JP2001044491A - Ｌｅｄ及びその製造方法 - Google Patents
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- H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of group III and group V of the periodic system
- H01L33/32—Materials of the light emitting region containing only elements of group III and group V of the periodic system containing nitrogen
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＬＥＤの基板が吸収する発射光量を減少可能
で、並びに大幅にＬＥＤの発射光の輝度を増加可能であ
るＬＥＤ及びその製造方法の提供。 【解決手段】 本発明のＬＥＤ及びその製造方法は、Ｇ
ａＡｓを基板とするダイレクトバンドギャップ形態の合
金III-V 族化合物のＬＥＤに適用され、チップ接合技術
及び及びケミカルエッチング技術或いは機械研磨方式を
利用してＬＥＤ多結晶層を一つの導電基板に接合した
後、ＧａＡｓ基板を剥離し、並びにこの導電基板を以て
ＧａＡｓ基板の機能を代行し、ＬＥＤのｐ−ｎ接合面の
四方に光を発射する時に、導電基板に向けて射出された
光が接合反射層の反射作用によりさらにＬＥＤの多結晶
層のその他の区域に至り外部に透射されることを特徴と
している。
で、並びに大幅にＬＥＤの発射光の輝度を増加可能であ
るＬＥＤ及びその製造方法の提供。 【解決手段】 本発明のＬＥＤ及びその製造方法は、Ｇ
ａＡｓを基板とするダイレクトバンドギャップ形態の合
金III-V 族化合物のＬＥＤに適用され、チップ接合技術
及び及びケミカルエッチング技術或いは機械研磨方式を
利用してＬＥＤ多結晶層を一つの導電基板に接合した
後、ＧａＡｓ基板を剥離し、並びにこの導電基板を以て
ＧａＡｓ基板の機能を代行し、ＬＥＤのｐ−ｎ接合面の
四方に光を発射する時に、導電基板に向けて射出された
光が接合反射層の反射作用によりさらにＬＥＤの多結晶
層のその他の区域に至り外部に透射されることを特徴と
している。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は一種の、発光輝度を
増したＬＥＤ及びその製造方法に係り、特に、一種の、
ＧａＡｓを基板とするダイレクトバンドギャップ形態の
合金III-V 族化合物のＬＥＤに適用され、適当な導電基
板を以て周知のＧａＡｓ基板の代わりとすることによ
り、ＬＥＤにおけるＧａＡｓ基板が吸収する大量の発射
光の問題を解決し、並びにＬＥＤの発光輝度を増すこと
ができる、ＬＥＤ及びその製造方法に関する。
増したＬＥＤ及びその製造方法に係り、特に、一種の、
ＧａＡｓを基板とするダイレクトバンドギャップ形態の
合金III-V 族化合物のＬＥＤに適用され、適当な導電基
板を以て周知のＧａＡｓ基板の代わりとすることによ
り、ＬＥＤにおけるＧａＡｓ基板が吸収する大量の発射
光の問題を解決し、並びにＬＥＤの発光輝度を増すこと
ができる、ＬＥＤ及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＬＥＤは寿命が長く、体積が小さく、発
熱量が少なく、消費電力が少なく、反応速度が速く、単
色光発光の特性により、１９６０年代より発展し、現在
ではコンピュータ周辺設備、時間表示器、機器のメー
タ、或いは通信産業、情報産業、及び消費型電子製品に
大量に使用されており、この光電製品は時代をリードす
るといっても過言ではない。特に、近年、高輝度ＬＥＤ
技術の開発により、ＬＥＤの運用はすでに室内から屋外
へと広がり、例えば屋外広告用ディスプレイ、交通標識
ランプ、道路情報スクリーン（ＶＭＳ）等に運用して成
功を収めたメーカーも多くあり、その応用範囲の広さは
注目を集めている。ただし、ＬＥＤを屋外で応用する時
には、高輝度特性の要求は必須であり、これに対して、
世界の大きなメーカーや政府研究機関によりＬＥＤ材料
の開発に力が注がれ、高輝度ＬＥＤを可能とする新材料
を発見する努力がなされている。例えば、台湾パテント
公告第２９１６１０号の「高輝度ＬＥＤ及びその製造方
法（和訳）」、同じく第２３２７５３号の「高輝度ＬＥ
Ｄの製造方法（和訳）」、或いは同じく第２７５９７０
号の「輝度及び方向性向上のＬＥＤ（和訳）」がある。
熱量が少なく、消費電力が少なく、反応速度が速く、単
色光発光の特性により、１９６０年代より発展し、現在
ではコンピュータ周辺設備、時間表示器、機器のメー
タ、或いは通信産業、情報産業、及び消費型電子製品に
大量に使用されており、この光電製品は時代をリードす
るといっても過言ではない。特に、近年、高輝度ＬＥＤ
技術の開発により、ＬＥＤの運用はすでに室内から屋外
へと広がり、例えば屋外広告用ディスプレイ、交通標識
ランプ、道路情報スクリーン（ＶＭＳ）等に運用して成
功を収めたメーカーも多くあり、その応用範囲の広さは
注目を集めている。ただし、ＬＥＤを屋外で応用する時
には、高輝度特性の要求は必須であり、これに対して、
世界の大きなメーカーや政府研究機関によりＬＥＤ材料
の開発に力が注がれ、高輝度ＬＥＤを可能とする新材料
を発見する努力がなされている。例えば、台湾パテント
公告第２９１６１０号の「高輝度ＬＥＤ及びその製造方
法（和訳）」、同じく第２３２７５３号の「高輝度ＬＥ
Ｄの製造方法（和訳）」、或いは同じく第２７５９７０
号の「輝度及び方向性向上のＬＥＤ（和訳）」がある。
【０００３】ＬＥＤ、特に可視光ＬＥＤは、その構造形
態が、使用する材料のバンドギャップ及び発射する可視
光の色の違いにより図１、２に示されるように、異なる
材質の基板を有する。そのうち、図１に示されるものは
発光層であるＬＥＤ多結晶層１４に合金III-V 族化合物
であるＧａＡｓ1-y Ｐy （０＜ｙ＜０．４５）が採用さ
れたダイレクトバンドギャップ赤色ＬＥＤであり、その
構造は不透明のＧａＡｓ基板１２上にｐ−ｎ接合面を有
する上記ＬＥＤ多結晶層１４が設けられ、並びに該ＬＥ
Ｄ多結晶層１４とＧａＡｓ基板１２両者の背向側の一方
に、背面電極１６が、もう一方に正面電極１８が蒸着或
いはスパッタにより設けられ、両電極１６、１８が通電
後に、ＬＥＤ多結晶層１４上のｐ−ｎ接合面が自然に四
方八方に光を発射可能としてなる（例えば図中の点線矢
印で示される側面光ｒ1 及び正面光Ｌ1 ）。ただし、こ
の構造のＬＥＤはＧａＡｓ基板１２がそれに向けて発射
された入射光（ａ1 ）を大量に吸収するため、相対的に
ＬＥＤの発射光の輝度が明らかに損耗した（研究による
とこの損耗は発射された最初のエネルギー量の約半分に
も及ぶ）。このため、現在、ＧａＡｓ基板の反射率を高
めその光吸収量を減らすために、ＧａＡｓ基板に不純物
を導入する方法、例えばアルミニウムを導入したＤＢＲ
等の構造が提供されている。しかし実際にはこの方法が
改善並びに増加しうる輝度比率は明らかでなく、効果は
非常に限られていた。
態が、使用する材料のバンドギャップ及び発射する可視
光の色の違いにより図１、２に示されるように、異なる
材質の基板を有する。そのうち、図１に示されるものは
発光層であるＬＥＤ多結晶層１４に合金III-V 族化合物
であるＧａＡｓ1-y Ｐy （０＜ｙ＜０．４５）が採用さ
れたダイレクトバンドギャップ赤色ＬＥＤであり、その
構造は不透明のＧａＡｓ基板１２上にｐ−ｎ接合面を有
する上記ＬＥＤ多結晶層１４が設けられ、並びに該ＬＥ
Ｄ多結晶層１４とＧａＡｓ基板１２両者の背向側の一方
に、背面電極１６が、もう一方に正面電極１８が蒸着或
いはスパッタにより設けられ、両電極１６、１８が通電
後に、ＬＥＤ多結晶層１４上のｐ−ｎ接合面が自然に四
方八方に光を発射可能としてなる（例えば図中の点線矢
印で示される側面光ｒ1 及び正面光Ｌ1 ）。ただし、こ
の構造のＬＥＤはＧａＡｓ基板１２がそれに向けて発射
された入射光（ａ1 ）を大量に吸収するため、相対的に
ＬＥＤの発射光の輝度が明らかに損耗した（研究による
とこの損耗は発射された最初のエネルギー量の約半分に
も及ぶ）。このため、現在、ＧａＡｓ基板の反射率を高
めその光吸収量を減らすために、ＧａＡｓ基板に不純物
を導入する方法、例えばアルミニウムを導入したＤＢＲ
等の構造が提供されている。しかし実際にはこの方法が
改善並びに増加しうる輝度比率は明らかでなく、効果は
非常に限られていた。
【０００４】図２に示される周知の可視光ＬＥＤは、発
光層であるＬＥＤ多結晶層１４に合金III-V 族化合物で
あるＧａＡｓ1-y Ｐy （ｙ＜０．４５）が採用され黄
色、橙色、緑色を発射するダイレクトバンドギャップＬ
ＥＤであり、その構造は、一つの半透明のＧａＰ基板２
２上にｐ−ｎ接合面を有する上記ＬＥＤ多結晶層２４が
設けられ、並びに該ＬＥＤ多結晶層２４とＧａＰ基板２
２両者の背向側の一方に、背面電極２６が、もう一方に
正面電極２８が蒸着或いはスパッタにより設けられ、両
電極２６、２８が通電後に、ＬＥＤ多結晶層２４上のｐ
−ｎ接合面が自然に四方八方に光を発射可能としてなる
（例えば図中の点線矢印で示される側面光ｒ2 、しかし
正面光は正面電極２９により遮断されている）。このＧ
ａＰ基板を採用したＬＥＤ構造とＧａＡｓ基板を採用し
たＬＥＤ構造の異なる所は、ＧａＰが半透明材質であ
り、その吸収する入射光（ａ2 ）のエネルギー量が大幅
に減少され、さらにその背面電極２６の反射作用によ
り、この入射光が反射されて透明なＬＥＤ多結晶層２４
に至り外部に発射されることであり、ゆえに相対的にＬ
ＥＤの発射光の輝度を高めることができる。ただし、図
２のようなＬＥＤ構造はただ間接バンドギャップ形態の
半導体装置にしか適用できず、製造プロセスも比較的面
倒で、一種類の不純物をドープして中心に混入さらに結
合して結晶格子作用或いはその他の色拡散中心によりエ
ネルギーを変換しなければならず、面倒であり、且つ相
対的に製造にかかる支出が増加した。また、各ＬＥＤは
発射したい光の波長或いは色の違いに応じて設計される
が、この構造は比較的高輝度のＬＥＤを提供可能であっ
ても、全てのＬＥＤチップへの応用に適したものではな
かった。
光層であるＬＥＤ多結晶層１４に合金III-V 族化合物で
あるＧａＡｓ1-y Ｐy （ｙ＜０．４５）が採用され黄
色、橙色、緑色を発射するダイレクトバンドギャップＬ
ＥＤであり、その構造は、一つの半透明のＧａＰ基板２
２上にｐ−ｎ接合面を有する上記ＬＥＤ多結晶層２４が
設けられ、並びに該ＬＥＤ多結晶層２４とＧａＰ基板２
２両者の背向側の一方に、背面電極２６が、もう一方に
正面電極２８が蒸着或いはスパッタにより設けられ、両
電極２６、２８が通電後に、ＬＥＤ多結晶層２４上のｐ
−ｎ接合面が自然に四方八方に光を発射可能としてなる
（例えば図中の点線矢印で示される側面光ｒ2 、しかし
正面光は正面電極２９により遮断されている）。このＧ
ａＰ基板を採用したＬＥＤ構造とＧａＡｓ基板を採用し
たＬＥＤ構造の異なる所は、ＧａＰが半透明材質であ
り、その吸収する入射光（ａ2 ）のエネルギー量が大幅
に減少され、さらにその背面電極２６の反射作用によ
り、この入射光が反射されて透明なＬＥＤ多結晶層２４
に至り外部に発射されることであり、ゆえに相対的にＬ
ＥＤの発射光の輝度を高めることができる。ただし、図
２のようなＬＥＤ構造はただ間接バンドギャップ形態の
半導体装置にしか適用できず、製造プロセスも比較的面
倒で、一種類の不純物をドープして中心に混入さらに結
合して結晶格子作用或いはその他の色拡散中心によりエ
ネルギーを変換しなければならず、面倒であり、且つ相
対的に製造にかかる支出が増加した。また、各ＬＥＤは
発射したい光の波長或いは色の違いに応じて設計される
が、この構造は比較的高輝度のＬＥＤを提供可能であっ
ても、全てのＬＥＤチップへの応用に適したものではな
かった。
【０００５】ゆえに、発光層であるダイレクトバンドギ
ャップ形態のＬＥＤ多結晶層との組合せに適し、該ＬＥ
Ｄ多結晶層の発生する光を吸収せずＬＥＤの輝度を下げ
ない基板を具え、また、該光の反射により全体の発光輝
度を高めることができるＬＥＤ構造が求められていた。
ャップ形態のＬＥＤ多結晶層との組合せに適し、該ＬＥ
Ｄ多結晶層の発生する光を吸収せずＬＥＤの輝度を下げ
ない基板を具え、また、該光の反射により全体の発光輝
度を高めることができるＬＥＤ構造が求められていた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明の主要な課題
は、発光輝度を高めたＬＥＤ及びその製造方法を提供す
ることにあり、具体的には、接合技術及びケミカルエッ
チング或いは機械研磨方式を利用してＧａＡｓ基板を剥
離し、並びに良好な反射率の導電基板をＧａＡｓ基板に
代えて使用し、これによりＬＥＤ多結晶層の発射する光
線を反射してさらに外部に発射可能とし、有効に発射光
の輝度を高めることを課題としている。
は、発光輝度を高めたＬＥＤ及びその製造方法を提供す
ることにあり、具体的には、接合技術及びケミカルエッ
チング或いは機械研磨方式を利用してＧａＡｓ基板を剥
離し、並びに良好な反射率の導電基板をＧａＡｓ基板に
代えて使用し、これによりＬＥＤ多結晶層の発射する光
線を反射してさらに外部に発射可能とし、有効に発射光
の輝度を高めることを課題としている。
【０００７】本発明の次の課題は、上記発光輝度を高め
たＬＥＤ及びその製造方法において、上述のように一つ
の導電基板にもとのＧａＡｓ基板の作用を代行させるこ
とで、各市場における需要に対応でき、適当な材料を導
電基板に選択使用することで製品の市場での競争力を高
められるようにすることにある。
たＬＥＤ及びその製造方法において、上述のように一つ
の導電基板にもとのＧａＡｓ基板の作用を代行させるこ
とで、各市場における需要に対応でき、適当な材料を導
電基板に選択使用することで製品の市場での競争力を高
められるようにすることにある。
【０００８】本発明のさらにもう一つの課題は、上記発
光輝度を高めたＬＥＤ及びその製造方法において、上述
のように一つの導電基板にもとのＧａＡｓ基板の作用を
代行させることで、放熱作用、導電作用、或いは反射作
用のいずれにおいても、ＧａＡｓ基板或いはＧａＰ基板
より優れた性能の材料を選択して導電基板を製造可能と
することにある。
光輝度を高めたＬＥＤ及びその製造方法において、上述
のように一つの導電基板にもとのＧａＡｓ基板の作用を
代行させることで、放熱作用、導電作用、或いは反射作
用のいずれにおいても、ＧａＡｓ基板或いはＧａＰ基板
より優れた性能の材料を選択して導電基板を製造可能と
することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、発光
輝度を高めることができるＬＥＤにおいて、ｐ−ｎ接合
を具えたＬＥＤ多結晶層、該ＬＥＤ多結晶層の下に設け
られてＬＥＤ多結晶層からの入射光を反射してＬＥＤ多
結晶層を透過させて射出させるＬＥＤ接合反射層、該接
合反射層の下に形成され高い導電性を有する導電基板、
該導電基板の下に形成された背面電極、該ＬＥＤ多結晶
層の上層に形成されて該背面電極との間で電流通路を形
成可能である正面電極、少なくとも以上を具備すること
を特徴とするＬＥＤとしている。請求項２の発明は、前
記ＬＥＤ多結晶層がダイレクトバンドギャップ形態の合
金III-V 族化合物で組成されたことを特徴とする、請求
項１に記載のＬＥＤとしている。請求項３の発明は、前
記正面電極が透明材料で製造された透明電極とされてＬ
ＥＤ多結晶層からきた反射光を透過させ射出させること
を特徴とする、請求項１に記載のＬＥＤとしている。請
求項４の発明は、前記透明電極の材料を、酸化亜鉛、酸
化インジウム、酸化錫、酸化インジウム錫より選択可能
であることを特徴とする、請求項３に記載のＬＥＤとし
ている。請求項５の発明は、前記ＬＥＤ多結晶層と正面
電極の間にさらにＧａＡｓ基板が存在することを特徴と
する、請求項１に記載のＬＥＤとしている。請求項６の
発明は、前記ＧａＡｓ基板及び正面電極の面積がＬＥＤ
多結晶層より小さいことを特徴とする、請求項５に記載
のＬＥＤとしている。請求項７の発明は、前記接合反射
層が接合層と反射層を具え、チップ接合技術を以て該接
合層と反射層とが接合されたことを特徴とする、請求項
１に記載のＬＥＤとしている。請求項８の発明は、前記
接合層と反射層が導電特性を有する異なる材料で製造さ
れたことを特徴とする、請求項７に記載のＬＥＤとして
いる。請求項９の発明は、前記接合層と反射層が導電特
性を有する同じ材料で製造されたことを特徴とする、請
求項７に記載のＬＥＤとしている。請求項１０の発明
は、前記導電基板を背面電極と結合して一体となしうる
ことを特徴とする、請求項１に記載のＬＥＤとしてい
る。請求項１１の発明は、発光輝度を高めることができ
るＬＥＤの製造方法において、ＧａＡｓ基板上にｐ−ｎ
接合を有するＬＥＤ多結晶層を形成する第１のステッ
プ、該ＬＥＤ多結晶層の、該ＧａＡｓ基板との連接面に
対して反対に位置する上面に導電性を有する反射層を形
成する第２のステップ、別に一つの導電基板の上に導電
性を有する接合層を形成し、該接合層を該反射層と空間
を隔てて対向させる第３のステップ、チップ接合技術を
用いて該ＬＥＤ多結晶層の上の反射層と該導電基板の上
の接合層を相互に接合する第４のステップ、ほとんどの
ＧａＡｓ基板を除去する第５のステップ、導電基板の下
及び残ったＧａＡｓ基板の上にそれぞれ一つの電極を形
成する第６のステップ、以上の第１から第６のステップ
を具備することを特徴とする、ＬＥＤの製造方法として
いる。請求項１２の発明は、前記ＬＥＤ多結晶層をダイ
レクトバンドギャップ形態の合金III-V 族化合物で組成
することを特徴とする、請求項１１に記載のＬＥＤの製
造方法としている。請求項１３の発明は、前記第５のス
テップを、ケミカルエッチング方式で進行することを特
徴とする、請求項１１に記載のＬＥＤの製造方法として
いる。請求項１４の発明は、前記第５のステップを、機
械研磨方式で進行することを特徴とする、請求項１１に
記載のＬＥＤの製造方法としている。請求項１５の発明
は、前記第６のステップにおいて、ＧａＡｓ基板上に一
つの電極を形成し、導電電極をもう一つの電極として充
当可能であることを特徴とする、請求項１１に記載のＬ
ＥＤの製造方法としている。請求項１６の発明は、発光
輝度を高めることができるＬＥＤの製造方法において、
ＧａＡｓ基板上にｐ−ｎ接合を有するＬＥＤ多結晶層を
形成する第１のステップ、該ＬＥＤ多結晶層の、該Ｇａ
Ａｓ基板との連接面に対して反対に位置する上面に導電
性を有する反射層を形成する第２のステップ、別に一つ
の導電基板の上に導電性を有する接合層を形成し、該接
合層を該反射層と空間を隔てて対向させる第３のステッ
プ、チップ接合技術を用いて該ＬＥＤ多結晶層の上の反
射層と該導電基板の上の接合層を相互に接合する第４の
ステップ、全てのＧａＡｓ基板を剥離する第５のステッ
プ、導電基板の下及びＬＥＤ多結晶層の上にそれぞれ一
つの電極を形成する第６のステップ、以上の第１から第
６のステップを具備することを特徴とする、ＬＥＤの製
造方法としている。請求項１７の発明は、前記ＬＥＤ多
結晶層をダイレクトバンドギャップ形態の合金III-V 族
化合物で組成することを特徴とする、請求項１６に記載
のＬＥＤの製造方法としている。請求項１８の発明は、
前記第５のステップを、ケミカルエッチング方式で進行
することを特徴とする、請求項１６に記載のＬＥＤの製
造方法としている。請求項１９の発明は、前記第５のス
テップを、機械研磨方式で進行することを特徴とする、
請求項１６に記載のＬＥＤの製造方法としている。請求
項２０の発明は、前記ＬＥＤ多結晶層の上に形成される
電極を透明電極となしうることを特徴とする、請求項１
６に記載のＬＥＤの製造方法としている。請求項２１の
発明は、前記透明電極を蒸着或いはスパッタにより形成
することを特徴とする、請求項２０に記載のＬＥＤの製
造方法としている。請求項２２の発明は、前記透明電極
の材料を、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化錫、酸化イ
ンジウム錫のいずれかとなしうることを特徴とする、請
求項２０に記載のＬＥＤの製造方法としている。請求項
２３の発明は、前記第６のステップにおいて、ＧａＡｓ
基板の上に一つの電極を形成し、導電電極をもう一つの
電極に充当することを特徴とする、請求項１６に記載の
ＬＥＤの製造方法としている。
輝度を高めることができるＬＥＤにおいて、ｐ−ｎ接合
を具えたＬＥＤ多結晶層、該ＬＥＤ多結晶層の下に設け
られてＬＥＤ多結晶層からの入射光を反射してＬＥＤ多
結晶層を透過させて射出させるＬＥＤ接合反射層、該接
合反射層の下に形成され高い導電性を有する導電基板、
該導電基板の下に形成された背面電極、該ＬＥＤ多結晶
層の上層に形成されて該背面電極との間で電流通路を形
成可能である正面電極、少なくとも以上を具備すること
を特徴とするＬＥＤとしている。請求項２の発明は、前
記ＬＥＤ多結晶層がダイレクトバンドギャップ形態の合
金III-V 族化合物で組成されたことを特徴とする、請求
項１に記載のＬＥＤとしている。請求項３の発明は、前
記正面電極が透明材料で製造された透明電極とされてＬ
ＥＤ多結晶層からきた反射光を透過させ射出させること
を特徴とする、請求項１に記載のＬＥＤとしている。請
求項４の発明は、前記透明電極の材料を、酸化亜鉛、酸
化インジウム、酸化錫、酸化インジウム錫より選択可能
であることを特徴とする、請求項３に記載のＬＥＤとし
ている。請求項５の発明は、前記ＬＥＤ多結晶層と正面
電極の間にさらにＧａＡｓ基板が存在することを特徴と
する、請求項１に記載のＬＥＤとしている。請求項６の
発明は、前記ＧａＡｓ基板及び正面電極の面積がＬＥＤ
多結晶層より小さいことを特徴とする、請求項５に記載
のＬＥＤとしている。請求項７の発明は、前記接合反射
層が接合層と反射層を具え、チップ接合技術を以て該接
合層と反射層とが接合されたことを特徴とする、請求項
１に記載のＬＥＤとしている。請求項８の発明は、前記
接合層と反射層が導電特性を有する異なる材料で製造さ
れたことを特徴とする、請求項７に記載のＬＥＤとして
いる。請求項９の発明は、前記接合層と反射層が導電特
性を有する同じ材料で製造されたことを特徴とする、請
求項７に記載のＬＥＤとしている。請求項１０の発明
は、前記導電基板を背面電極と結合して一体となしうる
ことを特徴とする、請求項１に記載のＬＥＤとしてい
る。請求項１１の発明は、発光輝度を高めることができ
るＬＥＤの製造方法において、ＧａＡｓ基板上にｐ−ｎ
接合を有するＬＥＤ多結晶層を形成する第１のステッ
プ、該ＬＥＤ多結晶層の、該ＧａＡｓ基板との連接面に
対して反対に位置する上面に導電性を有する反射層を形
成する第２のステップ、別に一つの導電基板の上に導電
性を有する接合層を形成し、該接合層を該反射層と空間
を隔てて対向させる第３のステップ、チップ接合技術を
用いて該ＬＥＤ多結晶層の上の反射層と該導電基板の上
の接合層を相互に接合する第４のステップ、ほとんどの
ＧａＡｓ基板を除去する第５のステップ、導電基板の下
及び残ったＧａＡｓ基板の上にそれぞれ一つの電極を形
成する第６のステップ、以上の第１から第６のステップ
を具備することを特徴とする、ＬＥＤの製造方法として
いる。請求項１２の発明は、前記ＬＥＤ多結晶層をダイ
レクトバンドギャップ形態の合金III-V 族化合物で組成
することを特徴とする、請求項１１に記載のＬＥＤの製
造方法としている。請求項１３の発明は、前記第５のス
テップを、ケミカルエッチング方式で進行することを特
徴とする、請求項１１に記載のＬＥＤの製造方法として
いる。請求項１４の発明は、前記第５のステップを、機
械研磨方式で進行することを特徴とする、請求項１１に
記載のＬＥＤの製造方法としている。請求項１５の発明
は、前記第６のステップにおいて、ＧａＡｓ基板上に一
つの電極を形成し、導電電極をもう一つの電極として充
当可能であることを特徴とする、請求項１１に記載のＬ
ＥＤの製造方法としている。請求項１６の発明は、発光
輝度を高めることができるＬＥＤの製造方法において、
ＧａＡｓ基板上にｐ−ｎ接合を有するＬＥＤ多結晶層を
形成する第１のステップ、該ＬＥＤ多結晶層の、該Ｇａ
Ａｓ基板との連接面に対して反対に位置する上面に導電
性を有する反射層を形成する第２のステップ、別に一つ
の導電基板の上に導電性を有する接合層を形成し、該接
合層を該反射層と空間を隔てて対向させる第３のステッ
プ、チップ接合技術を用いて該ＬＥＤ多結晶層の上の反
射層と該導電基板の上の接合層を相互に接合する第４の
ステップ、全てのＧａＡｓ基板を剥離する第５のステッ
プ、導電基板の下及びＬＥＤ多結晶層の上にそれぞれ一
つの電極を形成する第６のステップ、以上の第１から第
６のステップを具備することを特徴とする、ＬＥＤの製
造方法としている。請求項１７の発明は、前記ＬＥＤ多
結晶層をダイレクトバンドギャップ形態の合金III-V 族
化合物で組成することを特徴とする、請求項１６に記載
のＬＥＤの製造方法としている。請求項１８の発明は、
前記第５のステップを、ケミカルエッチング方式で進行
することを特徴とする、請求項１６に記載のＬＥＤの製
造方法としている。請求項１９の発明は、前記第５のス
テップを、機械研磨方式で進行することを特徴とする、
請求項１６に記載のＬＥＤの製造方法としている。請求
項２０の発明は、前記ＬＥＤ多結晶層の上に形成される
電極を透明電極となしうることを特徴とする、請求項１
６に記載のＬＥＤの製造方法としている。請求項２１の
発明は、前記透明電極を蒸着或いはスパッタにより形成
することを特徴とする、請求項２０に記載のＬＥＤの製
造方法としている。請求項２２の発明は、前記透明電極
の材料を、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化錫、酸化イ
ンジウム錫のいずれかとなしうることを特徴とする、請
求項２０に記載のＬＥＤの製造方法としている。請求項
２３の発明は、前記第６のステップにおいて、ＧａＡｓ
基板の上に一つの電極を形成し、導電電極をもう一つの
電極に充当することを特徴とする、請求項１６に記載の
ＬＥＤの製造方法としている。
【００１０】
【発明の実施の形態】図３から図８を参照されたい。こ
れは本発明の望ましい一つの実施例の各製造ステップに
おける構造断面図である。この実施例により提供する本
発明のＬＥＤの構造は、ダイレクトバンドギャップ形態
のＬＥＤ多結晶層を組成する合金III-V 族化合物である
ＧａＡｓ1-y Ｐy （０＜ｙ＜０．４５）を具えたダイレ
クトバンドギャップＬＥＤに適用され、ゆえに本発明の
ＬＥＤの基板にはＧａＡｓを使用し、その製造の主要な
ステップは、以下のステップ１からステップ６を包括す
る。即ち、ステップ１において、図３に示されるよう
に、ｐ−ｎ接合面或いはｎ−ｐ接合面（図中の括弧に示
される）を具えたＬＥＤ多結晶層３４をＧａＡｓ基板３
２の上に形成する。ステップ２において、図４に示され
るように、ＬＥＤ多結晶層３４のＧａＡｓ基板３２と連
接していない界面の上に、光学スパッタ或いは金属スパ
ッタ或いはそれらに代替可能な方法で導電性を有する反
射層３６を形成する。ステップ３において、図５に示さ
れるように、別に、高い導電性を有する導電基板４２の
上に接合層４４を形成し、且つステップ２で形成したＬ
ＥＤ多結晶層３４及びＧａＡｓ基板３２及び反射層３６
で組成された構造を１８０°回転させ、導電基板４２の
接合層４４とＬＥＤ多結晶層３４の上の反射層３６を空
間を隔てて対向させる。ステップ４において、図６に示
されるように、チップ接合技術を用いてＬＥＤ多結晶層
３４の上の反射層３６と導電基板４２の上の接合層４４
を相互に接合する。ステップ５において、図７に示され
るように、ケミカルエッチング或いは機械研磨方式によ
りほとんどのＧａＡｓ基板３２を除去し、残った部分を
オームコントクトとなし、次のステップにおける電極連
接に便利とし、この残った部分の寸法を設ける電極の寸
法に相当するものとする。ステップ６において、図８に
示されるように、導電基板４２の底面及びＧａＡｓ基板
３２の残った部分にそれぞれスパッタ或いは蒸着により
相互に対応する背面電極４６と、正面電極４８を形成す
る、本発明のＬＥＤの製造方法は以上のステップを包括
する。
れは本発明の望ましい一つの実施例の各製造ステップに
おける構造断面図である。この実施例により提供する本
発明のＬＥＤの構造は、ダイレクトバンドギャップ形態
のＬＥＤ多結晶層を組成する合金III-V 族化合物である
ＧａＡｓ1-y Ｐy （０＜ｙ＜０．４５）を具えたダイレ
クトバンドギャップＬＥＤに適用され、ゆえに本発明の
ＬＥＤの基板にはＧａＡｓを使用し、その製造の主要な
ステップは、以下のステップ１からステップ６を包括す
る。即ち、ステップ１において、図３に示されるよう
に、ｐ−ｎ接合面或いはｎ−ｐ接合面（図中の括弧に示
される）を具えたＬＥＤ多結晶層３４をＧａＡｓ基板３
２の上に形成する。ステップ２において、図４に示され
るように、ＬＥＤ多結晶層３４のＧａＡｓ基板３２と連
接していない界面の上に、光学スパッタ或いは金属スパ
ッタ或いはそれらに代替可能な方法で導電性を有する反
射層３６を形成する。ステップ３において、図５に示さ
れるように、別に、高い導電性を有する導電基板４２の
上に接合層４４を形成し、且つステップ２で形成したＬ
ＥＤ多結晶層３４及びＧａＡｓ基板３２及び反射層３６
で組成された構造を１８０°回転させ、導電基板４２の
接合層４４とＬＥＤ多結晶層３４の上の反射層３６を空
間を隔てて対向させる。ステップ４において、図６に示
されるように、チップ接合技術を用いてＬＥＤ多結晶層
３４の上の反射層３６と導電基板４２の上の接合層４４
を相互に接合する。ステップ５において、図７に示され
るように、ケミカルエッチング或いは機械研磨方式によ
りほとんどのＧａＡｓ基板３２を除去し、残った部分を
オームコントクトとなし、次のステップにおける電極連
接に便利とし、この残った部分の寸法を設ける電極の寸
法に相当するものとする。ステップ６において、図８に
示されるように、導電基板４２の底面及びＧａＡｓ基板
３２の残った部分にそれぞれスパッタ或いは蒸着により
相互に対応する背面電極４６と、正面電極４８を形成す
る、本発明のＬＥＤの製造方法は以上のステップを包括
する。
【００１１】当然、ＧａＡｓ基板３２は不透明材料とさ
れ、ゆえにその正面電極４８も不透明材料で形成可能で
あり、即ち不透明の電極により完成した製品の輝度に影
響を生じない。また、導電基板４２の上の接合層４４或
いはＬＥＤ多結晶層３４の上の反射層３６は、いずれも
導電性を有する材料から選択して製造可能で、ゆえにそ
の材料は同一或いは不同とされうる。もし同一材料が使
用されるなら、接合後に接合反射層４０が形成され、も
し異なる材料で製造されるなら、即ち反射層３６その光
の反射特性についてさらに考慮する必要がある。
れ、ゆえにその正面電極４８も不透明材料で形成可能で
あり、即ち不透明の電極により完成した製品の輝度に影
響を生じない。また、導電基板４２の上の接合層４４或
いはＬＥＤ多結晶層３４の上の反射層３６は、いずれも
導電性を有する材料から選択して製造可能で、ゆえにそ
の材料は同一或いは不同とされうる。もし同一材料が使
用されるなら、接合後に接合反射層４０が形成され、も
し異なる材料で製造されるなら、即ち反射層３６その光
の反射特性についてさらに考慮する必要がある。
【００１２】さらに、図９に示されるのは、本発明の製
造方法により製造された製品の断面構造及びその発光経
路表示図である。この図に示されるように、本発明のＬ
ＥＤの主要な構造は、ｐ−ｎ接合或いはｎ−ｐ接合面を
具えたＬＥＤ多結晶層３４を具え、該ＬＥＤ多結晶層３
４の底面に、接合層４４と反射層３６を組み合わせてな
る接合反射層４０及び導電基板４２が上から下に順に設
けられ、ＬＥＤ多結晶層３４のｐ−ｎ接合部分の発射す
る光（点線矢印で示されるａ1 ）をＬＥＤ多結晶層３４
へと反射する。導電基板４２の下には背面電極４６が設
けられ、且つＬＥＤ多結晶層３４の上に順にＧａＡｓ基
板３２と正面電極４８が設けられている。当然、ＧａＡ
ｓ基板３２及び正面電極４８は正面光（Ｌ4 ）の順調な
透光とその発光輝度の増加のために、作用面積が該ＬＥ
Ｄ多結晶層３４より小さいものを選択可能であり、これ
により発射光の透射への影響を少なくできる。ただし、
製造に都合がよいように、正面電極４８とＬＥＤ多結晶
層３４の作用面積が同じものも選択可能であるが、これ
は、側面光（ｒ4 ）と反射光（ａ4 ）のみ利用する場合
とされる。この構造にあって、ＬＥＤ多結晶層３４のｐ
−ｎ接合面が四方八方に向けて発射する発射光（図中、
点線矢印で示される）中、接合反射層４０に向けて発射
された光（ａ4 ）は接合反射層４０の反射作用を受けて
さらにＬＥＤ多結晶層３４中に反射されＬＥＤ多結晶層
３４を透過して外部に屈折、射出される。ゆえに、以上
の構造は、ＧａＰ基板を採用した構造と同様に、ＬＥＤ
の発射輝度を高め、しかも従来のＧａＰ基板のＬＥＤが
赤色光しか発射できなかった欠点を解決している。
造方法により製造された製品の断面構造及びその発光経
路表示図である。この図に示されるように、本発明のＬ
ＥＤの主要な構造は、ｐ−ｎ接合或いはｎ−ｐ接合面を
具えたＬＥＤ多結晶層３４を具え、該ＬＥＤ多結晶層３
４の底面に、接合層４４と反射層３６を組み合わせてな
る接合反射層４０及び導電基板４２が上から下に順に設
けられ、ＬＥＤ多結晶層３４のｐ−ｎ接合部分の発射す
る光（点線矢印で示されるａ1 ）をＬＥＤ多結晶層３４
へと反射する。導電基板４２の下には背面電極４６が設
けられ、且つＬＥＤ多結晶層３４の上に順にＧａＡｓ基
板３２と正面電極４８が設けられている。当然、ＧａＡ
ｓ基板３２及び正面電極４８は正面光（Ｌ4 ）の順調な
透光とその発光輝度の増加のために、作用面積が該ＬＥ
Ｄ多結晶層３４より小さいものを選択可能であり、これ
により発射光の透射への影響を少なくできる。ただし、
製造に都合がよいように、正面電極４８とＬＥＤ多結晶
層３４の作用面積が同じものも選択可能であるが、これ
は、側面光（ｒ4 ）と反射光（ａ4 ）のみ利用する場合
とされる。この構造にあって、ＬＥＤ多結晶層３４のｐ
−ｎ接合面が四方八方に向けて発射する発射光（図中、
点線矢印で示される）中、接合反射層４０に向けて発射
された光（ａ4 ）は接合反射層４０の反射作用を受けて
さらにＬＥＤ多結晶層３４中に反射されＬＥＤ多結晶層
３４を透過して外部に屈折、射出される。ゆえに、以上
の構造は、ＧａＰ基板を採用した構造と同様に、ＬＥＤ
の発射輝度を高め、しかも従来のＧａＰ基板のＬＥＤが
赤色光しか発射できなかった欠点を解決している。
【００１３】最後に、図１０を参照されたい。該図は本
発明の第２実施例の構造断面とその発光経路を示してい
る。本発明のＬＥＤの輝度をより高めるために、前述の
製造方法中のステップ５において、ケミカルエッチング
或いは機械研磨方式によりＧａＡｓ基板３２の全てを剥
離し、その後、さらにＬＥＤ多結晶層３４上にスパッタ
或いは蒸着により酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化錫、
酸化インジウム錫より材料を選択して透明電極５０を形
成する。これにより透明電極５０に向けて発射される正
面光（Ｌ5 ）及び側面光（ｒ5 ）がいずれも簡単に外部
に射出されるようにし、さらに反射光（ａ5 ）により該
ＬＥＤの輝度を高めることができる。当然、他の因子に
より非透明の電極を選択することも可能である。このほ
か、導電基板４２自体は導電材料で製造され、ゆえに、
それは背面電極４６としても使用可能である。また、異
なる材質の導電基板を先のＧａＡｓ基板の代わりに選択
使用することも可能である。また、異なる材質の導電基
板を先のＧａＡｓ基板に代えて使用することも可能であ
り、放熱作用、導電作用、或いは反射作用のいずれにあ
ってもさらに弾性と効果を有しうるため、市場での競争
力を増加しうる。
発明の第２実施例の構造断面とその発光経路を示してい
る。本発明のＬＥＤの輝度をより高めるために、前述の
製造方法中のステップ５において、ケミカルエッチング
或いは機械研磨方式によりＧａＡｓ基板３２の全てを剥
離し、その後、さらにＬＥＤ多結晶層３４上にスパッタ
或いは蒸着により酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化錫、
酸化インジウム錫より材料を選択して透明電極５０を形
成する。これにより透明電極５０に向けて発射される正
面光（Ｌ5 ）及び側面光（ｒ5 ）がいずれも簡単に外部
に射出されるようにし、さらに反射光（ａ5 ）により該
ＬＥＤの輝度を高めることができる。当然、他の因子に
より非透明の電極を選択することも可能である。このほ
か、導電基板４２自体は導電材料で製造され、ゆえに、
それは背面電極４６としても使用可能である。また、異
なる材質の導電基板を先のＧａＡｓ基板の代わりに選択
使用することも可能である。また、異なる材質の導電基
板を先のＧａＡｓ基板に代えて使用することも可能であ
り、放熱作用、導電作用、或いは反射作用のいずれにあ
ってもさらに弾性と効果を有しうるため、市場での競争
力を増加しうる。
【００１４】
【発明の効果】総合すると、本発明は発光輝度を高める
効果を有するＬＥＤの構造及びその製造方法を提供して
おり、それは特に、ＧａＡｓ基板を基板とし発光層にダ
イレクトバンドギャップ形態の合金III-V 族化合物を採
用したＬＥＤに適用され、適当な導電基板を従来のＧａ
Ａｓ基板に代えて採用し、これにより、ＧａＡｓ基板の
吸収する発射光量を減らし、並びに大幅にＬＥＤの発射
する光の輝度を高める効果を提供する。ゆえに本発明は
新規性、進歩性及び産業上の利用価値を有する発明であ
る。
効果を有するＬＥＤの構造及びその製造方法を提供して
おり、それは特に、ＧａＡｓ基板を基板とし発光層にダ
イレクトバンドギャップ形態の合金III-V 族化合物を採
用したＬＥＤに適用され、適当な導電基板を従来のＧａ
Ａｓ基板に代えて採用し、これにより、ＧａＡｓ基板の
吸収する発射光量を減らし、並びに大幅にＬＥＤの発射
する光の輝度を高める効果を提供する。ゆえに本発明は
新規性、進歩性及び産業上の利用価値を有する発明であ
る。
【００１５】以上は本発明の望ましい実施例の説明であ
り、本発明の実施の範囲を限定するものではなく、例え
ば、多結晶層と接合反射層の間に不純物層、例えばＰＩ
ｎＡｌＧａ層を加えるか、或いはその他の薄膜層上にそ
の他のＳｉＣ、ＡｌＮ、ＳｉＯ2 、ＩｎＧａＮ、ＳｎＯ
2 、ＡｌＩｎＧａＰ層を加えることが可能であり、本発
明の請求範囲に記載の形状、構造、特徴及び方法に基づ
きなされ同じ効果を達成しうる変化及び修飾は、いずれ
も本発明の請求範囲に属するものとする。
り、本発明の実施の範囲を限定するものではなく、例え
ば、多結晶層と接合反射層の間に不純物層、例えばＰＩ
ｎＡｌＧａ層を加えるか、或いはその他の薄膜層上にそ
の他のＳｉＣ、ＡｌＮ、ＳｉＯ2 、ＩｎＧａＮ、ＳｎＯ
2 、ＡｌＩｎＧａＰ層を加えることが可能であり、本発
明の請求範囲に記載の形状、構造、特徴及び方法に基づ
きなされ同じ効果を達成しうる変化及び修飾は、いずれ
も本発明の請求範囲に属するものとする。
【図１】周知のＧａＡｓ基板採用のＬＥＤ断面図であ
る。
る。
【図２】周知のＧａＰ基板採用のＬＥＤ断面図である。
【図３】本発明の望ましい実施例の製造ステップの構造
断面図である。
断面図である。
【図４】図３に続く製造ステップの構造断面図である。
【図５】図４に続く製造ステップの構造断面図である。
【図６】図５に続く製造ステップの構造断面図である。
【図７】図６に続く製造ステップの構造断面図である。
【図８】図７に続く製造ステップの構造断面図である。
【図９】本発明のＬＥＤの構造断面及び発光経路表示図
である。
である。
【図１０】本発明の別の実施例のＬＥＤの構造断面及び
発光経路表示図である。
発光経路表示図である。
１２ ＧａＡｓ基板 １４ ＬＥＤ
多結晶層 １６ 背面電極 １８ 正面電
極 ２２ ＧａＰ基板 ２４ ＬＥＤ
多結晶層 ２６ 背面電極 ２８ 正面電
極 ３２ ＧａＡｓ基板 ３４ ＬＥＤ
多結晶層 ３６ 反射層 ４０ 接合反
射層 ４２ 導電基板 ４８ 正面電
極 ５０ 透明電極
多結晶層 １６ 背面電極 １８ 正面電
極 ２２ ＧａＰ基板 ２４ ＬＥＤ
多結晶層 ２６ 背面電極 ２８ 正面電
極 ３２ ＧａＡｓ基板 ３４ ＬＥＤ
多結晶層 ３６ 反射層 ４０ 接合反
射層 ４２ 導電基板 ４８ 正面電
極 ５０ 透明電極
Claims (23)
- 【請求項１】 発光輝度を高めることができるＬＥＤに
おいて、 ｐ−ｎ接合を具えたＬＥＤ多結晶層、 該ＬＥＤ多結晶層の下に設けられてＬＥＤ多結晶層から
の入射光を反射してＬＥＤ多結晶層を透過させて射出さ
せるＬＥＤ接合反射層、 該接合反射層の下に形成され高い導電性を有する導電基
板、 該導電基板の下に形成された背面電極、 該ＬＥＤ多結晶層の上層に形成されて該背面電極との間
で電流通路を形成可能である正面電極、 少なくとも以上を具備することを特徴とするＬＥＤ。 - 【請求項２】 前記ＬＥＤ多結晶層がダイレクトバンド
ギャップ形態の合金III-V 族化合物で組成されたことを
特徴とする、請求項１に記載のＬＥＤ。 - 【請求項３】 前記正面電極が透明材料で製造された透
明電極とされてＬＥＤ多結晶層からきた反射光を透過さ
せ射出させることを特徴とする、請求項１に記載のＬＥ
Ｄ。 - 【請求項４】 前記透明電極の材料を、酸化亜鉛、酸化
インジウム、酸化錫、酸化インジウム錫より選択可能で
あることを特徴とする、請求項３に記載のＬＥＤ。 - 【請求項５】 前記ＬＥＤ多結晶層と正面電極の間にさ
らにＧａＡｓ基板が存在することを特徴とする、請求項
１に記載のＬＥＤ。 - 【請求項６】 前記ＧａＡｓ基板及び正面電極の面積が
ＬＥＤ多結晶層より小さいことを特徴とする、請求項５
に記載のＬＥＤ。 - 【請求項７】 前記接合反射層が接合層と反射層を具
え、チップ接合技術を以て該接合層と反射層とが接合さ
れたことを特徴とする、請求項１に記載のＬＥＤ。 - 【請求項８】 前記接合層と反射層が導電特性を有する
異なる材料で製造されたことを特徴とする、請求項７に
記載のＬＥＤ。 - 【請求項９】 前記接合層と反射層が導電特性を有する
同じ材料で製造されたことを特徴とする、請求項７に記
載のＬＥＤ。 - 【請求項１０】 前記導電基板を背面電極と結合して一
体となしうることを特徴とする、請求項１に記載のＬＥ
Ｄ。 - 【請求項１１】 発光輝度を高めることができるＬＥＤ
の製造方法において、 ＧａＡｓ基板上にｐ−ｎ接合を有するＬＥＤ多結晶層を
形成する第１のステップ、 該ＬＥＤ多結晶層の、該ＧａＡｓ基板との連接面に対し
て反対に位置する上面に導電性を有する反射層を形成す
る第２のステップ、 別に一つの導電基板の上に導電性を有する接合層を形成
し、該接合層を該反射層と空間を隔てて対向させる第３
のステップ、 チップ接合技術を用いて該ＬＥＤ多結晶層の上の反射層
と該導電基板の上の接合層を相互に接合する第４のステ
ップ、 ほとんどのＧａＡｓ基板を除去する第５のステップ、 導電基板の下及び残ったＧａＡｓ基板の上にそれぞれ一
つの電極を形成する第６のステップ、 以上の第１から第６のステップを具備することを特徴と
する、ＬＥＤの製造方法。 - 【請求項１２】 前記ＬＥＤ多結晶層をダイレクトバン
ドギャップ形態の合金III-V 族化合物で組成することを
特徴とする、請求項１１に記載のＬＥＤの製造方法。 - 【請求項１３】 前記第５のステップを、ケミカルエッ
チング方式で進行することを特徴とする、請求項１１に
記載のＬＥＤの製造方法。 - 【請求項１４】 前記第５のステップを、機械研磨方式
で進行することを特徴とする、請求項１１に記載のＬＥ
Ｄの製造方法。 - 【請求項１５】 前記第６のステップにおいて、ＧａＡ
ｓ基板上に一つの電極を形成し、導電電極をもう一つの
電極として充当可能であることを特徴とする、請求項１
１に記載のＬＥＤの製造方法。 - 【請求項１６】 発光輝度を高めることができるＬＥＤ
の製造方法において、 ＧａＡｓ基板上にｐ−ｎ接合を有するＬＥＤ多結晶層を
形成する第１のステップ、 該ＬＥＤ多結晶層の、該ＧａＡｓ基板との連接面に対し
て反対に位置する上面に導電性を有する反射層を形成す
る第２のステップ、 別に一つの導電基板の上に導電性を有する接合層を形成
し、該接合層を該反射層と空間を隔てて対向させる第３
のステップ、 チップ接合技術を用いて該ＬＥＤ多結晶層の上の反射層
と該導電基板の上の接合層を相互に接合する第４のステ
ップ、 全てのＧａＡｓ基板を剥離する第５のステップ、 導電基板の下及びＬＥＤ多結晶層の上にそれぞれ一つの
電極を形成する第６のステップ、 以上の第１から第６のステップを具備することを特徴と
する、ＬＥＤの製造方法。 - 【請求項１７】 前記ＬＥＤ多結晶層をダイレクトバン
ドギャップ形態の合金III-V 族化合物で組成することを
特徴とする、請求項１６に記載のＬＥＤの製造方法。 - 【請求項１８】 前記第５のステップを、ケミカルエッ
チング方式で進行することを特徴とする、請求項１６に
記載のＬＥＤの製造方法。 - 【請求項１９】 前記第５のステップを、機械研磨方式
で進行することを特徴とする、請求項１６に記載のＬＥ
Ｄの製造方法。 - 【請求項２０】 前記ＬＥＤ多結晶層の上に形成される
電極を透明電極となしうることを特徴とする、請求項１
６に記載のＬＥＤの製造方法。 - 【請求項２１】 前記透明電極を蒸着或いはスパッタに
より形成することを特徴とする、請求項２０に記載のＬ
ＥＤの製造方法。 - 【請求項２２】 前記透明電極の材料を、酸化亜鉛、酸
化インジウム、酸化錫、酸化インジウム錫のいずれかと
なしうることを特徴とする、請求項２０に記載のＬＥＤ
の製造方法。 - 【請求項２３】 前記第６のステップにおいて、ＧａＡ
ｓ基板の上に一つの電極を形成し、導電電極をもう一つ
の電極に充当することを特徴とする、請求項１６に記載
のＬＥＤの製造方法。
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| JP19930499A JP2001044491A (ja) | 1999-07-13 | 1999-07-13 | Ｌｅｄ及びその製造方法 |
| DE19945005A DE19945005A1 (de) | 1999-07-13 | 1999-09-20 | Blaulicht emittierende Diode mit Saphirsubstrat und ein Verfahren zur Herstellung derselben |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19930499A JP2001044491A (ja) | 1999-07-13 | 1999-07-13 | Ｌｅｄ及びその製造方法 |
| DE19945005A DE19945005A1 (de) | 1999-07-13 | 1999-09-20 | Blaulicht emittierende Diode mit Saphirsubstrat und ein Verfahren zur Herstellung derselben |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001044491A true JP2001044491A (ja) | 2001-02-16 |
Family
ID=26055008
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19930499A Pending JP2001044491A (ja) | 1999-07-13 | 1999-07-13 | Ｌｅｄ及びその製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001044491A (ja) |
| DE (1) | DE19945005A1 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004128507A (ja) * | 2002-09-30 | 2004-04-22 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | 電磁ビームを放出する半導体チップおよびその製造方法 |
| JP2007504640A (ja) * | 2003-08-29 | 2007-03-01 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 薄膜発光ダイオードおよびその製造方法 |
| US7429754B2 (en) | 2004-09-14 | 2008-09-30 | Stanley Electric Co., Ltd. | Semiconductor device, its manufacture method and electronic component unit |
| US7642543B2 (en) | 2006-10-11 | 2010-01-05 | Stanley Electric Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device having metal reflective layer |
| JP2013102243A (ja) * | 2001-10-26 | 2013-05-23 | Lg Electronics Inc | 垂直構造ダイオードとその製造方法 |
| US10454010B1 (en) | 2006-12-11 | 2019-10-22 | The Regents Of The University Of California | Transparent light emitting diodes |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6784462B2 (en) * | 2001-12-13 | 2004-08-31 | Rensselaer Polytechnic Institute | Light-emitting diode with planar omni-directional reflector |
| WO2007119919A1 (en) * | 2006-04-18 | 2007-10-25 | Epivalley Co., Ltd. | Iii-nitride semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same |
-
1999
- 1999-07-13 JP JP19930499A patent/JP2001044491A/ja active Pending
- 1999-09-20 DE DE19945005A patent/DE19945005A1/de not_active Ceased
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013102243A (ja) * | 2001-10-26 | 2013-05-23 | Lg Electronics Inc | 垂直構造ダイオードとその製造方法 |
| US10326055B2 (en) | 2001-10-26 | 2019-06-18 | Lg Innotek Co., Ltd. | Diode having vertical structure |
| US10032959B2 (en) | 2001-10-26 | 2018-07-24 | Lg Innotek Co., Ltd. | Diode having vertical structure |
| US9620677B2 (en) | 2001-10-26 | 2017-04-11 | Lg Innotek Co., Ltd. | Diode having vertical structure |
| US9000468B2 (en) | 2001-10-26 | 2015-04-07 | Lg Innotek Co., Ltd. | Diode having vertical structure |
| US7655488B2 (en) | 2002-09-30 | 2010-02-02 | Osram Gmbh | Method for fabricating a plurality of electromagnetic radiation emitting semiconductor chips |
| JP4623953B2 (ja) * | 2002-09-30 | 2011-02-02 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 電磁ビームを放出する半導体チップおよびその製造方法 |
| JP2004128507A (ja) * | 2002-09-30 | 2004-04-22 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | 電磁ビームを放出する半導体チップおよびその製造方法 |
| JP2007504640A (ja) * | 2003-08-29 | 2007-03-01 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 薄膜発光ダイオードおよびその製造方法 |
| US7666692B2 (en) | 2004-09-14 | 2010-02-23 | Stanley Electric Co., Ltd. | Semiconductor device, its manufacture method and electronic component unit |
| US7429754B2 (en) | 2004-09-14 | 2008-09-30 | Stanley Electric Co., Ltd. | Semiconductor device, its manufacture method and electronic component unit |
| US7642543B2 (en) | 2006-10-11 | 2010-01-05 | Stanley Electric Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device having metal reflective layer |
| US10454010B1 (en) | 2006-12-11 | 2019-10-22 | The Regents Of The University Of California | Transparent light emitting diodes |
| US10593854B1 (en) | 2006-12-11 | 2020-03-17 | The Regents Of The University Of California | Transparent light emitting device with light emitting diodes |
| US10644213B1 (en) | 2006-12-11 | 2020-05-05 | The Regents Of The University Of California | Filament LED light bulb |
| US10658557B1 (en) | 2006-12-11 | 2020-05-19 | The Regents Of The University Of California | Transparent light emitting device with light emitting diodes |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE19945005A1 (de) | 2001-03-22 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20010327 |