CN101981715B - 发光二极管及其制造方法和发光器件及其制造方法 - Google Patents

发光二极管及其制造方法和发光器件及其制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN101981715B
CN101981715B CN200980110760.5A CN200980110760A CN101981715B CN 101981715 B CN101981715 B CN 101981715B CN 200980110760 A CN200980110760 A CN 200980110760A CN 101981715 B CN101981715 B CN 101981715B
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
semiconductor layer
conductive semiconductor
light
emitting diode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN200980110760.5A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101981715A (zh
Inventor
朴准奭
金腾官
申悍
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Suzhou Lekin Semiconductor Co Ltd
Original Assignee
LG Innotek Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by LG Innotek Co Ltd filed Critical LG Innotek Co Ltd
Priority to CN201510502099.XA priority Critical patent/CN105185887B/zh
Publication of CN101981715A publication Critical patent/CN101981715A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101981715B publication Critical patent/CN101981715B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/40—Materials therefor
    • H01L33/405—Reflective materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0093—Wafer bonding; Removal of the growth substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/54—Encapsulations having a particular shape

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Devices (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

本发明提供了发光二极管及其制造方法和发光器件及其制造方法。该发光器件包括：电路板，其形成有第一导电图案和与所述第一导电图案电隔离的第二导电图案；发光二极管，其电连接到电路板上的第一导电图案和第二导电图案；第一模制构件，第一模制构件包围所述发光二极管；以及第二模制构件，第二模制构件在所述第一模制构件上。发光二极管包括导电支撑衬底、在导电支撑衬底上的具有凸起中心部分的反射电极层、在反射电极层的外围部分上的保护层、在反射层和保护层上的第二导电半导体层、在第二导电半导体层上的有源层、在有源层上的第一导电半导体层和在第一导电半导体层上的第一电极层。

Description

发光二极管及其制造方法和发光器件及其制造方法
技术领域
本发明涉及发光二极管及其制造方法和发光器件及其制造方法。
背景技术
近来，发光二极管广泛用作发光器件。
发光二极管包括n型半导体层、有源层和p型半导体层。当功率分别施加到n型半导体层和p型半导体层时，有源层发光。发光二极管可以被制造成发射具有适用于各种应用领域的各种颜色的光。
采用发光二极管的发光器件包括荧光体，荧光体被从发光二极管发射的光激发，使得可以发射激发光，由此发射具有各种颜色的光。
例如，可以形成包括黄色荧光体的第一模制构件，使其包围发射具有蓝色波长的光的发光二极管。黄色荧光体被从发光二极管发射的光激发，由此发射具有黄色波长的激发光。
发明内容
技术问题
实施例提供了发光二极管、制造该发光二极管的方法、发光器件和制造该发光器件的方法。
实施例提供具有改进绝缘特性的发光二极管和制造该发光二极管的方法。
实施例提供包括发光二极管的发光器件和制造该发光器件的方法，其能够容易地处理用于发光器件的模制构件。
实施例提供制造发光器件的方法，其能够同时处理用于多个发光器件的模制构件。
技术方案
根据实施例的发光器件包括：电路板，所述电路板形成有第一导电图案和与所述第一导电图案电隔离的第二导电图案；发光二极管，所述发光二极管电连接到所述电路板上的所述第一导电图案和所述第二导电图案；第一模制构件，所述第一模制构件包围所述发光二极管；以及第二模制构件，所述第二模制构件在所述第一模制构件上，其中所述发光二极管包括导电支撑衬底、在所述导电支撑衬底上的具有凸起中心部分的反射电极层、在所述反射电极层的外围部分上的保护层、在所述反射层和所述保护层上的第二导电半导体层、在所述第二导电半导体层上的有源层、在所述有源层上的第一导电半导体层和在所述第一导电半导体层上的第一电极层。
根据实施例的用于制造发光器件的方法包括：在电路板上形成发光二极管；在所述电路板上形成第一模制构件，使得所述第一模制构件包围所述发光二极管；在所述第一模制构件上形成第二模制构件，并且执行初步固化处理；以及设置施压构件以使所述第二模制构件的形状变形并且执行主固化处理。
根据实施例的发光二极管包括：导电支撑衬底；具有凸起中心部分的反射电极层，所述反射电极层在所述导电支撑衬底上；保护层，所述保护层在所述反射电极层的外围部分上；第二导电半导体层，所述第二导电半导体层在所述反射层和所述保护层上；有源层，所述有源层在所述第二导电半导体层上；第一导电半导体层，所述第一导电半导体层在所述有源层上；以及第一电极层，所述第一电极层在所述第一导电半导体层上。
有益效果
实施例可以提供发光二极管、制造该发光二极管的方法、发光器件和制造该发光器件的方法。
实施例可以提供具有改进绝缘特性的发光二极管及其制造方法。
实施例可以提供包括具有改进绝缘特性的发光二极管的发光器件和制造该发光器件的方法，其能够容易地处理用于发光器件的模制构件。
实施例可以提供制造发光器件的方法，其能够同时处理用于多个发光器件的模制构件。
附图说明
图1是示出根据实施例的发光二极管的剖视图；
图2至图9是示出根据实施例的制造发光二极管的方法的视图；
图10是示出根据实施例的包括发光二极管的发光器件的视图；
图11是示出根据实施例的发光器件的光分布特性的视图；以及
图12至图19是示出根据实施例的制造发光器件的方法的视图。
具体实施方式
在对实施例的说明中，应该理解，当层(膜)、区域、图案或结构被称作在另一个衬底、另一个层(或膜)、另一个区域、另一个焊盘或另一个图案“上”或“下”时，它可以“直接”或“间接”在其他衬底、其他层(或膜)、其他区域、其他焊盘或其他图案上，或者还可以存在一个或多个中间层。已经参照附图描述了这种层的位置。
为了方便或清楚起见，可以夸大、省略或示意性示出附图所示的每个层的厚度和尺寸。另外，元件的尺寸没有完全反映真实的尺寸。
下文中，将参照附图详细描述根据本发明的实施例的发光二极管、制造该发光二极管的方法、发光器件和制造该发光器件的方法。
图1是示出根据实施例的发光二极管的剖视图。
参照图1，发光二极管100包括第一导电半导体层102、有源层104、第二导电半导体层106、保护层107、反射电极层108和导电支撑衬底110。另外，在第一导电半导体层102上形成第一电极层112。
第一导电半导体层102可以包括n型半导体层。该n型半导体层可以包括基于GaN的化合物半导体层，例如GaN层、AlGaN层或InGaN层。
有源层104被形成在第一导电半导体层102下。有源层104可以具有单量子阱结构或者多量子阱结构。例如，有源层104可以具有单量子阱结构或者包括InGaN阱/GaN势垒层的多量子阱结构。在InxGa1-xN阱层中，x的范围为0≤x≤1。
第二导电半导体层106形成在有源层104下。第二导电半导体层106可以包括p型半导体层。p型半导体层可以包括基于GaN的化合物半导体层，例如，诸如Mg这样的p型杂质被注入其中的GaN层、AlGaN层或InGaN层。
另外，第三导电半导体层(未示出)可以形成在第二导电半导体层106下。第三导电半导体层可以包括n型半导体层。
根据另一个实施例，第一导电半导体层102可以包括p型半导体层，并且第二导电半导体层106可以包括n型半导体层。
保护层107和反射电极层108被形成在第二导电半导体层106下。
反射电极层108与第二导电半导体层106的底表面的中心接触，保护层107与第二导电半导体层106的底表面的外围部分接触。
保护层107与反射电极层108的顶表面和侧表面接触。
保护层107可以增大反射电极层108或导电支撑衬底110与第一电极层112或第一导电半导体层102的横向侧之间的纵向间隔。
因此，可以防止反射电极层108或导电支撑衬底110由于外来物质与第一电极层112或第一导电半导体层102电短路。
具有预定高度h1和预定宽度w1的保护层107被形成在第二导电半导体层106的外围部分下。保护层107可以包括与第二导电半导体层106相同或不同的半导体层。另外，保护层107可以包括绝缘层。
详细地来讲，基于第二导电半导体层106，保护层具有约20μm至600μm的宽度和5μm至500μm的高度。另外，保护层107可以包括n型半导体层、p型半导体层和未掺杂的半导体层中的一者。保护层107可以制备为包括n型半导体层、p型半导体层和未掺杂的半导体层中的至少两者的堆叠结构。例如，保护层107可以包括n型GaN层、p型GaN层和未掺杂的GaN层中的至少一者。保护层107可以包括与第二导电半导体层106相同的p型GaN层。
蚀刻凹槽105可以增加反射电极层108或导电支撑层110与第一电极层112或第一导电半导体层102的横向侧之间的水平间隔，通过对第一导电半导体层102和第二导电半导体层106中的预定部分进行台面蚀刻，使得可以通过蚀刻凹槽105部分地暴露保护层107来形成蚀刻凹槽105。
因此，可以防止反射电极层108或导电支撑衬底110由于外来物质与第一电极层112或第一导电半导体层102电短路。
蚀刻凹槽105的宽度可以具有约10μm至500μm的宽度w2。蚀刻凹槽105的宽度w2小于保护层107的宽度w1(w1＞w2)。
如果蚀刻凹槽105的宽度w2等于或大于保护层107的宽度w1，则由于台面蚀刻可向上暴露反射电极层108。
导电支撑衬底110被形成在反射电极层108下。
反射电极层108可以用作具有欧姆接触功能的p型电极，从而稳定地提供外部电流。P型电极可以包括Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au和Hf中的至少一者。导电支撑衬底110可以包括Cu或Au。
在根据实施例的发光二极管中，反射电极层108和导电支撑衬底110可以用作用于向第二导电半导体层106提供功率的第二电极层，对应于用于向第一导电半导体层102提供功率的第一电极层112。
第二电极层的顶表面的中心部分相对于第二电极层的顶表面的外围部分向上突出。根据实施例，反射电极层108的中心部分相对于反射电极层108的外围部分向上突出。
由于第二电极层的顶表面的中心部分相对于第二电极层的顶表面的外围部分向上突出，因此可以提高发光二极管的电绝缘特性。可以选择性地形成保护层107。
图2至图9是示出根据实施例的制造发光二极管的方法的视图。
参照图2和图3，第一导电半导体层102被形成在衬底101上，有源层104被形成在第一导电半导体层102上，并且第二导电半导体层106被形成在有源层104上。第一导电半导体层102可以包括n型半导体层，第二导电半导体层106可以包括p型半导体层，或反之亦然。
参照图4，在第二导电半导体层106的中心部分106A上形成氧化物层图案(例如，SiO2)(未示出)，然后通过使用氧化物层图案作为掩模，在第二导电半导体层106的外围部分106B上，形成具有预定高度h1和预定宽度w1的保护层107。
保护层107可以包括n型GaN层、p型GaN层和未掺杂的GaN层中的一者。保护层107可以被制备为包括n型GaN层、p型GaN层和未掺杂的GaN层中的至少两者的堆叠结构。保护层107可以包括绝缘层。例如，可以通过在约900℃的生长温度下提供NH3和TMGa形成未掺杂的GaN层。
保护层107可以具有约20μm至600μm的宽度w1和大约5μm至500μm的高度h1。
在形成保护层107之后，从第二导电半导体层106的中心部分去除氧化物层图案。
参照图5，在第二导电半导体层106和保护层107上形成反射电极层108，并且在反射电极层108上形成导电支撑衬底110。
参照图6和图7，通过激光剥离(LLO)工艺，去除在第一导电半导体层102下形成的衬底101。也就是讲，具有预定波段的激光被照射到衬底101上，使得热能集中在衬底101和第一导电半导体层102之间的边界表面上，由此将衬底101与第一导电半导体层102分离。
在去除衬底101之后，通过电感耦合等离子体/反应离子蚀刻(ICP/RIE)工艺，将第一导电半导体层102的表面抛光。
参照图8，将其中去除衬底101的所得的结构翻转，使得导电支撑衬底110可以位于发光结构之下。
另外，从第一导电半导体层102至第二导电半导体层106执行台面蚀刻，由此形成蚀刻凹槽105。台面蚀刻可以包括干蚀刻或湿蚀刻。在部分地暴露第二导电半导体层106或保护层107之前，可以一直继续进行台面蚀刻。因此，可以在从第一导电半导体层102至第二导电半导体层106的范围内形成蚀刻凹槽105。
蚀刻凹槽105具有大约10μm至500μm的宽度w2，该宽度w2小于保护层107的宽度w1(参见图4)。
参照图9，在第一导电半导体层102上形成第一电极层112。第一电极层112可以包括透明电极层，或者可以在第一电极层112和第一导电半导体层102之间形成透明层。
根据实施例的发光二极管100包括保护层107和蚀刻凹槽105，使得可以防止发光二极管100由于外来物质而电短路。
因此，可以提高发光二极管100的绝缘特性。
图10是示出根据实施例的包括发光二极管的发光器件的视图。
参照图10，根据实施例的发光器件包括：电路板10，其具有第一导电图案(未示出)和与第一导电图案分隔开的第二导电图案(未示出)；发光二极管100，其通过布线21电连接到电路板10；导环11，其在电路板10上设置在发光二极管100周围；第一模制构件30，其由导环11支撑并且包括荧光体31；以及第二模制构件40，其形成在第一模制构件30上。
如图9和图10中所示，发光二极管100的导电支撑衬底110电连接到电路板10上形成的第一导电图案，并且发光二极管100的第一电极层112通过布线21电连接到与第一导电图案电隔离的第二导电图案。
第一模制构件30包围发光二极管100使得第一模制构件30的荧光体31可以被从发光二极管100发射的光激发。荧光体31分布在第一模制构件30中。根据另一个实施例，可以省略第一模制构件30。在这种情况下，第二模制构件40可以包括用于第一模制构件30的区域。
第二模制构件40形成在第一模制构件30上，以决定从发光二极管100发射的光的分布特性。
根据实施例的发光器件，第二模制构件40具有凸顶表面，并且该凸顶表面的中心下陷。
图11是示出根据实施例的发光器件的光分布特性的视图。
如图11中所示，根据用作透镜的第二模制构件40的构造，发光器件的光分布特性可以变化。根据实施例，第二模制构件40整体上具有凸的构造并且第二模制构件40的中心下陷，使得发光器件可以以45的角度发射光。
这种发光器件可以合适地用作用于显示装置的背光单元。
图12至图19是示出根据实施例的制造发光器件的方法的视图。
参照图12，在电路板10上安装导环11和发光二极管100。此时，设置发光二极管100，使得发光二极管100的导电支撑衬底110可以与电路板10的第一导电图案接触。另外，发光二极管的第一电极层112通过布线21电连接到电路板10的第二导电图案。
参照图13，包括荧光体31的第一模制构件30被形成在具有发光二极管100的电路板10上，使得第一模制构件30可以包围发光二极管100。第一模制构件30由导环11支撑并且其厚度足以覆盖发光二极管100。
参照图14，在第一模制构件30上，形成包括诸如硅这样的树脂材料的第二模制构件40。第二模制构件40决定从发光二极管100发射的光的分布特性。首先，第二模制构件40形成为凸的构造并且经受初步固化处理。
例如，可以在40℃至80℃的温度下执行初步固化处理5至15分钟。
参照图15，在已经执行了初步固化处理之后，通过施压构件50对第二模制构件40施压。图16示出根据另一个实施例的施压构件50。
如图15和图16中所示，在施压构件50对第二模制构件40施压的状态下，执行主固化处理。
例如，可以在130℃至170℃的温度下执行主固化处理5至15分钟。
在完成初步固化处理和主固化处理之后，可以得到如图10所示的发光器件。
同时，根据制造实施例的发光器件的方法，可以同时处理电路板10上形成的多个发光器件的第二模制构件40，使得产率可以得以提高。
参照图17，如图14所示形成有第二模制构件40的多个发光器件60被设置在具有导电图案(未示出)和端子12的电路板10上，端子12用于向导电图案提供功率。
可以在电路板10中形成导销插入孔70。
同时，图18所示的模制板80的尺寸与电路板10的尺寸相同。导销81被设置在模制板80上。导销81被插入导销插入孔70中，以精确地对齐电路板10和模制板80。分隔件构件82被设置在模制板80上，使得电路板10可以与模制板80分隔开预定距离。施压构件50被设置在与发光器件60对应的模制板80上，以对发光器件60的第二模制构件60施压。
图18所示的模制构件50与图15所示的模制构件50相同。另外，根据第二模制构件40的形状，可以使用各种类型的模制构件。
如图19中所示，在电路板10和模制板80相对于彼此对齐的状态下，具有多个水平槽的架90与电路板10和模制板90装配在一起。
此时，导销81被插入电路板10的导销插入孔70，使得可以防止电路板10和模制板80沿着水平方向晃动，对应于架90的槽91之间的间隔，电路板10可以与模制板80通过分隔件构件82分隔开。为了进行说明，图18所示的导销81和分隔件构件82的位置与图19所示的导销81和分隔件构件82的位置不同。导销81和分隔件构件82的数量和位置可以根据其应用而变化。
如图19中所示，在电路板10与模制板80组装在一起的状态下，相对于发光器件60执行主固化处理。
因此，可以针对电路板10中形成的发光器件60，同时处理第二模制构件40。
同时，由于多个电路板10和模制板80可以对应于架90中形成的槽91的数量与架90装配在一起，所以，可以针对多个电路板10中形成的发光器件60，同时对第二模制构件40进行处理。
根据制造实施例的发光器件的方法，可以容易地对发光器件的模制构件进行处理，并且可以针对多个发光器件，同时对模制构件进行处理。
虽然已经参照本发明的多个示例性实施例描述了实施例，但是应该理解，在本发明原理的精神和范围内，本领域的技术人员可以设计出多个其它修改和实施例。更具体来讲，在本发明、附图和所附权利要求的范围内，主题组合布置的组件和/或布置的各种变形和修改是可行的。除了组件和/或布置的变形和修改之外，对于本领域的技术人员来说，可供选择的用途也将是显而易见的。
该说明书中对于“一个实施例”、“实施例”、“示例性实施例”等的引用意味着结合实施例描述的特定特征、结构或特性包括在本发明的至少一个实施例中。在该说明书的各个位置出现这类短语都不必涉及相同的实施例。另外，当结合任何实施例描述特定特征、结构或特性时，认为结合实施例中的其它实施例实现这种特征、结构或特性是在本领域的技术人员的范围内的。
工业应用性
实施例可用于发光二极管、制造该发光二极管的方法、发光器件和制造该发光器件的方法。

Claims (8)

1.一种发光二极管，包括：
导电支撑衬底；
反射电极层，所述反射电极层设置在所述导电支撑衬底上，具有凸起中心部分，并且包括中心部分和包围所述中心部分的外围部分；
在所述反射电极层的外围部分上的保护层；
在所述反射电极层上的第二导电半导体层；
在所述第二导电半导体层上的有源层；
在所述有源层上的第一导电半导体层；以及
在所述第一导电半导体层上的第一电极层，
其中所述保护层接触第二导电半导体层的底表面的外围部分，
其中所述保护层包括半导体层，
其中所述保护层的顶表面与所述第二导电半导体层的底表面直接接触，以及
其中所述保护层具有与所述第二导电半导体层相同的材料。
2.根据权利要求1所述的发光二极管，其中所述保护层与所述反射电极层的顶表面和侧表面接触。
3.根据权利要求1所述的发光二极管，其中所述第二导电半导体层被部分地向上暴露，并且
其中所述保护层的顶表面没有通过所述第二导电半导体层来暴露。
4.根据权利要求1所述的发光二极管，其中所述保护层包括n型半导体层、p型半导体层、未掺杂的半导体层中的至少一层。
5.一种发光器件，包括：
衬底，所述衬底形成有第一导电图案和与所述第一导电图案电隔 离的第二导电图案；
发光二极管，所述发光二极管电连接到所述衬底上的所述第一导电图案和所述第二导电图案；
导环，所述导环环绕所述发光二极管；
第一模制构件，所述第一模制构件在所述导环中；以及
第二模制构件，所述第二模制构件在所述第一模制构件上，
其中所述发光二极管包括：
导电支撑衬底；
反射电极层，所述反射电极层在所述导电支撑衬底上，具有凸起中心部分，并且包括中心部分和包围所述中心部分的外围部分；
在所述反射电极层的外围部分上的保护层；
在所述反射电极层上的第二导电半导体层；
在所述第二导电半导体层上的有源层；
在所述有源层上的第一导电半导体层；以及
在所述第一导电半导体层上的第一电极层，
其中所述保护层接触第二导电半导体层的底表面的外围部分，
其中所述保护层包括半导体层，
其中所述保护层的顶表面与所述第二导电半导体层的底表面直接接触，以及
其中所述保护层具有与所述第二导电半导体层相同的材料。
6.根据权利要求5所述的发光器件，其中所述第一模制构件包括荧光体。
7.一种发光二极管，包括：
导电支撑衬底；
反射电极层，所述反射电极层在所述导电支撑衬底上，具有凸起中心部分，并且包括中心部分和包围所述中心部分的外围部分；
保护层，所述保护层在所述反射电极层的外围部分上；
第二导电半导体层，所述第二导电半导体层在所述反射电极层上；
有源层，所述有源层在所述第二导电半导体层上；
第一导电半导体层，所述第一导电半导体层在所述有源层上；以及
第一电极层，所述第一电极层在所述第一导电半导体层上，
其中所述反射电极层的外围部分的顶表面与所述保护层直接接触，
其中所述保护层接触第二导电半导体层的底表面的外围部分，
其中所述保护层包括半导体层，
其中所述保护层的顶表面与所述第二导电半导体层的底表面直接接触，以及
其中所述保护层具有与所述第二导电半导体层相同的材料。
8.根据权利要求7所述的发光二极管，其中所述反射电极层的中心部分的顶表面与所述保护层的顶表面一致。
CN200980110760.5A 2008-07-21 2009-07-21 发光二极管及其制造方法和发光器件及其制造方法 Active CN101981715B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201510502099.XA CN105185887B (zh) 2008-07-21 2009-07-21 发光二极管及其制造方法和发光器件及其制造方法

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2008-0070431 2008-07-21
KR1020080070431A KR101534848B1 (ko) 2008-07-21 2008-07-21 발광 다이오드 및 그 제조방법. 그리고 발광 소자 및 그발광 소자 제조방법
PCT/KR2009/004025 WO2010011074A2 (ko) 2008-07-21 2009-07-21 발광 다이오드 및 그 제조방법. 그리고 발광 소자 및 그 발광 소자 제조방법

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201510502099.XA Division CN105185887B (zh) 2008-07-21 2009-07-21 发光二极管及其制造方法和发光器件及其制造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101981715A CN101981715A (zh) 2011-02-23
CN101981715B true CN101981715B (zh) 2015-09-16

Family

ID=41570723

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201510502099.XA Active CN105185887B (zh) 2008-07-21 2009-07-21 发光二极管及其制造方法和发光器件及其制造方法
CN200980110760.5A Active CN101981715B (zh) 2008-07-21 2009-07-21 发光二极管及其制造方法和发光器件及其制造方法

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201510502099.XA Active CN105185887B (zh) 2008-07-21 2009-07-21 发光二极管及其制造方法和发光器件及其制造方法

Country Status (7)

Country Link
US (2) US8823028B2 (zh)
EP (1) EP2249408B1 (zh)
JP (4) JP2011528862A (zh)
KR (1) KR101534848B1 (zh)
CN (2) CN105185887B (zh)
DE (1) DE202009018568U1 (zh)
WO (1) WO2010011074A2 (zh)

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101012517B1 (ko) * 2008-10-22 2011-02-08 렌슬러 폴리테크닉 인스티튜트 발광소자
KR100999779B1 (ko) * 2010-02-01 2010-12-08 엘지이노텍 주식회사 발광소자, 발광소자의 제조방법 및 발광소자 패키지
KR100969100B1 (ko) 2010-02-12 2010-07-09 엘지이노텍 주식회사 발광소자, 발광소자의 제조방법 및 발광소자 패키지
US8338317B2 (en) 2011-04-06 2012-12-25 Infineon Technologies Ag Method for processing a semiconductor wafer or die, and particle deposition device
KR100999733B1 (ko) * 2010-02-18 2010-12-08 엘지이노텍 주식회사 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 발광 소자 패키지
KR101047721B1 (ko) 2010-03-09 2011-07-08 엘지이노텍 주식회사 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 발광 소자 패키지
KR101646664B1 (ko) * 2010-05-18 2016-08-08 엘지이노텍 주식회사 발광 소자, 발광 소자의 제조방법 및 발광 소자 패키지
KR101689163B1 (ko) * 2010-07-08 2016-12-23 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지
US9048396B2 (en) 2012-06-11 2015-06-02 Cree, Inc. LED package with encapsulant having planar surfaces
US10147853B2 (en) * 2011-03-18 2018-12-04 Cree, Inc. Encapsulant with index matched thixotropic agent
CN102185063A (zh) * 2011-04-15 2011-09-14 映瑞光电科技(上海)有限公司 发光二极管及其制造方法
US9397274B2 (en) * 2011-08-24 2016-07-19 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device package
JP6038443B2 (ja) * 2011-11-21 2016-12-07 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置および半導体発光装置の製造方法
KR20130094482A (ko) * 2012-02-16 2013-08-26 서울반도체 주식회사 렌즈를 갖는 발광 모듈
CN103474562B (zh) * 2012-06-08 2016-11-23 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管的制造方法
US10424702B2 (en) 2012-06-11 2019-09-24 Cree, Inc. Compact LED package with reflectivity layer
US9887327B2 (en) 2012-06-11 2018-02-06 Cree, Inc. LED package with encapsulant having curved and planar surfaces
US10468565B2 (en) 2012-06-11 2019-11-05 Cree, Inc. LED package with multiple element light source and encapsulant having curved and/or planar surfaces
KR102108204B1 (ko) 2013-08-26 2020-05-08 서울반도체 주식회사 면 조명용 렌즈 및 발광 모듈
CN114497308B (zh) * 2022-01-27 2023-11-28 宁波安芯美半导体有限公司 一种半导体结构及制备方法与应用

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101069292A (zh) * 2005-06-24 2007-11-07 Lg伊诺特有限公司 发光器件封装及发光器件封装的制造方法
CN101278410A (zh) * 2005-08-04 2008-10-01 克里公司 利用分配的密封剂的半导体发光器件的封装及其封装方法
CN101305478A (zh) * 2005-11-08 2008-11-12 罗姆股份有限公司 氮化物半导体发光元件以及氮化物半导体发光元件制造方法

Family Cites Families (37)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5455390A (en) 1977-10-12 1979-05-02 Nec Corp Light emitting element
DE4305296C3 (de) * 1993-02-20 1999-07-15 Vishay Semiconductor Gmbh Verfahren zum Herstellen einer strahlungsemittierenden Diode
JP2924580B2 (ja) * 1993-07-19 1999-07-26 日立電線株式会社 樹脂モールド型化合物半導体光素子及び樹脂モールド型発光ダイオード
CN1292458C (zh) * 1997-04-11 2006-12-27 日亚化学工业株式会社 氮化物半导体的生长方法、氮化物半导体衬底及器件
JP3491538B2 (ja) 1997-10-09 2004-01-26 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体の成長方法及び窒化物半導体素子
JP4169821B2 (ja) 1998-02-18 2008-10-22 シャープ株式会社 発光ダイオード
US6797211B1 (en) * 1999-07-09 2004-09-28 Osram Opto Semiconductors Gmbh & Co. Ohg Mechanical patterning of a device layer
JP4082544B2 (ja) * 1999-12-24 2008-04-30 ローム株式会社 裏面実装チップ型発光装置
JP2002344027A (ja) * 2001-05-15 2002-11-29 Stanley Electric Co Ltd 面実装ｌｅｄ
JP4122738B2 (ja) * 2001-07-26 2008-07-23 松下電工株式会社 発光装置の製造方法
JP2003048134A (ja) 2001-08-07 2003-02-18 Incs Inc 工具管理システム
JPWO2003034508A1 (ja) 2001-10-12 2005-02-03 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
CN100405619C (zh) * 2002-01-28 2008-07-23 日亚化学工业株式会社 具有支持衬底的氮化物半导体器件及其制造方法
US6828570B2 (en) 2002-04-01 2004-12-07 Applied Materials, Inc. Technique for writing with a raster scanned beam
US20040140474A1 (en) * 2002-06-25 2004-07-22 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor light-emitting device, method for fabricating the same and method for bonding the same
TW578318B (en) * 2002-12-31 2004-03-01 United Epitaxy Co Ltd Light emitting diode and method of making the same
US6855571B1 (en) * 2003-02-14 2005-02-15 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method of producing GaN-based semiconductor laser device and semiconductor substrate used therefor
JP2005045054A (ja) 2003-07-23 2005-02-17 Sharp Corp Ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子
JP2006066786A (ja) 2004-08-30 2006-03-09 Seiwa Electric Mfg Co Ltd 発光ダイオード
JP2006073619A (ja) * 2004-08-31 2006-03-16 Sharp Corp 窒化物系化合物半導体発光素子
JP3875247B2 (ja) * 2004-09-27 2007-01-31 株式会社エンプラス 発光装置、面光源装置、表示装置及び光束制御部材
JP4999696B2 (ja) * 2004-10-22 2012-08-15 ソウル オプト デバイス カンパニー リミテッド ＧａＮ系化合物半導体発光素子及びその製造方法
KR100590775B1 (ko) * 2004-12-08 2006-06-19 한국전자통신연구원 실리콘 발광 소자
WO2006062300A1 (en) 2004-12-08 2006-06-15 Electronics And Telecommunications Research Institute Silicon-based light emitting diode
JP2006237467A (ja) * 2005-02-28 2006-09-07 Sanken Electric Co Ltd 半導体発光素子及びその製造方法
JP2006302965A (ja) * 2005-04-15 2006-11-02 Sharp Corp 半導体発光装置およびその製造方法
JP2007165409A (ja) * 2005-12-09 2007-06-28 Rohm Co Ltd 半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法
JP2007173465A (ja) * 2005-12-21 2007-07-05 Rohm Co Ltd 窒化物半導体発光素子の製造方法
JP2007287757A (ja) 2006-04-12 2007-11-01 Rohm Co Ltd 窒化物半導体発光素子及び窒化物半導体発光素子の製造方法
KR100731678B1 (ko) 2006-05-08 2007-06-22 서울반도체 주식회사 칩형 발광 다이오드 패키지 및 그것을 갖는 발광 장치
JP4929924B2 (ja) * 2006-08-25 2012-05-09 サンケン電気株式会社 半導体発光素子、その製造方法、及び複合半導体装置
JP5076746B2 (ja) * 2006-09-04 2012-11-21 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体レーザ素子及びその製造方法
TWI322522B (en) * 2006-12-18 2010-03-21 Delta Electronics Inc Electroluminescent device, and fabrication method thereof
KR100870065B1 (ko) * 2007-04-11 2008-11-24 알티전자 주식회사 엘이디 패키지용 렌즈 제조방법
US7759670B2 (en) * 2007-06-12 2010-07-20 SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. Vertical LED with current guiding structure
KR100872717B1 (ko) 2007-06-22 2008-12-05 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 그 제조방법
TWI396298B (zh) * 2007-08-29 2013-05-11 Everlight Electronics Co Ltd 發光半導體元件塗佈螢光粉的方法及其應用

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101069292A (zh) * 2005-06-24 2007-11-07 Lg伊诺特有限公司 发光器件封装及发光器件封装的制造方法
CN101278410A (zh) * 2005-08-04 2008-10-01 克里公司 利用分配的密封剂的半导体发光器件的封装及其封装方法
CN101305478A (zh) * 2005-11-08 2008-11-12 罗姆股份有限公司 氮化物半导体发光元件以及氮化物半导体发光元件制造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2012094926A (ja) 2012-05-17
CN101981715A (zh) 2011-02-23
US8823028B2 (en) 2014-09-02
US20110001161A1 (en) 2011-01-06
EP2249408A2 (en) 2010-11-10
DE202009018568U1 (de) 2012-03-07
EP2249408A4 (en) 2016-04-20
US20140327032A1 (en) 2014-11-06
JP5709778B2 (ja) 2015-04-30
KR20100009689A (ko) 2010-01-29
EP2249408B1 (en) 2019-04-17
WO2010011074A2 (ko) 2010-01-28
JP3175270U (ja) 2012-04-26
JP2011528862A (ja) 2011-11-24
KR101534848B1 (ko) 2015-07-27
JP3175334U (ja) 2012-05-10
WO2010011074A3 (ko) 2010-04-22
US9680064B2 (en) 2017-06-13
CN105185887A (zh) 2015-12-23
CN105185887B (zh) 2019-06-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101981715B (zh) 发光二极管及其制造方法和发光器件及其制造方法
US9240520B2 (en) Semiconductor light-emitting device and method for manufacturing same
US9306141B2 (en) Method for manufacturing semiconductor light emitting device
US9224932B2 (en) Wafer level photonic device die structure and method of making the same
JP5355536B2 (ja) 光電素子および光電素子の製造方法
CN102106004B (zh) 包含窗口层和导光结构的半导体发光器件
CN102386313B (zh) 发光器件、发光器件封装和灯单元
KR100969128B1 (ko) 발광 소자 및 그 제조방법
KR102562064B1 (ko) 복수의 발광셀들을 갖는 발광 다이오드 및 그것을 갖는 발광 모듈
JP2012028819A (ja) 半導体発光装置
JP2011155295A (ja) 半導体発光装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20210809

Address after: 168 Changsheng North Road, Taicang City, Suzhou City, Jiangsu Province

Patentee after: Suzhou Leyu Semiconductor Co.,Ltd.

Address before: Seoul, South Kerean

Patentee before: LG INNOTEK Co.,Ltd.

TR01 Transfer of patent right