KR101689163B1 - 발광소자 패키지 - Google Patents

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Abstract

실시 예의 발광소자 패키지는, 발광소자에서 방사되는 광에 대한 지향각을 향상시키기 용이한 구조를 갖도록, 실시 예는, 패키지 몸체, 상기 패키지 몸체 상에 위치하고 소정의 광을 발광하는 발광소자 및 상기 발광소자의 상부면에 위치하고 상기 발광소자로부터 발광되는 광을 반사시키는 리플렉터;를 포함하는 발광소자 패키지를 제공한다.

Description

발광소자 패키지{Light emitting device package}
실시 예는 발광소자 패키지에 관한 것이다.
일반적으로 발광 다이오드(LED : Light Emitting Diode)는 전기 에너지를 빛으로 변환하는 반도체 소자의 하나로, 백열등, 형광등, 할로겐 램프, 및 기타 방전램프와 같은 기존의 광원에 비해 저 발열, 장 수명, 빠른 응답특성, 안정성, 및 친환경적인 장점을 갖는다.
이에 따라, 발광 다이오드는 점차 기존의 광원을 대체하고 있으며, 기존 광원을 그대로 대체하여 사용하는 방법까지 연구되고 있다.
발광 다이오드는 열, 또는 방전을 이용하는 기존의 광원과는 달리 칩(chip) 형태의 반도체를 이용한다.
기존의 광원에 비해 현저히 작은 크기의 칩과, 패키지 몸체로 구성되는 발광 다이오드의 빛 방출특성, 발열 특성, 및 전기적 특성은 기존의 광원과는 다른 관점에서 해결해야 할 필요가 있다.
실시 예는 발광소자에서 방사되는 광에 대한 지향각을 향상시키기 용이한 구조를 갖는 발광소자 패키지를 제공함에 있다.
제1 실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 패키지 몸체, 상기 패키지 몸체 상에 위치하고 소정의 광을 발광하는 발광소자 및 상기 발광소자의 상부면에 위치하고 상기 발광소자로부터 발광되는 광을 반사시키는 리플렉터를 포함한다.
또한, 제2 실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 패키지 몸체, 상기 패키지 몸체 상에 위치하고 소정의 광을 발광하는 발광소자, 상기 발광소자의 상부면에 위치하고 상기 발광소자로부터 발광되는 광을 반사시키는 리플렉터 및 상기 발광소자의 측면에 위치하는 형광체층을 포함한다.
실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 발광소자의 상부면에 접촉되는 리플렉터를 사용함으로써, 발광소자의 상부면에서 방사되는 광을 측면으로 반사시킴으로써, 지향각을 향상시킬 수 있는 이점이 있다.
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 발광소자에서 방사되는 광의 지향각이 향상됨에 따라, 이웃하는 발광소자들 사이의 이격거리를 확대할 수 있으며, 발광소자 또는 발광소자 패키지의 전체 개수가 줄어드는 이점이 있다.
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 형광체층의 폭에 따라 상이한 곡률을 형성함으로써, 광 확산 범위가 한곳으로 치우지지 않도록 할 수 있는 이점이 있다.
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 중심부가 오목한 형상을 갖는 렌즈에 의해 발광소자 패키지의 두께가 줄어들어 슬림화될 수 있는 이점이 있다.
도 1은 제1 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 나타내는 평면도이다.
도 2는 도 1에 나타낸 발광소자 패키지를 A-A 방향으로의 절단면을 나타내는 단면도이다.
도 3은 제2 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 나타내는 평면도이다.
도 4는 도 3에 나타낸 발광소자 패키지를 B-B 방향으로의 절단면을 나타내는 단면도이다.
도 5는 도 4에 나타낸 발광소자 패키지에 대한 복수의 실시 예를 나타내는 확대도이다.
실시 예에 대한 설명에 앞서, 본 명세서에서 언급하는 각 층(막), 영역, 패턴, 또는 구조물들의 기판, 각 층(막) 영역, 패드, 또는 패턴들의 "위(on)", "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "위(on)"와, "아래(under)"는 직접(directly)", 또는 "다른 층을 개재하여(indirectly)" 형성되는 모든것을 포함한다. 또한, 각 층의 위, 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.
도면에서, 각 층의 두께나 크기는 설명의 편의, 및 명확성을 위하여 과장되거나, 생략되거나, 또는 개략적으로 도시되었다. 따라서, 각 구성요소의 크기는 실제 크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.
또한, 본 명세서에서 발광소자 패키지의 구조를 설명하는 과정에서 언급하는 각도와 방향은 도면에 기재된 것을 기준으로 한다. 명세서에서 발광소자 패키지를 이루는 구조에 대한 설명에서, 각도에 대한 기준점과 위치관계를 명확히 언급하지 않은 경우, 관련 도면을 참조하도록 한다.
도 1은 제1 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 나타내는 평면도이다.
도 1을 참조하면, 발광소자 패키지(100)는 패키지 몸체(10) 상에 위치하는 발광소자(20), 발광소자(20)의 상부면에 위치하는 리플렉터(30) 및 발광소자(20)와 리플렉터(30)를 덮는 렌즈(40)를 포함할 수 있다.
여기서, 패키지 몸체(10)에는 발광소자(20)가 위치하는 곳에 캐비티가 형성될 수 있으며, 제1 실시 예에서는 캐비티가 형성되지 않는 평탄한 부분에 발광소자(20)가 위치하는 것으로 설명을 하며, 이에 한정을 두지 않는다.
리플렉터(30)는 발광소자(20)의 상부면에 위치하며, 발광소자(20)에서 발광 또는 방사되는 광이 발광소자(20)의 상부면을 통과하지 않도록 하여, 발광소자 패키지(100)의 전방으로 방사되는 광의 양을 전체 광양 대비 6% 내지 10%이하로 유지되도록 할 수 있다.
그리고, 리플렉터(30)는 발광소자(20)의 상부면으로 방사되는 광을 측면으로 반사시킨다.
렌즈(40)는 발광소자(20)에서 방사되는 광을 여기시키는 형광체(42)를 포함하며, 형광체(42)을 통하여 발광소자(20)에서 방사되는 광과 다른 파장을 갖는 광으로 여기시켜 발광소자 패키지(100)의 전방 및 측방으로 광을 방사시킨다.
여기서, 렌즈(40)는 발광소자(20) 및 리플렉터(30)에 대응하는 중심부가 오목한 형상을 갖는 것으로 설명하나, 이에 한정을 두지 않는다.
따라서, 제1 실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)는 조향각을 측면으로 넓게 형성할 수 있으므로, 복수개의 발광소자 패키지(100) 사용시, 인접하는 발광소자 패키지(100)들 사이의 이격 거리를 넓힐 수 있으며, 발광소자 패키지(100)의 전체 개수를 줄일 수 있을 것이다.
그리고, 발광소자(20)는 수직타입, 플립타입 중 어느 하나 일 수 있으며, 이외에 다른타입의 발광소자를 사용할 수 있으며, 이에 한정을 두지 않는다.
도 2는 도 1에 나타낸 발광소자 패키지를 A-A 방향으로의 절단면을 나타내는 단면도이다.
도 2를 참조하면, 발광소자 패키지(100)는 패키지 몸체(10) 상에 발광소자(20)가 위치하며, 발광소자(20)의 상부면에 리플렉터(30)가 위치하며, 발광소자(20)와 리플렉터(30)를 덮는 렌즈(40)가 형성된다.
여기서, 리플렉터(30)는 Ag, Al, Pt, Rh 중 어느 하나 또는 합금 중 하나로 형성될 수 있으며, 리플렉터(30)의 폭(d1)은 발광소자(20)의 폭(d2) 대비 0.9배 내지 1.1배인 것이 바람직할 것이다.
도 2에서는, 리플렉터(30)의 폭(d1)은 발광소자(20)의 폭(d2)과 동일한 것으로 설명하였으나, 발광소자 패키지(100) 전방으로 방사되는 광의 양을 조절하기 위하여, 리플렉터(30)의 폭(d1)이 발광소자(20)의 폭(d2)보다 크거나, 작게 할 수 있을 것이다.
즉, 발광소자 패키지(100)는 조향각이 측면으로 넓게 형성되도록 리플렉터(30)를 발광소자(20)의 상부면에 형성시키며, 발광소자(20)에서 방사되는 광 대비 정면으로 방사되는 광에 대한 광양이 6% 내지 10%이하로 유지하기 위하여, 리플렉터(30)의 폭(d1)을 가변시키거나, 또는 렌즈(40)에 포함되는 형광체(42)의 양을 조절할 수 있을 것이다.
렌즈(40)는 발광소자(20)에서 방사되는 광을 여기시키는 형광체(42) 및 에폭시(미도시)를 포함할 수 있다. 또한, 렌즈(40)는 발광소자(20) 및 리플렉터(30)에 대응하는 중심부가 오목하게 형성됨에 따라 상기 조향각을 측면으로 넓게 형성되도록 도움을 줄 수 있을 것이다.
도 3은 제2 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 나타내는 평면도이다.
도 3을 참조하면, 발광소자 패키지(200)는 패키지 몸체(110) 상에 위치하는 발광소자(120), 발광소자(120)의 상부면에 위치하는 리플렉터(130), 발광소자(120)의 측면을 감싸는 형광체층(140) 및 발광소자(120), 리플렉터(130) 및 형광체층(140)을 덮는 렌즈(150)를 포함할 수 있다.
여기서, 패키지 몸체(110)에는 발광소자(120)가 위치하는 곳에 캐비티가 형성될 수 있으며, 제2 실시 예에서는 캐비티가 형성되지 않는 평탄한 부분에 발광소자(120)가 위치하는 것으로 설명을 한다.
리플렉터(130)는 발광소자(120)의 상부면에 위치하며, 발광소자(120)에서 방사되는 광이 발광소자(120)의 상부면을 통과하지 않도록 하여, 발광소자 패키지(200)의 전방으로 방사되는 광의 양을 전체 광양 대비 6% 내지 10%이하로 유지되도록 할 수 있다.
그리고, 리플렉터(130)는 발광소자(120)의 상부면으로 방사되는 광을 발광소자(120)의 측면을 감싸는 형광체층(140)으로 반사시킨다.
형광체층(140)은 발광소자(120)의 측면에서 방사되는 광 및 리플렉터(130)에서 반사되는 광을 여기시켜, 발광소자 패키지(200)의 전방으로 여기된 광을 방사시킨다.
이때, 형광체층(140)은 발광소자(120)의 측면에 접촉된 제1 면(142)와 발광소자(120)의 측면에 접촉되지 않는 제2 면(144) 사이에 곡률이 형성될 수 있다.
즉, 블록(V1, V2)에 대한 확대 단면도를 살펴보면 다음과 같다.
여기서, 블록(V1)은 발광소자(120) 및 리플렉터(130)의 양측면 부분에 대한 단면을 나타낸 것이며, 블록(V2)는 발광소자(120) 및 리플렉터(130)의 양측면 모서리 부분에 대한 다면을 나타낸 것이다.
블록(V1, V2)의 단면을 보면, 형광체층(140)의 폭(h30)은 블록(V1)이 블록(V2)보다 길게 형성됨을 알 수 있을 것이다.
따라서, 블록(V1)에서 형광체층(140)의 제2 면(144)에 나타낸 곡률은, 블록(V2)에서 형광체층(140)의 제2 면(144)의 곡률보다 작게 형성됨을 알 수 있다.
즉, 블록(V1, V2)에서 형광체층(140)의 폭(d30)이 상이하므로, 폭(d30)의 길이에 따라 곡률도 상이하게 함으로써, 조향각을 측면으로 확대할 수 있을 것이다.
렌즈(150)는 형광체층(140)을 통하여 여기된 광을 발광소자 패키지(100)의 전방 및 측방으로 광을 방사시킨다.
여기서, 렌즈(150)는 발광소자(120) 및 리플렉터(130)에 대응하는 중심부가 오목한 형상을 갖는 것으로 설명하나, 이에 한정을 두지 않는다.
따라서, 제2 실시 예에 따른 발광소자 패키지(200)는 발광소자(120)의 측면을 감싸는 형광체층(140)에 의해 조향각을 측면으로 넓게 형성할 수 있으므로, 복수개의 발광소자 패키지(200) 사용시, 인접하는 발광소자 패키지(200) 사이의 이격 거리를 넓힐 수 있으며, 발광소자 패키지(200)의 전체 개수를 줄일 수 있을 것이다.
그리고, 제2 실 시예에서의 발광소자(120)는 수직타입, 플립타입 중 어느 하나 일 수 있으며, 이외에 다른타입의 발광소자를 사용할 수 있으며, 이에 한정을 두지 않는다.
도 4는 도 3에 나타낸 발광소자 패키지를 B-B 방향으로의 절단면을 나타내는 단면도이고, 도 5는 도 4에 나타낸 발광소자 패키지에 대한 복수의 실시 예를 나타내는 확대도이다.
도 4 및 도 5를 참조하면, 발광소자 패키지(200)는 패키지 몸체(110) 상에 발광소자(120)가 위치하며, 발광소자(120)의 상부면에 리플렉터(130)가 위치하며, 발광소자(120)의 측면을 감싸는 형광체층(140)이 형성되고, 발광소자(120), 리플렉터(130) 및 형광체층(140)을 덮는 렌즈(40)가 형성된다.
여기서, 리플렉터(130)는 Ag, Al, Pt, Rh 중 어느 하나 또는 합금 중 하나로 형성될 수 있으며, 리플렉터(130)의 폭(d10)은 발광소자(120)의 폭(d20) 대비 0.9배 내지 1.1배인 것이 바람직할 것이다.
형광체층(140)는 발광소자(120)의 측면을 감싸며, 발광소자(120)의 측면 및 리플렉터(30)에서 반사되는 광을 여기시켜 파장이 상이한 광을 방사시킨다.
따라서, 제2 실시 예에 따른 발광소자 패키지(200)는 조향각이 측면으로 넓게 퍼지며, 전방으로 방상되는 광의 양을 조절하기 용이할 것이다.
도 5(a)를 참조하면, 발광소자 패키지(200)는 리플렉터(130)의 폭(d10)과 발광소자(120)의 폭(d20)이 동일하게 형성됨을 알 수 있다.
또한, 리플렉터(130)의 두께(h10)는 발광소자(120)의 두께(h20)보다 작게 형성되며, 형광체층(140)의 두께(h30)는 발광소자(120)의 두께(h20)과 동일하게 형성됨을 알 수 있다.
그리고, 형광체층(140)의 두께(h30)는 발광소자(120)의 두께(h20) 내지 발광소자(120)의 두께(h20)와 리플렉터(130)의 두께(h10)의 합 두께로 형성할 수 있다.
물론, 형광체층(140)의 두께(h30)는 리플렉터(130)의 두께(h10) 보다 높게 형성할 수도 있다.
도 5(a)에 나타낸 바와 같이, 형광체층(140)의 두께(h30)는 발광소자(120)의 두께(h20)와 동일한 것이 바람직하며, 형광체층(140)의 두께(h30)는 발광소자 패키지(200)의 측면으로 방사되는 광에 따라 조절할 수 있을 것이다.
또한, 형광체층(140)의 폭(d30)은 발광소자(120)의 폭(d20) 대비 1배 내지 3배인 것이 바람직할 것이다.
이유인 즉, 형광체층(140)의 폭(d30)은 조향각을 측면으로 넓게 퍼지도록 하기 위하여 최소 발광소자(120)의 폭(d20)과 동일하거나 최대 발광소자(120)의 폭(d20)의 3배로 하는 것이 바람직하며, 발광소자(120)의 폭(d20)의 3배보다 크게 형성하게 되면 광효율이 낮아질 위험이 있기 때문이다.
또한, 형광체층(140)은 좌, 우측에 동일한 곡률을 갖거나, 또는 상이한 제1, 2 곡률을 형성할 수 있으며, 상기 곡률을 형성하는 것은 발광소자 패키지(200)의 측면으로 방상되는 광의 조향각 및 방사되는 광의 확장을 위함일 것이다.
렌즈(150)는 발광소자(120) 및 리플렉터(130)에 대응하는 중심부가 오목하게 형성됨에 따라 상기 조향각을 측면으로 넓게 형성되도록 도움을 줄 수 있을 것이다.
도 5(b) 및 도 5(c)는 도 5(a)와 상이한 부분에 대한 내용을 기재하며, 동일한 부분에 대한 내용은 간략하게 설명하거나 기재하지 않는다.
도 5(b)를 참조하면, 도 5(a)에 비하여 상대적으로 리플렉터(130)의 폭(d10)이 발광소자(120)의 폭(d20)보다 작게 형성됨을 알 수 있다.
즉, 리플렉터(130)의 폭(d10)은 발광소자 패키지(200)의 전방으로 방사되는 광량이 전체 광량 대비 6% 내지 10% 이하로 되게 하기 위함이며, 이때, 형광체층(140)의 두께(h30)는 발광소자(120)의 두께(h20) 보다 크며 발광소자(120)의 두께(h20)와 리플렉터(130)의 두께(h10)의 합두께보다 작은 것이 바람직하다.
이유인 즉, 형광체층(120)의 두께(h30)는 발광소자(120)와 리플렉터(130)가 서로 중첩되지 않는 발광소자(120)의 상부면에 형광체층(120)이 적층되기 위함이며, 발광소자(120)의 광을 여기시키기 위함이다.
또한, 도 5(c)를 참조하면, 도 5(a)에 비하여 상대적으로 리플렉터(130)의 폭(d10)이 발광소자(120)의 폭(d20)보다 크게 형성됨을 알 수 있다.
여기서, 리플렉터(130)의 폭(d10)은 발광소자(120)의 폭(d20) 대비 1.1배 이하인 것이 바람직하며, 이유인 즉 발광소자 패키지(200)의 전방으로 방사되는 광의 량을 조절하기 위함이며, 전체 광량 대지 6% 내지 10%이하를 유지하기 위함이다.
제1, 2 실시 예에 따른 발광소자 패키지는 복수의 발광소자 패키지를 포함하는 장치 및 제품에 사용함에 따라 조향각을 발광소자 패키지의 측면으로 확대할 수 있으므로, 발광소자 패키지의 전체 개수를 줄일 수 있으며, 그에 따른 제조 공정 시간을 단축 할 수 있으며, 제조 비용을 절감할 수 있는 이점을 가질 수 있다.
또한, 이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 도시하고 설명하였지만, 본 발명은 상술한 특정의 실시예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진자에 의해 다양한 변형실시가 가능한 것은 물론이고, 이러한 변형 실시예들은 본 발명의 기술적 사상이나 전망으로부터 개별적으로 이해되어져서는 안될 것이다.

Claims (13)

  1. 패키지 몸체;
    상기 패키지 몸체 상에 위치하고 소정의 광을 발광하는 발광소자;
    상기 발광소자의 상부면에 위치하고 상기 발광소자로부터 발광되는 광을 반사시키는 리플렉터; 및
    상기 발광소자와 상기 리플렉터의 측면에 위치하며, 상기 발광소자의 두께 보다 크며 상기 발광소자의 두께와 상기 리플렉터의 두께의 합두께 보다 작은 두께를 갖는 형광체층;을 포함하고,
    상기 형광체층의 폭은 상기 발광소자의 폭 대비 1.1배 내지 3배이며,
    상기 리플렉터는 Ag, Al, Pt, Rh 중 어느 하나 또는 합금인 발광소자 패키지.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 발광소자, 상기 리플렉터 및 상기 형광체층을 덮으며, 상기 발광소자에서 발광되는 광을 여기시키는 형광체를 포함하는 렌즈;를 더 포함하는 발광소자 패키지.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 발광소자는,
    플립 타입 또는 수직 타입인 발광소자 패키지.
  4. 삭제
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 리플렉터의 폭은,
    상기 발광소자의 폭 대비 0.9배 내지 1.1배인 발광소자 패키지.

  6. 삭제
  7. 삭제
  8. 삭제
  9. 삭제
  10. 삭제
  11. 삭제
  12. 삭제
  13. 삭제
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100463653B1 (ko) * 1999-07-29 2004-12-29 가부시키가이샤 시티즌 덴시 발광 다이오드
DE102007049799A1 (de) * 2007-09-28 2009-04-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
KR101534848B1 (ko) * 2008-07-21 2015-07-27 엘지이노텍 주식회사 발광 다이오드 및 그 제조방법. 그리고 발광 소자 및 그발광 소자 제조방법

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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