ９ ｐ−ＡｌＧａＡｓクラッド層 １０ ｐ＋−ＧａＡｓコンタクト層 １１ 絶縁膜 １２ ｐ電極 １３ ｎ電極 １４ 半導体レーザウエハ １５ 劈開用スクライブ １６ 第一の治具（位置決め台） １７ 第二の下部治具（固定板） １８ 第二の上部治具（圧着板）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平３−149889（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−285381（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−224284（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−299769（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−285327（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−133382（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−198682（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−66485（ＪＰ，Ａ) 実開 平１−84439（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01S 5/00 - 5/50 H01L 21/78
Claims (3)
- 【請求項１】 少なくとも一方の端面が形成されていな
い製造途中の半導体レーザを治具に固定し、該半導体レ
ーザの表面準位の発生を抑制する作用を有する処理液中
で劈開する第１の工程と、該第１の工程で形成された該
端面を端面保護材料で被覆する第２の工程とを備え、 該端面保護材料を被覆する工程において、前記治具を装
着したまま、前記端面保護材料を被覆することを特徴と
する半導体レーザ端面のパッシベーション方法。 - 【請求項２】 少なくとも一方の端面が形成されていな
い製造途中の前記半導体レーザを落とし込む窪みを形成
する一対の固定板（１７）と、該固定板（１７）に前記
半導体レーザを圧着する一対の圧着板（１８）と、該一
対の固定板（１７）を、劈開に必要な間隔を開けて、別
々に納める溝を有する位置決め台（１６）とからなる治
具。 - 【請求項３】 請求項２に記載の前記治具を用いること
を特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ端面のパッ
シベーション方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34647095A JP3257662B2 (ja) | 1995-12-11 | 1995-12-11 | 半導体レーザ端面のパッシベーション方法及び治具 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34647095A JP3257662B2 (ja) | 1995-12-11 | 1995-12-11 | 半導体レーザ端面のパッシベーション方法及び治具 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09162501A JPH09162501A (ja) | 1997-06-20 |
| JP3257662B2 true JP3257662B2 (ja) | 2002-02-18 |
Family
ID=18383648
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34647095A Expired - Fee Related JP3257662B2 (ja) | 1995-12-11 | 1995-12-11 | 半導体レーザ端面のパッシベーション方法及び治具 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3257662B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5926340B2 (ja) | 2014-09-12 | 2016-05-25 | 株式会社フジクラ | Ｌｄモジュール |
| JP6333874B2 (ja) | 2016-03-03 | 2018-05-30 | 株式会社フジクラ | 導光装置、導光方法、及びｌｄモジュール |
-
1995
- 1995-12-11 JP JP34647095A patent/JP3257662B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH09162501A (ja) | 1997-06-20 |
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