JP5729335B2 - Iii族窒化物半導体発光素子およびその製造方法 - Google Patents
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Description
また、非発光領域は、フェイスアップ型のIII 族窒化物半導体発光素子において、pパッド電極による光の反射・吸収を抑制するために利用することができる。同様に、光取り出し効率を向上させることができる。
まず、サファイア基板90を用意し、サーマルクリーニングを行ってサファイア基板90表面の不純物を除去する。そして、サファイア基板90上に、AlNからなるバッファ層(図示しない)を介してMOCVD法によってIII 族窒化物半導体からなるn型層43、発光層42、p型層41を順に積層させ、半導体層40を形成する(図2.A)。MOCVD法において用いる原料ガスは、窒素源として、アンモニア(NH3 )、Ga源として、トリメチルガリウム(Ga(CH3 )3 )、In源として、トリメチルインジウム(In(CH3 )3 )、Al源として、トリメチルアルミニウム(Al(CH3 )3 )、n型ドーピングガスとして、シラン(SiH4 )、p型ドーピングガスとしてシクロペンタジエニルマグネシウム(Mg(C5 H5 )2 )、キャリアガスとしてH2 、N2 である。成長基板としてサファイア基板90以外にも、SiC、ZnO、スピネル、などの基板を用いることができる。そして、半導体層40の形成後、窒素雰囲気中で熱処理を行うことでMgを活性化させてp型層41をp型化する。
次に、p型層41上に、スパッタ法によってp電極30を形成する(図2.B)。p電極30の形成には他に蒸着法を用いてもよい。
次に、p電極30上であって、後の工程で形成するn電極50と平面視において重なる領域に、Agペーストを塗布する。Agペーストは、Ag粒子を溶媒に混合し分散させたものである。溶媒には、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、脂肪族高級アルコールなどの、構成元素として水素を含むものを用いることができる。特に脂肪族高級アルコールとして、テルピネオール、デカノール、ジオールなどを用いることができる。また、Ag粒子の凝集を防止するための分散材がAg粒子を被膜していてもよい。Ag粒子の平均粒径は任意であるが、凝集の容易さの点などから、平均粒径30〜500nmのAg粒子を用いることが望ましい。Agペーストの塗布方法としては、スクリーン印刷、オフセット印刷、インクジェット印刷などの各種印刷法や、ディスペンサー、スピンコート、スプレー法、などの方法を用いることができる。Agペーストの厚さは0.5〜2.0μmとすることが望ましい。
次に、真空中、または圧力1〜50Paの酸素雰囲気において、500℃で10分間、熱処理を行う。この熱処理により、Agペースト中の溶媒を蒸発させ、Ag粒子を凝集させることで固化させ、Agペースト固化体70を形成する(図2.C)。
次に、p電極30上およびAgペースト固化体70上の全面に接合層20を形成する。なお、p電極30およびAgペースト固化体70と接合層20との間に、接合層20を構成する金属元素がp電極30やp型層41に拡散するのを防止するために、拡散防止層を形成しておくことが望ましい。拡散防止層には、Ti/Ni/AuなどのTi/Niを含む多層膜や、W/Pt/AuなどのW/Ptを含む多層膜を用いることができる。そして、支持体10を用意し、接合層20を介して、支持体10とp電極30を接合する(図2.D)。この際、支持体10の一方の表面にも接合層20を形成し、支持体10の接合層20とp電極30上の接合層20とを合わせて加熱プレスすることで接合している。
そして、レーザーリフトオフにより、サファイア基板90を分離除去する(図2.E)。すなわち、サファイア基板90側から、サファイアは透過しIII 族窒化物半導体では吸収される波長のレーザー光(たとえばKrFなどのエキシマレーザ)を照射し、サファイア基板90と半導体層40との界面近傍の半導体層40を分解することで、半導体層40からサファイア基板90を剥離して除去する。
次に、n型層43表面をTMAH水溶液によってウェットエッチングし、n型層43表面に凹凸形状44を形成する(図2.F)。このウェットエッチングにはTMAH以外にもKOHやNaOH、リン酸などを用いることもできる。
次に、凹凸形状44の形成されたn型層43表面の全面に、透明電極60をスパッタによって形成する(図2.G)。なお、透明電極60の形成にはスパッタ以外にも蒸着などによって形成してもよい。
次に、スパッタまたは蒸着とリフトオフ法を用いて、透明電極60上であって、平面視においてAgペースト固化体70と重なる領域にn電極50を形成する。つまり、n電極50は非発光領域42aの上部に形成する。そして、支持体10を研磨して薄くし、支持体10裏面に裏面電極(図示しない)を形成し、レーザーダイシング、スクライビング等による素子分離を行う。以上の工程によって、図1に示した実施例1のIII 族窒化物半導体発光素子が製造される。
まず、n型のGaN基板200を用意し、GaN基板200上にMOCVD法によってIII 族窒化物半導体からなるn型層243、発光層242、p型層241を順に積層させ、半導体層240を形成する(図4.A)。MOCVD法において用いる原料ガスは、実施例1のIII 族窒化物半導体発光素子の半導体層40形成時と同様である。半導体層240の形成後、窒素雰囲気中で熱処理を行ってp型層241を活性化する。
次に、p型層241上のほぼ全面にスパッタ法によってp電極230を形成する(図4.B)。p電極230の形成には他に蒸着法を用いてもよい。
次に、p電極230上であって、平面視において後に形成するn電極250と重なる領域に、Agペーストを塗布する。Agペーストの材料、塗布方法については、実施例1のAgペーストと同様である。
次に、熱処理を行ってAgペーストを固化し、Agペースト固化体270を形成する(図4.C)。熱処理の各種条件については、実施例1のAgペースト焼成工程における熱処理条件と同様である。
次に、スパッタまたは蒸着とリフトオフ法を用いて、GaN基板200裏面であって平面視においてAgペースト固化体270と重なる領域にn電極250を形成する。以上によって図3に示した実施例2のIII 族窒化物半導体発光素子が製造される。
まず、サファイア基板300を用意し、サファイア基板300上にMOCVD法によってIII 族窒化物半導体からなるn型層311、発光層312、p型層313を順に積層させ、半導体層310を形成する(図6.A)。MOCVD法において用いる原料ガスは、実施例1のIII 族窒化物半導体発光素子の半導体層40形成時と同様である。半導体層310の形成後、窒素雰囲気中で熱処理を行ってp型層313を活性化する。
次に、p型層313表面のほぼ全面に蒸着あるいはスパッタによってITOからなる透明電極330を形成する(図6.B)。
次に、ドライエッチングによって、透明電極330側からn型層311に達する溝を所定領域に形成する。そして、この溝の底面に露出したn型層311上に、蒸着またはスパッタとリフトオフ法を用いてn電極350を形成する(図6.C)。
次に、透明電極330上の所定の領域に、Auペーストを塗布する。Auペーストは、Au粒子を実施例1のAgペーストの溶媒と同様の溶媒に分散させたものである。Auペーストの塗布方法については、実施例1のAgペーストと同様である。次に、熱処理を行ってAuペーストを固化し、その固化したAuペーストをpパッド電極340とする(図6.D)。熱処理の各種条件については、実施例1のAgペースト焼成工程における熱処理条件と同様である。
20:接合層
30、230:p電極
40、240:半導体層
41、241:p型層
42、242:発光層
43、243:n型層
50、250:n電極
60:透明電極
70、270:Agペースト固化体
200:GaN基板
Claims (11)
- 発光層の一部領域を非発光領域とするIII 族窒化物半導体発光素子の製造方法において、
成長基板上にIII 族窒化物半導体からなるn型層、発光層、p型層を順に積層する第1工程と、
前記p型層を熱処理によりp型活性化後、前記p型層上にpコンタクト電極を形成する第2工程と、
前記pコンタクト電極上の所望の領域に、Ag、Cu、またはAuからなる金属粒子を、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、または脂肪族高級アルコールからなる溶媒に分散させたものである金属ペーストを塗布する第3工程と、
1〜50Paの圧力の酸素雰囲気中または真空中、温度300〜600℃、5〜30分間熱処理して前記金属ペーストを固化させ、併せて、前記金属ペースト中の水素を前記p型層の一部領域中に拡散させ、p型不純物をその拡散させた水素により不活性化することにより、前記p型層の一部領域を高抵抗領域とすることで、前記発光層のうち平面視において前記金属ペーストを塗布した領域と重なる領域を前記非発光領域とする第4工程と、
を有することを特徴とするIII 族窒化物半導体発光素子の製造方法。 - pコンタクト電極は、AgまたはAg合金からなり、
前記第4工程の後、支持体と前記pコンタクト電極とを接合し、基板リフトオフ法を用いて前記成長基板を除去する第5工程と、
前記第5工程の後、前記成長基板の除去により露出した前記n型層表面であって、平面視において金属ペーストを塗布した領域と重なる領域に、n電極を形成する第6工程と、
をさらに有することを特徴とする請求項1に記載のIII 族窒化物半導体発光素子の製造方法。 - 前記成長基板として透明導電性基板を用い、
pコンタクト電極は、AgまたはAg合金からなり、
前記第4工程の後、前記成長基板のn型層形成側とは反対側の面であって、平面視において金属ペーストを塗布した領域と重なる領域に、n電極を形成する第7工程をさらに有することを特徴とする請求項1に記載のIII 族窒化物半導体発光素子の製造方法。 - 前記III 族窒化物半導体発光素子はフェイスアップ型であり、
前記pコンタクト電極は、透明導電性材料からなる透明電極であり、
前記第4工程により固化した金属ペースト固化体をpパッド電極とする、
ことを特徴とする請求項1に記載のIII 族窒化物半導体発光素子の製造方法。 - 前記金属ペーストの前記溶媒は、脂肪族高級アルコールである、ことを特徴とする請求項1ないし請求項4のいずれか1項に記載のIII 族窒化物半導体発光素子の製造方法。
- 前記第4工程の熱処理は、酸素雰囲気で行う、ことを特徴とする請求項1ないし請求項5のいずれか1項に記載のIII 族窒化物半導体発光素子の製造方法。
- 前記第4工程の熱処理は、真空中で行う、ことを特徴とする請求項1ないし請求項5のいずれか1項に記載のIII 族窒化物半導体発光素子の製造方法。
- 導電性の支持体と、前記支持体上に位置するAgまたはAgを含む合金からなるp電極と、前記p電極上に順に位置するIII 族窒化物半導体からなるp型層、発光層、n型層である半導体層と、前記n型層上に位置するn電極と、を有するIII 族窒化物半導体発光素子において、
前記p電極の前記支持体側表面であって、平面視において前記n電極と重なる領域に、Ag、Cu、またはAuからなる金属粒子を、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、または脂肪族高級アルコールからなる溶媒に分散させた金属ペーストを、焼成して固化した固化物である金属ペースト固化体を有し、
前記p型層のうち、平面視において前記金属ペースト固化体と重なる領域は、前記金属ペースト中の水素を前記p型層の一部領域中に拡散させ、p型不純物をその拡散させた水素により不活性化することにより高抵抗化させた高抵抗領域である、
ことを特徴とするIII 族窒化物半導体発光素子。 - 透明導電性基板と、前記透明導電性基板上に順に位置するIII 族窒化物半導体からなるn型層、発光層、p型層である半導体層と、前記p型層上に位置するAgまたはAgを含む合金からなるp電極と、前記透明導電性基板の前記n型層側とは反対側の表面に位置するn電極と、を有するIII 族窒化物半導体発光素子において、
前記p電極上であって、平面視において前記n電極と重なる領域に、Ag、Cu、またはAuからなる金属粒子を、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、または脂肪族高級アルコールからなる溶媒に分散させた金属ペーストを、焼成して固化した固化物である金属ペースト固化体を有し、
前記p型層のうち、平面視において前記金属ペースト固化体と重なる領域は、前記金属ペースト中の水素を前記p型層の一部領域中に拡散させ、p型不純物をその拡散させた水素により不活性化することにより高抵抗化させた高抵抗領域である、
ことを特徴とするIII 族窒化物半導体発光素子。 - 成長基板と、前記成長基板上に順に位置するIII 族窒化物半導体からなるn型層、発光層、p型層であり、その一部がp型層側からエッチングされてn型層表面が露出した半導体層と、その露出したn型層上に位置するn電極と、前記p型層上に位置する透明電極と、前記透明電極上に位置するpパッド電極と、を有するフェイスアップ型のIII 族窒化物半導体発光素子において、
前記pパッド電極は、Ag、Cu、またはAuからなる金属粒子を、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、または脂肪族高級アルコールからなる溶媒に分散させた金属ペーストを、焼成して固化した金属ペースト固化体であり、
前記p型層のうち、平面視において前記pパッド電極と重なる領域は、前記金属ペースト中の水素を前記p型層の一部領域中に拡散させ、p型不純物をその拡散させた水素により不活性化することにより高抵抗化させた高抵抗領域である、
ことを特徴とするIII 族窒化物半導体発光素子。 - 前記金属ペーストの溶媒は、脂肪族高級アルコールである、ことを特徴とする請求項8ないし請求項10のいずれか1項に記載のIII 族窒化物半導体発光素子。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012061420A JP5729335B2 (ja) | 2012-03-19 | 2012-03-19 | Iii族窒化物半導体発光素子およびその製造方法 |
US13/770,965 US8889449B2 (en) | 2012-03-19 | 2013-02-19 | Group III nitride semiconductor light-emitting element and method for producing the same |
CN201310084374.1A CN103325912B (zh) | 2012-03-19 | 2013-03-15 | 第iii族氮化物半导体发光器件及其制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012061420A JP5729335B2 (ja) | 2012-03-19 | 2012-03-19 | Iii族窒化物半導体発光素子およびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013197227A JP2013197227A (ja) | 2013-09-30 |
JP5729335B2 true JP5729335B2 (ja) | 2015-06-03 |
Family
ID=49156852
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012061420A Expired - Fee Related JP5729335B2 (ja) | 2012-03-19 | 2012-03-19 | Iii族窒化物半導体発光素子およびその製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8889449B2 (ja) |
JP (1) | JP5729335B2 (ja) |
CN (1) | CN103325912B (ja) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7067849B2 (en) | 2001-07-17 | 2006-06-27 | Lg Electronics Inc. | Diode having high brightness and method thereof |
US6949395B2 (en) * | 2001-10-22 | 2005-09-27 | Oriol, Inc. | Method of making diode having reflective layer |
US7148520B2 (en) | 2001-10-26 | 2006-12-12 | Lg Electronics Inc. | Diode having vertical structure and method of manufacturing the same |
JP5734935B2 (ja) * | 2012-09-20 | 2015-06-17 | 株式会社東芝 | 半導体装置及びその製造方法 |
WO2014115060A1 (en) * | 2013-01-24 | 2014-07-31 | Koninklijke Philips N.V. | Control of p-contact resistance in a semiconductor light emitting device |
CN104993023B (zh) * | 2015-05-29 | 2018-06-05 | 上海芯元基半导体科技有限公司 | 一种利用化学腐蚀的方法剥离生长衬底的方法 |
CN104979438A (zh) * | 2015-06-19 | 2015-10-14 | 佛山市国星半导体技术有限公司 | 剥离发光组件衬底的方法和装置 |
WO2017213403A1 (ko) * | 2016-06-07 | 2017-12-14 | 전북대학교산학협력단 | 질화갈륨계 고효율 발광다이오드 및 그의 제조방법 |
CN107123710A (zh) * | 2017-05-08 | 2017-09-01 | 安徽三安光电有限公司 | 进一步提高led出光效率的方法及其led结构 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3309756B2 (ja) | 1997-02-14 | 2002-07-29 | 豊田合成株式会社 | 窒化ガリウム系化合物半導体素子 |
US6291840B1 (en) | 1996-11-29 | 2001-09-18 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | GaN related compound semiconductor light-emitting device |
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JP4089311B2 (ja) * | 2002-07-02 | 2008-05-28 | 住友電気工業株式会社 | 導電性ペースト、導電性膜、及び導電性膜の製造方法 |
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-
2012
- 2012-03-19 JP JP2012061420A patent/JP5729335B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2013
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Publication number | Publication date |
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US20130240945A1 (en) | 2013-09-19 |
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