KR20100009689A - 발광 다이오드 및 그 제조방법. 그리고 발광 소자 및 그발광 소자 제조방법 - Google Patents

발광 다이오드 및 그 제조방법. 그리고 발광 소자 및 그발광 소자 제조방법 Download PDF

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Abstract

실시예는 발광 다이오드 및 그 제조방법. 그리고 발광 소자 및 그 발광 소자 제조방법에 관한 것이다.
실시예에 따른 발광 소자 제조방법은 회로기판 상에 발광 다이오드를 설치하는 단계; 상기 발광 다이오드를 포함하는 회로기판 상에 제1몰딩부재를 형성하는 단계; 상기 제1몰딩부재 상에 제2몰딩부재를 형성하고 예비 경화 공정을 수행하는 단계; 및 상기 제2몰딩부재를 형태를 변형하는 성형부재를 배치하고 본 경화 공정을 수행하는 단계가 포함된다.
발광 소자

Description

발광 다이오드 및 그 제조방법. 그리고 발광 소자 및 그 발광 소자 제조방법{LIGHT EMITTING DIODE AND METHOD FOR FABRICATING THE LIGHT EMITTING DIODE, AND LIGHT EMITTING DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING LIGHT EMITTING DEVCIE}
실시예는 발광 다이오드 및 그 제조방법. 그리고 발광 소자 및 그 발광 소자 제조방법에 관한 것이다.
최근, 발광 소자로써 발광 다이오드가 많이 사용되고 있다.
발광 다이오드는 N형 반도체층, 활성층, P형 반도체층을 포함하여 형성되며, 상기 N형 반도체층 및 P형 반도체층에 각각 전원이 인가됨에 따라 상기 활성층에서 빛이 방출된다. 상기 발광 다이오드는 특성에 따라 다양한 색상의 빛을 방출하도록 제작될 수 있다.
상기 발광 다이오드를 사용한 발광 소자는 상기 발광 다이오드에서 방출된 광에 의해 여기되어 여기광을 방출하는 형광체를 포함함으로써 다양한 색상의 빛을 방출할 수 있다.
예를 들어, 청색 파장의 광을 방출하는 발광 다이오드를 포위하도록 황색 형광체가 포함된 제1몰딩부재가 형성될 수 있다. 상기 황색 형광체는 상기 발광 다이 오드에 의해 방출된 광에 의해 여기되어 황색 파장의 여기광을 방출한다.
또한, 상기 발광 소자는 상기 발광 다이오드에서 방출된 광의 배광 특성을 개선하기 위한 제2몰딩부재가 더 포함될 수 있다. 상기 제2몰딩부재의 형태에 따라 다양한 배광 특성을 가진 발광 소자의 제조가 가능하다.
실시예는 발광 다이오드 및 그 제조방법. 그리고 발광 소자 및 그 발광 소자 제조방법을 제공한다.
실시예는 절연 특성이 향상된 발광 다이오드 및 그 제조방법을 제공한다.
실시예는 발광 다이오드를 포함하는 발광 소자 및 상기 발광 소자에 사용되는 몰딩부재의 형태를 용이하게 가공할 수 있는 발광 소자 제조방법을 제공한다.
실시예는 다수의 발광 소자에 대해 동시에 몰딩부재의 형태를 가공할 수 있는 발광 소자 제조방법을 제공한다.
실시예에 따른 발광 소자 제조방법은 회로기판 상에 발광 다이오드를 설치하는 단계; 상기 발광 다이오드를 포함하는 회로기판 상에 제1몰딩부재를 형성하는 단계; 상기 제1몰딩부재 상에 제2몰딩부재를 형성하고 예비 경화 공정을 수행하는 단계; 및 상기 제2몰딩부재를 형태를 변형하는 성형부재를 배치하고 본 경화 공정을 수행하는 단계가 포함된다.
실시예에 따른 발광 소자 제조방법은 발광 다이오드와, 상기 발광 다이오드를 각각 포위하는 제1몰딩부재와, 상기 제1몰딩부재 상에 각각 예비 경화 공정이 수행된 제2몰딩부재가 포함되는 회로기판이 준비되는 단계; 상기 발광 다이오드에 대응되는 위치에 성형부재가 형성된 성형기판이 준비되는 단계; 상기 회로기판과 성형 기판이 대면하도록 배치하여 상기 성형부재가 상기 제2몰딩부재의 형태를 변 형하도록 하는 단계; 및 상기 제2몰딩부재에 대해 본 경화 공정이 수행되는 단계가 포함된다.
실시예에 따른 발광 소자는 제1 도전 패턴 및 상기 제1 도전 패턴과 전기적으로 분리된 제2 도전 패턴이 형성된 회로기판; 상기 회로기판 상에 설치되어 상기 제1 도전 패턴 및 제2 도전 패턴과 전기적으로 연결된 발광 다이오드; 상기 발광 다이오드를 포위하며 형성된 제1 몰딩부재; 및 상기 제1 몰딩부재 상에 형성되고 중심부가 함몰된 형태로 형성된 제2 몰딩부재가 포함된다.
실시예는 발광 다이오드 및 그 제조방법. 그리고 발광 소자 및 그 발광 소자 제조방법을 제공할 수 있다.
실시예는 절연 특성이 향상된 발광 다이오드 및 그 제조방법을 제공할 수 있다.
실시예는 절연 특성이 향상된 발광 다이오드를 포함하는 발광 소자 및 상기 발광 소자에 사용되는 몰딩부재의 형태를 용이하게 가공할 수 있는 발광 소자 제조방법을 제공할 수 있다.
실시예는 다수의 발광 소자에 대해 동시에 몰딩부재의 형태를 가공할 수 있는 발광 소자 제조방법을 제공할 수 있다.
본 발명에 따른 실시 예의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "상/위(on)"에 또는 "아 래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상/위(on)"와 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 상/위 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.
도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 실시예에 따른 발광 다이오드 및 그 제조방법, 그리고 발광 소자 및 그 제조방법을 상세히 설명하도록 한다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 발광 다이오드를 나타낸 단면도이다.
도 1을 참조하면, 발광 다이오드(100)는 제 1도전형의 반도체층(102), 활성층(104), 제 2도전형의 반도체층(106), 보호층(107), 반사 전극층(108), 전도성 지지기판(110)을 포함한다. 또한, 상기 제 1도전형의 반도체층(102) 상에 제1 전극층(112)을 포함한다.
상기 제 1도전형의 반도체층(102)은 n형 반도체층으로 구현될 수 있으며, 상기 n형 반도체층은 GaN층, AlGaN층, InGAN층 등과 같은 GaN계 화합물 반도체 중 어느 하나로 이루어질 수 있다.
상기 제 1도전형의 반도체층(102)의 아래에는 활성층(104)이 형성된다. 상기 활성층(104)은 단일 또는 다중 양자우물 구조로 형성되는데, 예컨대, InGaN 우물층/GaN 장벽층을 한 주기로 하여, 단일 또는 다중 양자 우물 구조로 형성될 수 있다. 여기서, 우물층 InxGa1-xN에서 x는 0≤x≤1 범위가 될 수 있다.
상기 활성층(104) 아래에는 제 2도전형의 반도체층(106)이 형성된다. 상기 제 2도전형의 반도체층(106)은 p형 도펀트가 도핑된 p형 반도체층으로 구현될 수 있다. 상기 p형 반도체층은 GaN층, AlGaN층, InGaN층 등과 같은 GaN계 화합물 반도체 중에서 어느 하나로 이루어질 수 있다.
또한 상기 제 2도전형의 반도체층(106)의 아래에는 제 3도전형의 반도체층(미도시)을 더 형성할 수도 있다. 여기서 제 3도전형의 반도체층은 n형 반도체층으로 구현될 수 있다.
또한, 다른 실시예에서는 제 1도전형의 반도체층(102)이 p형 반도체층으로 구현되고, 제 2도전형의 반도체층(106)이 n형 반도체층으로 구현될 수도 있다.
상기 제 2도전형의 반도체층(106)의 아래에는 보호층(107) 및 반사 전극층(108)이 형성된다.
상기 반사 전극층(108)은 상기 제 2도전형의 반도체층(106)의 하면 중앙부와 접촉하고, 상기 보호층(107)은 상기 제 2도전형의 반도체층(106)의 하면 주변부와 접촉한다.
상기 보호층(107)은 상기 반사 전극층(108) 또는 전도성 지지기판(110)의 측면으로부터 상기 제1 전극층(112) 또는 제 1도전형의 반도체층(102)까지의 수직 방향의 간격을 증가시킨다.
따라서, 외부의 이물질에 의해 상기 반사 전극층(108) 또는 전도성 지지기 판(110)과, 상기 제1 전극층(112) 또는 제 1도전형의 반도체층(102)이 전기적으로 단락되는 현상을 방지할 수 있다.
상기 보호층(107)은 상기 제 2도전형의 반도체층(106)의 주변부 아래에 소정의 높이(h1) 및 폭(w1)으로 형성된다. 또한, 상기 보호층(107)은 제 2도전형의 반도체층(106)과 동일한 반도체층이거나 다른 반도체층으로 형성될 수 있다.
구체적으로, 상기 보호층(107)의 폭(w1)은 20~600㎛로 형성되며, 높이(h1)는 제 2도전형의 반도체층(106)을 기준으로 5~500㎛로 형성된다. 또한, 상기 보호층(107)은 n형 반도체층, p형 반도체층, 언도프드(undopped) 반도체층 중에서 어느 하나이거나, 둘 이상이 적층된 다층으로 구현될 수도 있다. 예를 들면, 상기 보호층(107)은 n형 GaN층, p형 GaN층, 언도프드 GaN층 중에서 적어도 한 층을 포함하여 이루어질 수 있으며, 상기 보호층(107)은 제 2도전형의 반도체층(106)과 동일한 p형 GaN층으로 형성될 수도 있다.
상기 제 1도전형의 반도체층(102)으로부터 상기 제 2도전형의 반도체층(106)의 일부 또는 상기 보호층(107)의 일부가 노출되는 깊이로 메사 에칭된 에칭 홈(105)은 상기 반사 전극층(108) 또는 전도성 지지기판(110)의 측면으로부터 상기 제1 전극층(112) 또는 제 1도전형의 반도체층(102)까지의 수평 방향의 간격을 증가시킨다.
따라서, 외부의 이물질에 의해 상기 반사 전극층(108) 또는 전도성 지지기판(110)과, 상기 제1 전극층(112) 또는 제 1도전형의 반도체층(102)이 전기적으로 단락되는 현상을 방지할 수 있다.
여기서, 상기 에칭 홈(105)의 폭(w2)은 10~500㎛ 정도가 된다. 여기서, 상기 에칭 홈(105)의 폭(w2)과 상기 보호층(107)의 폭(w1)은 w1 > w2를 만족한다.
상기 에칭 홈(105)의 폭(w2)이 상기 보호층(107)의 폭(w1) 보다 크거나 같은 경우에, 메사 에칭에 의해 상기 반사 전극층(108)이 상측 방향으로 노출될 우려가 있다.
상기 반사 전극층(108)의 아래에는 전도성 지지기판(110)이 형성된다.
여기서, 상기 반사 전극층(108)은 외부로부터의 전류를 안정적으로 공급할 수 있도록 오믹 컨택(ohmic contact)하는 p형 전극으로 기능할 수도 있다. 여기서, p형 전극은 Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf 및 그 조합으로 구성된 그룹으로부터 선택된 적어도 어느 하나의 물질이 포함된 층으로 형성될 수 있다. 상기 전도성 지지기판(110)은 구리 또는 금으로 이루어질 수 있다.
실시예에 따른 발광 다이오드에서, 반사 전극층(108) 및 전도성 지지기판(110)은 상기 제1 도전형의 반도체층(102)에 전원을 제공하는 제1 전극층(112)에 대응되도록 상기 제2 도전형의 반도체층(106)에 전원을 제공하는 제2 전극층으로써의 기능을 제공할 수 있다.
상기 제2 전극층의 상면은 중앙부가 주변부에 비해 상측방향으로 돌출된다. 실시예에서는 상기 반사 전극층(108)의 중앙부가 주변부에 비해 상측방향으로 돌출된 것이 도시되어 있다.
상기 제2 전극층의 상면의 중앙부가 주변부에 비해 상측방향으로 돌출되어 형성됨에 따라 앞서 설명한 바와 같이, 발광 다이오드의 전기적 절연 특성이 향상 될 수 있다. 이때, 상기 보호층(107)은 선택적으로 형성될 수도 있다.
도 2 내지 도 9는 본 발명의 실시예에 따른 발광 다이오드 제조방법을 설명하는 도면이다.
도 2와 도 3을 참조하면, 기판(101) 위에 제 1도전형의 반도체층(102)을 형성하고, 상기 제 1도전형의 반도체층(102) 위에 활성층(104)을 형성하며, 상기 활성층(104) 위에 제 2도전형의 반도체층(106)을 형성한다. 여기서 제 1도전형의 반도체층(102)은 n형 반도체층으로, 제 2도전형의 반도체층(106)은 p형 반도체층으로 구현할 수 있으며, 또는 그 반대의 도전형으로 구현할 수도 있다.
도 4를 참조하면, 상기 제 2도전형의 반도체층(106)의 중앙부(106A)에는 산화막 패턴(예를 들어, SiO2)(미도시)을 형성한 후, 상기 산화막 패턴을 마스크로 하여 상기 제 2도전형의 반도체층(106) 위의 주변부(106B)에 소정 높이(h1) 및 소정 폭(w1)으로 보호층(107)을 형성한다.
여기서, 상기 보호층(107)은 n형 GaN층, p형 GaN층, 언도프드(undopped) GaN층 중에서 어느 한 층으로 형성되거나 둘 이상이 조합된 다층으로 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 언도프드 GaN층은 900℃의 성장온도에서 NH3와 트리메탈 갈륨(TMGa) 가스를 공급하여, 도펀트를 포함하지 않은 GaN층으로 형성된다.
상기 보호층(107)의 폭(w1)은 20~600㎛로 형성되며, 높이(h1)는 5㎛~ 500㎛로 형성된다.
상기 보호층(107)이 형성되면, 제 2도전형의 반도체층(106)의 중앙부에 형성 된 산화막 패턴을 제거한다.
도 5를 참조하면, 상기 제 2도전형의 반도체층(106) 및 보호층(107) 위에 반사 전극층(108)을 형성하고, 상기 반사 전극층(108) 위에는 전도성 지지기판(110)을 형성한다.
도 6 및 도 7을 참조하면, 상기 제 1도전형의 반도체층(102) 아래에 형성된 기판(101)을 레이저 리프트 오프(LLO : Laser Lift Off) 공정으로 제거한다. 즉, 기판(101)에 일정 영역의 파장을 가지는 레이저를 조사하면 상기 기판(101)과 제 1도전형의 반도체층(102) 사이의 경계면에서 열 에너지가 집중되어 상기 기판(101)이 상기 제 1도전형의 반도체층(102)으로부터 분리된다.
그리고, 상기 기판(101)이 제거된 제 1도전형의 반도체층(102)의 표면에 대해 ICP/RCE(Inductively coupled Plasma/Reactive Ion Etching) 방식으로 연마하는 공정을 수행할 수 있다.
도 8을 참조하면, 상기 기판(101)이 제거된 구조물을 반대로 배치하여, 전도성 지지기판(110)이 발광 구조물 하부에 놓이도록 한다.
그리고 상기 제 1도전형의 반도체층(102)에서 제 2도전형의 반도체층(106)의 일부까지 각 층에 대해 메사 에칭을 수행하여 에칭 홈(105)을 형성한다. 여기서, 에칭 방식은 건식 또는 습식 에칭 방식을 이용할 수 있다. 이때, 메사 에칭은 제 2도전형의 반도체층(106)의 일부 또는 보호층(107)의 일부가 노출될 때까지 수행될 수 있다. 이에 따라 제 1도전형의 반도체층(102)에서 제 2도전형의 반도체층(106)의 일부까지 각 층이 에칭된 에칭 홈(105)이 형성된다.
여기서, 상기 에칭 홈(105)의 폭(w2)은 10~500㎛ 정도가 되는데, 상기 보호층(107)의 폭(도 4의 w1) 보다는 작게 형성된다.
도 9를 참조하면, 상기 제 1도전형의 반도체층(102) 위에는 제 1전극층(112)을 형성한다. 상기 제1 전극층(112)은 투명 전극층으로 형성되거나, 상기 제1 전극층(112)과 상기 제1 도전형의 반도체층(102)사이에 투명 전극층이 형성될 수도 있다.
실시예에 따른 발광 다이오드(100)는 상기 보호층(107) 및 에칭 홈(105)을 형성함으로써, 외부 이물질에 의한 전기적인 단락으로부터 발광 다이오드(100)를 보호할 수 있다.
따라서, 발광 다이오드(100)의 절연 특성이 향상될 수 있다.
도 10은 본 발명의 실시예에 따른 발광 다이오드가 포함된 발광 소자를 예시한 도면이다.
도 10을 참조하면, 실시예에 따른 발광 소자는 도전 패턴(미도시)이 형성된 회로기판(10)과, 상기 회로기판(10) 상에 설치되어 상기 회로기판(10)과 와이어(21)를 통해 전기적으로 연결되는 발광 다이오드(100)와, 상기 회로기판(10) 상에 설치되며 발광 다이오드(100)의 주위에 배치되는 가이드 링(11)과, 상기 가이드 링(11)에 의해 지지되며 형광체(31)를 포함하는 제1몰딩부재(30)와, 상기 제1몰딩부재(30) 상에 형성되는 제2몰딩부재(40)가 포함된다.
도 9에 도시된 바와 같이, 상기 발광 다이오드(100)의 전도성 지지기판(110)은 상기 회로기판(10)에 형성된 제1 도전 패턴(미도시)와 접촉하여 전기적으로 연 결되고, 상기 발광 다이오드(100)의 제1 전극층(112)는 상기 와이어(21)를 통해 상기 제1 도전 패턴(미도시)과 전기적으로 분리된 제2 도전 패턴(미도시)과 전기적으로 연결된다.
상기 제1몰딩부재(30)는 상기 발광 다이오드(100)를 포위하도록 형성되어 상기 발광 다이오드(100)에서 방출된 광에 의해 상기 제1몰딩부재(30)에 포함된 형광체(31)가 여기되도록 한다. 상기 형광체(31)는 상기 제1몰딩부재(30)에 분산되어 형성된다. 한편, 다른 실시예에서, 상기 제1 몰딩부재(30)는 형성되지 않으며, 상기 제2 몰딩부재(40)가 상기 제1 몰딩부재(40)의 영역을 포함하여 형성될 수도 있다.
상기 제2몰딩부재(40)는 상기 제1몰딩부재(30) 상에 형성되어 상기 발광 다이오드(100)에서 방출된 광의 배광 특성을 결정한다.
실시예에 따른 발광 소자에서 상기 제2몰딩부재(40)는 볼록한 형태로 형성되며 중심부가 함몰된 형태로 형성된다.
도 11은 실시예에 따른 발광 소자의 배광 특성을 도시한 도면이다.
도 11에 도시된 바와 같이, 발광 소자의 배광 특성은 렌즈 역할을 하는 상기 제2몰딩부재(40)의 형태에 따라 변화될 수 있는데, 실시예에서는 전체적으로 볼록한 형태로 형성되되, 중심부가 함몰된 형태로 제2몰딩부재(40)를 형성함으로써 주로 45도 방향으로 광을 방출하는 발광 소자를 형성할 수 있다.
이와 같은 발광 소자는 디스플레이 기기의 백라이트 조명으로 사용되는데 적합할 수 있다.
도 12 내지 도 16은 실시예에 따른 발광 소자 제조방법을 설명하는 도면이다.
도 12를 참조하면, 회로기판(10) 상에 가이드 링(11)과 발광 다이오드(100)를 설치한다. 이때, 상기 발광 다이오드(100)의 전도성 지지기판(110)이 상기 회로기판(10)에 형성된 제1 도전 패턴과 접촉되도록 상기 발광 다이오드(100)를 배치한다. 또한, 상기 발광 다이오드(100)의 제1 전극층(112)과 상기 회로기판(10)의 제2 도전 패턴을 와이어(21)를 통해 전기적으로 연결한다.
도 13을 참조하면, 상기 발광 다이오드(100)를 포위하도록 형광체(31)가 포함된 제1몰딩부재(30)를 상기 발광 다이오드(100)를 포함하는 회로기판(10) 상에 형성한다. 상기 제1몰딩부재(30)는 상기 가이드 링(11)에 의해 상기 발광 다이오드(100)를 충분히 덮을 수 있는 두께로 형성된다.
도 14를 참조하면, 상기 제1몰딩부재(30) 상에 실리콘과 같은 수지 재질의 제2몰딩부재(40)가 형성된다. 상기 제2몰딩부재(40)는 상기 발광 다이오드(100)에서 방출된 광의 배광 특성을 결정하는데, 일차적으로 상기 제2몰딩부재(40)는 볼록한 형태로 형성되어 예비 경화 공정이 진행된다.
예를 들어, 상기 예비 경화 공정은 40도 내지 80도의 온도에서 5~15분 정도 수행될 수 있다.
도 15를 참조하면, 상기 예비 경화된 제2몰딩부재(40)를 성형부재(50)로 가압하여 상기 제2몰딩부재(40)의 형태를 성형한다. 도 16에는 상기 성형부재(50)의 다른 형태가 도시되어 있다.
도 15와 도 16에 도시된 바와 같이, 상기 성형부재(50)를 이용하여 상기 제2몰딩부재(40)를 가압한 상태에서 본 경화 공정이 진행된다.
예를 들어, 상기 본 경화 공정은 130도 내지 170도의 온도에서 5~15분 정도 수행될 수 있다.
상기와 같은 예비 경화 공정 및 본 경화 공정이 진행되면, 도 10에 도시된 바와 같은 발광 소자가 제작된다.
한편, 실시예에 따른 발광 소자 제조방법은 회로기판(10) 상에 설치된 다수의 발광 소자의 제2몰딩부재(40)를 동시에 성형함으로써 생산성이 향상되도록 한다.
도 17에 도시된 바와 같이, 도전 패턴(미도시) 및 상기 도전 패턴에 전원을 제공하기 위한 터미널(12)이 형성된 회로기판(10) 상에 도 14에 도시된 바와 같은 볼록한 형태의 제2몰딩부재(40)가 형성된 복수의 발광 소자(60)가 준비된다.
상기 회로기판(10)에는 가이드 핀 삽입 홀(70)이 형성될 수 있다.
한편, 도 18에 도시된 성형 기판(80)은 상기 회로기판(10)과 대응되는 크기로 형성될 수 있으며, 상기 가이드 핀 삽입 홀(70)에 삽입되어 상기 회로기판(10)과 성형 기판(80)이 정확한 위치에 배치되도록 하는 가이드 핀(81)이 형성되고, 상기 회로기판(10)과 성형 기판(80)이 일정 간격을 유지할 수 있도록 하는 간격 유지 부재(82)가 형성되며, 상기 발광 소자(60)와 대응되는 위치에 형성되어 상기 발광 소자(60)의 제2몰딩부재(40)의 형태를 성형하는 성형부재(50)가 형성된다.
도 18에서 성형부재(50)는 도 15에 예시된 성형부재(50)가 사용된 것이 도시 되어 있으나, 도 16에 예시된 성형부재(50)가 사용될 수도 있으며, 제2몰딩부재(40)의 성형 형태에 따라 다양한 성형부재가 사용될 수도 있다.
도 19에 도시된 바와 같이, 상기 회로기판(10)과 성형 기판(80)을 마주 보도록 배치한 상태에서 다수의 기판이 삽입될 수 있도록 수평 방향으로 연장된 복수의 슬롯(91)이 형성된 매거진(90)에 삽입한다.
이때, 상기 가이드 핀(81)은 상기 회로기판(10)의 가이드 핀 삽입 홀(70)에 결합되어 상기 회로기판(10) 또는 성형 기판(80)이 수평 방향으로 흔들림이 없도록 하고, 상기 간격 유지 부재(82)는 상기 회로기판(10)과 성형 기판(80)이 상기 매거진(90)의 슬롯(91) 사이의 간격으로 유지될 수 있도록 한다. 도 19에서는 이해의 편의를 위해 도 18과 다른 위치에 상기 가이드 핀(81) 및 간격 유지 부재(82)가 형성된 것이 개시되어 있으나, 상기 가이드 핀(81) 및 간격 유지 부재(82)의 수와 위치는 다양하게 설계될 수 있음은 당업자에게 자명하다고 볼 것이다.
도 19에 도시된 바와 같이, 상기 회로기판(10)과 성형 기판(80)이 결합된 상태에서 상기 발광 소자(60)에 대한 본 경화 공정이 수행된다.
따라서, 회로기판(10) 상에 형성된 복수의 발광 소자(60)에 대한 제2몰딩부재(40) 성형 공정을 동시에 수행할 수 있다.
한편, 상기 매거진(90)에 형성된 슬롯(91)의 갯수에 대응되는 만큼 회로기판(10)과 성형 기판(80)을 삽입할 수 있으므로, 복수의 회로기판(10)에 각각 형성된 복수의 발광 소자(60)에 대한 제2몰딩부재(40)의 성형이 동시에 이루어질 수 있다.
실시예에 따른 발광 소자 제조방법은 발광 소자의 몰딩부재 형태를 용이하게 가공할 수 있으며, 복수의 발광 소자의 몰딩부재 형태를 동시에 가공할 수 있다.
이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 발광 다이오드를 나타낸 단면도.
도 2 내지 도 9는 본 발명의 실시예에 따른 발광 다이오드 제조방법을 설명하는 도면.
도 10은 본 발명의 실시예에 따른 발광 다이오드가 포함된 발광 소자를 예시한 도면.
도 11는 실시예에 따른 발광 소자의 배광 특성을 도시한 도면.
도 12 내지 도 19는 실시예에 따른 발광 소자 제조방법을 설명하는 도면.

Claims (16)

  1. 회로기판 상에 발광 다이오드를 설치하는 단계;
    상기 발광 다이오드를 포함하는 회로기판 상에 제1몰딩부재를 형성하는 단계;
    상기 제1몰딩부재 상에 제2몰딩부재를 형성하고 예비 경화 공정을 수행하는 단계; 및
    상기 제2몰딩부재를 형태를 변형하는 성형부재를 배치하고 본 경화 공정을 수행하는 단계가 포함되는 발광 소자 제조방법.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 예비 경화 공정은 40도 내지 80도의 온도에서 5~15분 수행되는 발광 소자 제조방법.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 본 경화 공정은 130도 내지 170도의 온도에서 5~15분 수행되는 발광 소자 제조방법.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 성형부재는 상기 제2몰딩부재의 중앙부를 상측에서 가압하는 발광 소자 제조방법.
  5. 발광 다이오드와, 상기 발광 다이오드를 각각 포위하는 제1몰딩부재와, 상기 제1몰딩부재 상에 각각 예비 경화 공정이 수행된 제2몰딩부재가 포함되는 회로기판이 준비되는 단계;
    상기 발광 다이오드에 대응되는 위치에 성형부재가 형성된 성형기판이 준비되는 단계;
    상기 회로기판과 성형 기판이 대면하도록 배치하여 상기 성형부재가 상기 제2몰딩부재의 형태를 변형하도록 하는 단계; 및
    상기 제2몰딩부재에 대해 본 경화 공정이 수행되는 단계가 포함되는 발광 소자 제조방법.
  6. 제 5항에 있어서,
    상기 회로기판에는 가이드 핀 삽입 홀이 형성되고, 상기 성형 기판에는 상기 가이드 핀 삽입 홀에 삽입되는 가이드 핀이 형성되는 발광 소자 제조방법.
  7. 제 5항에 있어서,
    상기 성형 기판에는 상기 회로기판과 접촉하는 간격 유지 부재가 형성되는 발광 소자 제조방법.
  8. 제 5항에 있어서,
    상기 회로기판 및 성형기판은 수평 방향으로 슬롯이 형성된 매거진에 삽입되어 상기 본 경화 공정이 수행되는 발광 소자 제조방법.
  9. 제 5항에 있어서,
    상기 본 경화 공정은 130도 내지 170도의 온도에서 5~15분 수행되는 발광 소자 제조방법.
  10. 제 5항에 있어서,
    상기 예비 경화 공정은 40도 내지 80도의 온도에서 5~15분 수행되는 발광 소자 제조방법.
  11. 제1 도전 패턴 및 상기 제1 도전 패턴과 전기적으로 분리된 제2 도전 패턴이 형성된 회로기판;
    상기 회로기판 상에 설치되어 상기 제1 도전 패턴 및 제2 도전 패턴과 전기적으로 연결된 발광 다이오드;
    상기 발광 다이오드를 포위하며 형성된 제1 몰딩부재; 및
    상기 제1 몰딩부재 상에 형성되고 중심부가 함몰된 형태로 형성된 제2 몰딩부재가 포함되는 발광 소자.
  12. 제 11항에 있어서,
    상기 발광 다이오드는 상기 제1 도전 패턴 상에 설치되는 전도성 지지기판과, 상기 전도성 지지기판 상에 형성되어 중앙부가 돌출된 반사 전극층과, 상기 반사 전극층의 주변부 상에 형성된 보호층과, 상기 반사 전극층 및 보호층 상에 형성된 제2 도전형의 반도체층, 활성층 및 제1 도전형의 반도체층과, 상기 제1 도전형의 반도체층 상에 형성되어 상기 제2 도전 패턴과 와이어를 통해 전기적으로 연결되는 제1 전극층이 포함되는 발광 소자.
  13. 제 12항에 있어서,
    상기 제2 도전형의 반도체층, 활성층 및 제1 도전형의 반도체층의 면적은 상기 전도성 지지기판의 면적보다 작은 발광 소자.
  14. 제 12항에 있어서,
    상기 제2 도전형의 반도체층, 활성층 및 제1 도전형의 반도체층의 측면에는 에칭 홈이 형성되어, 상기 제2 도전형의 반도체층의 일부가 상측 방향으로 노출된 발광 소자.
  15. 제 12항에 있어서,
    상기 반사 전극층의 중앙부 상면과 상기 보호층의 상면은 동일 수평면 상에 위치하는 발광 소자.
  16. 제 12항에 있어서,
    상기 제1 몰딩부재에는 형광체가 포함된 발광 소자.
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JP2011519986A JP2011528862A (ja) 2008-07-21 2009-07-21 発光ダイオード及びその製造方法、そして発光素子及びその発光素子の製造方法
EP09800555.6A EP2249408B1 (en) 2008-07-21 2009-07-21 Light emitting diode
US12/921,534 US8823028B2 (en) 2008-07-21 2009-07-21 Light emitting diode and method of manufacturing the same, and light emitting device and method of manufacturing the light emitting device
DE202009018568U DE202009018568U1 (de) 2008-07-21 2009-07-21 Lichtemittierende Diode und lichtemittierende Vorrichtung
CN200980110760.5A CN101981715B (zh) 2008-07-21 2009-07-21 发光二极管及其制造方法和发光器件及其制造方法
CN201510502099.XA CN105185887B (zh) 2008-07-21 2009-07-21 发光二极管及其制造方法和发光器件及其制造方法
JP2012000827U JP3175334U (ja) 2008-07-21 2012-02-16 発光ダイオード
JP2012000826U JP3175270U (ja) 2008-07-21 2012-02-16 発光素子
JP2012031778A JP5709778B2 (ja) 2008-07-21 2012-02-16 発光素子
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101012517B1 (ko) * 2008-10-22 2011-02-08 렌슬러 폴리테크닉 인스티튜트 발광소자
KR20120005297A (ko) * 2010-07-08 2012-01-16 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지
WO2013122358A1 (ko) * 2012-02-16 2013-08-22 서울반도체 주식회사 렌즈를 갖는 발광 모듈
US9530947B2 (en) 2013-08-26 2016-12-27 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Lens and light emitting module for surface illumination

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100999779B1 (ko) * 2010-02-01 2010-12-08 엘지이노텍 주식회사 발광소자, 발광소자의 제조방법 및 발광소자 패키지
KR100969100B1 (ko) * 2010-02-12 2010-07-09 엘지이노텍 주식회사 발광소자, 발광소자의 제조방법 및 발광소자 패키지
KR100999733B1 (ko) * 2010-02-18 2010-12-08 엘지이노텍 주식회사 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 발광 소자 패키지
US8338317B2 (en) 2011-04-06 2012-12-25 Infineon Technologies Ag Method for processing a semiconductor wafer or die, and particle deposition device
KR101047721B1 (ko) 2010-03-09 2011-07-08 엘지이노텍 주식회사 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 발광 소자 패키지
KR101646664B1 (ko) * 2010-05-18 2016-08-08 엘지이노텍 주식회사 발광 소자, 발광 소자의 제조방법 및 발광 소자 패키지
US10147853B2 (en) * 2011-03-18 2018-12-04 Cree, Inc. Encapsulant with index matched thixotropic agent
CN102185063A (zh) * 2011-04-15 2011-09-14 映瑞光电科技(上海)有限公司 发光二极管及其制造方法
US9397274B2 (en) * 2011-08-24 2016-07-19 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device package
JP6038443B2 (ja) * 2011-11-21 2016-12-07 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置および半導体発光装置の製造方法
CN103474562B (zh) * 2012-06-08 2016-11-23 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管的制造方法
US10424702B2 (en) 2012-06-11 2019-09-24 Cree, Inc. Compact LED package with reflectivity layer
US10468565B2 (en) 2012-06-11 2019-11-05 Cree, Inc. LED package with multiple element light source and encapsulant having curved and/or planar surfaces
US9818919B2 (en) 2012-06-11 2017-11-14 Cree, Inc. LED package with multiple element light source and encapsulant having planar surfaces
US9887327B2 (en) 2012-06-11 2018-02-06 Cree, Inc. LED package with encapsulant having curved and planar surfaces
CN114497308B (zh) * 2022-01-27 2023-11-28 宁波安芯美半导体有限公司 一种半导体结构及制备方法与应用

Family Cites Families (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5455390A (en) 1977-10-12 1979-05-02 Nec Corp Light emitting element
DE4305296C3 (de) 1993-02-20 1999-07-15 Vishay Semiconductor Gmbh Verfahren zum Herstellen einer strahlungsemittierenden Diode
JP2924580B2 (ja) 1993-07-19 1999-07-26 日立電線株式会社 樹脂モールド型化合物半導体光素子及び樹脂モールド型発光ダイオード
ATE550461T1 (de) 1997-04-11 2012-04-15 Nichia Corp Wachstumsmethode für einen nitrid-halbleiter
JP3491538B2 (ja) 1997-10-09 2004-01-26 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体の成長方法及び窒化物半導体素子
JP4169821B2 (ja) 1998-02-18 2008-10-22 シャープ株式会社 発光ダイオード
CN1191609C (zh) 1999-07-09 2005-03-02 材料研究及工程研究所 在装置制造过程中使器件层成图的方法
JP4082544B2 (ja) * 1999-12-24 2008-04-30 ローム株式会社 裏面実装チップ型発光装置
JP2002344027A (ja) * 2001-05-15 2002-11-29 Stanley Electric Co Ltd 面実装ｌｅｄ
JP4122738B2 (ja) * 2001-07-26 2008-07-23 松下電工株式会社 発光装置の製造方法
JP2003048134A (ja) 2001-08-07 2003-02-18 Incs Inc 工具管理システム
ATE525755T1 (de) 2001-10-12 2011-10-15 Nichia Corp Lichtemittierendes bauelement und verfahren zu seiner herstellung
US6744071B2 (en) 2002-01-28 2004-06-01 Nichia Corporation Nitride semiconductor element with a supporting substrate
US6828570B2 (en) 2002-04-01 2004-12-07 Applied Materials, Inc. Technique for writing with a raster scanned beam
US20040140474A1 (en) * 2002-06-25 2004-07-22 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor light-emitting device, method for fabricating the same and method for bonding the same
TW578318B (en) * 2002-12-31 2004-03-01 United Epitaxy Co Ltd Light emitting diode and method of making the same
US6855571B1 (en) * 2003-02-14 2005-02-15 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method of producing GaN-based semiconductor laser device and semiconductor substrate used therefor
JP2005045054A (ja) 2003-07-23 2005-02-17 Sharp Corp Ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子
JP2006066786A (ja) 2004-08-30 2006-03-09 Seiwa Electric Mfg Co Ltd 発光ダイオード
JP2006073619A (ja) * 2004-08-31 2006-03-16 Sharp Corp 窒化物系化合物半導体発光素子
JP3875247B2 (ja) * 2004-09-27 2007-01-31 株式会社エンプラス 発光装置、面光源装置、表示装置及び光束制御部材
EP1810351B1 (en) 2004-10-22 2013-08-07 Seoul Opto Device Co., Ltd. Gan compound semiconductor light emitting element
WO2006062300A1 (en) * 2004-12-08 2006-06-15 Electronics And Telecommunications Research Institute Silicon-based light emitting diode
KR100590775B1 (ko) 2004-12-08 2006-06-19 한국전자통신연구원 실리콘 발광 소자
JP2006237467A (ja) * 2005-02-28 2006-09-07 Sanken Electric Co Ltd 半導体発光素子及びその製造方法
JP2006302965A (ja) * 2005-04-15 2006-11-02 Sharp Corp 半導体発光装置およびその製造方法
KR100784057B1 (ko) 2005-06-24 2007-12-10 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지 및 발광소자 패키지 제조 방법
US7365371B2 (en) * 2005-08-04 2008-04-29 Cree, Inc. Packages for semiconductor light emitting devices utilizing dispensed encapsulants
JP5016808B2 (ja) * 2005-11-08 2012-09-05 ローム株式会社 窒化物半導体発光素子及び窒化物半導体発光素子製造方法
JP2007165409A (ja) 2005-12-09 2007-06-28 Rohm Co Ltd 半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法
JP2007173465A (ja) 2005-12-21 2007-07-05 Rohm Co Ltd 窒化物半導体発光素子の製造方法
JP2007287757A (ja) 2006-04-12 2007-11-01 Rohm Co Ltd 窒化物半導体発光素子及び窒化物半導体発光素子の製造方法
KR100731678B1 (ko) * 2006-05-08 2007-06-22 서울반도체 주식회사 칩형 발광 다이오드 패키지 및 그것을 갖는 발광 장치
JP4929924B2 (ja) * 2006-08-25 2012-05-09 サンケン電気株式会社 半導体発光素子、その製造方法、及び複合半導体装置
JP5076746B2 (ja) * 2006-09-04 2012-11-21 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体レーザ素子及びその製造方法
TWI322522B (en) * 2006-12-18 2010-03-21 Delta Electronics Inc Electroluminescent device, and fabrication method thereof
KR100870065B1 (ko) 2007-04-11 2008-11-24 알티전자 주식회사 엘이디 패키지용 렌즈 제조방법
US7759670B2 (en) * 2007-06-12 2010-07-20 SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. Vertical LED with current guiding structure
KR100872717B1 (ko) 2007-06-22 2008-12-05 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 그 제조방법
TWI396298B (zh) * 2007-08-29 2013-05-11 Everlight Electronics Co Ltd 發光半導體元件塗佈螢光粉的方法及其應用

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101012517B1 (ko) * 2008-10-22 2011-02-08 렌슬러 폴리테크닉 인스티튜트 발광소자
KR20120005297A (ko) * 2010-07-08 2012-01-16 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지
WO2013122358A1 (ko) * 2012-02-16 2013-08-22 서울반도체 주식회사 렌즈를 갖는 발광 모듈
US9810382B2 (en) 2012-02-16 2017-11-07 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting module having lens
US9530947B2 (en) 2013-08-26 2016-12-27 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Lens and light emitting module for surface illumination
US10281111B2 (en) 2013-08-26 2019-05-07 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Lens and light emitting module for surface illumination
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