JP6288912B2 - 発光素子 - Google Patents
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Description
(半導体構造10)
半導体構造10は、例えば、下面側から順に、第1導電型(p型)層、活性層、第2導電型(n型)層を有する構造とすることができる。半導体構造10は、例えば、複数のGaN系半導体(GaN、AlGaN、InGaNなど)を積層したものを用いることができる。なお、説明の便宜上、図2においては半導体構造10を長方形としているが、正方形であってもよいし、また、角が丸みを帯びた形状であってもよい。
正電極30は、例えば、酸化インジウムスズ、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化スズ等とでき、好ましくは酸化インジウムスズを使用することができる。これらの材料を用いることにより、当接する部材と良好なオーミック接触が得られる。
反射膜20は、半導体構造10の側面側から順に、絶縁部材21と、金属部材22と、を含むことができる。本実施形態では、半導体構造10の側面全域に反射膜20が設けられている。反射膜20は、半導体構造10の側面へと向かう光を、上面側へと反射させるためのものである。反射膜20は、単膜であってもよいし、多層膜であってもよい。本実施形態においては、反射膜20として絶縁部材21と、金属部材22と、を順に設けているが、いずれか一方のみを用いることもできるし、他の構成を採用するもできる。以下、絶縁部材21と金属部材22とについて説明する。
本実施形態でいう絶縁部材21とは、半導体構造10側から順に、単層の膜からなる第1層と、誘電体多層膜からなる第2層と、を形成したものである。
反射膜20として、絶縁部材21を設ける場合、その外側には金属部材22を形成することができる。金属部材22としては、例えば、アルミニウム、銀、ロジウムから選択された少なくとも一種の金属を含むことができる。なかでも、アルミニウムを含むことが好ましい。これにより、絶縁部材21で反射できなかった光も反射することができるため、光を損失なく反射できる。
反射膜20として、金属部材22を覆うように保護部材23を設けることもできる。保護部材23としては、例えば酸化ケイ素、窒化ケイ素等を用いることができる。これにより、発光素子100の最表面に金属が露出しないため、電流リークなどがない信頼性の高い発光素子100とすることができる。なお、保護部材23は半導体構造10の上面(平坦領域10a及び粗面領域10b)にも形成することができる。
パッド電極50は、例えば、亜鉛、ニッケル、白金、パラジウム、ロジウム、ルテニウム、オスミウム、イリジウム、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、バナジウム、ニオブ、タンタル、コバルト、鉄、マンガン、モリブデン、クロム、タングステン、ランタン、銅、銀、金、イットリウムよりなる群から選択された少なくとも一種の元素を含む金属または合金またはそれらの酸化物が好ましい。具体的には、半導体構造10側からチタン/ロジウム/金/チタンとできる。
本実施例は図1〜図3に示した発光素子100に対応するものである。以下、図1〜図3を参照して実施例の発光素子について説明する。
比較例として、平坦領域のない(半導体構造の上面がすべて粗面領域である)発光素子を作製し、実施例の発光素子と配光特性を比較した。
図4に実施例と比較例の相対発光強度の測定結果を示す。実線が実施例であり、破線が比較例である。図4(a)は素子の測定方向を示している。図4(b)及び図4(c)において、縦軸は相対発光強度を示し、横軸は放射角度を示している。
10…半導体構造
10a…平坦領域
10b…粗面領域
20…反射膜
21…絶縁部材
22…金属部材
23…保護部材
30…正電極
40…負電極
50…パッド電極
Claims (4)
- 上面、側面及び下面を有し且つ前記側面が前記下面から前記上面に向かって広がるように傾斜する半導体構造と、前記半導体構造の下面側に設けられた正電極及び負電極と、前記半導体構造の側面に設けられた反射膜と、を備え、前記半導体構造の上面側から光を取り出す発光素子であって、
前記半導体構造は、その上面において、内側に設けられた粗面領域と、外側に設けられた平坦領域と、を有し、
前記反射膜は、前記半導体構造の側面全域に設けられている発光素子。 - 前記反射膜は、前記半導体構造の側面側から順に、絶縁部材と、金属部材と、を含むことを特徴とする請求項1に記載の発光素子。
- 前記反射膜はAlを含むことを特徴とする請求項1又は2に記載の発光素子。
- 前記反射膜は、誘電体多層膜を含むことを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の発光素子。
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